具有單用閥的mems和操作方法
【專利摘要】在一個實施例中，一種打開到空腔的通道的方法包括：提供供體部分；鄰近于所述供體部分形成加熱元件；形成抵靠所述供體部分的第一犧牲板塊，其中，所述供體部分和所述犧牲板塊是可收縮對；形成第一空腔，所述第一空腔的一部分以第一犧牲板塊為界；通過加熱元件產(chǎn)生熱量；使用所產(chǎn)生的熱量和所述供體部分由第一犧牲板塊形成第一體積減小式板塊；和通過形成第一體積減小式板塊形成到第一空腔的通道。
【專利說明】具有單用閥的MEMS和操作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置或半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體基板被用于多種多樣的用途。一個這樣的用途是用于形成微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置。隨著MEMS裝置物理結(jié)構(gòu)的增加復(fù)雜性的需要增加，已經(jīng)發(fā)展了多種不同的成形過程。兩種主要類別的成形過程是硅的體微加工和表面微加工。這些過程中的每種均具有獨特的優(yōu)點和功能。
[0003]通常，用于成形基板的過程允許在基板的平面中限定出高度復(fù)雜的形狀。這些過程還能夠制造移動部件。包括移動部件的一類已知構(gòu)件是閥。微機加工的閥的一個示例是具有使用第一半導(dǎo)體晶片制造的座基底的熱致動式微型閥。所述座基底包括流動通路和在前表面處圍繞所述流動通路的凸式閥座結(jié)構(gòu)(raised valve seat structure)。第二半導(dǎo)體晶片被圖案化成:包括用于與凸式閥座結(jié)構(gòu)對齊的中心配件(central armature),且還包括從所述中心配件延伸的一列支腿。每個支腿均具有兩種金屬層，且這兩種金屬中的每種均具有明顯不同的熱膨脹系數(shù)。當(dāng)支腿被加熱時，所述兩種金屬層的熱膨脹上的不同使得支腿彎曲，由此使中心配件相對于流動通路移位。
[0004]在上述閥中移動部件與其他部件相互作用的情況下，需要在制造上提高精度。因此，對特定的構(gòu)件而言能達到的最小尺寸隨著半導(dǎo)體制造過程中的不確定性而變化。此外，由于制造過程對于給定的裝置變得更加復(fù)雜，因此，裝置的故障率增加，由此增加了裝置的成本。因此，機械致動閥可能例如由于外部震動而不經(jīng)意地打開。
[0005]在一些應(yīng)用中，閥在裝置的壽命期間必須僅操作一次。例如，被構(gòu)造用于向病人提供預(yù)定劑量物質(zhì)的裝置可在腔室內(nèi)包括存儲的劑量，所述腔室通過能被打開以給用劑量的閥來密封。在傳感器裝置中，傳感器可定位在隔離的腔室內(nèi)，以便延長裝置的壽命。當(dāng)裝置然后即可使用時，腔室向著待監(jiān)測的周圍環(huán)境打開。然而，為了保證單用閥在需要時能操作，與制造多次操作的閥時所需要的精度相比，制造單用閥時需要基本上相同的精度。因此，對于單用閥(即，僅打開一次且之后保持打開的閥)而言的尺寸限制、制造復(fù)雜度和費用與多用閥的尺寸限制、制造復(fù)雜度和費用不相上下。
[0006]因此，需要一種能容易地合并到MEMS裝置或半導(dǎo)體裝置中的單用閥。還需要一種與現(xiàn)有單用閥相比在不增加故障率的情況下允許增加的制造公差的單用閥。與其他單用閥相比，不包括相同的尺寸限制、制造復(fù)雜度和費用的單用閥將是有益的。不通過機械式移動部件操作的單用閥也是有益的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在一個實施例中，一種打開到空腔的通道的方法包括:提供供體部分；鄰近于所述供體部分形成加熱元件；形成抵靠所述供體部分的第一犧牲板塊，其中，所述供體部分和所述犧牲板塊是可收縮對；形成第一空腔，所述第一空腔的一部分以第一犧牲板塊為界；通過加熱元件產(chǎn)生熱量；使用所產(chǎn)生的熱量和所述供體部分由第一犧牲板塊形成第一體積減小式板塊；和通過形成第一體積減小式板塊形成到第一空腔的通道。
[0008]在另一實施例中，一種即可使用型MEMS裝置包括:硅基式供體部分；由MEMS裝置中的第一邊界限定的第一空腔；抵靠所述硅基式供體部分的第一硅化物形成型金屬部分，所述第一硅化物形成型金屬部分形成第一邊界的一部分；和鄰近于第一硅化物形成型金屬部分的加熱元件。
[0009]在又一實施例中，一種打開到空腔的通道的方法包括:提供硅供體部分；鄰近于所述硅供體部分形成加熱元件；形成抵靠所述硅供體部分的第一硅化物形成型金屬板塊；形成第一空腔，所述第一空腔的一部分以第一硅化物形成型金屬板塊為界；通過加熱元件產(chǎn)生熱量；使用所產(chǎn)生的熱量和所述娃供體部分由第一娃化物形成型金屬板塊形成第一娃化物板塊；和通過形成第一硅化物板塊來形成到第一空腔的通道。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1示出了包括腔室的MEMS裝置的側(cè)剖視圖，所述腔室被成可收縮對和加熱元件形式的閥組件隔離；
[0011]圖2示出了圖1的裝置的已經(jīng)通過用犧牲材料和硅供體材料形成硅化物層來操作所述閥組件之后的局部剖視圖，其中，硅化物材料的體積小于犧牲材料和硅供體材料的體積，從而形成到腔室的通道；
[0012]圖3示出了包括腔室的MEMS裝置的側(cè)剖視圖，所述腔室被包括可收縮對和加熱元件的閥組件隔離，其中，所述腔室通過閥組件保持成真空；
[0013]圖4示出了根據(jù)可用于形成圖1的裝置的過程提供的支撐層的側(cè)剖視圖，其中，力口熱元件形成在支撐層的上表面上；
[0014]圖5示出了圖4的裝置的側(cè)剖視圖，且中間支撐層形成在加熱元件和支撐層的上表面上，其中，中間支撐層是娃基的；
[0015]圖6示出了圖5的裝置的側(cè)剖視圖，其中，犧牲板塊靠近加熱元件形成在中間支撐層上，且犧牲層形成在犧牲板塊和中間支撐層之上；
[0016]圖7示出了圖6的裝置的側(cè)剖視圖，其中，犧牲層成形為留下剩余部，所述剩余部成期望的腔室形式且抵靠犧牲板塊；
[0017]圖8示出了圖7的裝置的側(cè)剖視圖，其中，覆蓋層包繞著犧牲層的剩余部并包繞著犧牲板塊形成在中間支撐層上；
[0018]圖9示出了圖8的裝置的側(cè)剖視圖，其中，覆蓋層被蝕刻成使?fàn)奚鼘拥氖Ｓ嗖柯冻觯?br> [0019]圖10示出了圖9的裝置的側(cè)剖視圖，其中，覆蓋層被封裝，且犧牲層的剩余部被蝕刻為形成抵靠犧牲板塊的腔室；
[0020]圖11示出了圖10的裝置的側(cè)剖視圖，其中，覆蓋層成形為使?fàn)奚鍓K和覆蓋層的聯(lián)接部露出，由此提供具有被單用閥隔離的腔室的即可使用型裝置；
[0021]圖12示出了包括腔室的MEMS裝置的側(cè)剖視圖，所述腔室被包括可收縮對和加熱元件的閥組件隔離，其中，溝槽使?fàn)奚鍓K和覆蓋層的聯(lián)接部露出，由此提供具有被單用閥隔離的腔室的即可使用型裝置；[0022]圖13示出了圖12的裝置的已經(jīng)通過用犧牲材料和硅供體材料形成硅化物層來操作所述閥組件之后的局部剖視圖，其中，硅化物材料的體積小于犧牲材料和硅供體材料的體積，從而在溝槽和腔室之間形成通道；
[0023]圖14示出了具有包括兩個水平地隔開的腔室的排列的MEMS裝置的側(cè)剖視圖，所述腔室被包括可收縮對和加熱元件的閥組件隔離，由此提供了具有通過單用閥彼此隔離的兩個腔室的即可使用型裝置；
[0024]圖15示出了圖14的裝置的已經(jīng)通過用犧牲材料和硅供體材料形成硅化物層來操作所述閥組件之后的剖視圖，其中，硅化物材料的體積小于犧牲材料和硅供體材料的體積，從而在兩個腔室之間形成通道；
[0025]圖16示出了包括兩個腔室的排列的MEMS裝置的側(cè)剖視圖，所述腔室被包括可收縮對和加熱元件的豎直閥組件隔離，由此提供了具有通過單用閥彼此隔離的兩個豎直隔開式腔室的即可使用型裝置；以及
[0026]圖17示出了圖16的裝置的已經(jīng)通過用犧牲材料和硅供體材料形成硅化物層來操作所述閥組件之后的剖視圖，其中，硅化物材料的體積小于犧牲材料和硅供體材料的體積，從而在兩個腔室之間形成通道。
【具體實施方式】
[0027]為了促進對本發(fā)明的原理的理解，現(xiàn)在將參考附圖中示出的和以下書面說明中所述的實施例。應(yīng)當(dāng)理解，不意圖藉此限制本發(fā)明的范圍。還應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明包括對所描述的實施例的任何改變和改進，且包括本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通常能想到的本發(fā)明的原理的另外應(yīng)用。
[0028]圖1示出了包括基底102、中間支撐層104和覆蓋層106的即可使用型MEMS裝置100。覆蓋層106限定出基底102上方的腔室108，所述腔室108被閥組件110密封。因此，流體112 (所述流體112可以是液體或氣體)被保持在腔室108中。
[0029]閥組件110包括加熱元件114、犧牲材料116和中間支撐層104的靠近犧牲材料116定位的供體部分。加熱元件114可以是如下形式的材料:當(dāng)所述材料暴露于電流或其他形式的能量時產(chǎn)生熱量。加熱元件114的形狀可修改成能放大熱量產(chǎn)生。在一個實施例中，犧牲材料116是呈現(xiàn)出體積收縮的硅化物形成型材料。
[0030]硅化物材料是這樣一種材料，該材料在存在熱量的情況下與硅(Si)反應(yīng)，從而形成包括硅化物形成型材料和硅的化合物。該類別中的一些常見金屬包括鎳(Ni)、鈦(Ti)、鈷(Co)、鑰(Mo)和鉬(Pt)?！绑w積收縮”是這樣一種現(xiàn)象，在該現(xiàn)象中，所形成的化合物的體積小于初始的供體材料和犧牲材料的體積。以上確認的金屬中的每種在用于形成硅化物時都呈現(xiàn)這種現(xiàn)象。例如，當(dāng)在存在硅的情況下在大約250°C的硅化溫度下將Ni用作硅化物材料時，形成Ni2Si。與原來的Si和Ni材料的體積相比，Ni2Si化合物所占的體積少23%。
[0031]因此，Ni和Si是可收縮對。此處，所使用的術(shù)語“可收縮對”是可形成這樣的化合物的供體材料和犧牲材料的組合:所述化合物呈現(xiàn)體積收縮，從而產(chǎn)生體積減小式板塊。術(shù)語“供體材料”是指:在體積減小過程完成后，向所形成的化合物提供結(jié)構(gòu)支撐的材料。術(shù)語“犧牲材料”是指:在體積減小過程完成后，不向所形成的化合物提供結(jié)構(gòu)支撐的材料。在一些實施例中，供體材料以這樣的量存在:在體積減小過程完成后，至少剩余一些供體材料；而犧牲材料以這樣的量提供:在體積減小過程完成后，如果有的話，則只是非常少犧牲材料剩余。在其他實施例中，可使用兩種犧牲材料。
[0032]因此，如果在圖1的實施例中選擇Ni作為犧牲材料116，且中間支撐層104由硅基材料制成，犧牲材料116和中間支撐層104就形成可收縮對，且中間支撐層104為供體材料。因此，通過用加熱元件114產(chǎn)生250°C的溫度，犧牲材料116被消耗掉，從而形成圖2的構(gòu)型。
[0033]圖2中，犧牲材料116以及中間支撐層104的供體部分已被消耗掉，從而形成例如Ni2Si的硅化物材料118的體積減小式板塊。硅化物材料118部分地嵌在中間支撐層104內(nèi)，且與初始中間支撐層104中的供體材料和犧牲材料116相比，硅化物材料118在體積上的減小形成了硅化物材料118和覆蓋層106之間的通道120。因此，流體112能夠通過通道120從腔室108流出。
[0034]因此，裝置100在圖1的構(gòu)型中是“即可使用的”，因為所有生產(chǎn)相關(guān)的制造步驟在裝置100處于圖1所示的情況下時都已完成。因此，裝置100在進行操作之前可被包裝、運送和儲存期望的時間。此外，對裝置100進行操作僅需要將裝置100連接至任何期望的外部電路，并如上所述地通過單用閥組件110的操作來打開腔室108。在進行操作之前，腔室108內(nèi)的任何流體都被保護，以免于污染。同樣地，腔室108內(nèi)的任何傳感器(未示出)都被保持在保護性環(huán)境中。
[0035]雖然圖1的實施例在腔室108內(nèi)包括流體120，但是腔室可替代性地不含任何材料。例如，圖3示出了包括硅基基底132和覆蓋層134的裝置130。覆蓋層134限定出處于真空下的腔室136。裝置130還包括閥組件138。閥組件138包括嵌在基底132中的加熱元件140，同時犧牲材料142形成在基底132的上表面上。基底132在該實施例中是硅基的，因此提供了硅供體部分。真空填充式實施例可用于傳感器(未示出)位于腔室136內(nèi)的應(yīng)用中。傳感器在這種應(yīng)用中可在沒有明顯降級的情況下被儲存，直至通過使用閥組件138打開通道(未示出)來使傳感器進行操作。
[0036]圖1和圖3的裝置可使用現(xiàn)有的MEMS制造技術(shù)來形成?？捎糜谛纬蓤D1的裝置或稍加修改地形成圖3的裝置的一個過程參照圖4-11來描述。
[0037]首先參照圖4，制造過程從提供支撐層150開始。在一個實施例中，支撐層是平坦表面。然后，將加熱元件152定位在支撐層上?？墒褂萌魏纹谕倪^程、例如光刻來將加熱元件152沉積到支撐層150上。然后，將中間支撐層154形成在基底150和加熱元件152上并平面化(圖5)。在該示例中，中間支撐層154被選擇用于在硅化過程中提供硅。
[0038]然后，犧牲材料156和犧牲層158形成在中間支撐層154的上表面上(圖6)?？蛇x擇犧牲材料156的長度和厚度，以提供期望的通道尺寸。本文所使用的“厚度”是沿著與一平面垂直的軸線的尺度，該平面是通過犧牲材料(或板塊)和供體硅層(或板塊)的聯(lián)接部限定的平面。“長度”是沿著在該平面中與腔室和犧牲材料(或板塊)之間的邊界平行的軸線的尺度，而“寬度”是沿著在該平面中與長度軸線垂直的軸線的尺度。因此，參照圖6，厚度是犧牲材料156的豎直尺度，寬度是犧牲材料156的水平尺度，而長度是犧牲材料156的出入圖面測量的尺度。
[0039]雖然實際上可使用任何長度，但是，犧牲材料156的厚度通常將基于所期望的通道高度，因為硅化物形成型材料和硅化物材料之間的高度差容易得到。犧牲材料156的寬度可選擇成:保證腔室在硅化前一直密封。
[0040]在犧牲層158形成于中間支撐層154的上表面上和犧牲材料156的上表面上之后，犧牲層158如圖7所示地成形，使得犧牲層158的抵靠犧牲材料156的剩余部是最終腔室的期望尺寸。圖7中，露出了犧牲材料156的上表面和中間支撐層154的上表面的一部分。
[0041]然后，覆蓋層160形成在犧牲層158的剩余部上、犧牲材料156的上表面上和中間支撐層154的露出部分上(圖8)。參照圖9，此時，蝕刻孔162形成在覆蓋層160中，以便露出犧牲層158的剩余部。然后，蝕刻犧牲層158的剩余部，并填充蝕刻孔，從而形成圖10的構(gòu)型，其中，覆蓋層160封裝腔室164。
[0042]然后，蝕刻覆蓋層160，以便露出犧牲材料156的一部分(圖11)。根據(jù)腔室164內(nèi)的期望的氛圍，該氛圍可在封裝過程中或在封裝之后建立。一旦期望的氛圍在腔室164內(nèi)形成，且犧牲材料156和覆蓋層160的聯(lián)接部露出，該裝置就是“即可使用的”。
[0043]圖11中，犧牲材料156的側(cè)面部分露出，以便使腔室能夠通過由單用閥組件形成的通道與另一區(qū)域連通。在其他實施例中，可露出犧牲材料156的上表面部分。例如，圖12示出了包括基底172、硅基中間支撐層174和覆蓋層176的裝置170。覆蓋層176限定出腔室178。裝置170還包括閥組件180。閥組件180包括嵌在基底172內(nèi)的加熱元件182，同時犧牲材料184形成在中間支撐層174的上表面上。閥組件180還包括中間支撐層174的位于加熱元件182和犧牲材料184之間的供體部分。
[0044]裝置170還包括溝槽186，所述溝槽186穿過覆蓋層176延伸至犧牲材料184的上表面。溝槽186例如可通過DRIE形成。因此，隨著犧牲材料184發(fā)生硅化，犧牲材料184和所形成的硅化物向著供體硅的源、中間支撐層174固結(jié)，從而形成圖13的構(gòu)型。圖13中，通道188在硅化物層190之上形成在腔室178和溝槽186之間。
[0045]雖然前述實施例包括了被構(gòu)造成能在腔室和裝置外側(cè)區(qū)域之間形成通道的閥組件，但是，其他構(gòu)型也是可行的。一種這樣的替代方案在圖14中示出。在圖14示出的實施例中，裝置200包括基底202和覆蓋層204。覆蓋層204限定出腔室206和腔室208。裝置200還包括閥組件210。閥組件210包括嵌在基底202內(nèi)的加熱元件212、形成在加熱元件212的上表面上的硅基供體板塊214和形成在硅基供體板塊214的上表面上的犧牲材料216。
[0046]因此，隨著犧牲材料216發(fā)生硅化，犧牲材料216和所形成的硅化物向著支撐該硅化物的硅的源、硅基供體板塊214固結(jié)，從而形成圖15的構(gòu)型。圖15中，通道218在硅化物層220之上形成在腔室206和腔室208之間。
[0047]雖然前述實施例包括了被構(gòu)造成能提供水平通道的閥組件，但是，提供豎直通道的閥組件也是可行的，如圖16所示。在圖16示出的實施例中，裝置230包括基底232和覆蓋層234。覆蓋層234限定出腔室236和腔室238。裝置230還包括閥組件240。閥組件240包括嵌在覆蓋層234內(nèi)的加熱元件242、形成在覆蓋層234內(nèi)的硅基供體板塊244和鄰近于硅基供體板塊244的犧牲材料246。
[0048]因此，隨著犧牲材料246發(fā)生硅化，犧牲材料246和所形成的硅化物向著供體硅的源、硅基供體板塊244固結(jié)，從而形成了圖17的構(gòu)型。圖17中，通道248在硅化物層250上面形成在腔室236和腔室238之間。因此，腔室236/238內(nèi)的流體能夠混合。[0049]在此討論的各種構(gòu)型、實施例和特征可根據(jù)期望的用途以多種方式來組合。因此，在此公開的單用閥可合并到實驗室芯片裝置、化學(xué)傳感器、氣體傳感器和陣列、藥物輸送裝置(微顆粒的釋放)、用于將自治傳感器(例如一次性的一次式傳感器陣列)釋放到周圍環(huán)境中的裝置等。在此公開的單用閥允許使用干燥過程進行閥操作，所述干燥過程無污染、無化學(xué)品并減小了潛在的靜態(tài)阻力。這些優(yōu)點通過允許快速閥操作的構(gòu)型來實現(xiàn)。
[0050]通過包括在此公開的單用閥，靈敏的MEMS構(gòu)件可在裝置的加工、包裝、運送和儲存過程中受到保護。當(dāng)裝置進行操作時，保護性腔室可容易地打開。到腔室的開口的尺寸可根據(jù)操作事項來選擇，其中，間隙厚度可達10 μ m，且實際上可以是任何期望的長度。端口的打開可同時地或以階段式方式完成。階段式打開可通過選擇性地使用加熱元件來實現(xiàn)。附加地和/或替代性地，硅化溫度不同的硅化物形成型材料可被包括到裝置中，并通過溫度控制來實現(xiàn)選擇性打開。
[0051]雖然在附圖中和前述描述中詳細地示出和描述了本發(fā)明，所述附圖和描述應(yīng)當(dāng)被認為是描述性的且不限于字面意思。應(yīng)當(dāng)理解，僅介紹了優(yōu)選的實施例，且落入本發(fā)明的精神內(nèi)的所有改變、改進和其他應(yīng)用也期望被保護。
【權(quán)利要求】
1.一種打開到空腔的通道的方法，包括: 提供供體部分； 鄰近于所述供體部分形成加熱元件； 形成抵靠所述供體部分的第一犧牲板塊，其中，所述供體部分和所述犧牲板塊是可收縮對； 形成第一空腔，所述第一空腔的一部分以第一犧牲板塊為界； 通過加熱元件產(chǎn)生熱量； 使用所產(chǎn)生的熱量和所述供體部分由第一犧牲板塊形成第一體積減小式板塊；和 通過形成第一體積減小式板塊形成到第一空腔的通道。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成通道包括: 在第一空腔和第二空腔之間形成通道。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在第一犧牲板塊之上形成上部層；和 通過穿過所述上部層的溝槽來露出第一犧牲板塊的一部分，其中，形成通道包括在第一空腔和所述溝槽之間形成通道。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 形成與加熱元件的第一部分可操作地連接的第一電極；和 形成與加熱元件的第二部分可操作地連接的第二電極，其中，產(chǎn)生熱量包括在第一電極和第二電極之間施加電壓。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 形成第二犧牲板塊； 形成第二空腔，所述第二空腔的一部分以第二犧牲板塊為界； 由第二犧牲板塊形成第二體積減小式板塊；和 通過形成第二體積減小式板塊來形成到第二空腔的通道。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于: 提供供體部分包括形成硅基支撐層。
7.一種即可使用型MEMS裝置，包括: 硅基式供體部分； 由MEMS裝置中的第一邊界限定的第一空腔； 抵靠所述硅基式供體部分的第一硅化物形成型金屬部分，所述第一硅化物形成型金屬部分形成第一邊界的一部分；和 鄰近于第一硅化物形成型金屬部分的加熱元件。
8.如權(quán)利要求7所述的即可使用型MEMS裝置，其特征在于: 所述第一空腔形成在支撐層的第一部分之上； 所述加熱元件形成在支撐層的第二部分之下； 所述第一硅化物形成型金屬部分形成在支撐層的第二部分之上；和 所述支撐層的第二部分包括硅基式供體部分。
9.如權(quán)利要求8所述的即可使用型MEMS裝置，其特征在于，所述裝置還包括: 與加熱元件的第一部分可操作地連接的第一電極；和與加熱元件的第二部分可操作地連接的第二電極。
10.如權(quán)利要求7所述的即可使用型MEMS裝置，其特征在于，所述第一空腔被流體填充。
11.如權(quán)利要求7所述的即可使用型MEMS裝置，其特征在于，所述裝置還包括: 暴露于第一空腔的傳感器兀件。
12.如權(quán)利要求7所述的即可使用型MEMS裝置，其特征在于，所述裝置還包括: 由MEMS裝置中的第二邊界限定的第二空腔，其中，所述第一硅化物形成型金屬部分形成所述第二邊界的一部分。
13.如權(quán)利要求7所述的即可使用型MEMS裝置，其特征在于，所述裝置還包括: 由MEMS裝置中的第二邊界限定的第二空腔；和 鄰近于所述硅基部分并形成所述第二邊界的一部分的第二硅化物形成型金屬部分。
14.如權(quán)利要求13所述的即可使用型MEMS裝置，其特征在于: 第一硅化物形成型金屬部分具有第一硅化溫度； 第二硅化物形成型金屬部分具有第二硅化溫度；和 所述第一硅化溫度高于所述第二硅化溫度。
15.一種打開到空腔的通道的方法，包括: 提供硅供體部分； 鄰近于所述硅供體部分形成加熱元件； 形成抵靠所述硅供體部分的第一硅化物形成型金屬板塊； 形成第一空腔，所述第一空腔的一部分以第一硅化物形成型金屬板塊為界； 通過加熱元件產(chǎn)生熱量； 使用所產(chǎn)生的熱量和所述娃供體部分由第一娃化物形成型金屬板塊形成第一娃化物板塊；和 通過形成第一硅化物板塊來形成到第一空腔的通道。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，形成通道包括: 在第一空腔和第二空腔之間形成通道。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在第一硅化物形成型金屬板塊之上形成上部層；和 通過穿過所述上部層的溝槽來露出第一硅化物形成型金屬板塊的一部分，其中，形成通道包括在所述第一空腔和所述溝槽之間形成通道。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 形成與加熱元件的第一部分可操作地連接的第一電極；和 形成與加熱元件的第二部分可操作地連接的第二電極，其中，產(chǎn)生熱量包括在第一電極和第二電極之間施加電壓。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 形成第二硅化物形成型金屬板塊； 形成第二空腔，所述第二空腔的一部分以所述第二硅化物形成型金屬板塊為界； 由所述第二硅化物形成型金屬板塊形成第二硅化物板塊；和 通過形成所述第二硅化物板塊來形成到第二空腔的通道。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于:提供硅供體部分包括形成硅基支撐層`。
【文檔編號】F16K99/00GK103732966SQ201280039409
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月12日
【發(fā)明者】A·費伊, P·陳 申請人:羅伯特·博世有限公司