專利名稱：磁共振成像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁共振成像裝置，其中由彼此面對(duì)地設(shè)置的第一磁場(chǎng)產(chǎn)生部分和第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分建立檢查區(qū)域，并獲取置于檢查區(qū)域內(nèi)的對(duì)象的磁共振圖像，尤其是涉及一種這樣的磁共振成像裝置，其中可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的操作，控制裝置可有效地被冷卻，并且可以利用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)使檢查區(qū)域最大。
背景技術(shù)：
使用核磁共振現(xiàn)象使待成像的對(duì)象的內(nèi)部結(jié)構(gòu)成像的磁共振成像裝置(下文稱為MRI裝置)是公知的。因?yàn)楹舜殴舱瘳F(xiàn)象對(duì)生物體無害，所以MRI(磁共振成像)裝置在醫(yī)療上尤其有用，并被用于例如腦瘤等的診斷。
核磁共振現(xiàn)象是一種這樣的現(xiàn)象，其中在受到均勻的靜態(tài)磁場(chǎng)的物質(zhì)中，構(gòu)成物質(zhì)的原子核的自旋沿相同的方向排列，并吸收和發(fā)射其頻率和靜態(tài)磁場(chǎng)強(qiáng)度成比例的電磁波(該頻率下文稱為“共振頻率”)。MRI裝置可以利用特定種類的原子核(主要是氫原子)的核磁共振現(xiàn)象使經(jīng)過任意厚度的待成像對(duì)象的任意橫截面成像。
在使用核磁共振現(xiàn)象使待成像的對(duì)象的內(nèi)部結(jié)構(gòu)成像時(shí)，除去靜磁場(chǎng)之外，隨著空間和時(shí)間而改變的梯度磁場(chǎng)被施加于待成像的對(duì)象上，以便測(cè)量空間信息。借助于施加梯度磁場(chǎng)，使得施加于待成像的對(duì)象上的磁場(chǎng)隨位置而不同，并且構(gòu)成待成像對(duì)象的原子的共振頻率隨位置而改變。因而，通過施加梯度磁場(chǎng)并測(cè)量共振頻率，便可以得知在待成像對(duì)象中的什么位置存在什么原子。至此，已經(jīng)說明了借助于MRI裝置使對(duì)象的內(nèi)部結(jié)構(gòu)成像的機(jī)理。
圖4是用于說明在現(xiàn)有技術(shù)中的MRI裝置的總體結(jié)構(gòu)的示意圖，圖5是用于說明在圖4所示的MRI裝置中設(shè)置的RF線圈的示意圖。圖6是圖4所示的MRI裝置的垂直截面圖。在圖4，圖5和圖6中，MRI裝置101使用彼此面對(duì)設(shè)置的作為第一磁場(chǎng)產(chǎn)生部分的下部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分103和作為第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分的上部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分102，以構(gòu)成檢查區(qū)域10，并且MRI裝置101通過在上部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分102的內(nèi)部的上部磁場(chǎng)線圈11和在下部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分103內(nèi)的下部磁場(chǎng)線圈12在檢查區(qū)域10內(nèi)產(chǎn)生靜磁場(chǎng)和梯度磁場(chǎng)。
此外，在下部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分103的上表面上設(shè)置有沿預(yù)定方向(下文稱為B1方向)產(chǎn)生電磁波的下部第一方向RF線圈121和沿垂直于B1方向的第二方向(下文稱為B2方向)產(chǎn)生電磁波的下部第二方向RF線圈131。類似地，在上部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分102的下表面上設(shè)置有沿B1方向產(chǎn)生電磁波的上部第一方向RF線圈141和沿B2方向產(chǎn)生電磁波的上部第二方向RF線圈152。MRI裝置101使用下部第一方向RF線圈121、下部第二方向RF線圈131、上部第一方向RF線圈141以及上部第二方向RF線圈151朝向檢查區(qū)域10發(fā)射在某個(gè)頻率范圍內(nèi)的電磁波，并接收由構(gòu)成待成像對(duì)象的原子通過核磁共振現(xiàn)象而發(fā)出的電磁波。在這種結(jié)構(gòu)中，下部第一方向RF線圈121、下部第二方向RF線圈132、上部第一方向RF線圈142和下部第二方向RF線圈152的每一個(gè)通過將多個(gè)控制裝置109和線圈元件連接而制成?？刂蒲b置109用于穩(wěn)定由線圈元件發(fā)射的電磁波的相位，并用于在發(fā)射電磁波和接收電磁波之間轉(zhuǎn)換?？刂蒲b置109被設(shè)置在上部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分102和下部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分103的表面上。
下部第一方向RF線圈121和RF引線122相連。下部第一方向RF線圈在發(fā)射電磁波時(shí)由RF引線122供電，并且當(dāng)接收電磁波時(shí)通過RF引線122發(fā)出接收的電磁波。下部第二方向RF線圈131和RF引線132相連。下部第二方向RF線圈在發(fā)射電磁波時(shí)由RF引線132供電，并且當(dāng)接收電磁波時(shí)通過RF引線132發(fā)出接收的電磁波。類似地，上部第一方向RF線圈141通過RF引線142發(fā)送/接收電磁波，并且上部第二方向RF線圈152通過RF引線152發(fā)送/接收電磁波。
此外，RF引線122和142沿著支柱104設(shè)置，支柱104是兩個(gè)支柱104和105中的一個(gè)，這些支柱支撐著上部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分102，并且引線122和引線142和相控部分106相連。類似地，RF引線132和152沿支柱105設(shè)置，并且和相控部分106相連。相控部分106控制RF引線122，132，142和152的相位，借以控制由下部第一方向RF線圈121、下部第二方向RF線圈132、上部第一方向RF線圈142和下部第二方向RF線圈152發(fā)送/接收的電磁波的相位。
在MRI裝置101中，下部第一方向RF線圈121和上部第一方向RF線圈141在檢查區(qū)域10內(nèi)產(chǎn)生沿B1方向的電磁場(chǎng)，并且下部第二方向RF線圈131和上部第二方向RF線圈151產(chǎn)生沿B2方向的電磁場(chǎng)。通過這樣在檢查區(qū)域10內(nèi)產(chǎn)生沿兩個(gè)垂直方向的電磁場(chǎng)，可以以高的激勵(lì)效率在檢查區(qū)域10內(nèi)產(chǎn)生均勻的電磁波，并且使得從檢查區(qū)域10內(nèi)接收電磁波的精度均勻。
此外，相控部分106控制電磁波的相位，以便避免在沿B1方向的電磁波和沿B2方向的電磁波之間的耦合。相控部分106使用4通道相控部分例如QHD(轉(zhuǎn)象差混合驅(qū)動(dòng)(quadrature hybrid drive))來實(shí)現(xiàn)，因?yàn)楸仨毧刂葡虏康谝环较騌F線圈121、下部第二方向RF線圈132、上部第一方向RF線圈142和上部第二方向RF線圈4個(gè)RF線圈的相位。
因而，常規(guī)的MRI裝置101作為一種這樣的MRI裝置來實(shí)現(xiàn)，其中通過利用4個(gè)RF線圈提供B1和B2方向的RF線圈使得在檢查區(qū)域10內(nèi)電磁波發(fā)送和接收的精度均勻，并通過相對(duì)于檢查區(qū)域10不彼此面對(duì)地設(shè)置支柱104和105來獲得對(duì)于檢查區(qū)域10的大的可進(jìn)入性。
不過，常規(guī)的MRI裝置101需要4通道的相控部分來控制4個(gè)RF線圈的相位。因此，使得相控變得復(fù)雜，并且難于穩(wěn)定地操作RF線圈。此外，在常規(guī)的MRI裝置101中，設(shè)置在上部磁場(chǎng)發(fā)生部分102的下表面上和設(shè)置在下部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分103的上表面上的RF線圈的控制裝置109減少了檢查區(qū)域10的空間。具體地說，因?yàn)槊總€(gè)控制裝置具有10mm數(shù)量級(jí)的厚度，所以控制裝置減少20mm的檢查區(qū)域10的空間。
此外，控制裝置在操作期間產(chǎn)生熱量，并且產(chǎn)生的熱量通過發(fā)生偽影等對(duì)磁共振圖像帶來不利影響。此外，在作為MRI裝置的主要應(yīng)用的醫(yī)療檢查中，待成像的對(duì)象是活的人體，因而不希望在其附近設(shè)置發(fā)熱元件。而且，因?yàn)榭刂蒲b置的位置是分布的，難于安裝冷卻裝置，并且冷卻裝置還減少了檢查區(qū)域。
即，常規(guī)的MRI裝置提出了這樣的問題相控復(fù)雜并且不穩(wěn)定，控制裝置減少檢查區(qū)域，以及控制裝置的冷卻困難。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種磁共振成像裝置，其中，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的操作，控制裝置能夠被有效地冷卻，并且可以利用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)獲得最大的檢查區(qū)域。
為了解決上述問題并實(shí)現(xiàn)所述目的，按照第一方面，本發(fā)明是一種磁共振成像裝置，其中由彼此面對(duì)設(shè)置的第一磁場(chǎng)產(chǎn)生部分和第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分建立一個(gè)檢查區(qū)域，并獲取位于所述檢查區(qū)域內(nèi)的對(duì)象的磁共振圖像，該裝置的特征在于其包括第一方向電磁波發(fā)送/接收部分，其用于在所述檢查區(qū)域內(nèi)沿預(yù)定第一方向發(fā)送/接收電磁波；第二方向電磁波發(fā)送/接收部分，其用于在所述檢查區(qū)域內(nèi)沿與所述第一方向不同的第二方向發(fā)送/接收電磁波；以及相位控制部分，其用于控制由所述第一方向電磁波發(fā)送/接收部分發(fā)送/接收的電磁波的相位和由所述第二方向電磁波發(fā)送/接收部分發(fā)送/接收的電磁波的相位。
按照本發(fā)明的第一方面，用于沿第一方向發(fā)送/接收電磁波的第一方向電磁波發(fā)送/接收部分和用于沿第二方向發(fā)送/接收電磁波的第二方向電磁波發(fā)送/接收部分由2通道的控制部分來控制，從而使電磁波發(fā)送/接收部分的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化。
按照本發(fā)明的第二方面，在發(fā)明第一方面中，本發(fā)明的特征在于，所述第一方向電磁波發(fā)送/接收部分包括設(shè)置在所述第一磁場(chǎng)產(chǎn)生部分附近的第一種第一方向RF線圈和設(shè)置在所述第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分附近的第二種第一方向RF線圈，并且所述第二方向電磁波發(fā)送/接收部分包括設(shè)置在所述第一磁場(chǎng)產(chǎn)生部分附近的第一種第二方向RF線圈和設(shè)置在所述第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分附近的第二種第二方向RF線圈。
按照本發(fā)明的第二方面，第一種第一方向RF線圈與第二種第一方向RF線圈連接以形成第一方向電磁波發(fā)送/接收部分，第二種第一方向RF線圈與第二種第一方向RF線圈連接以形成第二方向電磁波發(fā)送/接收部分，由此使得沿兩個(gè)方向的電磁波的相位控制可由2通道的相位控制部分來執(zhí)行。
按照本發(fā)明的第三方面，在發(fā)明第一或第二方面中，本發(fā)明的特征在于，所述第一種第一方向RF線圈、所述第二種第一方向RF線圈、所述第一種第二方向RF線圈、以及所述第二種第二方向RF線圈的每一個(gè)包括多個(gè)用于穩(wěn)定所述每個(gè)線圈中的相位的控制裝置和用于連接所述多個(gè)控制裝置的線圈元件，并且所述每個(gè)RF線圈通過把所述線圈元件設(shè)置在所述檢查區(qū)域內(nèi)部并把所述多個(gè)控制裝置設(shè)置在所述檢查區(qū)域的外部而制成。
按照本發(fā)明的第三方面，用于穩(wěn)定RF線圈的相位的控制裝置被設(shè)置在檢查區(qū)域外部，由此只把線圈元件設(shè)置在檢查區(qū)域內(nèi)部。
按照本發(fā)明的第四方面，在發(fā)明第三方面中，本發(fā)明的特征在于，還包括位于所述多個(gè)控制裝置附近的冷卻部段，其用于冷卻所述多個(gè)控制裝置。
按照本發(fā)明的第四方面，用于穩(wěn)定所述RF線圈的相位的控制裝置被一起設(shè)置在檢查區(qū)域的外部，并提供用于冷卻這些控制裝置的冷卻部段。
按照本發(fā)明的第五方面，在發(fā)明第一至第四方面中，本發(fā)明的特征在于，所述第一方向和所述第二方向彼此正交。
按照本發(fā)明的第五方面，使由所述第一方向電磁波發(fā)送/接收部分沿第一方向發(fā)送/接收的電磁波與由所述第二方向電磁波發(fā)送/接收部分沿第二方向發(fā)送/接收的電磁波正交，從而實(shí)現(xiàn)在檢查區(qū)域內(nèi)電磁波的發(fā)送/接收的均勻的精度。
按照本發(fā)明的第六方面，在發(fā)明第一至第五方面中，本發(fā)明的特征在于，所述第一磁場(chǎng)產(chǎn)生部分位于地板附近，所述第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分由單個(gè)支柱支撐。
按照本發(fā)明的第六方面，所述第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分由單個(gè)支柱支撐。
按照本發(fā)明的第七方面，在發(fā)明第六方面中，本發(fā)明的特征在于，所述第一方向和所述第二方向和地板平行。
按照本發(fā)明的第七方面，第一電磁波和第二電磁波沿著與地板平行的方向被產(chǎn)生。
按照本發(fā)明的第八方面，在發(fā)明第七方面中，本發(fā)明的特征在于，所述相位控制部分設(shè)置在所述支柱位置處。
按照本發(fā)明的第八方面，用于控制第一電磁波和第二電磁波的相位的相位控制部分設(shè)置在用于支撐所述第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分的所述支柱位置處。
按照本發(fā)明的第九方面，在發(fā)明第八方面中，本發(fā)明的特征在于，所述冷卻部段設(shè)置在所述支柱位置處。
按照本發(fā)明的第九方面，用于冷卻控制裝置的冷卻部段被提供在用于支撐所述第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分的所述支柱位置處。
本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)從下面對(duì)附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的說明將會(huì)看得更加清楚。


圖1表示按照本發(fā)明的實(shí)施例的MRI裝置的總體結(jié)構(gòu)；圖2表示在圖1所示的MRI裝置中設(shè)置的RF線圈；圖3是沿線A-A取的圖1所示的MRI裝置的垂直截面圖；圖4表示現(xiàn)有技術(shù)的MRI裝置的總體結(jié)構(gòu)；圖5表示在圖4所示的MRI裝置中設(shè)置的RF線圈；以及圖6是圖4所示的MRI裝置的垂直截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1表示按照本發(fā)明的實(shí)施例的MRI(磁共振成像)裝置的總體結(jié)構(gòu)，圖2表示在圖1所示的MRI裝置中設(shè)置的RF線圈，圖3是沿線A-A取的圖1所示的MRI裝置的垂直截面圖。在圖1、圖2和圖3中，MRI裝置1通過使用作為第一磁場(chǎng)產(chǎn)生部分的下部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分3和被支柱4支撐著的上部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分2從而建立一個(gè)檢查區(qū)域10，該兩個(gè)磁場(chǎng)產(chǎn)生部分彼此面對(duì)地設(shè)置；并且MRI裝置1利用在上部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分2內(nèi)的上部磁場(chǎng)線圈11和在下部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分3內(nèi)的下部磁場(chǎng)線圈12從而在檢查區(qū)域10內(nèi)產(chǎn)生靜磁場(chǎng)和梯度磁場(chǎng)。通過疊置用于產(chǎn)生靜磁場(chǎng)的上部靜磁場(chǎng)產(chǎn)生磁體并疊置X、Y以及Z軸方向梯度磁場(chǎng)線圈從而制成上部磁場(chǎng)線圈11。類似地，通過疊置用于產(chǎn)生靜磁場(chǎng)的下部靜磁場(chǎng)產(chǎn)生磁體并疊置X、Y以及Z軸方向梯度磁場(chǎng)線圈從而制成下部磁場(chǎng)線圈12。
此外，沿預(yù)定方向(下文稱為B1方向)產(chǎn)生電磁波的下部第一方向RF(射頻)線圈21和沿垂直于B1方向的B2方向產(chǎn)生電磁波的下部第二方向RF(射頻)線圈31被設(shè)置在下部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分3的上表面上。類似地，沿B1方向產(chǎn)生電磁波的上部第一方向RF線圈23和沿B2方向產(chǎn)生電磁波的上部第二方向RF線圈33被設(shè)置在上部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分3的下表面上。下部第一方向RF線圈21和上部第一方向RF線圈23借助于RF引線22相連，從而形成第一方向電磁波發(fā)送/接收部分20。下部第二方向RF線圈31和上部第二方向RF線圈33借助于RF引線32相連，從而形成第二方向電磁波發(fā)送/接收部分30。第一方向電磁波發(fā)送/接收部分20和第二方向電磁波發(fā)送/接收部分30朝向檢查區(qū)域發(fā)出某個(gè)頻率范圍內(nèi)的電磁波，并接收來自于構(gòu)成待成像對(duì)象的原子通過核磁共振現(xiàn)象而發(fā)射的電磁波。
第一方向電磁波發(fā)送/接收部分20的RF引線22和第二方向電磁波發(fā)送/接收部分30的RF引線32通過相控部分5與引線6相連，并在發(fā)送電磁波時(shí)由來自RF引線6的電源供電，在接收電磁波時(shí)則通過RF引線6發(fā)出接收到的電磁波。相控部分5控制第一方向電磁波發(fā)送/接收部分20和第二方向電磁波發(fā)送/接收部分30的相位，由此控制通過下部第一方向RF線圈121，下部第二方向RF線圈132，上部第一方向RF線圈142以及下部第二方向RF線圈152發(fā)送的/接收的電磁波的相位。
在MRI裝置1中，第一方向電磁波發(fā)送/接收部分20在檢查區(qū)域10沿B1方向產(chǎn)生一電磁場(chǎng)，第二方向電磁波發(fā)送/接收部分30沿B2方向產(chǎn)生一電磁場(chǎng)。這樣，通過在檢查區(qū)域10內(nèi)沿兩個(gè)正交方向產(chǎn)生電磁場(chǎng)，可以用高的激勵(lì)效率在檢查區(qū)域10內(nèi)產(chǎn)生均勻的電磁波，并且使得從檢查區(qū)域10接收電磁波的精度均勻。
此外，相位控制部分5控制電磁波的相位，從而避免在沿B1方向的電磁波與沿B2方向的電磁波之間的耦合。例如，通過使沿B1方向的電磁波的相位和沿B2方向的電磁波的相位相差90度，則可以避免沿B1方向的電磁波與沿B2方向的電磁波之間的耦合。相位控制部分5使用2通道的相位控制部分來實(shí)現(xiàn)，這是因?yàn)榘ǖ谝环较螂姶挪òl(fā)送/接收部分20和第二方向電磁波發(fā)送/接收部分30的兩個(gè)電磁波發(fā)送/接收部分是受控制的。因而，與進(jìn)行4通道的相位控制相比，相位控制部分5具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，并且可以穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)電磁波的發(fā)送和接收。
下面詳細(xì)說明關(guān)于設(shè)置下部第一方向RF線圈21、上部第一方向RF線圈23、下部第二方向RF線圈31和上部第二方向RF線圈33的處理。下部第一方向RF線圈21、上部第一方向RF線圈23、下部第二方向RF線圈31和上部第二方向RF線圈33中的每一個(gè)通過使多個(gè)控制裝置與線圈元件連接而制成?？刂蒲b置9用于穩(wěn)定線圈元件的相位，并用于在電磁波的發(fā)送和接收之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。在MRI裝置1中，下部第一方向RF線圈21具有被設(shè)置在檢查區(qū)域10的外側(cè)的控制裝置，并且在檢查區(qū)域10的內(nèi)側(cè)，只設(shè)置有線圈元件。類似地，對(duì)于下部第二方向RF線圈32、上部第一方向RF線圈23、和下部第二方向RF線圈33，控制裝置9被設(shè)置在檢查區(qū)域10之外，因而在檢查區(qū)域10內(nèi)只設(shè)置有線圈元件。
具體地說，對(duì)于下部第一方向RF線圈21，在從沿著支柱4安裝的RF引線22就要到達(dá)下部第一方向RF線圈21之前，設(shè)置第一控制裝置9；在線圈元件穿過檢查區(qū)域10內(nèi)部并在將線圈元件第一次拉出到檢查區(qū)域10外部之后，設(shè)置下一個(gè)控制裝置9。此外，在線圈元件再次穿過檢查區(qū)域10內(nèi)部并隨后拉出到檢查區(qū)域10外部之后，設(shè)置另一個(gè)控制裝置9。對(duì)于上部第一方向RF線圈23，在從沿著支柱4安裝的RF引線22就要到達(dá)上部第一方向RF線圈23之前，設(shè)置第一控制裝置9；在線圈元件穿過檢查區(qū)域10內(nèi)部并在將線圈元件第一次拉出到檢查區(qū)域10外部之后，設(shè)置下一個(gè)控制裝置9。此外，在使線圈元件再次穿過檢查區(qū)域10內(nèi)部并隨后拉出到檢查區(qū)域10外部之后，設(shè)置另一個(gè)控制裝置9。
類似地，對(duì)于下部第二方向RF線圈31，在從沿著支柱4安裝的RF引線32就要到達(dá)下部第二方向RF線圈31之前，設(shè)置第一控制裝置9；在線圈元件穿過檢查區(qū)域10內(nèi)部并在將線圈元件第一次拉出到檢查區(qū)域10外部之后，設(shè)置下一個(gè)控制裝置9。此外，在線圈元件再次穿過檢查區(qū)域10內(nèi)部并隨后將線圈元件拉出到檢查區(qū)域10的外部之后，設(shè)置另一個(gè)控制裝置9。對(duì)于上部第二方向RF線圈33，在從沿著支柱4安裝的RF引線22就要到達(dá)上部第二向RF線圈33之前，設(shè)置第一控制裝置9；在線圈元件穿過檢查區(qū)域10內(nèi)部并在將線圈元件第一次拉出到檢查區(qū)域10外部之后，設(shè)置下一個(gè)控制裝置9。此外，在線圈元件再次穿過檢查區(qū)域10內(nèi)部并隨后將線圈元件拉出到檢查區(qū)域10外部之后，設(shè)置另一個(gè)控制裝置9。
因而，當(dāng)設(shè)置控制裝置9時(shí)，線圈元件被拉到檢查區(qū)域10的外部，以便設(shè)置控制裝置9，然后，線圈元件再次穿過檢查區(qū)域10內(nèi)部，由此使得只在檢查區(qū)域10的外部設(shè)置控制裝置9。因而，在檢查區(qū)域10的內(nèi)部，沒有控制裝置9，因而檢查區(qū)域10的空間擴(kuò)大了一個(gè)控制裝置9的厚度。因?yàn)榭刂蒲b置9一般具有10mm的數(shù)量級(jí)，所以通過把控制裝置9設(shè)置在檢查區(qū)域10的外部，可以使檢查區(qū)域10的空間沿垂直方向增加20mm的數(shù)量級(jí)。此外，通過把控制裝置設(shè)置在檢查區(qū)域10的外部，可以使控制裝置9保持遠(yuǎn)離待成像的對(duì)象。
此外，因?yàn)榭刂蒲b置9被一起設(shè)置在檢查區(qū)域10的外部，這有助于控制裝置的冷卻。在MRI裝置1中，冷卻部段7設(shè)置在支柱4處位于上部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分2附近，冷卻部段8設(shè)置在支柱4處位于下部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分3附近。借助于把控制裝置9設(shè)置在一起，省去了冷卻部段的分配，并且可以在檢查區(qū)域10的外部設(shè)置冷卻裝置。因此，可以使用大的冷卻部段，而不減少檢查區(qū)域10的空間。此外，因?yàn)镸RI裝置1用單個(gè)支柱4支撐著上部磁場(chǎng)產(chǎn)生部分2，并且支柱4內(nèi)具有RF引線22和32、相控部分6以及冷卻部段7和8，所以還改善了操作者對(duì)檢查區(qū)域10的可進(jìn)入性。
如上所述，在按照本實(shí)施例的MRI裝置1中，下部第一方向RF線圈21與上部第一方向RF線圈23連接以形成第一方向電磁波發(fā)送/接收部分20，并且下部第二方向RF線圈31與上部第二方向RF線圈3 3連接以形成第二方向電磁波發(fā)送/接收部分30，因此，沿兩個(gè)正交方向的電磁波的相位可以用2通道的相位控制部分6控制，從而實(shí)現(xiàn)利用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)能夠穩(wěn)定地操作的RF系統(tǒng)。此外，因?yàn)橛糜赗F線圈的控制裝置被設(shè)置在檢查區(qū)域10的外部，所以可以使檢查區(qū)域10最大化，并且因?yàn)榭刂蒲b置被設(shè)置在一起，使得由控制裝置產(chǎn)生的熱量能夠被有效地冷卻。
在上面的說明中，在MRI裝置1中的每個(gè)RF線圈以包括兩個(gè)線圈元件的形式進(jìn)行了說明。這是因?yàn)椋词巩?dāng)線圈元件的數(shù)量是兩個(gè)時(shí)，通過調(diào)節(jié)線圈元件的寬度和線圈元件之間的距離，也能獲得所需的電磁波。如果具有3個(gè)或更多的線圈元件，通過重復(fù)地使用這樣的結(jié)構(gòu)，即，使線圈元件穿過檢查區(qū)域內(nèi)部，然后把線圈元件拉出檢查區(qū)域以便設(shè)置控制裝置，可以獲得與MRI裝置1相同的效果。
此外，雖然在說明的說明中兩個(gè)方向的電磁波是正交的，以便實(shí)現(xiàn)在檢查區(qū)域內(nèi)均勻的電磁波的發(fā)送和接收的精度，但是可以使用沿兩個(gè)方向不必彼此正交而成任意角度的電磁波。
關(guān)于本發(fā)明的討論和附圖不應(yīng)當(dāng)理解為用于限制本發(fā)明。預(yù)計(jì)根據(jù)上述的說明，顯然，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以作出許多其它的實(shí)施例、例子和操作技術(shù)。例如，通過MRI裝置成像的對(duì)象不限于在本實(shí)施例中的人體，并且本發(fā)明的用途也不限于醫(yī)療應(yīng)用。例如，按照本實(shí)施例的MRI裝置可用于非破壞地檢查人體之外的物體。
此外，雖然在本實(shí)施例中所述的MRI裝置是被稱為垂直磁場(chǎng)型的MRI裝置，其沿垂直方向施加靜止磁場(chǎng)，但本發(fā)明可用于被稱為水平磁場(chǎng)型的MRI裝置，其沿水平方向施加磁場(chǎng)。
不脫離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍可以作出許多不同的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于在說明書中所述的特定的實(shí)施例，本發(fā)明由所附權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種磁共振成像裝置，其中由彼此面對(duì)地設(shè)置的第一磁場(chǎng)產(chǎn)生部分和第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分建立一檢查區(qū)域，并獲取位于所述檢查區(qū)域內(nèi)的對(duì)象的磁共振圖像，所述裝置包括第一方向電磁波發(fā)送/接收部分，其用于在所述檢查區(qū)域內(nèi)沿預(yù)定的第一方向發(fā)送/接收電磁波；第二方向電磁波發(fā)送/接收部分，其用于在所述檢查區(qū)域內(nèi)沿與所述第一方向不同的第二方向發(fā)送/接收電磁波；以及相位控制部分，其用于控制由所述第一方向電磁波發(fā)送/接收部分發(fā)送/接收的電磁波的相位和由所述第二方向電磁波發(fā)送/接收部分發(fā)送/接收的電磁波的相位。
2.如權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述第一方向電磁波發(fā)送/接收部分包括設(shè)置在所述第一磁場(chǎng)產(chǎn)生部分附近的第一種第一方向射頻線圈和設(shè)置在所述第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分附近的第二種第一方向射頻線圈，并且所述第二方向電磁波發(fā)送/接收部分包括設(shè)置在所述第一磁場(chǎng)產(chǎn)生部分附近的第一種第二方向射頻線圈和設(shè)置在所述第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分附近的第二種第二方向射頻線圈。
3.如權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述第一種第一方向射頻線圈、所述第二種第一方向射頻線圈、所述第一種第二方向射頻線圈、以及所述第二種第二方向射頻線圈中的每一個(gè)包括多個(gè)用于穩(wěn)定所述每個(gè)線圈中的相位的控制裝置和用于連接所述多個(gè)控制裝置的線圈元件，并且所述每個(gè)射頻線圈通過把所述線圈元件設(shè)置在所述檢查區(qū)域內(nèi)部并把所述多個(gè)控制裝置設(shè)置在所述檢查區(qū)域外部而制成。
4.如權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，其還包括位于所述多個(gè)控制裝置附近的冷卻部段，其用于冷卻所述多個(gè)控制裝置。
5.如權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向彼此正交。
6.如權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述第一磁場(chǎng)產(chǎn)生部分位于地板附近，而所述第二磁場(chǎng)產(chǎn)生部分由單個(gè)支柱支撐。
7.如權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向與地板平行。
8.如權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述相位控制部分設(shè)置在所述支柱位置處。
9.如權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述冷卻部段設(shè)置在所述支柱位置處。
全文摘要
為了改善RF(射頻)系統(tǒng)的穩(wěn)定性、改善冷卻效率、并且完全地保留MRI(磁共振成像)裝置中的檢查區(qū)域，下部第一方向RF線圈(21)與上部第一方向RF線圈(23)連接以形成第一方向電磁波發(fā)送/接收部分(20)，下部第二方向RF線圈(31)與上部第二方向RF線圈(33)連接以形成第二方向電磁波發(fā)送/接收部分(30)，使得沿兩個(gè)正交方向的電磁波的相位由2－通道的相位控制部分(6)控制。此外，RF線圈的線圈元件設(shè)置在檢查區(qū)域(10)的外部，并且冷卻部段(7、8)設(shè)置在控制裝置附近。
文檔編號(hào)G01R33/34GK1442113SQ03107078
公開日2003年9月17日 申請(qǐng)日期2003年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月5日
發(fā)明者佐藤健志 申請(qǐng)人:Ge醫(yī)療系統(tǒng)環(huán)球技術(shù)有限公司