專利名稱：射頻安全介入裝置的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及可與磁共振成像設(shè)備配合使用的介入(invasive)裝置。更具體地說，本發(fā)明涉及一種射頻安全的介入裝置，該裝置配置為將其引入某個對象，其中該介入裝置為細(xì)長形并至少包含一個長導(dǎo)體，該導(dǎo)體的長度配置為達(dá)到或超過通過操作磁共振成像設(shè)備在對象中產(chǎn)生的射頻(RF)場波長的一半。
常規(guī)的介入裝置包括與磁共振成像(MRI)設(shè)備配合使用的導(dǎo)體是已知的，其中，在磁共振設(shè)備的射頻傳輸期間，導(dǎo)體內(nèi)以及導(dǎo)體附近可能產(chǎn)生射頻駐波，并且該射頻駐波可能大量地集結(jié)。駐波可能導(dǎo)致裝置和周圍組織危險地變熱。更具體地說，常規(guī)技術(shù)主要提供兩組包含長導(dǎo)體的介入裝置。美國專利No.5318025(’025專利)提供了第一組示例，該專利通過引用結(jié)合于本文中。
’025專利公開了一種用于干涉介入過程的介入裝置，其中將介入裝置通過患者身體的一個開口引導(dǎo)到一個器官。為此，應(yīng)用了射頻場和磁場，以便在介入裝置末端所處的身體(組織)部分中產(chǎn)生螺旋的磁共振信號。附著在末端的射頻微(μ)線圈接收來自于射頻μ線圈附近身體某部分中螺旋的磁共振信號。射頻μ線圈所接收的信號將通過電連接傳送到近端，并與磁共振設(shè)備配合，以確定檢查中的患者(對象)身體中介入裝置的位置。
第二組的示例是PCT專利No.WO97/19362(’362專利)，該專利由本申請所有者共同擁有并通過引用給合于本文中。362專利公開了一種用于干涉介入過程的磁共振系統(tǒng)，包括磁共振裝置和導(dǎo)管。磁共振裝置被配置為獲取對象某部分的若干圖像。通過提供導(dǎo)體環(huán)，可以在磁共振圖像中對導(dǎo)管的特定部分成像，所述導(dǎo)體環(huán)包括兩個位于導(dǎo)管表面之下彼此相隔一定距離的非磁導(dǎo)體。導(dǎo)體環(huán)沿導(dǎo)管的整個長度延伸。通過應(yīng)用和調(diào)整通過該導(dǎo)體環(huán)的電流，磁共振裝置的磁場均勻性受到影響，結(jié)果使導(dǎo)管在圖像中顯示為暗跡。因此可以確定導(dǎo)體在圖像中的位置。
同樣為本申請所有人共同擁有的美國專利No.5916162(’162專利)也為人所熟知，該專利通過引用給合于本文中?！?62專利公開了一種在磁共振成像設(shè)備中使用的介入裝置，以及一種將裝置內(nèi)長導(dǎo)體上或周圍的發(fā)熱減至最低的方法?！?62專利介入裝置配置了具有近端和遠(yuǎn)端的中空載管，并且電連接貫穿載管。電子連接配置了導(dǎo)電屏蔽，它從遠(yuǎn)端延伸至近端，并且它在所述距離上具有的電阻大大高于相同距離上電連接的電阻。電屏蔽備選地包括若干強(qiáng)導(dǎo)電部分和弱導(dǎo)電部分。
相繼的弱導(dǎo)電部分之間的距離小于或等于磁共振成像設(shè)備在對象中產(chǎn)生的射頻場的約1/4波長，以便激勵螺旋成像。這種情況下，具較弱導(dǎo)電性的屏蔽部分將電屏蔽中EM駐波的出現(xiàn)減至最低，這樣，由于在電屏蔽中感應(yīng)的電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于在非屏蔽連接中可能感應(yīng)的電流，因而這樣做有助于減少電屏蔽(和對象)中形成的熱量。
但是，’162專利的介入裝置不無缺點(diǎn)。例如，數(shù)字估計顯示從具有標(biāo)準(zhǔn)直徑的導(dǎo)管開始，如果要充分減少產(chǎn)生的熱量，則難以實(shí)現(xiàn)所需的屏蔽厚度；如果保持固定的標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)管直徑以及為實(shí)現(xiàn)其原始功能性而保留該直徑合理的部分，則屏蔽可能過薄而無法有效地減少熱量；因此，這種概念難以在實(shí)踐中實(shí)現(xiàn)，特別是對諸如心臟病或腦溢血應(yīng)用中使用的小直徑導(dǎo)管更難以實(shí)現(xiàn)。
發(fā)明目的與概述本發(fā)明的目的是提供一種射頻安全介入裝置，以便將其引入磁共振設(shè)備的成像對象中，從而可以確定裝置在對象中的位置，該裝置克服了諸如導(dǎo)管等常規(guī)介入裝置的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的另一目的是提供一種磁共振成像系統(tǒng)，它包括一個可與射頻安全介入裝置配合使用的磁共振成像設(shè)備，射頻安全介入裝置的位置可以在成像對象中定位，并且不會因?yàn)榇殴舱癯上裨O(shè)備在成像期間所產(chǎn)生的熱量而引起成像對象的過度不適。
本發(fā)明的又一目的是提供至少配備了一個長導(dǎo)體的安全射頻介入裝置，例如線環(huán)，以便在磁共振設(shè)備的成像對象中引入該裝置，從而在射頻傳輸期間避免了導(dǎo)體和周圍組織發(fā)熱。本發(fā)明的另一目的是提供一種包括線環(huán)的射頻安全介入裝置，該線環(huán)分為多個電子部分，以便在射頻傳輸“開始”時，將線環(huán)中通過的感應(yīng)電流減至最低。
本發(fā)明的另一目的是提供一種安全射頻介入裝置，它包括的電連接用于從遠(yuǎn)端向近端發(fā)送射頻以進(jìn)行定位或成像，該連接有效地分為多個部分，以便在射頻傳輸“開始”時，避免電連接中的感應(yīng)電流。
如上所述，本發(fā)明的射頻安全介入裝置可與磁共振設(shè)備配合使用，以便通過所引入的介入裝置為對象成像。磁共振設(shè)備包括第一磁力系統(tǒng)，用于在對象中產(chǎn)生靜態(tài)磁場；多個梯度線圈，在對象中產(chǎn)生梯度磁場；至少一個射頻線圈，將射頻脈沖發(fā)送到對象以及從對象接收射頻信號；以及控制單元，用于控制梯度磁場和射頻脈沖以產(chǎn)生磁共振成像信號。
引入的介入裝置包括配置有遠(yuǎn)端和近端的細(xì)長封套，其中，在細(xì)長封套內(nèi)配置至少一個長導(dǎo)體用于特定用途。例如，如’362專利公開內(nèi)容所述，傳遞直流電流從而為導(dǎo)管定位，或者如’025專利公開內(nèi)容所述，用于成像/或定位，發(fā)送傳感器產(chǎn)生的信號等。
在每個長導(dǎo)體中至少包括一個具可控阻抗的串聯(lián)元件，該元件可以在磁共振成像設(shè)備產(chǎn)生射頻信號時有效地將長導(dǎo)體分成幾個短電子部分?？砂煽卮性员苊庠陂L導(dǎo)體中形成駐波，從而將長導(dǎo)體中產(chǎn)生的熱量降至最低，由此使成像對象的不適降到了最低。
在第二個實(shí)施例當(dāng)中，本發(fā)明的射頻安全介入裝置通過磁共振成像設(shè)備引入成像對象之中，在檢查期間通過磁共振成像設(shè)備監(jiān)控裝置在對象中的位置。介入裝置包括具有遠(yuǎn)端和近端的細(xì)長封套；配置在細(xì)長封套中的線環(huán)，用于產(chǎn)生如’362專利中所述的定位信號；以及電子連接，用于將線環(huán)耦合到控制單元。
線環(huán)至少包括一個電路單元，它在磁共振成像設(shè)備產(chǎn)生射頻信號時由控制單元激活，以避免在線環(huán)中產(chǎn)生熱量及因此在成像對像中造成不適。在控制單元使直流電流提供到線環(huán)時，線環(huán)會產(chǎn)生定位信號。
在第三實(shí)施例中，本發(fā)明包括磁共振系統(tǒng)(用于對象成像)，它可與引入的射頻安全介入裝置配合使用，以便確定介入裝置的位置。磁共振系統(tǒng)包括磁共振設(shè)備和根據(jù)本文公開的原理構(gòu)建的射頻安全介入裝置。磁共振設(shè)備可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何磁共振成像裝置，它包括第一磁力系統(tǒng)，可在要成像的對象中產(chǎn)生靜態(tài)磁場；多個梯度線圈，可在對象中產(chǎn)生梯度磁場；至少一個射頻線圈，將射頻脈沖發(fā)送到對象以及從成像的對象接收射頻信號；以及控制單元，控制梯度磁場和射頻脈沖，以便產(chǎn)生磁共振成像信號。
射頻安全介入裝置包括構(gòu)造有遠(yuǎn)端和近端的細(xì)長封套；配置在細(xì)長封套中的線環(huán)，以便產(chǎn)生定位信號；以及電連接，將線環(huán)連到控制單元。線環(huán)至少包括一個電路單元，該電路單元在磁共振成像設(shè)備產(chǎn)生射頻信號時由控制單元激活，當(dāng)磁共振成像設(shè)備產(chǎn)生射頻信號時，控制單元將激活此電路元件，以避免在線環(huán)中形成駐波及因此在線環(huán)中產(chǎn)生熱量，從而導(dǎo)致成像對象由于熱量而產(chǎn)生的不適。在控制單元使直流電流提供到線環(huán)時，線環(huán)會產(chǎn)生定位信號。
下面將結(jié)合附圖，以示例方式詳細(xì)地描述本發(fā)明的上述和其它更詳細(xì)的方面。


圖1是包括本發(fā)明射頻安全介入裝置的常規(guī)磁共振成像設(shè)備示意圖；圖2是描述本發(fā)明射頻安全介入裝置一個實(shí)施例的示意圖；以及圖3是描述本發(fā)明射頻安全介入裝置另一實(shí)施例的示意圖。
本發(fā)明的詳細(xì)說明圖1顯示的磁共振成像設(shè)備包括用于產(chǎn)生靜態(tài)磁場的第一磁力系統(tǒng)2。所示坐標(biāo)系統(tǒng)的Z方向按慣例對應(yīng)于磁力系統(tǒng)2中靜態(tài)磁場的方向。磁共振成像設(shè)備也包括若干梯度線圈3、4、5以便在X、Y和Z方向上產(chǎn)生另外的梯度磁場。梯度線圈3、4、5的電能由電源裝置11饋送。磁力系統(tǒng)2包含的檢查空間足以容納例如患者7等要檢查對象的一部分。射頻發(fā)射器線圈6的目的是產(chǎn)生射頻場，并通過傳輸/接收線路連接到射頻發(fā)射器與調(diào)制器8。射頻發(fā)射器線圈6配置在檢查空間中患者7的一部分上或配置在其周圍。
還提供了接收線圈，該線圈通過發(fā)送/接收電路9連接到信號放大器和解調(diào)單元10。接收線圈可能與發(fā)射器線圈6的線圈相同。控制單元12控制射頻調(diào)制器8和電源裝置11，以產(chǎn)生包含射頻脈沖的特殊脈沖序列和梯度。在由位于檢查空間中的身體一部分中所產(chǎn)生的射頻脈沖激勵旋轉(zhuǎn)后，便可通過接收線圈6接收磁共振信號。將從解調(diào)單元10得到的磁共振信號信息應(yīng)用到處理單元14。
處理單元14通過變換將信息處理為圖像。此圖像可以顯示在例如監(jiān)視器15上。圖1也顯示了作為與本發(fā)明相關(guān)的射頻安全介入裝置示例的射頻安全介入裝置(導(dǎo)管)17。本發(fā)明的射頻安全介入裝置17可以滑入患者7的體內(nèi)，并由(導(dǎo)管)控制單元16進(jìn)行控制。圖2更詳細(xì)地顯示了射頻安全介入裝置(導(dǎo)管)17。
通過適當(dāng)選擇的射頻脈沖和梯度磁場，磁共振成像設(shè)備產(chǎn)生磁共振信號。在射頻線圈6產(chǎn)生磁共振信號期間產(chǎn)生射頻場。此射頻場在患者7內(nèi)射頻安全導(dǎo)管17的電連接中感應(yīng)電流。射頻傳輸期間在導(dǎo)管內(nèi)感應(yīng)的射頻場通常導(dǎo)致在介入裝置的導(dǎo)線中聚積射頻駐波。也就是說，長度大于波長的一半或更長的導(dǎo)線趨向于在距遠(yuǎn)端約1/2波長的位置達(dá)到高電流，并以1/2波長間隔(即在駐波波峰處)重復(fù)。高電流導(dǎo)致發(fā)熱，讓患者感到不適，因此是不希望出現(xiàn)的。
本發(fā)明的射頻安全介入裝置的內(nèi)部設(shè)計旨在消除或避免所述高電流。換而言之，為了通過射頻線圈6產(chǎn)生磁共振信號，在檢查空間中產(chǎn)生射頻場。此射頻場在(先有技術(shù)的介入裝置的)長度為1/2波長或更長的導(dǎo)線中并沿導(dǎo)線生成射頻駐波，這樣，在距遠(yuǎn)端約1/4波長的位置，導(dǎo)線中相應(yīng)的感應(yīng)電流達(dá)到最大值，并以1/2波長間隔重復(fù)。
駐波波型還伴有在遠(yuǎn)端增加的射頻場并以1/2波長間隔重復(fù)。電流和電場均可能達(dá)到足夠高的幅度而引起發(fā)熱，讓患者感到不適，因而是不希望出現(xiàn)的。本發(fā)明的射頻安全介入裝置的內(nèi)部設(shè)計旨在通過阻止所述駐波的形成來消除所述高電流和過強(qiáng)的電場。
圖2更詳細(xì)地顯示了圖1中射頻安全介入裝置17的實(shí)施例。其中所示射頻安全介入裝置或?qū)Ч?7包括兩個長導(dǎo)體20，它們將控制單元16連接到可選的另一元件19，以便例如接收磁共振信號，測量如溫度等的量等。長導(dǎo)體20包括串聯(lián)元件18，該串聯(lián)元件將長導(dǎo)體細(xì)分為若干電子部分，而這些部分在電氣方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于組織中磁共振成像設(shè)備中所使用射頻波長的一半。
在此實(shí)施例中，串聯(lián)元件的作用為可接通或閉合的開關(guān)。這些開關(guān)(串聯(lián)元件)由控制單元16控制，該控制單元16通過控制路徑21控制串聯(lián)元件?？刂茊卧?6由電壓源Urev、電流源IDC和開關(guān)24(參見圖3)組成。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的一樣，控制路徑21可能采用電子、光學(xué)或任何其它類型的方式來傳遞控制信號。
控制單元16本身由磁共振成像設(shè)備控制，這樣，在磁共振成像設(shè)備傳送射頻期間激活串聯(lián)元件(開關(guān))及子部分。因此，所得到的電子部分太短而無法支持駐波的形成，因而在射頻傳輸期間避免了在那些導(dǎo)體和周圍組織中的發(fā)熱。
圖3顯示了本發(fā)明的射頻介入裝置(導(dǎo)管)17的另一實(shí)施例。裝置的基本或非新穎操作是基于’362專利裝置的操作。本實(shí)施例的新穎特性在于這樣的事實(shí)配置為形成線環(huán)25的兩個長導(dǎo)體20(圖2)現(xiàn)包含串聯(lián)元件18和可選的另一元件19(圖2)，后者也可在其中用作終端或電連接(即簡單的導(dǎo)線或地)。也就是說，元件19(圖2)可以縮減為簡單的導(dǎo)線連接。控制路徑21(圖2)的功能也由線環(huán)25來執(zhí)行。串聯(lián)元件18(圖2)由二極管DI-DN來實(shí)現(xiàn)。
二極管DI到DN放置于以1/4波長或更短的間隔重復(fù)的線環(huán)中。當(dāng)串聯(lián)元件18以1/2波長的間隔放置時，新的共振元件(1/2波長的偶極子)會形成，以支持盡可能短的駐波。在中心將存在高電流，而在所有子部分的兩端均存在高電場。因此，串聯(lián)元件18必須以基本較短的間隔放置，最好為1/4波長或更短。在本實(shí)施例的一種變化中，二極管也可以并聯(lián)方式連接到相應(yīng)的電阻23。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員認(rèn)識到，關(guān)鍵的串聯(lián)元件是二極管。在射頻傳輸期間，開關(guān)24用于將線環(huán)連接到UREV，該電壓使二極管反向偏置。如果所述串聯(lián)元件在所有環(huán)境因素下(如溫度)均能完全相同，則可以省略可選電阻?？蛇x電阻確保將Urev平均地分配到二極管中，而不考慮它們各自的容差。電阻的電阻值選為低于反向偏置下典型二極管的電阻值，以便它們主要地確定二極管上的電壓。反向偏置二極管具有極高的阻抗，有效地將長導(dǎo)線分成若干電子段，這些電子段太短而無法支持駐波的形成。也就是說，利用這種發(fā)明性概念可避免組織中由于沿線環(huán)25感應(yīng)的高電流或過大的電場的發(fā)熱。
成像設(shè)備未發(fā)送射頻時，開關(guān)24由控制單元進(jìn)行控制，將線環(huán)連接從Urev切換到Idc。電流IDC是處在相對于二極管的正向偏壓方向，因此，它通過線環(huán)驅(qū)動以產(chǎn)生用于介入裝置造影(定位)所需的電場不均一性。除導(dǎo)管外，另一種介入裝置也可以用于此實(shí)施例，例如引導(dǎo)線、腹腔鏡或活體組織穿刺針，不僅適用于本實(shí)施例及其它所述變化，而且適用于根據(jù)本文所述發(fā)明性概念而構(gòu)造的任何裝置。
成像設(shè)備未發(fā)送射頻時，開關(guān)24可用于將線環(huán)25連接至電流源IDC。電流IDC是相對于二極管的正向偏壓方向，因此，二極管的低“接通”電阻值可有效地重新連接導(dǎo)線段以恢復(fù)原來的線環(huán)。同樣的IDC產(chǎn)生所需的電場不均一性來定位導(dǎo)管，這在’362專利中已有描述。應(yīng)用正向偏壓，使二極管的阻抗為低。電流因此流經(jīng)線環(huán)。電流和線環(huán)可進(jìn)行設(shè)計以產(chǎn)生如’362專利中所述的效果。
讀者應(yīng)注意本文所述的實(shí)施例僅用于例示目的，絕對不用于限制本發(fā)明的范圍和精神，本發(fā)明的范圍和精神只受以下所附的權(quán)利要求書的限制。
權(quán)利要求
1.一種射頻安全介入裝置(17)，它至少包括一個長導(dǎo)體(20)，其長度大于或等于要成像的對象中產(chǎn)生的所應(yīng)用射頻場波長的一半，所述射頻場由與所述射頻安全介入裝置配合使用的磁共振成像設(shè)備操作期間發(fā)送的射頻信號能量所產(chǎn)生，其特征在于所述裝置被引入所述成像對象內(nèi)，并抑制所述射頻傳輸期間所述裝置及所述對象周圍產(chǎn)生的不適并危險的發(fā)熱，所述射頻安全介入裝置還包括結(jié)合在所述至少一個長導(dǎo)體中具有可控阻抗的至少一個串聯(lián)元件(18)，其中所述至少一個串聯(lián)元件由控制信號控制，以便有效地將所述長導(dǎo)體細(xì)分為若干電子部分，所述電子部分遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于在所述成像對象組織中出現(xiàn)的所述磁共振成像設(shè)備所應(yīng)用的射頻波長的一半，其中避免了在所述至少一個長導(dǎo)體中的發(fā)熱；控制單元(16)，它通過產(chǎn)生所述控制信號而形成所述串聯(lián)元件的低阻抗(“接通”)和高阻抗(“斷開”)狀態(tài)之一，其中所述控制單元由所述磁共振成像設(shè)備控制，從而使所述串聯(lián)元件在射頻傳輸期間在所述高阻抗?fàn)顟B(tài)下工作；以及控制路徑(21)，將所述控制單元連接到所述串聯(lián)元件。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻安全介入裝置，其特征在于所述控制路徑可包括電子、光學(xué)、氣動、發(fā)送射頻、感應(yīng)、磁力和聲波通信路徑之一。
3.如權(quán)利要求1所述的射頻安全介入裝置，其特征在于所述至少一個長導(dǎo)體還包括其可通信的另一元件。
4.如權(quán)利要求3所述的射頻安全介入裝置，其特征在于所述另一元件可至少包括以下之一(1)短路，用于電連接所述至少一個長導(dǎo)體的一端的導(dǎo)體；(2)至醫(yī)療成像系統(tǒng)的電偶合；以及(3)至非成像醫(yī)療系統(tǒng)的電偶合。
5.如權(quán)利要求4所述的射頻安全介入裝置，其特征在于所述另一元件包括磁共振成像系統(tǒng)。
6.如權(quán)利要求1所述的射頻安全介入裝置，其特征在于兩個長導(dǎo)體組成一個線環(huán)，其中所述每個串聯(lián)元件由二極管和可選電阻組成，其中所述控制單元由電壓電源Urev、電流電源IDC和具有兩種操作狀態(tài)的開關(guān)組成。
7.如權(quán)利要求6所述的射頻安全介入裝置，其特征在于所述第一種操作狀態(tài)在射頻傳輸期間，支持所述開關(guān)將所述線環(huán)連接到反向偏置二極管的Urev，以便其高阻抗(“斷開”)狀態(tài)有效地斷開所述線環(huán)以避免發(fā)熱，以及所述第二低阻抗(“接通”)操作狀態(tài)在其它時間期間，支持所述開關(guān)可將所述線環(huán)連接到正向偏置二極管的IDC電流源，以便所述低阻抗?fàn)顟B(tài)有效地重新連接所述線環(huán)部分，并且所述直流電流形成場的不均一性以定位所述導(dǎo)管。
8.一種射頻安全介入裝置(17)，它至少包括一個長導(dǎo)體(20)，其長度大于或等于要成像的對象中產(chǎn)生的所應(yīng)用射頻信號的波長的一半，所述所述射頻信號由磁成像設(shè)備操作期間發(fā)送的射頻能量所產(chǎn)生，其特征在于所述射頻安全介入裝置將被引入成像對象，并抑制所述磁共振成像設(shè)備傳送所述射頻期間所述裝置及所述周圍對象的不適和危險的發(fā)熱，所述射頻安全介入裝置包括至少所述一個長導(dǎo)體；結(jié)合在所述至少一個長導(dǎo)體中具有可控阻抗的至少一個串聯(lián)元件(18)，其中所述至少一個串聯(lián)元件由控制信號控制，以便有效地將所述長導(dǎo)體細(xì)分為若干電子部分，所述電子部分遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于所述磁共振成像設(shè)備在所述對象組織中產(chǎn)生的所述射頻場的波長的一半，其中避免了在所述至少一個長導(dǎo)體中的發(fā)熱；控制單元(16)，通過生成所述控制信號激活和停用所述串聯(lián)單元；其特征在于所述控制單元由所述磁共振成像設(shè)備控制，以便在射頻傳輸期間，由所述控制單元利用反向偏壓激活所述串聯(lián)元件；以及其中所述控制單元由所述磁共振成像設(shè)備控制，以便由所述控制單元激活所述串聯(lián)元件，從而利用經(jīng)調(diào)整的電流Idc中的正向偏置，將所述導(dǎo)體細(xì)分為電氣上短的導(dǎo)體，從而在非射頻傳輸時間期間，所述電流可使所述射頻安全介入裝置的位置清楚地反映給所述磁共振成像設(shè)備的觀察者。
9.如權(quán)利要求8所述的射頻安全介入裝置，其特征在于在所述裝置末端的元件包含線圈，用于接收磁共振信號，該線圈通過形成射頻傳輸線的所述長導(dǎo)體與磁共振接收器連接，以及其中在所述裝置末端的所述元件還包含電容，所述電容與所述線圈串聯(lián)的，以隔斷到所述線圈的直流電流，否則該電流會干擾所述信號接收；以及直流旁路，所述直流旁路顯示與所述傳輸線遠(yuǎn)端的所述射頻頻率相當(dāng)?shù)淖杩?，以便將直流電流從所述第一?dǎo)體傳遞到所述第二導(dǎo)體，而基本不降低所述線圈接收的射頻信號的質(zhì)量。
10.一種射頻安全介入裝置(17)，它通過磁共振成像設(shè)備引入成像對象中，對所述裝置的位置進(jìn)行監(jiān)控，它包括線環(huán)(25)，配置在所述裝置中，用于傳送直流電流以產(chǎn)生用于導(dǎo)管定位的局部磁場；電連接，用于將所述線環(huán)耦合到控制單元，其特征在于所述線環(huán)包括至少一個電路元件(18，19)，所述至少一個電路元件在所述磁共振成像設(shè)備產(chǎn)生射頻信號時，通過在其中建立反向偏置而由所述控制單元將其設(shè)為高阻抗“斷開”狀態(tài)，以便使所述線環(huán)中的發(fā)熱減到最少，并因此使所述成像對象的不適降到最低，并且其中在所述控制單元使直流電流提供給所述線環(huán)的時間期間，所述線環(huán)生成所述定位信號。
11.如權(quán)利要求10所述的射頻安全介入裝置，其特征在于所述線環(huán)放置在所述導(dǎo)管的介入端。
12.如權(quán)利要求10所述的射頻安全介入裝置，其特征在于所述控制單元使直流電流提供給所述線環(huán)，以便在所述磁共振成像設(shè)備未發(fā)送射頻信號的時間期間生成所述局部磁場。
13.如權(quán)利要求10所述的射頻安全介入裝置，其特征在于所述線環(huán)至少包括一個二極管作為所述電路元件。
14.如權(quán)利要求10所述的射頻安全介入裝置，其特征在于所述電連接包括同軸導(dǎo)體。
15.一種磁共振設(shè)備，用于通過引入的射頻安全介入裝置(17)為對象成像，以便了解所述射頻安全介入裝置的位置，它包括第一磁力系統(tǒng)(2)，用于在所述對象中產(chǎn)生靜態(tài)磁場；多個梯度(3，4，5)線圈，用于在所述對象中產(chǎn)生梯度磁場；至少一個射頻線圈(6)，用于將射頻脈沖發(fā)送到所述對象并用于從所述對象接收射頻信號；以及，控制單元(12)，用于控制所述梯度磁場和所述射頻脈沖，以便產(chǎn)生磁共振成像信號；其特征在于所述引入的射頻安全介入裝置包括線環(huán)(25)，配置在所述裝置中，用于傳送直流電流以產(chǎn)生用于導(dǎo)管定位的局部磁場；電連接(24)，用于將所述線環(huán)耦合到控制單元，其中所述線環(huán)包括至少一個電路元件(18，19)，所述至少一個電路元件在所述磁共振成像設(shè)備產(chǎn)生射頻信號時，通過在其中建立反向偏置而由所述控制單元將其設(shè)為高阻抗(“斷開”)狀態(tài)，以便使所述線環(huán)中的發(fā)熱減到最少，并因此使所述成像對象的不適降到最低，并且其中在所述控制單元使直流電流提供給所述線環(huán)的時間期間，所述線環(huán)生成所述定位信號。
16.如權(quán)利要求15所述的磁共振設(shè)備，其特征在于所述控制單元使直流電流提供給所述線環(huán)，以便在所述磁共振設(shè)備未發(fā)射射頻信號的時間期間生成所述局部磁場。
17.如權(quán)利要求15所述的磁共振設(shè)備，其特征在于所述線環(huán)至少包括一個二極管作為所述電路元件。
全文摘要
射頻安全介入裝置用于與磁共振成像設(shè)備配合使用，它至少包括一個長導(dǎo)體(20)用于特定目的，例如，在測試對象中定位射頻安全裝置。眾所周知，在磁共振設(shè)備發(fā)送射頻期間，射頻駐波將在此類具有長導(dǎo)體的裝置中沿導(dǎo)體聚積，從而在裝置及周圍組織中產(chǎn)生危險的熱量。通過將具有可控阻抗的至少一個串聯(lián)元件(18)結(jié)合到長導(dǎo)體中，而同時串聯(lián)元件(18)的阻抗由控制單元(16)控制，這樣，在射頻傳輸期間，串聯(lián)元件(18)將長導(dǎo)體(20)細(xì)分為長度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于組織中所用射頻波長的一半，從而避免導(dǎo)體或周圍組織中的發(fā)熱。
文檔編號G01R33/36GK1473274SQ02802942
公開日2004年2月4日 申請日期2002年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月20日
發(fā)明者S·維斯, K·-M·呂德克, S 維斯, ぢ賴驢 申請人:皇家菲利浦電子有限公司