技術(shù)特征：

1.一種碳量子點(diǎn)CQDs雜化CdIn₂S₄復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)將碳量子點(diǎn)CQDs置于圓底燒瓶中，接著加去離子水，攪拌5-15min，得到CQDs分散液；其中CQDs的直徑為2～5nm；

(2)稱取CdIn₂S₄納米粒子于步驟(1)所得的CQDs分散液中，其中CdIn₂S₄的直徑為50-300nm；繼續(xù)攪拌5-30min；得CdIn₂S₄/CQDs懸浮液；隨后用油浴于70～100℃加熱回流反應(yīng)2～8h，反應(yīng)結(jié)束后離心產(chǎn)品，用二次去離子水和無(wú)水乙醇洗滌，真空干燥，得到碳量子點(diǎn)CQDs雜化CdIn₂S₄復(fù)合材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳量子點(diǎn)CQDs雜化CdIn₂S₄復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述碳量子點(diǎn)CQDs和去離子水的用量比為0.01～0.10g：150～300mL。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳量子點(diǎn)CQDs雜化CdIn₂S₄復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)中碳量子點(diǎn)CQDs和步驟(2)中CdIn₂S₄的用量比為0.01～0.10g：0.48～5.91g。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳量子點(diǎn)CQDs雜化CdIn₂S₄復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述真空干燥的溫度為50～80℃，干燥時(shí)間為6～10h。

5.一種碳量子點(diǎn)CQDs雜化CdIn₂S₄復(fù)合材料，其特征在于，通過(guò)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的制備方法制得，其中CQDs質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1～5％的產(chǎn)品。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種碳量子點(diǎn)CQDs雜化CdIn₂S₄復(fù)合材料的應(yīng)用，其特征在于，所述復(fù)合材料用于可見(jiàn)光下或太陽(yáng)光下催化降解羅丹明B或抗生素左氧氟沙星。