專利名稱：電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種例如表面聲波元件等的電子部件。
背景技術(shù)：
對(duì)半導(dǎo)體元件等的功能元件，以將半導(dǎo)體元件的有源面朝向基板側(cè)的狀態(tài)安裝得到的電子部件，被使用在各種用途上。如上所述的電子部件中，使用功能元件本身來作為用于形成密封的空間的基板，通過將功能元件的有源面朝向基板側(cè)配置，來在基板與功能元件之間所形成的密封空間內(nèi)安置有源面。這里，在如上所述的電子部件中，為了確保電子部件的正常的動(dòng)作，采取了用于維持密封空間內(nèi)的環(huán)境的對(duì)策。例如，提出一種通過將功能元件與基板用樹脂、焊錫粘合，來在內(nèi)部的密封空間內(nèi)密封有源面的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1 4) O專利文獻(xiàn)1 特開平11-87406號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 特開平11-97584號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 特開2000-77458號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 特開2003-92382號(hào)公報(bào)但是，上述以往的電子部件中，還希望使密封空間的氣密性提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明借鑒上述以往的問題，以提供使密封空間的氣密性提高的電子部件作為目的。本發(fā)明為了解決上述課題采用了以下的結(jié)構(gòu)。即本發(fā)明涉及的電子部件，在第1 及第2基板之間形成由密封構(gòu)件包圍的密封空間，在該密封空間內(nèi)配置有功能元件的至少一部分，其特征在于，上述密封構(gòu)件，具有在上述第1基板上形成的具有彈性的芯部；和， 在該芯部的表面設(shè)置的金屬膜，該金屬膜與上述第2基板相接合。在該發(fā)明中，因?yàn)樾静窟M(jìn)行彈性變形，因此即使在第2基板的表面中的與密封構(gòu)件的接觸區(qū)域形成有凹凸形狀、或者在第2基板上發(fā)生翹曲，金屬膜與第2基板間也以充分的接合面積而良好地接合。因此，密封構(gòu)件下的密封空間能得到充分的氣密性。即，在第1 及第2基板粘合時(shí)，在將密封構(gòu)件對(duì)第2基板擠壓時(shí)，芯部與金屬膜一同模仿第2基板的表面形狀進(jìn)行彈性變形。為此，第2基板與金屬膜之間的接觸面積增大。因此，金屬膜與第2 基板，以充分的強(qiáng)度相接合。另外，因?yàn)樾静堪l(fā)生彈性變形，即使第1及第2基板之間有熱膨脹系數(shù)差，也能保持金屬膜與第2基板之間的接合狀態(tài)。而且，即使在例如熱循環(huán)試驗(yàn)時(shí)等中，第1及第2基板間發(fā)生了剝離力的情況，因?yàn)樾静窟M(jìn)行彈性變形，密封構(gòu)件也能追隨第1及第2基板的變形。因此，能良好地維持密封空間的氣密性。另外，本發(fā)明的電子部件優(yōu)選，在上述第2基板中與上述密封構(gòu)件的接觸區(qū)域中， 形成有與上述金屬膜金屬接合的接合用金屬膜。
在本發(fā)明中，通過金屬膜與接合用金屬膜進(jìn)行金屬接合，第1及第2基板以形成密封空間的狀態(tài)被粘合在一起。另外，本發(fā)明的電子部件優(yōu)選，上述金屬膜與上述接合用金屬膜，被常溫接合。在本發(fā)明中，通過將金屬膜與接合用金屬膜常溫接合，能抑制在第1及第2基板分別、或者功能元件中發(fā)生熱膨脹。因此，能提高密封空間的氣密信賴性。另外，通過進(jìn)行常溫接合，能防止對(duì)功能元件施加熱損害。另外，本發(fā)明的電子部件中，上述密封構(gòu)件，可被熱壓接在上述第2基板上。在本發(fā)明中，通過將金屬膜對(duì)第2基板熱壓接，來相互進(jìn)行接合。另外，本發(fā)明的電子部件優(yōu)選，具備保持上述金屬膜與上述第2基板的接合狀態(tài)的保持構(gòu)件。在本發(fā)明中，通過保持構(gòu)件保持金屬膜與第2基板之間的接合狀態(tài)，能更加提高密封空間的氣密可靠性。另外，本發(fā)明的電子部件中優(yōu)選，上述保持構(gòu)件，包圍上述密封構(gòu)件的外圍。 在本發(fā)明中，能更加可靠地保持金屬膜與第2基板之間的接合狀態(tài)。另外，密封構(gòu)件中密封空間側(cè)的側(cè)面不易被污染，能抑制功能元件的特性變化。另外，本發(fā)明的電子部件中，上述功能元件，可在由于應(yīng)力或者熱導(dǎo)致其特性變化的同時(shí)，被載置在上述第1及第2基板的任何一方的上面。在本發(fā)明中，能將由于外部應(yīng)力、熱應(yīng)力而產(chǎn)生的功能元件的特性變化，抑制為最小限度。也就是說，即使對(duì)電子部件施加外部應(yīng)力，或由于電子部件暴露在有溫度變化的環(huán)境中，第1及第2基板各自的熱膨脹系數(shù)差所引起的熱應(yīng)力施加給電子部件，通過芯部進(jìn)行彈性變化，也能防止第1及第2基板的翹曲和變形。因此，能抑制由于外部應(yīng)力、熱應(yīng)力而產(chǎn)生的功能元件的特性變化。另外，本發(fā)明的電子部件中，上述功能元件，可被直接形成在上述第1及第2基板的任何一方的上面。在本發(fā)明中，雖然功能元件容易直接受到來自第1及第2基板的一方的影響，但與上述同樣，即使對(duì)電子部件施加外部應(yīng)力、熱應(yīng)力，通過芯部進(jìn)行彈性變化，也能防止第1 及第2基板的翹曲、變形。因此，能抑制由于外部應(yīng)力、熱應(yīng)力而產(chǎn)生的功能元件的特性變化。另外，本發(fā)明的電子部件中，上述功能元件，可被接合載置在上述第1及第2基板的任何一方的上面。在本發(fā)明中，與上述同樣，S卩使對(duì)電子部件施加外部應(yīng)力、熱應(yīng)力，通過芯部進(jìn)行彈性變化，第1及第2基板的一方上接合的功能元件也不易經(jīng)接合部分發(fā)生變化。因此，能抑制由于外部應(yīng)力、熱應(yīng)力而產(chǎn)生的功能元件的特性變化。


圖1是表示第1實(shí)施方式中的電子部件的概要截面圖。圖2是圖1的放大圖。圖3是表示半導(dǎo)體基板的斜視圖。圖4是圖2的部分放大圖。
圖5是表示密封構(gòu)件的放大截面圖。圖6是表示密封構(gòu)件與密封基板間的接合工序的說明圖。圖7是表示具備電子部件的便攜電話機(jī)的斜視圖。圖8是表示可應(yīng)用本發(fā)明的密封構(gòu)件的其它構(gòu)造的截面圖。圖9同上，是表示可應(yīng)用本發(fā)明的的密封構(gòu)件的其它的構(gòu)造的截面圖。圖10是表示第2實(shí)施方式中的電子部件的截面圖。圖11是圖10的部分放大圖。圖12是表示第3實(shí)施方式中的電子部件的截面圖。圖13是表示晶體振蕩器的斜視圖。圖14是表示其它的晶體振蕩器的斜視圖。圖15是表示第4實(shí)施方式中的電子部件的斜視圖。圖中1、120、130、160-電子部件，2-半導(dǎo)體基板(第1基板)，3_密封基板(第2 基板)，4-SAW元件(功能元件)，5、110、115_密封構(gòu)件，31-接合用金屬膜，51-樹脂芯(芯部)，52、111、116-金屬膜，121-粘結(jié)層(保持構(gòu)件)，131、140-晶體振蕩器(功能元件)。
具體實(shí)施例方式(第1實(shí)施方式)以下，根據(jù)

本發(fā)明中的電子部件的第1實(shí)施方式。另外，在以下的說明使用的各附圖中，為了能識(shí)別各構(gòu)件的尺寸，適當(dāng)變更了比例尺。這里，圖1是表示電子部件的概要截面圖，圖2是圖1的放大圖，圖3是表示半導(dǎo)體基板的斜視圖，圖5是表示密封構(gòu)件的放大截面圖，圖6是表示密封構(gòu)件與密封基板間的接合工序的說明圖。(電子部件)本發(fā)明中的電子部件1，如圖1所示，是由SAW (Surface Acoustic Wave:以下稱為 SAW元件)元件和半導(dǎo)體元件形成的SAW振蕩器，在電路基板P上通過凸起B(yǎng)安裝。而且， 電子部件1，如圖2所示，具備半導(dǎo)體基板(第1基板)2、密封基板(第2基板)3、表面聲波元件(功能元件)4、和密封構(gòu)件5。半導(dǎo)體基板2。例如用硅基板所形成。另外，在半導(dǎo)體基板2的一面2A上，形成有 SAff元件4。然后，在半導(dǎo)體基板2的另一面2B上，形成有集成電路(省略圖示)、基底層 (lower layer) 11、電極12、第1絕緣膜13、多個(gè)第1布線14、第2絕緣膜15、多個(gè)第2布線 16和凸起B(yǎng)。集成電路，為包含例如晶體管、存儲(chǔ)器元件等的其它的電子元件的結(jié)構(gòu)?；讓?1，由例如作為Si (硅)的氧化膜的SiO2 (二氧化硅)等的絕緣材料形成， 將半導(dǎo)體基板2的另一面2B覆蓋住。電極12，由例如Ti (鈦)、TiN(氮化鈦)、A1 (鋁)、Cu (銅)等的導(dǎo)電材料形成，在基底層11的下面形成。而且，電極12適當(dāng)連接著上述的集成電路。第1絕緣膜13，由例如聚酰亞胺樹脂、硅變性聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、硅變性環(huán)氧樹脂、丙烯樹脂、酚醛樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚對(duì)苯撐苯并雙噁唑(PBO)等的絕緣材料形成，在基底層11的下面中的電極12的非形成區(qū)域上形成。多個(gè)第1布線14，分別疊層包含例如Cu、Cr (鉻)、Ti、Ni (鎳)、TiW(鈦/鎢)、Au (金)、Ag(銀)、Al、NiV(鎳/釩)、W、TiN, Pb (鉛)之中的至少1個(gè)或其中的至少2個(gè)材料而形成。而且，多個(gè)第1布線14分別在第1絕緣膜13的下面形成，一部分與電極12 相連接。第2絕緣膜15，由例如與第1絕緣膜13同樣的絕緣材料或Si02、SiN(氮化硅)等的絕緣材料形成，將第1絕緣膜13和多個(gè)第1布線14的一部分覆蓋住。而且，第1布線14 中沒有被第2絕緣膜15覆蓋的區(qū)域，構(gòu)成了提岸(land)部17。第2布線16，在第2絕緣膜15的下面形成，與提岸部17相連接。凸起B(yǎng)，由例如無鉛焊錫、金等的導(dǎo)電材料形成，與第2布線16相連接。而且，凸起 B，作為電子部件1的端子電極發(fā)揮功能，與在電路基板P上形成的布線圖案相連接。另外，在半導(dǎo)體基板2上，如圖2及圖3所示，形成有將半導(dǎo)體基板2貫通的一對(duì)貫通孔21。而且，在貫通孔21中填充有貫通電極22。另外，在半導(dǎo)體基板2中的貫通孔21 的內(nèi)周面上，設(shè)置有第3絕緣膜23，貫通電極22與半導(dǎo)體基板2之間被電絕緣。一對(duì)的貫通電極22的一方，如圖3所示，一端與SAW元件4的后述的叉指電極42 相連接，并且，另一端通過電極12與集成電路相連接。另外，另一方的貫通電極22中，一端與SAW元件4的后述的叉指電極43相連接，并且，另一端通過電極12與集成電路相連接。 因此，SAW元件4與集成電路導(dǎo)通。第3絕緣膜23，如圖2所示，為了防止由于電流泄漏的發(fā)生、或氧及水分等對(duì)半導(dǎo)體基板2的侵蝕等而設(shè)置。這里，第3絕緣膜23，能使用使用PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition)形成的四乙基原硅酸鹽 CTetra Ethyl Ortho Silicate Si (OC2H5)4 以下，稱為TE0S)，即使用PE-TEOS及臭氧CVD形成的TEOS,即使用O3-TEOS或 CVD形成的Si02。另外，第3絕緣膜23分別具有絕緣性即可，也可以是樹脂材料等其它的絕緣材料。另外，在圖2中，為了容易進(jìn)行圖示，省略了在第1絕緣膜13上所設(shè)置的第3絕緣膜23的圖示。密封基板3，由例如玻璃基板形成，在半導(dǎo)體基板2的一面2A中的外面?zhèn)戎信c半導(dǎo)體基板2隔出間隔而配置。另外，在朝向密封基板3的半導(dǎo)體基板2的一面3A中平面看去與密封構(gòu)件5重疊的區(qū)域上，如圖2及圖4所示，形成有接合用金屬膜31。接合用金屬膜31，例如由Au等的金屬材料膜形成。而且，接合用金屬膜31中，在平面看去與密封構(gòu)件5的形成區(qū)域相重疊的區(qū)域中，形成為矩形的框形狀。而且，密封基板3，通過密封構(gòu)件5與半導(dǎo)體基板2粘合在一起，與半導(dǎo)體基板2之間形成由密封構(gòu)件5所圍成的密封空間32。在密封空間32內(nèi)，密封了 SAW元件4。另外， 密封空間32內(nèi)，為了抑制SAW元件4的表面氧化、水分子的結(jié)合，優(yōu)選用干燥氣體或者氮?dú)鈦碇脫Q，或形成由低于密封空間32外的壓力而獲得的置換密封或者真空密封。SAff元件4，如圖2及圖3所示，在半導(dǎo)體基板2的一面2A上形成，具備在半導(dǎo)體基板2的一面2A上所形成的壓電體薄膜41、和在該壓電體薄膜41上所形成的一對(duì)叉指電極 42、43。壓電體薄膜41，由例如SiO (氧化鋅)、A1N(氮化鋁),LiNbO3 (鈮酸鋰)^LiTaO3 (鉭酸鋰)、KNbO3 (鈮酸鉀)等的壓電材料形成。叉指電極42、43，分別由例如Al等的導(dǎo)電材料形成。而且，叉指電極42、43，分別與貫通電極22各自的一端相導(dǎo)通。
6
另外，SAff元件4，被由Si02、Si3N4 (氮化硅)、TiN等所形成的保護(hù)膜(省略圖示)
所覆蓋。密封構(gòu)件5，如圖2至圖5所示，在半導(dǎo)體基板2的一面2A上形成，以將密封空間 32圍著的方式，平面看去形成為矩形的框形狀。另外，密封構(gòu)件5，具備用具有彈性的樹脂材料所形成的樹脂芯(芯部)51、和在樹脂芯51的表面上所形成的金屬膜52。樹脂芯51，由聚酰亞胺樹脂、丙烯樹脂、酚醛樹脂、硅樹脂、硅變性聚酰亞胺樹脂、 環(huán)氧樹脂、等的感光性絕緣樹脂或熱硬化性絕緣樹脂形成。另外，樹脂芯51，如圖3及圖5所示，在使密封構(gòu)件5與半導(dǎo)體基板2接合前，形成為近似半柱面狀。這里，所謂半柱面狀，是與密封基板3的一面3A接觸的內(nèi)面(底面)為平面，并且為非接觸面的外面?zhèn)瘸蔀閺澢娴闹鶢钚螤?。具體來說，所謂近似半柱面狀，例如有橫截面為近似半圓狀、近似半橢圓狀、近似梯形狀等。而且，樹脂芯51，如圖2及圖4所示，通過以半導(dǎo)體基板2與密封基板3相對(duì)接近的方式而被擠壓，以其頂端形狀模仿接合用金屬膜31的表面形狀的方式而彈性變形。
基于此，即使半導(dǎo)體基板2、密封基板3彎曲或膨脹，樹脂芯51也能追隨其變化，保持良好的密封狀態(tài)。另外，即使在密封處稍微有一些垃圾、損傷，也同樣能保持良好的密封狀態(tài)。再有，半導(dǎo)體基板2、密封基板3是不同種類的材料、熱膨脹系數(shù)不同時(shí)，在密封物的溫度環(huán)境變化時(shí)，也因樹脂芯51的彈性變形而帶來的追隨從而密封部不易發(fā)生熱應(yīng)力， 在密封空間內(nèi)不易受到熱應(yīng)力。另外，在對(duì)電子部件1 (SAW振蕩器)全體施加來自外部的應(yīng)力的情況下，通過由樹脂芯的彈性變形而帶來的追隨，在密封空間內(nèi)不易傳遞應(yīng)力。因此，在密封空間內(nèi)即使存在對(duì)熱、應(yīng)力敏感的器件，也不易受到這些干擾的影響，能形成穩(wěn)定的電子部件(SAW振蕩器)O樹脂芯51，通過光刻法技術(shù)或蝕刻法技術(shù)形成。另外，關(guān)于樹脂芯51的材質(zhì)(硬度)和形狀，根據(jù)接合用金屬膜31的形狀等來適當(dāng)選擇、設(shè)計(jì)。金屬膜52，如圖3到圖5所示，覆蓋了樹脂芯51的表面。另外，金屬膜52，由例如 Au、TiW、Cu、Cr (鉻)、Ni、Ti、W、NiV、Al、Pd (鈀)、無鉛焊錫等的金屬或合金形成，可以是它們的單層結(jié)構(gòu)，也可以是將多種疊層得到。而且，金屬膜52，通過樹脂芯31的彈性變形模仿變形為接合用金屬膜31的表面形狀，與接合用金屬膜31金屬接合。金屬膜52，通過在例如濺射法等進(jìn)行的成膜之后，進(jìn)行圖案形成來形成。另外，金屬膜52，也可以是在通過由濺射法、無電解鍍敷形成基底膜后，用電解鍍敷疊層上層膜來形成。這里，金屬膜52中，如后所示，因?yàn)闃渲?1模仿接合用金屬膜31的形狀進(jìn)行彈性變形，因此特別優(yōu)選用延展性好的Au來形成。另外，在金屬膜52具有疊層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選其最外層用穩(wěn)定且表面凹凸的追隨性好的Au來形成。另外，金屬膜52與樹脂芯51同樣， 根據(jù)接合用金屬膜31的形狀等來適當(dāng)選擇、設(shè)計(jì)。如上所述，因?yàn)闃渲?1的最表層為用金屬覆蓋的結(jié)構(gòu)，所以具有以往的樹脂密封構(gòu)造所得不到的高氣密性。如上所述，本發(fā)明與以往的密封技術(shù)不同，不是基于金屬等剛性高的材料的那種對(duì)各種應(yīng)力的非吸收結(jié)構(gòu)，也不是基于樹脂的氣密性性低的結(jié)構(gòu)，是完全新的、具有兩者的優(yōu)良特性的密封構(gòu)造。(電子部件的制造方法)
接著，參照?qǐng)D6的同時(shí)來說明關(guān)于電子部件1的制造方法。另外，在本發(fā)明中，因?yàn)樵诎雽?dǎo)體基板2與密封基板3間的粘合工序中具有特征，因此僅關(guān)于該點(diǎn)進(jìn)行說明。這里，圖6是表示半導(dǎo)體基板與密封基板間的粘合工序的工序圖。首先，在半導(dǎo)體基板2上以包圍密封空間32的形成區(qū)域的方式形成樹脂芯51，將樹脂芯51用金屬膜52覆蓋。另一方面，在密封基板3的表面中以包圍密封空間32的形成區(qū)域的方式形成接合用金屬膜31。然后，對(duì)在半導(dǎo)體基板2所形成的金屬膜52與在密封基板3所形成的接合用金屬膜31各自的表面，通過例如用等離子體的照射除去雜質(zhì)從而使其活性化。 接著，如圖6所示，將在半導(dǎo)體基板2上所設(shè)置的密封構(gòu)件5，對(duì)密封基板上所形成的接合用金屬膜31解除、擠壓。此時(shí)，因?yàn)闃渲?1發(fā)生彈性變形，金屬膜52伴隨著樹脂芯51而模仿接合用金屬膜31的表面形狀。因此，金屬膜52與接合用金屬膜31間以充分的面積相接觸。然后，金屬膜52與接合用金屬膜31，因?yàn)楸舜说谋砻娣謩e被活性化，所以表面的金屬彼此相互擴(kuò)散，進(jìn)行金屬接合?；诖?，半導(dǎo)體基板2與密封基板3，如圖4所示， 通過密封構(gòu)件5以在內(nèi)部密封SAW元件4的狀態(tài)粘合。如上所述，將半導(dǎo)體基板2與密封基板3粘合。如此在本發(fā)明中，因?yàn)榻雍辖缑嬉残纬山饘俳雍舷碌拿芊饨Y(jié)構(gòu)，因此氣密(gas barrier)性變得非常高。這里，若將粘合(接合)時(shí)的周圍的空氣設(shè)為氮?dú)猓瑒t密封空間32內(nèi)被以置換為氮?dú)獾臓顟B(tài)保持，如果用其它的氣體的環(huán)境氣，能將密封空間內(nèi)用所希望的氣體進(jìn)行置換。 另外，如果用真空環(huán)境氣粘合的話，也能進(jìn)行真空密封。如上所述，若在真空下的等離子體照射后，直接保持該真空，位置對(duì)準(zhǔn)后進(jìn)行密封的方式的話，因?yàn)檎澈咸幍幕钚远葹楹芨叩臓顟B(tài)，即使是低溫也能進(jìn)行穩(wěn)定的金屬擴(kuò)散，因此能得到高的接合可靠性。其后，通過在半導(dǎo)體基板2的另一面2B上所形成的凸起B(yǎng)，將電子部件1與布線圖案Pl相連接，以將電子部件1與電路基板P之間所形成的空隙密封的方式來涂樹脂55。(電子機(jī)器)而且，上述電子部件1，用于例如圖7所示的便攜電話機(jī)100。在這里，圖7是表示便攜電話機(jī)的斜視圖。該便攜電話機(jī)100具備顯示部101、多個(gè)操作按鈕102、受話器103、話筒104及具有上述顯示部101的機(jī)身部。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式中的電子部件1，通過樹脂芯51進(jìn)行彈性變形，金屬膜 52與接合用金屬膜31間以充分的接合面積能良好地金屬接合。因此，由密封構(gòu)件5得到的密封空間32具有充分的氣密性。這里，因?yàn)榻饘倌?2與接合用金屬膜31被常溫接合，因此能防止SAW元件4等的其它的元件的特性發(fā)生變化。另外，在本實(shí)施方式中，也可以是如圖8所示的結(jié)構(gòu)的密封構(gòu)件110。如圖8(a)所示，該密封構(gòu)件110中，金屬膜111覆蓋了樹脂芯51的頂部及密封空間32側(cè)的內(nèi)側(cè)面。如果使用如此構(gòu)成的密封構(gòu)件110來粘合半導(dǎo)體基板2與密封基板3的話，如圖8(b)所示， 在密封空間32的壓力比密封空間32外的壓力低的情況下，樹脂芯51被向密封空間32拽入。這樣，樹脂芯51中，內(nèi)側(cè)面容易與接合用金屬膜31相接觸。因此，即使金屬膜111沒有覆蓋樹脂芯51的外側(cè)面，也能充分確保金屬膜111與接合用金屬膜31之間的接合面積。
同樣，本實(shí)施方式中，也可以是如圖9所示的構(gòu)成的密封構(gòu)件115。這里，密封空間 32的壓力，比密封空間32外的壓力更高。如圖9(a)所示，該密封構(gòu)件115中，金屬膜116 覆蓋了樹脂芯51的頂部及遠(yuǎn)離密封空間32 —側(cè)的外側(cè)面。如果使用如此構(gòu)成的密封構(gòu)件 115來粘合半導(dǎo)體基板2與密封基板3的話，如圖9(b)所示，因?yàn)槊芊饪臻g32的壓力比密封空間32外的壓力更高，因此樹脂芯51就被向密封空間32外擠壓。從而，樹脂芯51中， 外側(cè)面就容易與接合用金屬膜31相接觸。因此，即使金屬膜116沒有覆蓋樹脂芯51的內(nèi)側(cè)面，也能充分確保金屬膜116與接合用金屬膜31之間的接合面積。(第2實(shí)施方式)接著，根據(jù)

本發(fā)明中的電子部件的第2實(shí)施方式。這里，圖10是表示電子部件的截面圖，圖11是圖10的部分放大圖。另外，在本實(shí)施方式中，因?yàn)榕c上述第1實(shí)施方式相比，半導(dǎo)體基板與密封基板間的粘合構(gòu)造不同，所以將該點(diǎn)作為中心進(jìn)行說明，并且對(duì)上述實(shí)施方式說明的構(gòu)成要素附加相同的記號(hào)，并省略其說明。本實(shí)施方式中的電子部件120中，如圖10所示，半導(dǎo)體基板2與密封基板3間通過密封構(gòu)件5及粘結(jié)層(保持構(gòu)件)121粘合在一起。粘結(jié)層121，由例如環(huán)氧樹脂、丙烯樹脂等的粘結(jié)劑而形成。而且，粘結(jié)層121，以包圍密封構(gòu)件5的方式平面看去形成為矩形的框形狀。如上所述，本實(shí)施方式中的電子部件120中，雖然也得到了與上述第1實(shí)施方式同樣的作用、效果，但通過由粘結(jié)層121保持金屬膜52與接合用金屬膜31間的接合狀態(tài)，能進(jìn)一步提高密封空間32的氣密可靠性。另外，因?yàn)檎辰Y(jié)層121包圍密封構(gòu)件5的外圍，因此能抑制SAW元件4的特性變化。(第3實(shí)施方式)接著，根據(jù)

本發(fā)明中的電子部件的第3實(shí)施方式。這里，圖12是表示電子部件的截面圖，圖13是表示晶體振蕩器的斜視圖。另外，在本實(shí)施方式中，因?yàn)榕c上述第 1實(shí)施方式相比功能元件的構(gòu)造不同，所以將該點(diǎn)作為中心進(jìn)行說明，并且，對(duì)上述實(shí)施方式說明的構(gòu)成要素附加相同的記號(hào)，并省略其說明。本實(shí)施方式中的電子部件130，如圖12所示，具備晶體振蕩器131作為功能元件。 晶體振蕩器131，如圖13所示，例如音叉型的晶體振蕩器，具備水晶片132 ；對(duì)水晶片進(jìn)行激勵(lì)的一對(duì)激勵(lì)電極133、134 ；和，凸起電極135、136。水晶片132，平面看去近似為U字狀，是具有從基部13 起2個(gè)腕部132b、132c在同一方向上并列延伸的音叉型的平面形狀的板狀構(gòu)件。激勵(lì)電極133，從水晶片132的一面中的基部13 起遍及腕部132b而形成。另外，激勵(lì)電極134，從水晶片132的一面中的基部13 起遍及腕部132c而形成。凸起電極135、136，分別與激勵(lì)電極133、134相導(dǎo)通。另外，凸起電極135，如圖12 所示，形成在半導(dǎo)體基板2的一面2A上，連接在與一對(duì)貫通電極22的一方導(dǎo)通的連接電極 137上。而且，凸起電極136，形成在半導(dǎo)體基板2的一面2A上，連接在與一對(duì)貫通電極22 的另一方導(dǎo)通的連接電極138上。如上所述構(gòu)成的電子部件130，通過在半導(dǎo)體基板2上安裝晶體振蕩器131后，將半導(dǎo)體基板2與密封基板3粘合來制造。如上所述，本實(shí)施方式中的電子部件130中也能得到與上述同樣的作用、效果。另外，與上述第2實(shí)施方式同樣的，也可以將半導(dǎo)體基板2與密封基板3通過粘結(jié)層121來粘合O另外，晶體振蕩器131，并不限于音叉型的晶體振蕩器，也可以是如圖14所示的晶體振蕩器140。該晶體振蕩器140，是使用例如回旋傳感器(gyro sensor)的晶體振蕩器， 具備水晶片141 ；在水晶片141的一面上設(shè)置的驅(qū)動(dòng)電極142、143及檢出電極144、145 ； 和凸起電極146 149。水晶片141，具備固定部151 ；—對(duì)驅(qū)動(dòng)腕部152、153 ；和一對(duì)檢出腕部154、155。驅(qū)動(dòng)腕部152，具備從固定部151凸出形成的基部15 ;和與基部15 連接的頂端部152b?；?5 的延伸方向與頂端部152b的延伸方向大致為垂直。另外，基部15 與頂端部152b的大致中央相連接。驅(qū)動(dòng)腕部153，具備從固定部151凸出形成的基部153a ；和與基部153a連接的頂端部15北?；?53a的延伸方向與頂端部15 的延伸方向大致為垂直。因此，頂端部 153b的延伸方向與頂端部152b的延伸方向大致為平行。另外，從基部153a的固定部151 起的凸出方向，與基部15 為反方向。而且，基部153a與頂端部15 的大致中央相連接。檢出腕部154、155，分別從固定部151凸出形成。而且，從檢出腕部154的固定部 151起的凸出方向與檢出腕部155為反方向。另外，檢出腕部154、155各自的延伸方向，與基部152a、153a各自的延伸方向大致垂直，與頂端部152b、15 各自的延伸方向大致平行。驅(qū)動(dòng)電極142，形成在基部15 及頂端部152b各自的一面上。另外，驅(qū)動(dòng)電極 143，形成在基部153a及頂端部15 各自的一面上。而且，檢出電極144形成在檢出腕部 154的一面上，檢出電極145形成在檢出腕部155的一面上。凸起電極146 149分別與一對(duì)驅(qū)動(dòng)電極142、143及一對(duì)檢出電極144、145相導(dǎo)
ο(第4實(shí)施方式)接著，根據(jù)

本發(fā)明中的電子部件的第4實(shí)施方式。這里，圖15是表示電子部件的截面圖。另外，在本實(shí)施方式中，因?yàn)榕c上述第1實(shí)施方式相比功能元件的構(gòu)造不同，所以將該點(diǎn)作為中心進(jìn)行說明，并且，對(duì)上述實(shí)施方式說明的構(gòu)成要素附加相同的記號(hào)，并省略其說明。如圖15所示，本實(shí)施方式中的電子部件160中，SAff元件4形成在密封基板3的一面3A上。而且，一對(duì)貫通電極161中，上端從半導(dǎo)體基板2的一面2A凸出形成，與SAW元件4導(dǎo)通。另外，密封構(gòu)件5形成在密封基板3的一面3A上，接合用金屬膜31形成在半導(dǎo)體基板2的一面2A上。如上所述，本實(shí)施方式中的電子部件160中，也能得到與上述同樣的作用、效果。 另外，與上述第2實(shí)施方式同樣，也可以將半導(dǎo)體基板2與密封基板3通過粘結(jié)層121來粘合。另外，SAff元件4，也可以形成在半導(dǎo)體基板2的一面2A上。另外，本發(fā)明并不只限定于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)還能進(jìn)行各種變更。例如，雖然金屬膜與接合用金屬膜，通過金屬接合而接合起來，但也可以通過焊錫、銅焊材料、熱壓接等來接合。另外，雖然金屬膜與接合用金屬膜，通過常溫接合來接合，
10但也可以用高溫狀態(tài)來接合。另外，雖然金屬膜與密封基板，通過將密封基板表面上所形成的接合用金屬膜與金屬膜進(jìn)行接合來相互接合，但也可以不使用接合用金屬膜來接合。另外，雖然密封構(gòu)件形成在半導(dǎo)體基板的一面上，但也可以形成在密封基板的一面上。此時(shí)，接合用金屬膜形成在半導(dǎo)體基板的一面上。而且，第2實(shí)施方式中，雖然將粘結(jié)層形成為平面看去呈矩形的框形狀，但只要能保持密封構(gòu)件下的金屬膜與接合用金屬膜之間的接合狀態(tài)即可，并不限于矩形的框形狀。 另外，粘結(jié)層也可以設(shè)置在密封空間內(nèi)。而且，雖然由粘結(jié)層保持著金屬膜與接合用金屬膜之間的接合狀態(tài)，但只要能保持接合狀態(tài)，并不限于粘結(jié)層。另外，功能元件并不限于SAW元件，也可以是晶體振蕩器、MEMS(Micrc) Electro Mechanical Systems)、液晶層等的其它的功能元件。這里，如上所述，也可以根據(jù)功能元件適當(dāng)選擇密封空間內(nèi)的環(huán)境氣。同樣，第1基板并不限于半導(dǎo)體基板，也可以是其它的基板，第2基板并不限于玻璃基板，也可以是其它的基板。而且，也可以通過在樹脂芯的表面所形成的金屬膜，來實(shí)現(xiàn)第1及第2基板間的導(dǎo)通。再有，在上述實(shí)施方式，雖然是單獨(dú)制造電子部件，但也可以在半導(dǎo)體基板上粘合單片化的密封基板后，通過切割等分別進(jìn)行分割，來制造多個(gè)電子部件，也可以在半導(dǎo)體基板上粘合密封基板后，通過切割等分別進(jìn)行分割，來制造多個(gè)電子部件。
權(quán)利要求
1.一種電子部件，在第1基板以及第2基板之間形成由密封構(gòu)件包圍的密封空間，在該密封空間內(nèi)配置有功能元件的至少一部分，其特征在于，上述密封構(gòu)件，具有在上述第2基板上形成的具有彈性的樹脂芯部；和，在該樹脂芯部的表面設(shè)置的金屬膜，該金屬膜與上述第1基板相接合，且該金屬膜的一部分與上述第1基板分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，在上述第1基板中與上述密封構(gòu)件的接觸區(qū)域中，形成有與上述金屬膜金屬接合的接合用金屬膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其特征在于， 上述金屬膜與上述接合用金屬膜，被常溫接合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于， 上述密封構(gòu)件，被熱壓接在上述第1基板上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于， 具備保持上述金屬膜與上述第1基板的接合狀態(tài)的保持構(gòu)件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子部件，其特征在于， 上述保持構(gòu)件，包圍上述密封構(gòu)件的外圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于，上述功能元件，在由于應(yīng)力或者熱導(dǎo)致其特性變化的同時(shí)，被載置在上述第1基板以及第2基板的任何一方的上面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子部件，其特征在于，上述功能元件，被直接形成在上述第1基板以及第2基板的任何一方的上面。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子部件，其特征在于，上述功能元件，被接合載置在上述第1基板以及第2基板的任何一方的上面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能使密封空間的氣密性提高的電子部件。其中，密封構(gòu)件(5)具有在半導(dǎo)體基板(2)上形成的具有彈性的樹脂芯(51)、和在樹脂芯(51)的表面上設(shè)置的金屬膜(52)，金屬膜(52)與密封基板(3)相接合。
文檔編號(hào)B81B7/00GK102285625SQ20111016099
公開日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2008年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月5日
發(fā)明者橋元伸晃 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社