專利名稱：一種有機分子線和制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一類有機分子線和制備方法，特別是涉及一種在高溫熱解石墨(H0PG) 表面制備有序四硫富瓦烯或衍生物(TTFs)分子線的方法。
背景技術(shù)：
有機半導體因在集成電路特別是有機場效應(yīng)晶體管、柔性顯示器以及有機發(fā)光二 極管等方面具有潛在的應(yīng)用而吸引了廣泛的關(guān)注(Antonio Facchetti， Materialstoday， 2007， 10， 29-37)。與無機半導體相比，有機半導體可以用簡單低成本的方法制備，并且具有 很高的純度。四硫富瓦烯(tetrathiafulvalene，TTF)及其衍生物(TTFs)是一類重要的具 有n共軛結(jié)構(gòu)的有機分子，它在分子電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物中作為電子給體(JoseAL.Segura and Nazario Martin,Angew. Chem. Int. Ed. 2001,40， 1372-1409)。目前，TTFs已被用于構(gòu)造 有機場效應(yīng)晶體管(Juan Casado et al， J. Phys. Chem. C 2007， 111， 10110-10118)。例如， 采用簡單滴涂方法可以得到一種四硫富瓦烯衍生物(dithiophene-tetrathiafulvalene) 的單晶帶。在這種TTFs單晶帶結(jié)構(gòu)中，TTFs分子組裝成三維魚骨結(jié)構(gòu)，在其中的b軸方向， 分子依靠和S-S相互作用，形成有序的密排結(jié)構(gòu)。由這種TTFs單晶帶構(gòu)造的有機場 效應(yīng)晶體管的空穴遷移率可高達1. 4cm7Vs。與其它有機材料相比，TTFs材料的特點在于 合成方法簡單，并可獲得多種優(yōu)化結(jié)構(gòu)。這類材料一般可溶于極性有機溶劑，加工處理較為 方便。由于分子之間的相互作用，TTFs可以在固體表面上形成特殊的分子構(gòu)像和固 態(tài)結(jié)構(gòu)，由于TTFs分子的電子最高占有軌道(HOMO)比較接近接觸金屬的費米能級，因此具 有很強的失電子能力，即良好的導電性能。電流感應(yīng)AFM實驗結(jié)果表明在TTFs單分子層中 TTFs分子的電阻相對其他有機分子電阻小很多，量子化學計算也預測了 TTFs分子線會具 有更窄的帶隙，電荷可通過富n體系的TTF核進行傳輸。因此，無論從理論還是實驗角度 都表明用TTF及其衍生物構(gòu)造出的分子導線將會具有很好的電學性能。這對未來納米甚 至分子電子器件的制造具有重要意義。 目前文獻報道的TTFs分子線的制備方法主要有兩種，一種是采用替代修飾 的方法引入氫鍵的官能團使分子之間具有較強的相互作用，使TTFs分子在HOPG表面 上組裝成有序線狀結(jié)構(gòu)(Shengbin Lei et al， Chem. Commun. ， 2008， 703-705 ;Jos印 Puigmarti-Luis et al， J. AM. CHEM. S0C. 2006， 128， 12602-12603);另一種方法是在TTF 分子上修飾長鏈烷烴，通過烷烴鏈與H0PG以及烷烴鏈自身的相互作用使分子被牢牢固定 在表面形成分子線結(jié)構(gòu)(Mohamed M. S. Abdel-Mottaleb et al， J. Mater. Chem. ， 2005， 15， 4601-4615)。 目前尚沒有文獻報道關(guān)于既無氫鍵作用也沒有長鏈烷烴固定的TTFs能在固體表 面形成分子線結(jié)構(gòu)。因此有必要發(fā)明一種新的工藝簡單、成本低廉的并能夠大面積批量生 產(chǎn)方法來構(gòu)造各種TTFs分子線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于制造納米甚至分子電子器件的有機分子線，該有機 分子線既無氫鍵作用也沒有長鏈烷烴固定的四硫富瓦烯及其衍生物(TTFs)，并具有共 軛結(jié)構(gòu)，有很好的電學性能。 本發(fā)明的另一 目的是提供一種制備有機分子線的方法。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的 本發(fā)明提供的有機分子線由四硫富瓦烯及其衍生物，在襯底表面沿系統(tǒng)能量最低 的方向(例如在H0PG上沿〈010〉方向)Ji-Ji堆積而成，分子線中分子間距為O. 5nm-0. 8nm， 分子線的長度為40nm-400nm，寬度為0. 8nm_l. 2nm， TTFs分子受溶劑(正十四烷或正十二 烷)調(diào)制，在襯底表面通常形成單層雙分子線結(jié)構(gòu)，即一對對出現(xiàn)，或有單線結(jié)構(gòu)。分子線 與分子軸呈60?；?20°夾角。 在上述的技術(shù)方案中，所述的襯底為高溫熱解石墨(HOPG)或硅片。
在上述的技術(shù)方案中，構(gòu)成分子線的TTFs分子包括TTF(四硫富瓦烯)和 DP-TTF(4，4， -Diphenyltetrathiafulvalene 4，4， 二苯基四硫富瓦烯)，DN-TTF(Bis (4， 5-dihydronaphtho[l，2-d])tetrathiafulvalene，雙4， 5 二氫萘酚四硫富瓦烯)， DD-TTF(4，4' _Dimethyl_5， 5' -diphenyltetrathiafulvalene, 4， 4' _二甲基_5，5' _ 二苯 基四硫富瓦烯)等各種TTF衍生物分子。TTFs分子線由TTFs分子在固體表面沿系統(tǒng)能量 最低的方向堆積而成，通過分子之間(包括TTFs分子之間和TTFs分子與溶劑之間) 和分子與基底之間的協(xié)同相互作用得到的。 在上述的技術(shù)方案中，所述的四硫富瓦烯具有如下分子式
A, 、S一 在上述的技術(shù)方案中，所述的四硫富瓦烯的衍生物包括TTF和DP-TTF， DN-TTF， DD-TTF。
<formula>formula see original document page 4</formula> 本發(fā)明所提供的制備有機分子線的方法，在室溫或室溫以下進行，包括如下步 驟 1)室溫下配制含TTF的烷烴溶液將TTFs(純度> 98% )溶解于溶劑中(純度 > 99% )中，得到濃度為0. 05-0. 5mg/ml的溶液；并且用超聲儀(功率為100W)超聲10分 鐘以上，保證TTFs均勻地分散溶解于溶劑中； 2)清潔處理襯底選擇表面原子級平整的襯底，經(jīng)過常規(guī)半導體制造工藝的清洗工藝清洗干凈或表面解理方法備用； 3)生長有機分子線將步驟1)制備好含TTFs的溶液，滴到步驟2)準備好的干凈
平整的襯底表面，待溶液在襯底表面擴散穩(wěn)定后即可得到一維有序的TTFs分子線。 在上述的技術(shù)方案中，所述的襯底為高溫熱解石墨(H0PG)、硅片。 在上述的技術(shù)方案中，所述的溶劑為可溶解TTFs分子的烷烴類分子，例如正十四
烷，正十二烷等等。 在潔凈的襯底表面(如新解理的HOPG)滴一滴溶液(大約1 y L)后，由于擴散作 用溶液立刻在襯底表面形成均勻厚度的液膜。由于溶劑分子與基底之間較強的分子相互作 用，尤其對于HOPG襯底，正十四烷(或正十二烷)的C-C間距與基底的C-C間距十分接近 (分別為O. 251nm和0. 246nm)，因此溶劑分子吸附在固體表面，由于受基底誘導形成有序帶 狀結(jié)構(gòu)。TTFs分子與基底的范德瓦爾斯相互作用使分子吸附在表面，橫向上受溶劑分子調(diào) 制，TTFs分子與溶劑分子形成穩(wěn)定的交替結(jié)構(gòu)，縱向上TTFs分子之間由于- 堆積形成 分子線，。用STM觀察到TTFs分子的單/雙分子線結(jié)構(gòu)，雙分子線出現(xiàn)的幾率更大。
本發(fā)明的優(yōu)點在于 本發(fā)明得到的TTFs分子線是通過溶劑分子的調(diào)制而得到的，不帶有烷烴鏈 或者氫鍵官能團，具有更好的電學性質(zhì)。TTFs分子線的長度可達40nm-400nm，寬度為 0. 8nm-1.2nm，具有很好的單分散性，能夠定向排列，可廣泛應(yīng)用于傳感器、有機場效應(yīng)晶體 管、分子導線、有機發(fā)光二極管、柔性顯示器和微型集成電路等方面。 本發(fā)明的制備方法具有工藝簡單、成本低廉、能夠大面積批量生產(chǎn)，能夠適用于制
備TTF及其所有衍生物的分子線，相對于目前文獻報道的方法更具有普適性。該方法可使
用的溶劑對人體和環(huán)境均無害，是一種更環(huán)保，更簡單，更安全的制備方法。 本發(fā)明利用溶液法實現(xiàn)TTFs分子在固體表面的自組裝生長，可以獲得長度幾十
到幾百納米的分子線，制備工藝簡單，方法適用于各種TTFs分子，所獲得的分子線可廣泛
應(yīng)用于傳感器、有機場效應(yīng)晶體管、分子導線、有機發(fā)光二極管、柔性顯示器和微型集成電
路等方面。


圖1A本發(fā)明的TTF(Tetrathiafulvalene)分子線的STM圖像(200nmX 200nm);
圖1B 本發(fā)明的TTF分子線的高分辨STM圖像(8nmX8nm);
圖1C STS得到的HOPG表面單個分子的I_V曲線； 圖2A本發(fā)明的DP-TTF(4，4' -Diphenyltetrathiafulvalene)分子線的STM圖像 (180nmX180nm); 圖2B 本發(fā)明的DP-TTF分子線的高分辨STM圖像(20nmX 20nm);
圖2C STS得到的HOPG表面單個分子的I_V曲線；
圖3A本發(fā)明的DN-TTF (Bis(4，5-dihydronaphtho[l，2-d])tetrathiafulvalene)分子線的STM圖像 (80nmX80nm); 圖3B本發(fā)明的DN-TTF分子線的高分辨STM圖像(10nmX 10nm);
圖3C STS得到的HOPG表面單個分子的I_V曲線；
圖4A本發(fā)明的DD-TTF(4，4' Dimethyl-5， 5， -diphenyltetrathiafulvalene)分 子線的STM圖像(200nmX200nm); 圖4B本發(fā)明的DD-TTF分子線的高分辨STM圖像(20nmX20nm);
圖4C STS得到的HOPG表面單個分子的I_V曲線
具體實施例方式
以下結(jié)合制備方法和附圖對本發(fā)明的TTFs分子導線進行詳細地說明
實施例1 1)在1. 5mL離心管中，加入TTF大約0. 5mg到lmL的正十四烷溶劑中(濃度大約 為0. 5mg/mL)，用超聲儀(功率為100W)超聲10分鐘以上，保證TTFs均勻地分散溶解于溶 劑中； 2)處理HOPG襯底選擇表面平整的石墨片，用膠帶粘掉表面一層，得到原子級平 整的HOPG表面； 3)轉(zhuǎn)移至滴管后滴一滴溶液(大約1 P L)至潔凈的HOPG表面，由于石墨與溶液 都是疏水的，溶液在石墨表面擴散形成厚度均勻的膜，TTFs分子吸附在HOPG表面形成分子 線。 為了用掃描隧道顯微鏡(STM)對本實施例制得的分子線進行測量，先將滴有上述 溶液的HOPG固定到樣品臺上，再操縱STM針尖(Pt/Ir，80 : 20)使其緩慢逼近樣品表面直 至浸入到膜中但未接觸到石墨表面，然后進行掃描測量，得到固液界面吸附的TTF-正十四 烷分子的STM圖像(參考圖1A、圖1B)。為了減少或避免針尖幾何形狀對STM圖像的影響， 更換不同針尖進行測量比較，選出更貼近真實圖像的數(shù)據(jù)，并利用掃描隧道譜(STS)測量 得到TTF單個分子的I-V曲線(參考圖1C)。由圖1A可知，TTF-正十四烷溶液在HOPG表 面發(fā)生相分離，形成旋轉(zhuǎn)疇結(jié)構(gòu)，不同取向的疇之間成60。或120°夾角，這可能是HOPG基 底誘導形成的。旋轉(zhuǎn)疇的取向就是分子線的取向，長度可達40nm-400nm。
參考圖1B，圖中較亮的部分是TTF分子，因為Ji共軛體系在STM測量中產(chǎn)生較 高的隧道電流，測量的長度為0. 8±0. 05nm(理論值大約為0. 81nm)，而圖像中亮度較暗的 部分是正十四烷溶劑，測量每個分子的長度1. 6±0. 05nm恰好與理論值(大約1. 64nm) — 致，試驗結(jié)果還表明TTF分子與正十四烷溶劑吸附在同一表面，形成交替結(jié)構(gòu)。從圖像中不 難發(fā)現(xiàn)，TTF分子之間緊密排列，形成雙分子線結(jié)構(gòu)，TTF分子軸與正十四烷溶劑分子軸成 120°夾角。 圖1C為STS測得的HOPG表面吸附的單個分子在不同偏壓下的分子隧道電流。通 過比較可以得出，TTF分子在I-V曲線中具有較強的整流特性，而正十四烷分子則表現(xiàn)得并 不明顯，在正負偏壓下曲線十分對稱，這也進一步證明了前面的結(jié)論。
實施例2 在1. 5mL離心管中，加入DP-TTF大約0. 5mg到lmL的正十四烷中(濃度大約為 0. 5mg/mL)，超聲分散大約十分鐘使分子完全溶解。轉(zhuǎn)移至滴管后滴一滴溶液(大約1 P L) 至潔凈的HOPG表面(新解理的HOPG)，由于石墨與溶液都是疏水的，溶液在石墨表面擴散 形成厚度均勻的膜。為了用掃描隧道顯微鏡(STM)進行測量，先將滴有上述溶液的HOPG固 定到樣品臺上，再操縱STM針尖(Pt/Ir，80 : 20)使其緩慢逼近樣品表面直至浸入到膜中但未接觸到石墨表面，然后進行掃描，得到固液界面吸附的DP-TTF-正十四烷分子的STM圖 像(參考圖2A、圖2B)。為了減少或避免針尖幾何形狀對STM圖像的影響，更換不同針尖進 行測量比較，選出更貼近真實圖像的數(shù)據(jù)，并利用掃描隧道譜(STS)測量得到DP-TTF單個 分子的I-V曲線(參考圖2C)。由圖2A可知，DP-TTF-正十四烷溶液在H0PG表面發(fā)生相分 離，形成旋轉(zhuǎn)疇結(jié)構(gòu)，不同取向的疇之間成60?；?20°夾角，這可能是HOPG基底誘導形成 的。旋轉(zhuǎn)疇的取向就是分子線的取向，長度可達40nm-400nm。 參考圖2B，圖中較亮的部分是DP-TTF分子，因為Ji共軛體系在STM測量中產(chǎn)生較 高的隧道電流，測量的長度為1.6±0. 05nm(理論值大約為1. 56nm)，而圖像中亮度較暗的 部分是正十四烷溶劑，測量每個分子的長度1. 62±0. 05nm恰好與理論值(大約1. 64nm) — 致，試驗結(jié)果還表明DP-TTF分子與正十四烷溶劑吸附在同一表面，形成交替結(jié)構(gòu)。從圖像 中不難發(fā)現(xiàn)，DP-TTF分子之間緊密排列，形成雙分子線結(jié)構(gòu)，DP-TTF分子軸與正十四烷溶 劑分子軸成120°夾角。 圖2C為STS測得的HOPG表面吸附的單個分子在不同偏壓下的分子隧道電流。通 過比較可以得出，DP-TTF分子在I-V曲線中具有較強的整流特性，而正十四烷分子則表現(xiàn) 得并不明顯，在正負偏壓下曲線十分對稱，這也進一步證明了前面的結(jié)論。
實施例3 在1. 5mL離心管中，加入DN-TTF大約0. 05mg到lmL的正十四烷中(濃度大約為 0. 05mg/mL)，超聲分散大約十分鐘使分子完全溶解。轉(zhuǎn)移至滴管后滴一滴溶液(大約1 P L) 至潔凈的HOPG表面(新解理的HOPG)，由于石墨與溶液都是疏水的，溶液在石墨表面擴散 形成厚度均勻的膜。為了用掃描隧道顯微鏡(STM)進行測量，先將滴有上述溶液的HOPG固 定到樣品臺上，再操縱STM針尖(Pt/Ir，80 : 20)使其緩慢逼近樣品表面直至浸入到膜中 但未接觸到石墨表面，然后進行掃描，得到固液界面吸附的DN-TTF-正十四烷分子的STM圖 像(參考圖3A、圖3B)。為了減少或避免針尖幾何形狀對STM圖像的影響，更換不同針尖進 行測量比較，選出更貼近真實圖像的數(shù)據(jù)，并利用掃描隧道譜(STS)測量得到DN-TTF單個 分子的I-V曲線(參考圖3C)。由圖3A可知，DN-TTF-正十四烷溶液在H0PG表面發(fā)生相分 離，形成旋轉(zhuǎn)疇結(jié)構(gòu)，不同取向的疇之間成60?；?20°夾角，這可能是HOPG基底誘導形成 的。旋轉(zhuǎn)疇的取向就是分子線的取向，長度可達40nm-400nm。 參考圖3B，圖中較亮的部分是DN-TTF分子，因為Ji共軛體系在STM測量中產(chǎn)生較 高的隧道電流，測量的長度為1.6±0. lnm(理論值大約為1.523nm)，而圖像中亮度較暗的 部分是正十四烷溶劑，測量每個分子的長度1. 6±0. 05nm恰好與理論值(大約1. 64nm) — 致，試驗結(jié)果還表明DN-TTF分子與正十四烷溶劑吸附在同一表面，形成交替結(jié)構(gòu)。從圖像 中不難發(fā)現(xiàn)，DN-TTF分子之間緊密排列，形成雙分子線結(jié)構(gòu)，DN-TTF分子軸與正十四烷溶 劑分子軸成120°夾角。 圖3C為STS測得的HOPG表面吸附的單個分子在不同偏壓下的分子隧道電流。通 過比較可以得出，DN-TTF分子在I-V曲線中具有較強的整流特性，而正十四烷分子則表現(xiàn) 得并不明顯，在正負偏壓下曲線十分對稱，這也進一步證明了前面的結(jié)論。
實施例4 在1. 5mL離心管中，加入DD-TTF大約0. lmg到lmL的正十四烷中(濃度大約為 0. lmg/mL)，超聲分散大約十分鐘使分子完全溶解。轉(zhuǎn)移至滴管后滴一滴溶液(大約1 P L)至潔凈的H0PG表面(新解理的HOPG)，由于石墨與溶液都是疏水的，溶液在石墨表面擴散 形成厚度均勻的膜。為了用掃描隧道顯微鏡(STM)進行測量，先將滴有上述溶液的HOPG固 定到樣品臺上，再操縱STM針尖(Pt/Ir，80 : 20)使其緩慢逼近樣品表面直至浸入到膜中 但未接觸到石墨表面，然后進行掃描，得到固液界面吸附的DD-TTF-正十四烷分子的STM圖 像(參考圖4A、圖4B)。為了減少或避免針尖幾何形狀對STM圖像的影響，更換不同針尖進 行測量比較，選出更貼近真實圖像的數(shù)據(jù)，并利用掃描隧道譜(STS)測量得到DD-TTF單個 分子的I-V曲線(參考圖4C)。由圖4A可知，DD-TTF-正十四烷溶液在H0PG表面發(fā)生相分 離，形成DD-TTF的分子線，長度超過200nm。 參考圖4B，圖中較亮的部分是DD-TTF分子，因為共軛體系在STM測量中產(chǎn)生較 高的隧道電流，測量的長度為1.6±0. 05nm(理論值大約為1. 56nm)，而圖像中亮度較暗的 部分是正十四烷溶劑，測量每個分子的長度1. 6±0. 05nm恰好與理論值(大約1. 64nm) — 致，試驗結(jié)果還表明DD-TTF分子與正十四烷溶劑吸附在同一表面，形成交替結(jié)構(gòu)。從圖像 中不難發(fā)現(xiàn)，DD-TTF分子之間緊密排列，形成雙分子線結(jié)構(gòu)，DD-TTF分子軸與正十四烷溶 劑分子軸成120°夾角。 圖4C為STS測得的HOPG表面吸附的單個分子在不同偏壓下的分子隧道電流。通
過比較可以得出，DD-TTF分子在I-V曲線中具有較強的整流特性，而正十四烷分子則表現(xiàn)
得并不明顯，在正負偏壓下曲線十分對稱，這也進一步證明了前面的結(jié)論。 當然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟
悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變型，但這些相應(yīng)的改變和變
形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
一種有機分子線，包括四硫富瓦烯及其衍生物，其特征在于，還包括一襯底，在所述的襯底表面，所述的四硫富瓦烯及其衍生物沿系統(tǒng)能量最低的方向π-π堆積而成，該有機分子線中分子間距為0.5nm-0.8nm，分子線的長度為40nm-400nm，寬度為0.8nm-1.2nm；該有機分子線在襯底表面具有單層雙分子線結(jié)構(gòu)或有單線結(jié)構(gòu)；分子線與分子軸呈60°或120°夾角。
2. 按權(quán)利要求1所述的有機分子線，其特征在于，所述的四硫富瓦烯及其衍生物包 括四硫富瓦烯、4，4' 二苯基四硫富瓦烯、雙4，5二氫萘酚四硫富瓦烯或4，4' -二甲基-5， 5' -二苯基四硫富瓦烯。
3 按權(quán)利要求1所述的有機分子線，其特征在于，所述的襯底為高溫熱解石墨或硅片。
4. 一種制備權(quán)利要求1所述的有機分子線的方法，在室溫或室溫以下進行，包括如下 步驟1) 配制含四硫富瓦烯及其衍生物的烷烴溶液將四硫富瓦烯及其衍生物溶解于烷烴 類溶劑中，得到濃度為0. 05-0. 5mg/ml的含四硫富瓦烯及其衍生物的烷烴溶液；并且用超 聲儀超聲IO分鐘以上，使四硫富瓦烯及其衍生物均勻地分散溶解于溶劑中；2) 清潔處理襯底選擇表面原子級平整的襯底，經(jīng)過常規(guī)半導體制造工藝的清洗工藝 清洗干凈或表面解理方法，得到清潔處理后的襯底備用；3) 生長有機分子線將步驟l)制備好含四硫富瓦烯及其衍生物的烷烴溶液，滴到步驟 2)準備好的干凈平整的襯底表面，待溶液在襯底表面擴散穩(wěn)定后，得到一維有序的四硫富 瓦烯及其衍生物分子線。
5. 按權(quán)利要求4所述的制備有機分子線的方法，其特征在于，所述的襯底為高溫熱解 石墨或硅片。
6. 按權(quán)利要求4所述的制備有機分子線的方法，其特征在于，所述的烷烴類溶劑為正 十四烷或正十二烷。
7. 按權(quán)利要求4所述的制備有機分子線的方法，其特征在于，所述的四硫富瓦烯及其 衍生物包括四硫富瓦烯、4，4' 二苯基四硫富瓦烯、雙4，5二氫萘酚四硫富瓦烯或4，4' -二 甲基-5，5' -二苯基四硫富瓦烯。
8. 按權(quán)利要求4所述的制備有機分子線的方法，其特征在于，所述的四硫富瓦烯及其 衍生物的純度^ 98% ;所述的烷烴類溶劑純度^ 99%。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機分子線，該分子線包括四硫富瓦烯及其衍生物，和襯底，在襯底表面，四硫富瓦烯及其衍生物沿系統(tǒng)能量最低的方向π-π堆積而成，該有機分子線中分子間距0.5nm-0.8nm，分子線的長度40nm-400nm，寬度為0.8nm-1.2nm；該有機分子線在襯底表面具有單層雙分子線結(jié)構(gòu)或有單線結(jié)構(gòu)；分子線與分子軸呈60°或120°夾角。制備分子線的方法按如下步驟將TTFs分散溶解于正十四烷中，得到TTFs的正十四烷溶液；將TTFs的正十四烷溶液滴到干凈平整的高溫熱解石墨(HOPG)表面，待溶液在表面擴散穩(wěn)定后即可得到一維有序的TTFs分子線。本發(fā)明利用溶液法實現(xiàn)TTFs分子在固體表面的自組裝生長，可以獲得長度幾十到幾百納米的分子線，制備工藝簡單，適用于各種TTFs分子。
文檔編號B82B1/00GK101775004SQ20091007694
公開日2010年7月14日 申請日期2009年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月14日
發(fā)明者江潮, 江鵬, 趙淼 申請人:國家納米科學中心