專利名稱：半導(dǎo)體器件和相應(yīng)的制造方法
半導(dǎo)體器件和相應(yīng)的制造方法
現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件和一種相應(yīng)的制造方法。盡管本發(fā)明可以應(yīng)用于任何半導(dǎo)體器件，但是本發(fā)明以及其基于的問題將針對一種微機械的壓力傳感器進(jìn)行說明。DE102006026881A1公開了一種在開式模腔實型鑄造技術(shù)(Open-Cav i ty-Fu 11 -Mo Id)中用于絕對壓力傳感器的裝配設(shè)計構(gòu)思。在這種裝配設(shè)計構(gòu)思中，芯片被固定在引線框上，被引線鍵合并且如此地用一種模制材料環(huán)繞注塑，使得傳感器芯片部分地從模制材料中突出來。傳感器膜片位于沒有被環(huán)繞注塑的部分中。微機械的傳感器裝置通常被封裝在塑料制成的模制殼體中。在此情況下，一方面 使用所謂的引線殼，其具有用于接通下一個層面的彎曲的接觸支腳并且完全地包圍一個或一些芯片。另一方面，具有所謂的覆蓋式模塑的無引線殼體，其特點在于無接觸支腳。在此情況下，與下一個層面的接通是經(jīng)封裝的底面上的接觸面實現(xiàn)的。這種模制的封裝變型的基礎(chǔ)系統(tǒng)在此情況下一般地由襯底(Cu，F(xiàn)R4)，粘合劑，這些或這個硅芯片和模制材料組成。另一種封裝變型是成本高的預(yù)模制殼體。在此涉及的是預(yù)制的壓鑄的基礎(chǔ)殼體，其在安置和接通半導(dǎo)體芯片之后用蓋子封閉。預(yù)模制殼體在此情況下是低應(yīng)力的封裝形狀，因為在復(fù)合對象硅和模制材料組件之間不存在直接的接觸。此外，在封裝之內(nèi)存在的、與封裝中的一個開口連通的穴對于介質(zhì)通道來說是令人感興趣的并且是符合目的的，如它們例如對于壓力傳感器，IR-傳感器和微音器是所需要的。在成本問題方面，具有一些目標(biāo)，即在實型模制封裝(完全環(huán)繞模制)中也實現(xiàn)介質(zhì)通道和空腔。在一個第一設(shè)計構(gòu)思中應(yīng)用所謂的薄膜模制法(FiImmoldverfahren)。在此情況下,介質(zhì)通道通過模具的形狀實現(xiàn)。一個突出的模具結(jié)構(gòu)直接地放置在半導(dǎo)體芯片上并且防止在這個區(qū)域中的覆蓋式模塑，例如在壓力傳感器膜片的區(qū)域中。為了公差補償，該模具用ETFE薄膜(ETFE=四氟乙烯(Ethylen-Tetrafluorethylen))覆蓋。該薄膜可以強烈變形并且不走樣地覆蓋在模具表面上。在該方法中，在傳感器布置和模具結(jié)構(gòu)之間具有直接的關(guān)聯(lián)關(guān)系。模具必須遮蓋活性的膜片結(jié)構(gòu)，但是不遮蓋焊盤面(Padfljichen)或焊線(接合線)(Drahtbonds)。因此必須遵守一定的設(shè)計規(guī)則。此外，依據(jù)設(shè)計布置的情況，也可能必需將模具整個地放置在活性的結(jié)構(gòu)如例如膜片上并且導(dǎo)致機械負(fù)荷。在這種方法中不可能在腔穴中實現(xiàn)咬邊(底切)。另一個設(shè)計構(gòu)思是基于在結(jié)合通過倒裝芯片和底部填充技術(shù)的接通下使用層壓薄片為基的襯底。在此情況下經(jīng)焊料球或凸點和底部填充劑形成傳感器與襯底的機械的和電氣的接觸。壓力傳感器膜片保持不被遮蓋并且經(jīng)襯底中的通孔獲得介質(zhì)通道。但是尤其是底部填充劑的點是關(guān)鍵性的。為了不使膜片被底部填充劑遮蓋，利用了在襯底通孔的邊緣處的中斷的毛細(xì)管效應(yīng)。因此通孔的大小和邊緣形狀間接地與底部填充劑的流動路徑(和反向地)和由此與傳感器膜片的功能相關(guān)聯(lián)。此外，底部填充劑在形成的半月面中朝著膜片方向上延伸并且由此使用了未用過的傳感器面。圖9a，b是形式為微機械的壓力傳感器裝置的、舉例說明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖，其中，圖9b示出了圖9的區(qū)域A的局部放大圖。
在圖9a，b中，附圖
標(biāo)記SUB表示印刷電路板襯底，借助于焊料球LK在該襯底上安置評估芯片(處理芯片)3和微機械的壓力傳感器芯片5。在微機械的壓力傳感器芯片5下面設(shè)置底部填充劑U，其用于機械穩(wěn)定作用。兩個芯片3，5被封裝在由模制材料或模壓材料組制成的模制封裝(模制管殼)8中。壓力傳感器芯片5的膜片區(qū)M保持無底部填充劑U，因為在襯底中的通孔L設(shè)置在相應(yīng)的位置上。如由圖9b中可以看見的，底部填充劑U在通孔L處的邊緣和微機械的壓力傳感器芯片5之間形成半月面MIN，這導(dǎo)致提高的位置空間的需求。本發(fā)明的優(yōu)點
相對于已知的解決方案，按照權(quán)利要求的的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件和按照權(quán)利要求8的相應(yīng)的制造方法具有優(yōu)點，即實現(xiàn)一種簡單的、成本有利的并且與應(yīng)力分離的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明基于的構(gòu)思在于在圓晶層面上設(shè)置粘合材料和以后在元器件層面上或在組件層面上相對于襯底，模制封裝和半導(dǎo)體芯片選擇地去除粘合材料，由此將半導(dǎo)體芯片 這樣地在模制封裝中懸置在襯底的上方，使得一個在其中不設(shè)置任何液態(tài)的或固態(tài)的介質(zhì)的空腔將半導(dǎo)體芯片與襯底機械地分離。因此在半導(dǎo)體芯片和襯底之間可以不再出現(xiàn)直接的應(yīng)力。半導(dǎo)體芯片僅僅還與在模制封裝中的復(fù)合對象模制材料穩(wěn)定地連接。從屬權(quán)利要求中給出本發(fā)明的相應(yīng)的主題的一些有利的擴展方案和改進(jìn)方案。本發(fā)明實現(xiàn)了模制封裝中的復(fù)合系統(tǒng)的分離并且在微機械的傳感器芯片的情況下同時形成一個腔穴作為可能的介質(zhì)通道，微機械的傳感器芯片需要這種介質(zhì)通道。在一個特別優(yōu)選的實施方式中，粘合材料被離心涂敷到具有半導(dǎo)體芯片的圓晶的底面上，該底面以后將面對著襯底。在將圓晶分離成各單個的半導(dǎo)體芯片之后，可以全自動地實施襯底的裝配，而不必對此配量附加的粘結(jié)劑。 按照本發(fā)明的封裝不需要任何標(biāo)準(zhǔn)芯片接合技術(shù)，如粘接或倒裝芯片技術(shù)。這導(dǎo)致材料和成本的節(jié)省。借助于優(yōu)選的聚合物作為粘合材料將半導(dǎo)體芯片接合在襯底上的加工持續(xù)時間僅僅為0. 5至3秒，該時間是用于熔化粘合材料所需要的。對應(yīng)力敏感的半導(dǎo)體芯片僅僅還有一個復(fù)合對象，即模制材料，而不是如在現(xiàn)有技術(shù)中那樣有三個復(fù)合對象。該剩下的復(fù)合對象，即模制材料，此外最佳地匹配于該半導(dǎo)體，例如硅。不需要粘合材料的結(jié)構(gòu)化處理。通過去除粘合材料形成的空腔不僅可以用作為介質(zhì)通道，而且可以用作為補償復(fù)合體變形的自由空間，從而這種變形不影響半導(dǎo)體芯片?？涨辉诎雽?dǎo)體芯片和襯底之間的高度可以在不需要大的費用下通過施加的粘合材料層的厚度和自動裝配裝置的裝配參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。尤其是對于形式為壓力傳感器裝置的半導(dǎo)體器件，由此得到以下其它的優(yōu)點。不需要特殊的模制工具。因此不需要任何設(shè)計布置的分離(模具-壓力傳感器膜片)并且沒有窄的公差鏈，例如在傳感器芯片的定位上。膜片不必直接地位于介質(zhì)通道的上方，這決定了使膜片相對于顆粒，光等等得到更好的保護。此外膜片不承受由于模具接觸造成的機械負(fù)荷。不需要特殊的模制方法，如例如薄膜模制，并且沒有由于底部填充劑造成的任何影響，如例如膜片邊緣覆蓋。介質(zhì)通道的尺寸可以通過襯底的通孔的設(shè)計布置自由地選擇。作為可選擇地去除或分解的粘合材料最好使用聚合物。作為可能的聚合物，尤其是考慮可受熱分解的聚合物，如例如多環(huán)烯烴。它們的特點在于比較低的分解溫度彡100°C。它們一般無殘留物地分解成氣態(tài)反應(yīng)物，如例如C02，CO和h2。此外它們可以如標(biāo)準(zhǔn)漆一樣被離心涂敷并且可結(jié)構(gòu)化。附圖
本發(fā)明的實施例在附圖中示出并且在以下的描述中進(jìn)行詳細(xì)說明。附圖所示
圖I是按照本發(fā)明的第一實施方式的、形式為微機械的壓力傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視 圖2是按照本發(fā)明的第二實施方式的、形式為轉(zhuǎn)速傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視 圖3是按照本發(fā)明的第三實施方式的、形式為微機械的轉(zhuǎn)速傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖；
圖4是按照本發(fā)明的第四實施方式的、形式為微機械的轉(zhuǎn)速傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視 圖5是按照本發(fā)明的第五實施方式的、形式為微機械的轉(zhuǎn)速傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視 圖6是按照本發(fā)明的第六實施方式的、形式為微機械的壓力傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視 圖7a-d是按照本發(fā)明的第七實施方式在一種用于按照圖I的半導(dǎo)體器件的制造方法中前后相繼的處理階段的橫截面視 圖8a-d是按照本發(fā)明的第八實施方式在一種用于按照圖6的半導(dǎo)體器件的制造方法中前后相繼的處理階段的橫截面視圖；和
圖9是形式為微機械的壓力傳感器裝置的、舉例說明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖，其中，圖9b示出了圖9的區(qū)域A的局部放大圖。實施例的描述
在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的或功能相同的部件。圖I是按照本發(fā)明的第一實施方式的、形式為微機械的壓力傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。在圖I中，附圖標(biāo)記I表示一個印刷電路板襯底，在其上安置有評估芯片3，它經(jīng)接合線3a與襯底I連接和經(jīng)接合線3b與微機械的壓力傳感器芯片5連接。微機械的芯片5在由塑料模壓材料構(gòu)成的模制封裝8中在其頂面0處和在其側(cè)邊S的部分區(qū)域中在與硅直接的復(fù)合接觸下被這樣地懸置，使得空腔10機械地將微機械的壓力傳感器芯片5與襯底分離開。換言之，微機械的壓力傳感器芯片5在它的底面U處和在它的側(cè)面S的部分區(qū)域處不接觸襯底I。僅僅在它的頂面0的區(qū)域中和在它的側(cè)邊S的上部區(qū)域中，微機械的壓力傳感器芯片被懸置在模制封裝8中。附圖標(biāo)記Ia表示通過襯底I的通孔，它用作微機械的壓力傳感器芯片5的介質(zhì)通道。值得注意的是，微機械的壓力傳感器芯片5的膜片區(qū)M不是直接地位于通孔Ia上方，而是從側(cè)邊與其錯開地設(shè)置，從而保護它免受外部的影響，如例如顆粒，光，搬運等等。圖2是按照本發(fā)明的第二實施方式的、形式為轉(zhuǎn)速傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。在圖2所示的實施方式中，取代微機械的壓力傳感器芯片5，設(shè)置另一個微機械的傳感器芯片5’，例如旋轉(zhuǎn)速度傳感器。在它的頂面0’以及它的側(cè)面S’的一些部分的上方在模制封裝8中的懸置，同時在它的底面U’和它的側(cè)邊S’的一些下部部分處形成空腔5，這是與按照圖I第一實施方式相類似的。附圖標(biāo)記ST表示一些區(qū)域，在這些區(qū)域中可以產(chǎn)生熱感應(yīng)應(yīng)力。該應(yīng)力尤其是在評估芯片3下方出現(xiàn)，該評估芯片直接地或經(jīng)粘接技術(shù)或倒裝芯片技術(shù)與襯底I連接。相反，微機械的傳感器芯片5’保持與其不接觸，因為它僅僅在區(qū)域EK中被懸掛在模制封裝8上，該模制封裝以熱機械方式很好地與硅相適配。
圖3是按照本發(fā)明的第三實施方式的、形式為微機械的轉(zhuǎn)速傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。按照圖3的第三實施方式與按照圖2的第二實施方式的區(qū)別在于，評估芯片3也被懸置于模制封裝8的模制材料中并且一個另外的空腔設(shè)置在評估芯片3下面，該空腔將評估芯片3機械地與襯底I分離。因此圖2的大的應(yīng)力承載的區(qū)域ST減小成圖3中兩個小的應(yīng)力承載的部分區(qū)域ST，但是它們不與評估芯片3相鄰接，而僅僅與塑料制成的模制封裝8相鄰接，因此印刷電路板和模制封裝之間的復(fù)合面積減小。在按照圖3的第三實施方式中，在襯底I中在評估芯片3下方附加地設(shè)置一個另外的通孔lc。在上述第一至第三實施方式中的通孔Ia或Ia和Ic除了其自身作為介質(zhì)通道外也與有關(guān)的微機械器件的制造方法相關(guān)聯(lián)，如后面結(jié)合圖6和7進(jìn)行說明的那樣。圖4是按照本發(fā)明的第四實施方式的、形式為微機械的轉(zhuǎn)速傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。與按照圖3的第三實施方式不同，在按照圖4的第四實施方式中，在襯底I’中不設(shè)置通孔la，lc。取而代之地，用襯底I’中的DB1，DB2擴散區(qū)表征，它們在后面結(jié)合按照本發(fā)明的用于半導(dǎo)體器件的制造方法的實施方式進(jìn)行說明。圖5是按照本發(fā)明的第五實施方式的、形式為微機械的轉(zhuǎn)速傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。在按照圖5的第五實施方式中只有一個惟一的微機械的傳感器芯片，例如旋轉(zhuǎn)速度傳感器，在模制封裝8中被懸置在沒有通孔的襯底I’的上方。與按照圖4的第四實施方式類似地，在圖5中，附圖標(biāo)記DB也表示擴散區(qū)，它在后面進(jìn)行說明。圖6是按照本發(fā)明的第六實施方式的、形式為微機械的壓力傳感器裝置的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。與按照圖I的第一實施方式不同，在按照圖6的第六實施方式中，在襯底I’中不設(shè)置通孔la，而是有一個側(cè)邊的通道lb，通過它可以從外部通入空腔10中。這個側(cè)邊的通道Ib將結(jié)合按照圖7a-d的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖7a_d是按照本發(fā)明的第七實施方式在一種用于按照圖I的半導(dǎo)體器件的制造方法中前后相繼的處理階段的橫截面視圖。在按照圖7a的開始的處理階段中，評估芯片3被安置到襯底I上，并且例如采用粘接技術(shù)來安置。這是在襯底I上的多個器件的器件復(fù)合中進(jìn)行的。微機械的壓力傳感器芯片5在圓晶處理的最后的處理步驟中在進(jìn)行鋸割之前通過離心涂覆在它的底面U上獲得一個由多環(huán)烯烴構(gòu)成的聚合物層50，該底面以后被面向襯底I。粘合材料50的層厚在與粘合參數(shù)相結(jié)合下以后將決定在完成處理的微機械的器件中產(chǎn)生的空腔10的高度。在分離出具有微機械的壓力傳感器芯片5的圓晶之后，微機械的壓力傳感器芯片被施加在襯底I中的通孔Ia上方的規(guī)定的安裝區(qū)域中。如圖7b中所示，在施加期間，借助于被加熱的裝配裝置在限定的參數(shù)如例如溫度，力，保持時間等等下在襯底I上實施粘接，其中，粘合材料50被熔化。對此，典型的保持時間位于0. 5-3秒的范圍中。不需要使用任何附加的粘合劑，其涉及分配和通常一小時的費時的開裝步驟。在隨后將在襯底和評估芯片之間或在評估芯片和壓力傳感器芯片5之間的接合引線3a，3b進(jìn)行引線接合(鍵合)之后，該系統(tǒng)被模制。這個模制處理步驟在170°C的溫度下只持續(xù)大約一至兩分鐘，其中，粘合材料50在此時位置或形狀穩(wěn)定地作為接合層(粘合層)保留在壓力傳感器芯片5和襯底I之間。通過利用粘合材料50的粘接，依賴于粘合材料50的層厚和粘接參數(shù)，微機械的壓力傳感器芯片5的側(cè)邊S處產(chǎn)生輕微的半月面(Menisken)。
在一個隨后的步驟中，通過鋸割步驟實施器件的分離。在接下來的PMC(Post-Mold-Cure (后固化))溫度步驟(Temperaturschritt)中，該步驟按照標(biāo)準(zhǔn)被實施用于模制封裝8的最終交聯(lián)，粘合材料50被無殘留物地分解成氣態(tài)產(chǎn)物并且因此可以被選擇地去除。形成的氣態(tài)產(chǎn)物經(jīng)襯底中的通孔Ia逸出。在鋸割步驟之后去除粘合材料50具有優(yōu)點，即在整個裝配過程期間可以通過粘合材料對底面U上的敏感的芯片元件，如例如膜片M,實施保護功能。如果這是不需要的，那么也可以在鋸割步驟之前實施粘合材料50的去除。形成的空腔10形成用于壓力傳感器芯片5的介質(zhì)通道并且另一方面負(fù)責(zé)使對應(yīng)力敏感的壓力傳感器芯片5與襯底I分離。壓力傳感器芯片5的惟一留下的復(fù)合對象是以熱的方式最佳地匹配于硅的模制封裝8的模制材料。通過與襯底I的分離顯著地減小熱的不匹配和翹曲。此外，通過該分離造成模制封裝-襯底的復(fù)合體的可能的變形不會或僅僅有限地傳遞到壓力傳感器芯片5上。此外，在壓力傳感器芯片5上的足夠小的模制敷層情況下，硅變得占優(yōu)勢并且由此不承受應(yīng)力。盡管在結(jié)合圖7a_d描述的實施方式中選擇地去除粘合材料50與PMC溫度步驟同時地實施，但自然這并不一定是必需的，而是也可以在一個分開的溫度步驟中實施。此外，在回顧圖4和5下應(yīng)該指出，在襯底I’也可以存在擴散區(qū)來取代襯底中的通孔Ia或Ia和lc，粘合材料50的氣態(tài)的分解產(chǎn)物可以通過這些擴散區(qū)逸出。這些擴散區(qū)DB1，D2或DB或者可以是被特定地結(jié)構(gòu)化的區(qū)域，或者在可以強力擴散滲透的襯底I’的情況下可以是完全正常的襯底區(qū)域，該襯底區(qū)域與其環(huán)境沒有區(qū)別。此外應(yīng)該提及的是，本發(fā)明不局限于粘合材料的熱分解，而是也包括化學(xué)的和/或物理的分解，如例如通過溶劑或腐蝕劑或等離子體進(jìn)行分解。圖8a_d是按照本發(fā)明的第八實施方式在一種用于按照圖6的半導(dǎo)體器件的制造方法中前后相繼的處理階段的橫截面視圖。在圖8a - d中所示的實施方式中，在圖8a和8b中示出的處理步驟對應(yīng)于按照圖7a和7b的相應(yīng)的處理步驟，這些處理步驟已經(jīng)在上面做了說明。在圖Sb中，附圖標(biāo)記SL表示一個鋸割線，沿著該鋸割線實施鋸割過程，以達(dá)到按照圖8c的處理狀態(tài)。在該鋸割過程中形成至粘合材料50的側(cè)邊通道lb。合適地，在鋸割過程之前，將壓力傳感器芯片5相對于鋸割線SL稍微錯開地定位，從而在鋸割期間壓力傳感器芯片的側(cè)邊S的最小的邊緣區(qū)域被去除。在接著按照圖Sc的處理狀態(tài)之后，然后在上述第七實施方式中實施選擇地去除粘合材料50，以產(chǎn)生空腔10，這或者通過熱處理或者化學(xué)的和/或物理的處理來實施。由此形成一種與應(yīng)力分離的傳感器組件，其具有側(cè)邊的通道Ib用于相應(yīng)的介質(zhì)(媒質(zhì))，例如大氣壓力。盡管本發(fā)明在前面借助于優(yōu)選的實施例進(jìn)行說明，但是本發(fā)明不局限于此，而是也可以以其它的方式實施。本發(fā)明當(dāng)然不局限于所述的微機械的傳感器芯片，而是原則上可以應(yīng)用于任意的半導(dǎo)體芯片。所述的多環(huán)烯烴只是可選擇去除的粘合材料的許多實例之一，并且可以設(shè)想大量 的修改，如例如可UV分解的粘合材料，可以有機溶解的蠟，可無機溶解的物質(zhì)，等等。
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體器件，具有 襯底(I ; I’); 模制封裝(8);和 半導(dǎo)體芯片(5 ;5’)，所述半導(dǎo)體芯片在所述模制封裝(8)中所述襯底(I ;1’)上方這樣地懸置在模制材料處，使得一個空腔(10)將所述半導(dǎo)體芯片(5 ;5’)與襯底(I ;1’)機械地分離，其中，所述空腔(10)沿著一個與所述襯底(I ;1’)面對的底面(U;U’ )延伸。
2.按照權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述空腔(10)至少部分地沿著所述半導(dǎo)體芯片(5 ;5’)的一個與所述底面(U)連接的側(cè)邊(S ;S’)延伸。
3.按照權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體芯片(5;5’)是壓力傳感器芯片，所述壓力傳感器芯片具有設(shè)置在所述空腔(10)中的膜片區(qū)(M)。
4.按照前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底(I;1’)具有通孔(Ia)或擴散區(qū)(DB ;DB1，DB2)，通過所述通孔或所述擴散區(qū)可以從外部接近所述空腔(10)。
5.按照前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述襯底(I;1’)上方設(shè)有一個側(cè)邊的通道(Ib)，通過所述通道可以從外部接近所述空腔(10)。
6.按照前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述模制封裝(8)中設(shè)有至少一個另外的半導(dǎo)體芯片(3)，所述另外的半導(dǎo)體芯片與所述半導(dǎo)體芯片(5;5’)電連接。
7.按照權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述另外的半導(dǎo)體芯片(3)在所述模制封裝(8)中在所述襯底(I ;1’)上方被如此地懸置在所述模制材料處，使得一個另外的空腔(10’)將所述另外的半導(dǎo)體芯片(3)與所述襯底(I ;1’)機械地分離。
8.用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟 將粘合材料(50)在晶圓級上安置到多個半導(dǎo)體芯片(5 ;5’)上； 借助于所述粘合材料(50)將半導(dǎo)體芯片(5 ;5’)安置到襯底(I ;1’)上； 將安置在所述襯底(I ;1’)上的所述半導(dǎo)體芯片(5 ;5’)封裝在一個模制封裝(8)中； 選擇地去除所述粘合材料(50)，由此將所述半導(dǎo)體芯片(5 ;5’)在所述模制封裝(8)中在所述襯底(I ;1’)上方這樣地懸置在模制材料處，使得一個空腔(10)將所述半導(dǎo)體芯片(5 ;5’)與所述襯底(I ;1’)機械地分離。
9.按照權(quán)利要求8所述的方法，其中，借助于所述粘合材料(50)的熔化將所述半導(dǎo)體芯片(5 ;5’)施加到所述襯底(I ;1’)上。
10.按照權(quán)利要求8或9所述的方法，其中，所述粘合材料(50)以熱的方式被選擇地去除。
11.按照權(quán)利要求8或9所述的方法，其中，所述粘合材料(50)以化學(xué)的方式和/或以物理的方式被選擇地去除。
12.按照前述權(quán)利要求8至11中任一項所述的方法，其中，所述襯底(I;1’)在所述粘合材料(50)的區(qū)域中具有通孔(Ia)，由此所述粘合材料(50)被選擇地去除。
13.按照前述權(quán)利要求8至11中任一項所述的方法，其中，所述襯底(I;1’)在所述粘合材料(50)的區(qū)域中具有擴散區(qū)(DB ;DB1，DB2)，由此粘合材料(50)被選擇地去除。
14.按照前述權(quán)利要求8至11中任一項所述的方法，其中，在封裝之后實施鋸割步驟，通過所述鋸割步驟使所述粘合材料(50)通過側(cè)邊的通道(Ib)暴露出來，在此之后通過所述側(cè)邊的通道(Ib)實施對所述粘合材料(50)的選擇的去除。
15.按照前述權(quán)利要求8至14中任一項所述的方法，其中，所述粘合材料(50)具有一種多環(huán)烯烴。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件和一種相應(yīng)的制造方法。半導(dǎo)體器件包括襯底(1;1')；模制封裝；和半導(dǎo)體芯片(5;5')，該半導(dǎo)體芯片在模制封裝(8)中在襯底(1;1')上方被如此地懸置在模制材料處，使得空腔(10)將半導(dǎo)體芯片(5;5')與襯底(1;1')機械地分離，其中，空腔(10)沿著與襯底(1;1')面對的底面(U;U')延伸。
文檔編號B81B7/00GK102741154SQ201080063369
公開日2012年10月17日 申請日期2010年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月9日
發(fā)明者R.埃倫普福特 申請人:羅伯特·博世有限公司