本發(fā)明涉及提純技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種重力式碳化硅微粉提純裝置。
背景技術(shù)：
碳化硅微粉是當(dāng)前晶硅片切割行業(yè)的主要切割材料。晶硅片切割刃料碳化硅微粉在雷蒙磨研磨制粉的生產(chǎn)過(guò)程中，因碳化硅硬度較高，雷蒙磨磨輥在研磨碳化硅時(shí)會(huì)引入部分鐵粉，鐵粉雜質(zhì)與碳化硅微粉混合在一起，嚴(yán)重影響了切割刃料碳化硅微粉的使用性能，因此必須采取除鐵措施，去除掉碳化硅微粉中的鐵粉。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
基于上述背景技術(shù)存在的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出一種重力式碳化硅微粉提純裝置，以去除碳化硅微粉中的鐵粉。
本發(fā)明提出了一種重力式碳化硅微粉提純裝置，包括；上料機(jī)構(gòu)、傳送機(jī)構(gòu)和第一收料容器和第二收料容器，其中：
傳送機(jī)構(gòu)包括循環(huán)式傳送帶，循環(huán)式傳送帶傾斜布置，且循環(huán)式傳送帶的傳入端位于循環(huán)式傳送帶的最低端，循環(huán)式傳送帶的傳出端位于循環(huán)式傳送帶的最高端；
循環(huán)式傳送帶包括位于斜上方一側(cè)的承載面和位于斜下方一側(cè)的空載面；傳送機(jī)構(gòu)上位于承載面和空載面之間且靠近承載面的一側(cè)設(shè)有用于使承載面產(chǎn)生磁力的磁力板；
上料機(jī)構(gòu)位于循環(huán)式傳送帶的最高端；
第一收料容器位于循環(huán)式傳送帶的最低端；
第二收料容器位于空載面的下方，并且位于循環(huán)式傳送帶最高端和最低端之間。
優(yōu)選地，循環(huán)式傳送帶的帶面上分布有若干的凸起柱。
優(yōu)選地，凸起柱在循環(huán)式傳送帶的帶面上不規(guī)則布置。
優(yōu)選地，位于磁力板靠近空載面的一側(cè)設(shè)有磁屏蔽板。
優(yōu)選地，空載面的下方設(shè)有橫柱，且橫柱的長(zhǎng)度大于循環(huán)式傳送帶的帶寬，橫柱上靠近循環(huán)式傳送帶帶面的一側(cè)設(shè)有軸向布置清潔刷，且清潔刷軸向覆蓋面的長(zhǎng)度大于循環(huán)式傳送帶的帶寬。
優(yōu)選地，傳送機(jī)構(gòu)還包括第一傳動(dòng)輪和第二傳動(dòng)輪。
優(yōu)選地，上料機(jī)構(gòu)包括上料容器和位于上料容器出口端的振動(dòng)床。
本發(fā)明中，通過(guò)將循環(huán)式傳送帶傾斜布置，使循環(huán)式傳送帶的承載面產(chǎn)生斜度；通過(guò)磁力板的設(shè)置使循環(huán)式傳送帶的承載面產(chǎn)生磁力；并將上料機(jī)構(gòu)設(shè)置在循環(huán)式傳送帶的最高端，由上料機(jī)構(gòu)將待提純的碳化硅微粉導(dǎo)入循環(huán)式傳送帶上；當(dāng)碳化硅微粉進(jìn)入循環(huán)式傳送帶的承載面時(shí)，受重力作用不斷向下運(yùn)動(dòng)，而由于循環(huán)式傳送帶的傳入端位于循環(huán)式傳送帶的最低端，循環(huán)式傳送帶的傳出端位于循環(huán)式傳送帶的最高端，使得循環(huán)式傳送帶的運(yùn)動(dòng)方向與碳化硅微粉運(yùn)動(dòng)方向相反，使碳化硅微粉在向下運(yùn)動(dòng)時(shí)發(fā)生翻滾，從而使得碳化硅微粉中的鐵粉被吸附在承載面上，實(shí)現(xiàn)鐵粉與碳化硅粉的分離。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明提出的一種重力式碳化硅微粉提純裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面，通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
如圖1所示，圖1為本發(fā)明提出的一種重力式碳化硅微粉提純裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
參照?qǐng)D1，本發(fā)明實(shí)施例提出的一種重力式碳化硅微粉提純裝置，包括；上料機(jī)構(gòu)1、傳送機(jī)構(gòu)和第一收料容器2和第二收料容器3，其中：
傳送機(jī)構(gòu)包括循第一傳動(dòng)輪8、第二傳動(dòng)輪9和環(huán)式傳送帶4，循環(huán)式傳送帶4傾斜布置，且循環(huán)式傳送帶4的傳入端位于循環(huán)式傳送帶4的最低端，循環(huán)式傳送帶4的傳出端位于循環(huán)式傳送帶4的最高端；循環(huán)式傳送帶4包括位于斜上方一側(cè)的承載面41和位于斜下方一側(cè)的空載面42；循環(huán)式傳送帶4的帶面上分布有若干不規(guī)則布置的凸起柱，通過(guò)凸起柱的設(shè)置可以使帶面更好的與碳化硅微粉接觸，提高提純效果。
傳送機(jī)構(gòu)上位于承載面41和空載面42之間且靠近承載面41的一側(cè)設(shè)有磁力板5，通過(guò)磁力板5的設(shè)置使得承載面41產(chǎn)生磁力；磁力板5靠近空載面42的一側(cè)設(shè)有磁屏蔽板6；通過(guò)磁屏蔽板6的設(shè)置可以避免磁力板5對(duì)空載面42的影響，使空載面42依舊不帶有磁力。
上料機(jī)構(gòu)1位于循環(huán)式傳送帶4的最高端,用于將碳化硅微粉導(dǎo)入循環(huán)式傳送帶4上，上料機(jī)構(gòu)1包括上料容器11和位于上料容器11出口端的振動(dòng)床12，上料容器11用于盛放碳化硅微粉，振動(dòng)床12可以將碳化硅微粉導(dǎo)入到循環(huán)式傳送帶4上。
第一收料容器2位于循環(huán)式傳送帶4的最低端；第二收料容器3位于空載面42的下方，并且位于循環(huán)式傳送帶4最高端和最低端之間。
本實(shí)施例中，空載面42的下方設(shè)有橫柱7，且橫柱7的長(zhǎng)度大于循環(huán)式傳送帶4的帶寬，橫柱7上靠近循環(huán)式傳送帶4帶面的一側(cè)設(shè)有軸向布置清潔刷71，且清潔刷71軸向覆蓋面的長(zhǎng)度大于循環(huán)式傳送帶4的帶寬；通過(guò)清潔刷71的設(shè)置可以將粘附在空載面42上的鐵粉顆粒掃落下來(lái)。
本發(fā)明是這樣工作的，當(dāng)碳化硅微粉進(jìn)入循環(huán)式傳送帶4的承載面41時(shí)，受重力作用不斷向下運(yùn)動(dòng)，而由于循環(huán)式傳送帶4的傳入端位于循環(huán)式傳送帶4的最低端，循環(huán)式傳送帶4的傳出端位于循環(huán)式傳送帶4的最高端，使得循環(huán)式傳送帶4的運(yùn)動(dòng)方向與碳化硅微粉運(yùn)動(dòng)方向相反，使碳化硅微粉在向下運(yùn)動(dòng)時(shí)發(fā)生翻滾，從而使得碳化硅微粉中的鐵粉被吸附在承載面41上，實(shí)現(xiàn)鐵粉與碳化硅粉的分離。
以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。