一種酸銅整平劑的應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種酸銅整平劑的應(yīng)用，所述酸銅整平劑的分子結(jié)構(gòu)式如圖。其中，陰離子X=Cl-或Br-；R1=O或S或N；R2,R3,R4=H、烷基、烯基、芳烷基、雜芳烷基、取代烷基、取代烯基、取代芳烷基或取代雜芳烷基中的一種；所述的酸銅整平劑應(yīng)用于可調(diào)表面形貌晶圓電鍍中。本發(fā)明在不同于以往染料型整平劑的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)并開發(fā)了一種水溶性較好，無色無毒，環(huán)境友好的新型酸銅整平劑分子，通過與傳統(tǒng)整平劑或其他具有整平作用的分子復(fù)配，作為酸銅電鍍中的復(fù)合整平劑，實(shí)現(xiàn)了在同一化學(xué)體系下，通過對復(fù)合整平劑分子濃度比例的調(diào)配，實(shí)現(xiàn)了銅電鍍表面形貌的有效控制，能夠滿足不同工藝的需求。
【專利說明】一種酸銅整平劑的應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片工藝中的先進(jìn)功能電子化學(xué)品領(lǐng)域，具體涉及一種酸銅整平劑的應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]銅金屬由于導(dǎo)電性能、熱傳導(dǎo)性、較低的熔點(diǎn)及延伸性的優(yōu)越特性，被認(rèn)為是優(yōu)秀的芯片互連材料。隨著芯片線寬特征尺寸越來越小時，互連延遲已成為制約集成電路速度提聞的關(guān)鍵因素。銅電鍛工藝是制備銅互連的關(guān)鍵技術(shù)，銅電鍛工藝尚不開聞質(zhì)量的電鍛液。因?yàn)殂~電鍍液的質(zhì)量及化學(xué)體系直接決定了銅柱或銅再布線層的表面形貌。在現(xiàn)如今的MEMS或半導(dǎo)體領(lǐng)域,客戶都要求銅電鍍層表面的高平整度(flat shape copper bumps),也不排除有些特殊工藝要求銅柱表面有凸起(domed shape copper bumps)或凹陷(dishedshape copper bumps)的形貌。要根據(jù)客戶要求得到符合標(biāo)準(zhǔn)的電鍍層形貌，電鍍條件的選擇和優(yōu)化至關(guān)重要，其中電鍍液的化學(xué)體系起到了關(guān)鍵作用。
[0003]一般在酸銅電鍍中的化學(xué)組分包括基本電鍍液(金屬離子，硫酸，氯離子)和有機(jī)添加劑。有機(jī)添加劑的含量一般都較低(ppm量級)，但對電鍍層的表面形貌起到?jīng)Q定性作用，一般可被分為抑制劑(或潤濕劑)，整平劑和光亮劑(或加速劑)。現(xiàn)有技術(shù)中對銅電鍍層表面形貌和平滑度的控制主要是通過對電鍍過程的條件和加入不同的化學(xué)體系(即不同的添加劑體系)來實(shí)現(xiàn)的，如果需要形貌可調(diào)，就會涉及到電鍍化學(xué)體系的更換，操作費(fèi)時費(fèi)力。因此一種具有較大靈活性的，能夠?qū)崿F(xiàn)銅電鍍表面形貌可調(diào)的化學(xué)體系會對相關(guān)工業(yè)界的發(fā)展起到巨大的推動。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供了一種酸銅整平劑的應(yīng)用，目的在于通過設(shè)計(jì)并開發(fā)新型整平劑分子，與傳統(tǒng)整平劑或其他具有整平作用的分子復(fù)配作為復(fù)合整平劑，實(shí)現(xiàn)在同一化學(xué)體系下銅電鍍表面形貌的可控。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0006] 一種酸銅整平劑的應(yīng)用，所述酸銅整平劑的分子結(jié)構(gòu)式為
[0007]
【權(quán)利要求】
1.一種酸銅整平劑的應(yīng)用，所述酸銅整平劑的分子結(jié)構(gòu)式為
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的酸銅整平劑的應(yīng)用，其特征在于:所述的酸銅整平劑為L113，其分子結(jié)構(gòu)式為
【文檔編號】C25D3/38GK103924268SQ201310731443
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月26日
【發(fā)明者】馬濤, 董培培, 張蕓 申請人:蘇州昕皓新材料科技有限公司