專利名稱：微結(jié)構(gòu)、微機(jī)械、以及微結(jié)構(gòu)和微機(jī)械的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
作為用于犧牲層蝕刻的各向同性蝕刻，濕法蝕刻在很多情況下被 采用。然而，使用液體的犧牲層蝕刻存在這樣的問(wèn)題，即，在犧牲層 蝕刻之后的干燥時(shí)，會(huì)發(fā)生由毛細(xì)現(xiàn)象引起的結(jié)構(gòu)層與襯底的相互附 著和微結(jié)構(gòu)的屈曲(也被稱為粘著)。
另外，還有一個(gè)問(wèn)題，即，在襯底表面上或者襯底之間產(chǎn)生了位 于結(jié)構(gòu)層下的犧牲層的被刻蝕了的一部分和沒(méi)有被蝕刻的一部分，由 此降低了成品率。此外，還有一個(gè)問(wèn)題，即，由犧牲層蝕刻引起了在 襯底上形成的微結(jié)構(gòu)的空間部分的大小、即襯底與結(jié)構(gòu)層等之間的距 離的偏差。利用到犧牲層蝕刻之前的步驟，襯底上的加工對(duì)象發(fā)生了輕微偏差，這種輕微偏差不受短時(shí)蝕刻的影響。要求長(zhǎng)時(shí)間的犧牲層 蝕刻使得偏差變得顯著，由此極大影響了空間部分的大小的偏差。本發(fā)明所述的微結(jié)構(gòu)包括第一間隔層、第一層、第二間隔層、和 表面上方的保護(hù)村底。保護(hù)襯底被設(shè)置與表面相對(duì)置。第一間隔層被 設(shè)置于表面和結(jié)構(gòu)層之間。第二間隔層被設(shè)置于結(jié)構(gòu)層和保護(hù)襯底之 間。結(jié)構(gòu)層被第一間隔層固定到表面上，并且包括被第二間隔層固定 到保護(hù)襯底上的部分以及以某個(gè)距離與保護(hù)襯底相對(duì)置的部分。第一 間隔層和第二間隔層固定第一層以使其不與表面、襯底、其他層等相 接觸。
根據(jù)本發(fā)明，不用犧牲層蝕刻就能夠形成微結(jié)構(gòu)。換句話說(shuō)，因 為在分離和附著的過(guò)程中進(jìn)行了類似于犧牲層蝕刻的步驟，該步驟可 以在相當(dāng)短的時(shí)間內(nèi)完成。另外，微結(jié)構(gòu)沒(méi)有像濕法蝕刻中那樣接觸 液體蝕刻劑，因此可以形成微結(jié)構(gòu)而不產(chǎn)生由毛細(xì)現(xiàn)象引起的結(jié)構(gòu)層 和襯底的附著。當(dāng)以這種方式應(yīng)用本發(fā)明時(shí)，可以減少制造所需時(shí)間， 并且可以減少由所謂犧牲層蝕刻工藝引起的各種缺陷的產(chǎn)生。


第一襯底101和第一層103可以具有降低了的粘附力的膜的界面 處被彼此分離開(kāi)。例如，已知的是，諸如貴金屬等難以被氧化的金屬 膜與氧化物膜(例如硅的氧化物膜)具有低粘附力。據(jù)此，在第一襯 底101上方堆疊金屬膜和硅的氧化物膜作為分離層102，并在上面形 成第一層103。然后，可以在金屬膜和硅的氧化物膜之間的界面處， 將第一層103從第一襯底101分離開(kāi)。0035作為在第一村底101上方形成的分離層102的材料，以及作為用 于將第一層103從第一襯底101分離開(kāi)的方法，可以給出以下(1) 到(4)作為示例。
(2) 在第一襯底101上方設(shè)置含氫的非晶硅膜作為分離層102。 然后，分離層102通過(guò)加熱或激光輻射而脆弱化、或者分離層102通 過(guò)蝕刻而被去除。據(jù)此，進(jìn)行第一襯底101與第一層103的分離。0038(3) 不設(shè)置分離層102,將第一層103設(shè)置在第一襯底101上 方。第一襯底101通過(guò)從背面拋光被減薄或去除，或者第一襯底IOI 通過(guò)蝕刻被去除，從而得到第一層103。例如，在使用石英襯底作為 第一襯底101的情況下，第一襯底101可以通過(guò)^f吏用HF溶液、HF 蒸氣、CHF3、 112與C4Fs的混合氣體等的蝕刻而被去除。此外，在使 用硅襯底作為第一襯底101的情況下，襯底可以通過(guò)使用卣化氟氣體 諸如NF" BrF3、或C1F3的蝕刻而被去除。
(實(shí)施方式2 )實(shí)施方式2將結(jié)合圖2A1到4C2，具體地說(shuō)明實(shí)施方式1所述 微結(jié)構(gòu)的制造方法。注意右側(cè)的附圖是襯底的俯視圖，而左側(cè)的附圖 為沿著俯視圖的虛線O-P截取的橫截面視圖。
如圖2B1和2B2所示，在第一層203的處理中，不但第一層203而且分離層202也可以被處理。然而，可以進(jìn)行該處理以只在第一 層203中形成開(kāi)口 204。
經(jīng)過(guò)上述過(guò)程，可以形成包含第一層的襯底205。
在本實(shí)施方式中，如圖3A1和3A2所示，說(shuō)明了第二層207具 有連續(xù)地形成了兩種膜的層疊結(jié)構(gòu)的示例。第二層207的結(jié)構(gòu)并不限 于該示例，而可以具有通過(guò)金屬膜等的成膜和處理而形成的電極、布 線等。
然后，如圖3B1和3B2所示，間隔層208 ^皮形成于第二層207 上方。間隔層208是用于將包含第一層的襯底205附著到形成有第二 層207的第二襯底206上，其間留有間隔。因此，在本說(shuō)明書(shū)中，間 隔層也被稱為附著層。間隔層208可以具有使用絕緣無(wú)機(jī)化合物、絕 緣有機(jī)化合物、等的單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。此外，也可以使用包含有機(jī)化合物諸如聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂作為主要成分的永久性的厚膜光刻膠(thick film permanent resist)。
當(dāng)使用本實(shí)施方式中所述的本發(fā)明微結(jié)構(gòu)的制造方法時(shí)，微結(jié)構(gòu) 可以被制造而無(wú)需犧牲層蝕刻。因此，可以避免如發(fā)明內(nèi)容中所述的 由犧牲層蝕刻所引起的問(wèn)題。即，可以得到與實(shí)施方式1所述的相同 的有益效果(a) ~ (e)。
(g) 因?yàn)橥ㄟ^(guò)本發(fā)明中的分離和附著來(lái)制造微結(jié)構(gòu)，所以可以 制造具有任意大小的微結(jié)構(gòu)而對(duì)大小無(wú)限制。例如，也可以制造幾毫米見(jiàn)方到幾十毫米見(jiàn)方的大型微結(jié)構(gòu)。0076(h) 在本發(fā)明中，因?yàn)橥ㄟ^(guò)附著兩個(gè)層，如上所述，第一層和 第二層，來(lái)制造微結(jié)構(gòu)，所以對(duì)所用材料和結(jié)構(gòu)的自由度提高了。特 別地，因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)層的形狀取決于由圖2B1和2B2所示的第一蝕刻對(duì)第 一層的處理，所以可以制造形狀自由度高的微結(jié)構(gòu)。另外，因?yàn)椴恍?要考慮犧牲層蝕刻，所以層疊上的變化更多，并且可以容易地同時(shí)制 造具有不同功能的微結(jié)構(gòu)。例如，可以同時(shí)形成傳感器和無(wú)源元件。
如圖5A所示，第一分離層302和第一層303被形成于第一襯底 (也被稱為第一支撐村底)301上方以形成包含第一層的襯底304。 如圖5B所示，在第一分離層302的界面處，第一層303與包含第一 層的襯底304分離開(kāi)。
實(shí)施方式l和2中所述方法可被應(yīng)用于第一襯底301上方所形成 的第一分離層302的材料和形成方法，以及將第一層303與包含第一 層的襯底304分離開(kāi)的方法。
然后，第一間隔層317被選擇性地形成于包含第二層的襯底313 上方，第二間隔層318被選擇性地形成于包含第三層的襯底316上方。 包含第一間隔層317并包含第二層的襯底313 ^L附著到包含第二間隔 層318并包含第三層的襯底316上，使得第二層312與第三層315隔 著第一層303而彼此對(duì)置。
對(duì)于第一層303、第二層312、和第三層315,選擇能夠形成如 圖6E中所示的因隔著空間部分319相對(duì)置而發(fā)揮功能的層的材料并 進(jìn)行處理。例如，當(dāng)?shù)谝粚?03、第二層312、和第三層315中的至 少兩層使用導(dǎo)電材料形成時(shí)，兩個(gè)相對(duì)置的導(dǎo)電層可用作電容。
包含第二層的襯底325隔著第一間隔層326 ^f皮附著到第一層303 的一個(gè)表面上，并且包含第三層的襯底333與第一層303的另一個(gè)表 面隔著第二間隔層327被附著起來(lái)，使得第三層332與第一層303相 對(duì)置。因此，空間部分334被設(shè)置于第二層322與第一層303之間以 及第三層332與第一層303之間。這樣，可以形成由第一保護(hù)襯底323 和第三襯底331密封且其中第一層303作為可移動(dòng)層(=結(jié)構(gòu)層)的 微結(jié)構(gòu)335。其它步驟、材料、和部件可與圖5A到7E中的那些相似。
對(duì)于第一層303、第二層322和第三層332，選擇因通過(guò)空間部 分334相對(duì)置而發(fā)揮功能的材料并進(jìn)行處理，如圖8B所示。例如， 當(dāng)?shù)谝粚?03、第二層322、和第三層332中的至少兩層使用導(dǎo)電材料形成時(shí)，所述兩個(gè)相對(duì)置的導(dǎo)電層可用作電容。
(f) 本發(fā)明的方法中，襯底與第一層之間的空間部分的距離由 間隔層的厚度決定，第一層中被固定到襯底的部分與可移動(dòng)部分之間 的距離可以由第一蝕刻來(lái)決定。因此，微結(jié)構(gòu)中所包含的空間部分的 大小可以任意設(shè)定，而不受源自犧牲層蝕刻的犧牲層厚度或面積的限制。
首先，將結(jié)合圖IOA到11說(shuō)明制造包含第一層的襯底的示例。
、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、釕、銠、錫、 鋨、銥、和硅中選擇的元素的材料；包含所述元素作為主要成分的合 金材料；或者諸如所述元素的氧化物或氮化物的化合物材料。這些材 料可通過(guò)已知方法諸如濺射法、等離子體CVD法等形成。分離層403 可以用單一材料以單層結(jié)構(gòu)形成、或者用多種材料以層疊結(jié)構(gòu)形成。
或鉬形成第一導(dǎo)電層405的情況下，可以使 用混合了 02的、以CCl4為代表的氯基氣體或以CF4、 SF6、 NF3為代 表的氟基氣體。
在本實(shí)施方式中，上述所形成的基層404、第一導(dǎo)電層405、和 第一絕緣層406的層疊結(jié)構(gòu)被稱為第一層407。第一層407用作形成 微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)層。
然后，如圖14B所示，第一層407被從襯底分離。在本實(shí)施方 式中，因?yàn)樾纬闪随u作為分離層403并在其上形成了氮氧化硅作為基 層404，所以在分離層403和基層404之間形成了氧化鎢層，而粘性 在氧化鵠層和基層404之間的界面處被降低。另外，因?yàn)榉蛛x層403 的這部分通過(guò)蝕刻分離層403來(lái)去除，所以釆用物理方法將第 一層407 轉(zhuǎn)移到第三層上來(lái)進(jìn)行分離。此時(shí)，可從襯底的背面進(jìn)行激光輻射以 降低分離層403的粘性。
然后，如圖14C所示，附著在第三襯底418上的第一層407被附著到包含第二層的襯底415的上表面上。在圖14C中，顯示了將包 含第二層的襯底415附著到隔著第一間隔層416附著在第一襯底401 上的第一層407的側(cè)面。
在結(jié)合圖14A到15D所描述的附著方法中，在第一層407從第 一襯底401上分離之后，將第一層407和包含第二層的襯底415附著 起來(lái)。在結(jié)合圖16A到16D所描述的附著方法中，在附著了包含第 一層的襯底409和包含第二層的襯底415之后，第一襯底401被從第 一層407分離開(kāi)。因而，上述兩種方法在步驟的順序上有所不同。通 過(guò)這個(gè)過(guò)程上的差異，第一層407所包含的兩個(gè)表面中面對(duì)第二層414 的表面，在兩種方法之間有變化。換句話說(shuō)，在前一過(guò)程的情況下， 第一層407的與第一襯底401相接觸的那個(gè)表面面對(duì)著第二層414; 而在后一過(guò)程中，是另一個(gè)表面面對(duì)著第二層414。因此，第一層407 的層疊順序在某些情況中是相反的，其取決于要采用哪種方法。
對(duì)于第三導(dǎo)電層501，與第一導(dǎo)電層405類似，使用導(dǎo)電金屬元 素諸如鋁(Al)、鵠(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)或鉭(Ta)或者 包含所迷金屬元素作為主要成分的導(dǎo)電化合物。包含以上導(dǎo)電材料的 膜通過(guò)已知方法諸如濺射法或等離子體CVD法來(lái)形成。光刻膠掩模以形成第三導(dǎo)電層501。在本實(shí)施方式中，描述了通過(guò)濺射法形成厚 度為400 nm的鈦?zhàn)鳛榈谌龑?dǎo)電層501的示例。
(實(shí)施方式6)實(shí)施方式6將描述可通過(guò)實(shí)施方式1到5中所述任意方法制造的 微結(jié)構(gòu)之形狀和功能。
圖21A為用作開(kāi)關(guān)的微結(jié)構(gòu)(也被稱為微開(kāi)關(guān))的橫截面視圖。 孩吏結(jié)構(gòu)包括成于第二襯底601上方的第二層602、間隔層603、以及由間隔層603附著到第二襯底601上的第一層604。可使用任意材料 形成具有單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)的第一層604和第二層602。該示例顯 示了第一層604包含第一導(dǎo)電層611、 612和第一絕緣層606，以及第 二層602包含第二導(dǎo)電層607、第二絕緣層608和第三導(dǎo)電層609的情況。
替代地，多個(gè)包含半導(dǎo)體元件的層可被堆疊起來(lái)。圖24B顯示了兩個(gè)包含半導(dǎo)體元件706的層被堆疊于第二襯底704上方的情況。 在以這種方式堆疊包含半導(dǎo)體元件706的層的情況下，所述層可以被 直接形成于第二襯底704上方，或者可以通過(guò)使用以上實(shí)施方式中所 述分離過(guò)程將形成于另 一個(gè)襯底上的半導(dǎo)體元件706堆疊于第二襯底 704上方。0241然后，如圖24C所示，在形成有第二層705的第二襯底上的所 選區(qū)域上形成間隔層708?？墒褂媒^緣無(wú)機(jī)化合物或絕緣有機(jī)化合物 形成具有單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)的間隔層708，如實(shí)施方式2等中所述。 作為在所選區(qū)域上形成間隔層的方法，可以使用絲網(wǎng)印刷法、以噴墨 法為代表的微滴釋放法等。這些方法在很多情況下是有效的，尤其是 當(dāng)使用能夠被溶劑調(diào)整粘度的有機(jī)材料時(shí)。替代地，當(dāng)使用感光材料 諸如光刻膠時(shí)，間隔層能容易地只通過(guò)成膜、曝光、和顯影被形成。
這樣，在本發(fā)明微:機(jī)械的制造方法中，如圖25A和25B所示， 上述過(guò)程中所制造的第一層703、以及形成有第二層705的第二襯底 704隔著間隔層708被附著起來(lái)。這樣，第一層703和第二層705隔 著間隔層708被附著起來(lái)，由此形成包含電路和微結(jié)構(gòu)的微機(jī)械。
接下來(lái)，結(jié)合附圖描述具有包含在第二層中的半導(dǎo)體元件的層的 制造方法。圖中，圖26A1、 26Bl、 27A、 28A和29A為俯視圖而圖 26A2、 26B2、 27B、 28B和29B為沿著俯視圖的虛線O-P截取的橫截 面視圖。
在使用加熱爐用于另一個(gè)熱處理的情況下，非晶半導(dǎo)體層在400。C到550。C下被加熱2到20小時(shí)。在此情況下，溫度優(yōu)選地i殳在 400。C到550。C范圍內(nèi)的多個(gè)級(jí)別上，以逐漸地增加。因?yàn)榉蔷О雽?dǎo)體 層中的氫等由約400。C下的初始加熱過(guò)程而釋放，所以可以減少因結(jié) 晶引起的膜粗糙度。另外，可以促進(jìn)結(jié)晶的金屬元素，例如鎳，被優(yōu) 選地形成于非晶半導(dǎo)體層上方由此降低加熱溫度。作為金屬元素，可 以4吏用金屬諸如Fe、 Ru、 Rh、 Pd、 Os、 Ir、 Pt、 Cu、或Au。除了 所述熱處理以外還可以進(jìn)行上述激光輻射以形成結(jié)晶半導(dǎo)體層。
然后，摻有n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素或者p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素 且具有非晶結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體層714被形成于上述形成的第一半導(dǎo)體 層713上方。作為n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，通常使用磷或者砷，而作 為p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，可以^使用硼。優(yōu)選的是，被添加到包含雜質(zhì)的半導(dǎo)體中的雜質(zhì)元素的濃度范圍為lX1020/cmU lxl021/cm3。在 本實(shí)施方式中，描述了形成摻有ii型導(dǎo)電性雜質(zhì)的半導(dǎo)體作為第二半 導(dǎo)體層714的示例。
接下來(lái)，上述第一半導(dǎo)體層713和第二半導(dǎo)體層714被處理成任 意形狀，由此形成半導(dǎo)體層715用于形成半導(dǎo)體元件(圖26A1和 26A2)?？梢酝ㄟ^(guò)光刻和蝕刻進(jìn)行半導(dǎo)體層715的處理，類似于上述 示例。
或硅、或它們的混合物等的膜并處理來(lái)形成。
因?yàn)榈诙?dǎo)電層716成為連接到半導(dǎo)體元件的源電極和漏電極 的導(dǎo)電層，所以它們可被處理以形成用于構(gòu)成微結(jié)構(gòu)的電學(xué)連接關(guān) 系。此時(shí)，在半導(dǎo)體元件的要作為溝道區(qū)域的部分上方不形成第二導(dǎo) 電層716。使用第二導(dǎo)電層716作為掩模，通過(guò)蝕刻來(lái)去除第二半導(dǎo) 體層714的一部分和第一半導(dǎo)體層713，由此形成半導(dǎo)體元件的溝道 區(qū)域717 (圖26B1和26B2)。在本實(shí)施方式中，通過(guò)上述過(guò)程，n 溝道薄膜晶體管被形成作為半導(dǎo)體元件(圖26B1和26B2)。
然后，第二絕緣層723被形成于半導(dǎo)體元件上方(圖28A)。第 二絕緣層723可由絕緣無(wú)機(jī)化合物、絕緣有機(jī)化合物等構(gòu)成，與第二 絕緣層718類似?？梢杂缮鲜鼋^緣材料構(gòu)成具有單層結(jié)構(gòu)或包含兩層 或更多層的層疊結(jié)構(gòu)的第二絕緣層。
當(dāng)使用本發(fā)明;隞機(jī)械的上述制造方法時(shí)，可以獲得與實(shí)施方式1 等所述微結(jié)構(gòu)的制造方法類似的效果(a)到(i)。 一些效果如下所 述。
下面，結(jié)合圖31A到31C描述具有上述結(jié)構(gòu)的微機(jī)械的功能示 例。例如，本發(fā)明的微機(jī)械801包含微結(jié)構(gòu)802和電路803,如圖31A 中所示。另外，微機(jī)械801被用電纜(傳輸線)809連接到用于控制微機(jī)械801的外部控制器件808,并且控制信號(hào)和驅(qū)動(dòng)電源被從外部 控制器件808供給到微機(jī)械801。此處，可以設(shè)置一根傳輸線用于發(fā) 送和接收控制信號(hào)以及供給電源。替代地，可以分別設(shè)置用于發(fā)送和 接收控制信號(hào)的傳輸線和用于供給電源的傳輸線。
這樣，當(dāng)信號(hào)被從讀出器/寫(xiě)入器發(fā)送到半導(dǎo)體器件80以及從半 導(dǎo)體器件80發(fā)送的信號(hào)被讀出器/寫(xiě)入器接收時(shí)，可以讀取半導(dǎo)體器 件的數(shù)據(jù)。
如此所述，通過(guò)將半導(dǎo)體器件應(yīng)用到用于管理產(chǎn)品的系統(tǒng)，可以容易地進(jìn)行信息的獲取，并且可以實(shí)現(xiàn)高功能和高附加值。另外，如 以上實(shí)施方式中所述，即使在將半導(dǎo)體器件附著到具有曲面的物體的 情況下，也能夠防止損傷半導(dǎo)體器件中所包含的半導(dǎo)體元件，并且可 以提供高可靠性的半導(dǎo)體器件。
下面，說(shuō)明使用能夠非接觸地通信的半導(dǎo)體器件來(lái)進(jìn)行系統(tǒng)的操 作的示例。例如，如圖34E所示，半導(dǎo)體器件1120被設(shè)置于身份證 1114內(nèi)，并且讀出器/寫(xiě)入器1121被設(shè)置于建筑物等的入口處。當(dāng)擁 有身份證1114的人通過(guò)讀出器/寫(xiě)入器1121的位置時(shí)，讀出器/寫(xiě)入 器1121讀取身份證1114內(nèi)每個(gè)人所擁有的身份證號(hào)碼，并將所讀取 的身份證號(hào)碼相關(guān)信息提供給計(jì)算機(jī)1112。計(jì)算機(jī)1112基于讀出器/ 寫(xiě)入器1121所提供的信息，判斷是否允許此人進(jìn)入或外出。這樣， 通過(guò)應(yīng)用半導(dǎo)體器件，可以提供更便利的出入管理系統(tǒng)。[03401雖然出入管理系統(tǒng)作為示例已結(jié)合附圖進(jìn)行了描述，但是當(dāng)半導(dǎo) 體器件1120被用于物流和庫(kù)存管理系統(tǒng)、認(rèn)證系統(tǒng)、配送系統(tǒng)、生 產(chǎn)記錄系統(tǒng)、圖書(shū)管理系統(tǒng)等時(shí)，系統(tǒng)能夠具有更高功能、多功能、 和更高附加值。[0341J另外，作為上述可非接觸地交換數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件中的信號(hào)傳輸 方法，可以使用電磁耦合法、電磁感應(yīng)法、微波法等?？梢杂蓮臉I(yè)者 考慮預(yù)定用途來(lái)適當(dāng)?shù)剡x擇傳輸方法，并可以根據(jù)傳輸方法設(shè)置最優(yōu) 天線。[0342在采用例如電磁耦合法或電磁感應(yīng)法(例如，13.56 MHz頻帶) 作為半導(dǎo)體器件中的信號(hào)傳輸方法時(shí)，使用由磁場(chǎng)密度(magneticfield density)的改變所引起的電磁感應(yīng)。因此，用作天線的導(dǎo)電膜被 形成為環(huán)形(例如，環(huán)形天線)或螺旋形(例如，螺旋天線)。 [0343微波法(例如，UHF頻帶(860到960 MHz頻帶)，2.45 GHz 頻帶等)可被用作半導(dǎo)體器件中的信號(hào)傳輸方法。在此情況下，可考 慮用于信號(hào)傳輸?shù)碾姶挪úㄩL(zhǎng)來(lái)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定諸如用作天線的導(dǎo)電膜 的長(zhǎng)度的形狀。例如，用作天線的導(dǎo)電膜可被形成為直線狀(例如， 偶極天線)、平面狀(例如，貼片天線(patch antenna ))、帶狀等。 考慮到電磁波的波長(zhǎng)，用作天線的導(dǎo)電膜的形狀可被設(shè)置為曲線狀、 蛇形、或其組合。[0344用作天線的導(dǎo)電膜由導(dǎo)電材料通過(guò)CVD法、濺射法、諸如絲網(wǎng) 印刷或照相凹版印刷的印刷法、微滴釋放法、或鍍敷法等來(lái)形成。可 使用選自鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag )、銅(Cu )、金(Au )、 鈿(Pt)、鎳(Ni)、釔(Pd)、鉭(Ta)、和鉬(Mo)中的要素、 或者含有上述元素作為主要成份的合金材料或混合物材料，來(lái)形成具 有單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜。[0345例如，在通過(guò)絲網(wǎng)印刷法形成用作天線的導(dǎo)電膜的情況下，可以 通過(guò)選擇性地印刷在有機(jī)樹(shù)脂中溶解或分散了每個(gè)的粒度為數(shù)nm到 數(shù)十Hm的導(dǎo)電顆粒的導(dǎo)電糊劑，以形成導(dǎo)電膜。例如，在使用主要 含銀的細(xì)粒(例如顆粒的粒度大于或等于1 nm且小于或等于100 nm) 作為導(dǎo)電糊劑的材料的情況下，通過(guò)在150到300。C溫度下烘焙使導(dǎo) 電糊劑固化，可得到導(dǎo)電膜。替代地，可以使用主要含焊料或無(wú)鉛焊 料的導(dǎo)電糊劑；此時(shí)，優(yōu)選地使用粒度小于或等于^nm的細(xì)粒。焊 料或無(wú)鉛焊料的優(yōu)點(diǎn)在于低成本。[03461除了上述材料之外，還可以將陶瓷、或鐵酸鹽(ferrite)等應(yīng)用 于天線。另外，介電常數(shù)和導(dǎo)磁率在微波頻帶中為負(fù)數(shù)的材料(超材料(metamaterial))可被應(yīng)用于天線。 [0347J在使用電磁耦合法或電磁感應(yīng)法，并設(shè)置包含與金屬膜接觸的天 線的半導(dǎo)體器件的情況下，具有導(dǎo)磁性的磁性材料優(yōu)選地被設(shè)置于半 導(dǎo)體器件和金屬膜之間。在設(shè)置包含與金屬膜接觸的天線的半導(dǎo)體器 件的情況下，因磁場(chǎng)改變而引起的渦電流、以及由渦電流產(chǎn)生的去磁 磁場(chǎng)，削弱了磁場(chǎng)的改變并減小了通信范圍。因此，金屬的渦電流和 通信范圍的減小可以通過(guò)在半導(dǎo)體器件和金屬膜之間設(shè)置具有導(dǎo)磁 性的材料來(lái)抑制。注意，導(dǎo)磁率高和高頻波損耗低的鐵酸鹽或金屬膜 可被用作磁性材料。0348在設(shè)置天線的情況下，半導(dǎo)體元件諸如晶體管、以及用作天線的 導(dǎo)電膜可被形成于同一襯底上方；或者，半導(dǎo)體元件諸如晶體管、以 及用作天線的導(dǎo)電膜可被設(shè)置于分離的襯底上方然后附著起來(lái)以電 互連。0349注意，可對(duì)上述半導(dǎo)體器件執(zhí)行密封處理。例如，可使用第一板 材(也被稱為膜或襯底)和第二板材對(duì)于半導(dǎo)體集成電路或半導(dǎo)體器 件執(zhí)行密封處理。作為用于密封的第一板材和第二板材，可以使用 包含聚丙烯、聚酯、乙烯、聚氟乙烯、或氯乙烯等的膜；包含纖維材 料的紙；基底材料膜(聚酯、聚酰胺、無(wú)機(jī)蒸鍍膜(inorganic evaporation film )、或紙等)和粘性合成樹(shù)脂膜(丙烯酸基合成樹(shù)脂、 或環(huán)氧樹(shù)脂基合成樹(shù)脂等)的層疊膜等。[0350對(duì)于密封處理，可以通過(guò)熱壓接合進(jìn)行熱處理和加壓處理。在熱 壓接合時(shí)，設(shè)置在膜的最外部表面上的粘性層、或設(shè)置在最外層上的 層(非粘性層)被熱處理所熔化以通過(guò)施加壓力來(lái)接合。粘性層可以 被設(shè)置于第一板材和第二板材的表面上，但它不是必需提供的。粘性層對(duì)應(yīng)于包含粘著劑諸如熱固性樹(shù)脂、uv固化樹(shù)脂、環(huán)氧基樹(shù)脂、或樹(shù)脂添加劑的層。[0351用于密封的板材優(yōu)選地被涂上硅土 (silica)，以防止?jié)駳獾仍?密封之后進(jìn)入內(nèi)部；例如，可以使用堆疊了粘性層、聚酯等制的膜、 以及硅土涂層的板材。03521另外，當(dāng)對(duì)于膜執(zhí)行熱處理時(shí)，優(yōu)選地使用具有相同熱膨脹系數(shù) 的第一板材和第二板材。這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)使板材的收縮率在熱處理之后成為相同，可以防止半導(dǎo)體器件的變形，或者可以防止異常應(yīng)力被施 加于半導(dǎo)體元件。[0353作為第一板材或第二板材，也可以使用經(jīng)過(guò)了抗靜電處理的膜以 防止靜電等(以下稱為抗靜電膜)。作為抗靜電膜，可以使用在樹(shù) 脂中分散有抗靜電材料的膜；以及附著了抗靜電材料的膜等。作為抗 靜電材料，可以使用金屬、銦和錫的氧化物、以及諸如兩性離子表面 活性劑、陽(yáng)離子表面活性劑、或非離子表面活性劑的表面活性劑。作 為替代，包含在側(cè)鏈上具有羧基和季銨基的交聯(lián)共聚物高分子化合物 的樹(shù)脂材料等可被用作抗靜電材料。[0354包含抗靜電材料的膜可以是在一個(gè)表面上設(shè)置有抗靜電材料的 膜，或者在兩個(gè)表面上都設(shè)置有抗靜電材料的膜。注意，抗靜電材料 可以被設(shè)置于膜的整個(gè)表面上方或者部分表面上。當(dāng)用抗靜電膜密封 半導(dǎo)體器件時(shí)，可保護(hù)半導(dǎo)體元件在半導(dǎo)體器件被處理成產(chǎn)品時(shí)免受外部靜電等的影響。在密封處理中，可以通過(guò)使用第一板材和第二板材之一來(lái)選擇性 地僅密封半導(dǎo)體器件表面中的一個(gè)。另外，可以使用玻璃襯底而非第 一板材或第二板材來(lái)執(zhí)行密封。通過(guò)這樣的密封處理，可以抑制從外 部進(jìn)入半導(dǎo)體元件的雜質(zhì)元素、以及濕氣等。03561可以自由地結(jié)合任意其它實(shí)施方式來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施方式。即，上述方式相結(jié)合來(lái);用:,，，、''- 、，， 一 、"、、[03571接下來(lái)，結(jié)合圖35到37F描述半導(dǎo)體器件(電子設(shè)備)，具體 地，使用本發(fā)明微結(jié)構(gòu)制造的顯示裝置。以上實(shí)施方式中所述的本發(fā) 明的微結(jié)構(gòu)可以被用于顯示裝置。在本實(shí)施方式中，將描述用具有開(kāi) 關(guān)功能的微結(jié)構(gòu)形成顯示裝置的像素部分的示例。[0358J如圖35所示，顯示裝置5001包含顯示圖像的像素部分5002、 以及控制像素部分5002的驅(qū)動(dòng)電路5003。在像素部分5002中，每個(gè) 都包含微結(jié)構(gòu)的像素可以被設(shè)置為陣列狀。用于將信號(hào)按順序傳輸給 像素部分5002的公知的驅(qū)動(dòng)電路可被用作驅(qū)動(dòng)電路5003。像素部分 5002中所包含的孩先結(jié)構(gòu)5004可以才艮據(jù)4象素的選擇狀態(tài)(selection state)/非選擇狀態(tài)來(lái)移動(dòng)并顯示圖像。利用這種結(jié)構(gòu)，可以制造液晶 顯示裝置、電泳顯示裝置、利用光折射的被稱為GLV(光柵光閥 (Grating Light Valve ))的顯示裝置等。[0359例如，在利用上述結(jié)構(gòu)形成電泳顯示裝置的情況下，通過(guò)使利用 微結(jié)構(gòu)開(kāi)和關(guān)而形成的開(kāi)關(guān)元件開(kāi)啟或關(guān)斷，可控制每個(gè)像素中的電 泳顯示顆l立(display particle )的工作以顯示圖寸象。[0360下面說(shuō)明具有上述結(jié)構(gòu)的利用折射的顯示裝置的制造的情況。顯 示裝置具有利用光的衍射效應(yīng)控制光的方向或顏色等的特征。通過(guò)排 列用微結(jié)構(gòu)形成的微型衍射元件，并且利用激光輻射對(duì)衍射元件進(jìn)行 投影，形成顯示裝置的像素部分。因此，微結(jié)構(gòu)由反射可見(jiàn)光的材料 制成。具有梁式結(jié)構(gòu)的衍射光柵可利用電信號(hào)獨(dú)立地移動(dòng)。通過(guò)調(diào)整移動(dòng)量，可以改變衍射量。因此，可以通過(guò)在衍射光柵間產(chǎn)生形狀上的差異來(lái)產(chǎn)生圖像的亮和暗。所述顯示裝置的典型示例是被稱為GLV 的投影型顯示器，并且像素部分具有這種結(jié)構(gòu)其中，微結(jié)構(gòu)由反射 可見(jiàn)光的材料構(gòu)成，具有細(xì)長(zhǎng)的梁式結(jié)構(gòu)，并且被設(shè)置為一行。通過(guò) 在設(shè)置于襯底上方的導(dǎo)電層(固定電極)與結(jié)構(gòu)層(可移動(dòng)電極)之 間施加電壓，以設(shè)置為一行的具有梁式結(jié)構(gòu)的微結(jié)構(gòu)可以上下移動(dòng)， 并用作衍射元件。這樣，通過(guò)交替地移動(dòng)微結(jié)構(gòu)，設(shè)置為一行的微結(jié) 構(gòu)成為具有矩形溝(rectangular ditch)的層狀衍射光柵(laminar diffraction grating )，因而，衍射效率可以由孩吏結(jié)構(gòu)的寬度相對(duì)于微: 結(jié)構(gòu)的排列周期來(lái)確定。然后，通過(guò)從光源對(duì)該像素部分進(jìn)行光輻射， 要施加到微結(jié)構(gòu)的電壓被改變并且微結(jié)構(gòu)的移動(dòng)量被控制，由此改變 衍射量。這樣，可以產(chǎn)生圖像的亮和暗。在顯示裝置的彩色顯示的情 況下，作為光源，使用三種激光束紅、綠、和藍(lán)。此處，優(yōu)選地使 用具有高色純度(color purity)的激光。然后，利用只選擇性地透射 來(lái)自像素部分的衍射光的濾色器，只提取衍射光并由透鏡聚光，于是 圖像被投影到屏幕上。 ,11這樣，利用光的衍射的顯示裝置可以進(jìn)行具有高精細(xì)度 (fineness)、高對(duì)比度、和寬色域的顯示，并且圖像可以表達(dá)立體 感(stereognostie sense )或紋理的細(xì)節(jié)。這類顯示裝置可以被應(yīng)用于 前投影儀(front projector )或投影電視。 [0362下面，說(shuō)明包含具有上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置的半導(dǎo)體器件(電子設(shè) 備)的示例。圖36A顯示了電視機(jī)8001，包含顯示裝置8002、用于 驅(qū)動(dòng)顯示裝置8002的驅(qū)動(dòng)電路等。圖36B顯示了信息終端器件8003， 包含顯示裝置8002、電子控制電路、和輸入輸出接口等。圖36C顯 示了攝像機(jī)8004，包含顯示裝置8002、和圖像處理電路等。圖36D 顯示了移動(dòng)電話8005，包含顯示裝置8002、和無(wú)線通信電路等。圖36E 顯示了便攜式電視機(jī)8006，包含顯示裝置8002、驅(qū)動(dòng)電路、以及無(wú)線通信電路等。03631半導(dǎo)體器件諸如電視機(jī)8001、信息終端設(shè)備8003、攝〗象機(jī)8004、 移動(dòng)電話8005、和便攜式電視機(jī)8006，可通過(guò)將包含上迷微結(jié)構(gòu)的 半導(dǎo)體器件應(yīng)用于顯示裝置8002、驅(qū)動(dòng)電路、電子控制電路、無(wú)線通 信電路、或存儲(chǔ)器件等來(lái)制造。注意，半導(dǎo)體器件中所包含的顯示裝 置8002可以被廣泛地應(yīng)用于各種器件諸如，便攜式終端如手機(jī)或便 攜式電視機(jī)中所包含的小尺寸顯示裝置、便攜式的中等尺寸顯示裝 置、以及大尺寸的顯示裝置(例如，40英寸或更大的尺寸)。本發(fā)明 的半導(dǎo)體器件(電子設(shè)備)并不限于圖36A到36E中那些，而是可被 應(yīng)用于包括多個(gè)微結(jié)構(gòu)或半導(dǎo)體元件的顯示裝置、以及驅(qū)動(dòng)電路部分 等。[0364另外，當(dāng)包含顯示裝置的半導(dǎo)體器件(電子設(shè)備)被制造于薄且 柔軟的襯底上方時(shí)，半導(dǎo)體器件可以是柔性的。結(jié)合圖37A到37F說(shuō) 明制造于柔性襯底上方的包含微結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件(電子設(shè)備)的具 體示例。[0365圖37A顯示了包含顯示裝置4002和支撐底座4003的大型顯示 器4001。使用柔性襯底形成顯示裝置4002以實(shí)現(xiàn)輕而薄的顯示裝置 4001。另外，顯示裝置4002可以被彎曲、從支撐底座4003上卸下、 或安裝到彎曲的墻上。這樣，柔性顯示器4001可被設(shè)置于曲面和平 面上；因此，它可,皮用于各種應(yīng)用。[0366圖37B顯示了能被巻繞并且包含顯示裝置4002的顯示器4004。 使用柔性襯底形成顯示器4004的顯示裝置4002,以以彎曲或巻繞狀 態(tài)來(lái)攜帶顯示器4004。因此，即使顯示器4004很大，顯示器也能容 易地?cái)y帶。[0367圖37C顯示了薄板式計(jì)算機(jī)(sheet computer ) 4005，包含顯示 裝置4002、鍵盤(pán)4009、觸摸板4010、外部連接端口 4011、電源插口、 和電池等。使用柔性襯底形成顯示裝置4002以實(shí)現(xiàn)輕而薄的計(jì)算機(jī) 4005。另外，當(dāng)計(jì)算機(jī)4005的機(jī)身內(nèi)設(shè)置了存放空間4012時(shí)，顯示 裝置4002可被巻繞并存放在計(jì)算機(jī)4005中。另外，當(dāng)鍵盤(pán)4009也 被形成為柔性的時(shí)，鍵盤(pán)4009可被巻繞并存放在計(jì)算機(jī)4005中，與 顯示裝置4002類似。具有這類結(jié)構(gòu)的薄板式計(jì)算機(jī)4005易于攜帶并 且當(dāng)不使用它時(shí)可被存放而不用占據(jù)空間。[0368J圖37D顯示了尺寸為20到80英寸的大型顯示器4008，包含顯 示裝置4002、作為操作部分的鍵盤(pán)4013、以及揚(yáng)聲器4014等。顯示 裝置4002使用柔性襯底來(lái)形成，并且可以以取下鍵盤(pán)4013的方式被 在彎曲或巻繞狀態(tài)下攜帶。另外，鍵盤(pán)4013和顯示裝置4002之間可 以進(jìn)行無(wú)線通信。顯示器4008可被安裝到彎曲的墻上并可用鍵盤(pán)4013 進(jìn)行無(wú)線操作。[0369j圖37E顯示了電子圖書(shū)4006，包含顯示裝置4002、以及操作鍵 4015等。顯示裝置4002可以顯示運(yùn)動(dòng)圖像、和諸如字符的靜止圖像。 調(diào)制解調(diào)器可被包含于電子圖書(shū)4006中。使用柔性襯底形成顯示裝 置4002以被彎曲或巻繞。因此，電子圖書(shū)可被攜帶或存放而不用占 據(jù)空間。[0370圖37F顯示了 IC卡4007，包含顯示裝置4002、連接端子4016、 信息處理電路、以及存儲(chǔ)器件等。因?yàn)轱@示裝置4002使用柔性襯底 來(lái)形成以具有輕而薄的薄片形狀，所以它可被附著到卡表面上然后被 使用。當(dāng)IC卡4007從外部通過(guò)通信獲得信息時(shí)，可以顯示信息。此 外，可以形成這種結(jié)構(gòu)其中IC卡4007不包含連接端子4016并且 能從外部非接觸地接收數(shù)據(jù)。此時(shí)，IC卡4007包含天線和無(wú)線通信 電路等。0371當(dāng)包含任意以上實(shí)施方式中所述的本發(fā)明微結(jié)構(gòu)的顯示裝置被 用作本實(shí)施方式中的顯示裝置時(shí)，可以制造具有各種功能的半導(dǎo)體器 件(電子設(shè)備)諸如顯示裝置和無(wú)線通信裝置。因而，本發(fā)明可在廣 泛的領(lǐng)域中應(yīng)用，并可被應(yīng)用于任何領(lǐng)域內(nèi)的半導(dǎo)體器件和電子設(shè) 備?？梢宰杂傻亟Y(jié)合任意其它實(shí)施方式來(lái)使用本實(shí)施方式。本發(fā)明基于2006年3月18日提交于日本專利局的第 2006-138835號(hào)日本專利申請(qǐng)，其全部?jī)?nèi)容已通過(guò)引用被并入本說(shuō)明 書(shū)中。
權(quán)利要求
1、一種微結(jié)構(gòu)的制造方法，包含以下步驟將分離層形成在第一支撐襯底上方；將第一層形成于分離層上方；將分離層的一部分暴露；將第二支撐襯底隔著粘性層附著到第一層上；將第一支撐襯底從第一層分離開(kāi)使得第一層保留于第二支撐襯底上；將間隔層形成于第一保護(hù)襯底上方；將第一層和第一保護(hù)襯底隔著間隔層彼此相對(duì)置地附著起來(lái)；以及將第一層從第二支撐襯底分離開(kāi)。
2、 一種微結(jié)構(gòu)的制造方法，包含以下步驟 將分離層形成在第一支撐襯底上方；將第一層形成于分離層上方； 將分離層的一部分暴露；將第二支撐襯底隔著粘性層附著到第一層上；將第 一支撐襯底從第 一層分離開(kāi)使得第 一層保留于第二支撐村底上；將第一間隔層形成于第一保護(hù)襯底上方； 將第二間隔層形成于第二保護(hù)襯底上方； 將第一層和第一保護(hù)襯底隔著第一間隔層彼此相對(duì)置地附著起來(lái)；將第一層從第二支撐襯底分離開(kāi)；以及 將第一層和第二保護(hù)襯底隔著第二間隔層彼此相對(duì)置地附著起來(lái)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的微結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，對(duì)于第二 保護(hù)襯底形成第三層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的微結(jié)構(gòu)的制造方法，其 中，對(duì)于第一保護(hù)襯底形成第二層。
5、 一種微機(jī)械的制造方法，包含以下步驟 將分離層形成于第一支撐襯底上方； 將第一層形成于分離層上方； 將分離層的一部分暴露；將第二支撐襯底隔著粘性層附著到第一層上；將第 一支撐襯底從第 一層分離開(kāi)使得第 一層保留于第二支撐襯底上；將包含半導(dǎo)體元件的層形成于第一保護(hù)襯底上方；將間隔層形成于包含半導(dǎo)體元件的層上方；將第一層和第一保護(hù)襯底隔著間隔層彼此相對(duì)置地附著起來(lái)；以及將第 一層從第二支撐襯底分離開(kāi)。
6、 一種微結(jié)構(gòu)的制造方法，包含以下步驟 將分離層形成于第一支撐襯底上方； 將第一層形成于分離層上方； 將分離層的一部分暴露； 將第二支撐襯底隔著粘性層附著到第一層上； 將第一層從第一支撐襯底分離開(kāi)使得第一層保留于第二支撐襯底上；將第一間隔層形成于包含半導(dǎo)體元件的層上方；將第二間隔層形成于第二保護(hù)襯底上方；將第一層和第一保護(hù)襯底隔著第一間隔層彼此相對(duì)置地附著起來(lái)；將第一層從第二支撐襯底分離開(kāi)；以及 將第一層和第二保護(hù)襯底隔著第二間隔層彼此相對(duì)置地附著起來(lái)。
7、 一種微結(jié)構(gòu)，包含選擇性地形成于第一保護(hù)襯底上方的第一間隔層、和形成于第一 間隔層上方的第一層，其中，第一層包含形成于第一間隔層上方的固定部分、和在下方未形成 第一間隔層的可移動(dòng)部分，并且固定部分和可移動(dòng)部分至少部分地被 物理連接，以及在第一層的可移動(dòng)部分與第一保護(hù)襯底之間設(shè)置有空間。
8、 一種微結(jié)構(gòu)，包含選擇性地形成于第一保護(hù)襯底上方的第一 間隔層、形成于第一間隔層上方的第一層、選擇性地形成于第一層上 方的第二間隔層、以及形成于第二間隔層上方的第二保護(hù)襯底，其中，第一層包含形成于第一間隔層上方的固定部分、和在其下未形成 第一間隔層的可移動(dòng)部分，并且固定部分和可移動(dòng)部分至少部分地被 物理連接，在第一層的可移動(dòng)部分與第一保護(hù)襯底之間、以及可移動(dòng)部分與 第二保護(hù)襯底之間設(shè)置有空間，以及可移動(dòng)部分沿垂直于第一保護(hù)襯底的方向或平行于第一保護(hù)襯 底的方向移位。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的微結(jié)構(gòu)，其中，第二保護(hù)襯底包含被 形成為與第一層相對(duì)置的第三層。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的微結(jié)構(gòu)，其中，空間由空氣填充。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7到10中任一項(xiàng)所述的微結(jié)構(gòu)，其中，第一 保護(hù)襯底包含被形成為與第一層相對(duì)置的第二層。
12、 根據(jù)權(quán)利要求7到11中任一項(xiàng)所迷的微結(jié)構(gòu)，其中，第一 間隔層包含有機(jī)材料。
13、 根據(jù)權(quán)利要求7到12中任一項(xiàng)所迷的微結(jié)構(gòu)，其中，第一 層包含導(dǎo)電材料。
14、 根據(jù)權(quán)利要求7到13中任一項(xiàng)所述的微結(jié)構(gòu)，其中，第一 間隔層包含與第一層的材料不同的材料。
15、 根據(jù)權(quán)利要求7到14中任一項(xiàng)所述的微結(jié)構(gòu)，其中，利用 可移動(dòng)部分的位移，機(jī)械變化被轉(zhuǎn)換成電學(xué)變化、或者電學(xué)變化被轉(zhuǎn)換成機(jī)械變化。
16、 一種微機(jī)械，包含 形成于第一保護(hù)襯底上方的電路；以及 與電路電連接的孩i結(jié)構(gòu)，其中，電路包含選擇性地形成于第一保護(hù)襯底上方的第一間隔層、和形 成于第一間隔層上方的第一層，第一層包含形成于第一間隔層上方的固定部分、和在下方未設(shè)置 第一間隔層的可移動(dòng)部分，并且固定部分和可移動(dòng)部分至少部分地被 物理連接，在第一層的可移動(dòng)部分與第一保護(hù)襯底之間設(shè)置有空間，以及 可移動(dòng)部分沿垂直于第一保護(hù)襯底的方向移位。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的微機(jī)械，其中，空間由空氣填充。
18、 一種微機(jī)械，包含 形成于第一保護(hù)襯底上方的電路；以及 與電路電連接的微結(jié)構(gòu)，其中， 電路包含半導(dǎo)體元件，微結(jié)構(gòu)包含選擇性地形成于第 一保護(hù)襯底上方的第 一 間隔層、形 成于第一間隔層上方的第一層、選擇性地形成于第一層上方的第二間 隔層、以及形成于第二間隔層上方的第二保護(hù)襯底，第一層包含形成于第一間隔層上方的固定部分、和在下方未形成 第一間隔層的可移動(dòng)部分，并且固定部分和可移動(dòng)部分至少部分地被 物理連接，在第一層的可移動(dòng)部分與第一保護(hù)襯底之間、以及可移動(dòng)部分與 第二保護(hù)襯底之間設(shè)置有空間，以及可移動(dòng)部分沿垂直于第一保護(hù)襯底的方向移位。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的微機(jī)械，其中，空間由空氣填充。
全文摘要
本發(fā)明提供一種微結(jié)構(gòu)、微機(jī)械、以及微結(jié)構(gòu)和微機(jī)械的制造方法。制造微結(jié)構(gòu)和微機(jī)械而無(wú)需犧牲層蝕刻。分離層102被形成于襯底101上方，并且作為可移動(dòng)電極的層103被形成于分離層102上方。在分離層102的界面處，作為可移動(dòng)電極的層103被從襯底分離開(kāi)。作為固定電極的層106被形成于另一襯底105上方。作為可移動(dòng)電極的層103隔著部分地設(shè)置的間隔層103被固定到襯底105上，使得作為可移動(dòng)電極的層103與作為固定電極的層106彼此相對(duì)置。
文檔編號(hào)B81B3/00GK101405215SQ20078000966
公開(kāi)日2009年4月8日 申請(qǐng)日期2007年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月18日
發(fā)明者山口真弓, 泉小波 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所