本實用新型涉及一種殼體，更具體地，本實用新型涉及封裝結(jié)構(gòu)中的殼體，尤其適用于MEMS芯片的封裝。

背景技術(shù)：

MEMS芯片的封裝結(jié)構(gòu)通常包括具有一端開口的殼體以及連接在殼體開口端的電路板，所述電路板將殼體的開口端封閉住，從而形成了MEMS芯片的外部封裝結(jié)構(gòu)。

在現(xiàn)有的封裝工藝中，殼體通過錫焊接的方式連接在電路板上，這不但可以實現(xiàn)殼體與電路板的穩(wěn)固連接，而且在某些封裝結(jié)構(gòu)中，還可以將殼體連接到電路板的電路布圖中，從而實現(xiàn)金屬殼體的電磁屏蔽作用，或者實現(xiàn)殼體內(nèi)部電路走線的電連接。由于MEMS芯片封裝的尺寸非常小，在焊接的過程中，會經(jīng)常發(fā)生焊錫沿著殼體側(cè)壁攀爬的現(xiàn)象，這對芯片的封裝來說是非常不利的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的一個目的是提供了一種封裝結(jié)構(gòu)的殼體。

根據(jù)本實用新型的一個方面，提供一種封裝結(jié)構(gòu)的殼體，包括圍成殼體側(cè)壁部以及頂部的基材，在所述基材的內(nèi)表面設(shè)置有第一金屬鍍層，在所述基材的外表面設(shè)置有第二金屬鍍層；在位于側(cè)壁部位置的第一金屬鍍層上設(shè)置有一圈環(huán)形的凹槽。

可選地，所述凹槽延伸至將側(cè)壁部內(nèi)壁露出。

可選地，在所述凹槽內(nèi)設(shè)置有活性低于焊錫的阻止部。

可選地，所述阻止部為鈦氟龍或氮氟龍材料。

可選地，所述阻止部的側(cè)壁與第一金屬鍍層的側(cè)壁齊平，或者超出第一金屬鍍層的側(cè)壁。

可選地，在位于側(cè)壁部位置的第二金屬鍍層上設(shè)置有另一圈環(huán)形的凹槽。

可選地，在側(cè)壁部兩側(cè)的凹槽內(nèi)均設(shè)置有活性低于焊錫的阻止部。

可選地，所述阻止部為鈦氟龍或氮氟龍材料。

可選地，所述第一金屬鍍層、第二金屬鍍層從內(nèi)到外均依次包括噴砂層、鍍鎳層、鍍金層。

本實用新型的殼體，通過設(shè)置在殼體上的金屬鍍層可以大大提高殼體的強度，從而提高殼體的抗壓能力以及殼體的耐磨能力；而且，還可以阻止焊錫沿著殼體的側(cè)壁攀爬，避免了爬錫現(xiàn)象的產(chǎn)生，從而可大大提高殼體與電路板焊接的良品率。

通過以下參照附圖對本實用新型的示例性實施例的詳細描述，本實用新型的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。

附圖說明

構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本實用新型的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本實用新型的原理。

圖1是本實用新型殼體第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實用新型殼體第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細描述本實用新型的各種示例性實施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達式和數(shù)值不限制本實用新型的范圍。

以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本實用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)和設(shè)備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術(shù)和設(shè)備應(yīng)當被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實用新型提供了一種封裝結(jié)構(gòu)的殼體，在提高殼體強度的同時，還可以避免其與電路板焊接時的爬錫現(xiàn)象。本實用新型的殼體，包括圍成殼體側(cè)壁部以及頂部的基材1，通過基材1圍成殼體的側(cè)壁部以及頂部，從而形成了具有一端開口的殼體。本實用新型的基材1可以選用塑料材料，使其可以通過注塑的方式形成具有一端開口的殼體；基材1也可以選用金屬材料，使其可通過沖壓、折彎等工藝形成具有一端開口的殼體，這種材料及工藝的選擇均屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識，在此不再具體說明。

本實用新型的殼體，在所述基材1的內(nèi)表面設(shè)置有第一金屬鍍層3，在所述基材1的外表面設(shè)置有第二金屬鍍層2；通過在基材1的內(nèi)外兩側(cè)設(shè)置金屬鍍層，可以大大提高殼體的強度，提高了殼體的抗壓能力；同時通過殼體外表面的第二金屬鍍層2還可以大大提高殼體的耐磨能力。

在本實用新型一個具體的實施例中，所述第一金屬鍍層3、第二金屬鍍層2從內(nèi)至外可以依次包括噴砂層、鍍鎳層、鍍金層。例如在基材1的內(nèi)表面依次經(jīng)過噴砂、鍍鎳、鍍金處理，得到第一金屬鍍層3，在基材1的外表面依次經(jīng)過噴砂、鍍鎳、鍍金處理，得到第二金屬鍍層2。

本實用新型的殼體，在位于側(cè)壁部位置的第一金屬鍍層3上設(shè)置有一圈環(huán)形的凹槽4，參考圖1。所述凹槽4環(huán)繞設(shè)置在殼體側(cè)壁部的內(nèi)側(cè)；該凹槽4優(yōu)選延伸至將側(cè)壁部在該位置的內(nèi)壁露出，也就是說，通過該凹槽4將側(cè)壁部上下兩方的第一金屬鍍層3完全阻隔開。在殼體與電路板的焊接過程中，由于該環(huán)形凹槽4的存在，使得可以阻斷焊錫從基材的焊接端6沿第一金屬鍍層攀爬的路徑，從而避免了爬錫問題的產(chǎn)生。

當本實用新型的基材1選用金屬材質(zhì)的時候，可首先在基材1上覆蓋一層環(huán)狀的掩蓋膜；對基材1進行沖壓、折彎形成具有側(cè)壁部、頂部的殼體；之后對基材1的兩側(cè)進行噴砂、鍍鎳、鍍金處理，形成位于基材1兩側(cè)的第一金屬鍍層3、第二金屬鍍層2；最后可通過溶液浸泡等手段去除掩蓋膜，從而形成上述的凹槽4。

在本實用新型一個優(yōu)選的實施方式中，在所述凹槽4內(nèi)設(shè)置有阻礙焊錫攀爬的阻止部5，參考圖2。所述阻止部5的活性低于焊錫的活性，例如其可以選用鈦氟龍或氮氟龍材料等非活性材料；該阻止部5可通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的方式設(shè)置在凹槽4內(nèi)，所述阻止部5的側(cè)壁與第一金屬鍍層3的側(cè)壁可以是齊平的，也可以是超出第一金屬鍍層3的側(cè)壁。在焊接的時候，當焊錫沿著第一金屬鍍層3往上攀爬的時候，該阻止部5構(gòu)成了焊錫攀爬的障礙，從而可以阻止焊錫的繼續(xù)攀爬。

上述各實施例均描述了只在基材1內(nèi)表面形成凹槽的技術(shù)方案，在本實用新型一個優(yōu)選的實施方式中，可以在位于側(cè)壁部位置的第二金屬鍍層2上設(shè)置有另一圈環(huán)形的凹槽4，參考圖1；進一步優(yōu)選的是，在側(cè)壁部兩側(cè)的凹槽4內(nèi)均設(shè)置有活性低于焊錫的阻止部，例如鈦氟龍或氮氟龍材料等。采用這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計，使得可以阻止焊錫在殼體兩側(cè)的攀爬問題，在此不再具體說明。

雖然已經(jīng)通過示例對本實用新型的一些特定實施例進行了詳細說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上示例僅是為了進行說明，而不是為了限制本實用新型的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本實用新型的范圍和精神的情況下，對以上實施例進行修改。本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求來限定。