專(zhuān)利名稱(chēng)：帶有規(guī)整填料的物質(zhì)交換設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種規(guī)整填料(strukturierte Packung)以及一種包含這種類(lèi)型的規(guī)整填料的物質(zhì)交換設(shè)備(StofTaustauschapparat)，例如吸收塔(Absorptionskolonne)或角軍吸塔(Desorptionskolonne)。
背景技術(shù)：
在商業(yè)通用的實(shí)施形式中，規(guī)整填料實(shí)施成折疊(falten)的連續(xù)布置的金屬片 (Blech)，其結(jié)構(gòu)具有傾斜的且重復(fù)地交叉的通道(Kanal)。這些通道正面地影響在填料之內(nèi)的氣相和液相的流動(dòng)，并且有利于在相之間的物質(zhì)傳輸(Stofftransport)。也就是說(shuō)，在填料的通道中，將氣相和液相引入接觸中，并且由此有利于在相之間的物質(zhì)傳輸。為了提高規(guī)整填料的分離能力(Trermleistimg)，通常增大規(guī)整填料的表面，這大多數(shù)通過(guò)更大的層數(shù)量和/或更窄的通道幾何結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。然而這些措施導(dǎo)致在規(guī)整填料中的壓力降增大。但是由此導(dǎo)致，為了減小壓力降必須設(shè)置更小的填料表面，由此損害分離能力，即填料的效率。此外，可設(shè)置敞開(kāi)的交叉通道。敞開(kāi)的交叉通道意味著，更小地選擇通道相對(duì)于主流動(dòng)方向的傾斜角度。這意味著，根據(jù)應(yīng)用情況必須找到在壓力降和盡可能好的分離能力之間的最佳值。然而，交叉的通道具有多個(gè)接觸部位，其在一些應(yīng)用中正面地起作用，在其它應(yīng)用中也可負(fù)面地起作用。在流動(dòng)的液體的方向上觀看，在接觸部位的下游可形成死區(qū)，與位于規(guī)整填料上的剩余的液體相比，在該死區(qū)中液體以更小的程度參與物質(zhì)交換。從文件US 6，378，332 Bl 中已經(jīng)已知該現(xiàn)象，在該文件中描述了用于低溫(kryogen)精餾(Rektifikation)的填料， 其應(yīng)減小這種死區(qū)的出現(xiàn)。根據(jù)文件US 6，378，332 Bl的解決方案在于，在層之間通過(guò)每個(gè)單個(gè)層的交替地高的和不太高的折疊部減少接觸部位的數(shù)量。由此，從文件US 6, 378, 332 Bl中已知這樣的精餾方法，S卩，在其中使用這樣的規(guī)整填料，g卩，其具有這樣的交叉通道結(jié)構(gòu)，也就是說(shuō)由成波形(wellen)的或折疊的金屬片制成，金屬片以交叉的方式相疊地放置。鄰近的金屬片沿著波峰或棱邊觸碰(berilhren)。 在折疊的金屬片之間，易揮發(fā)的流體、尤其地氣相可在逆流中流向難揮發(fā)的流體、尤其地液相，其中，可發(fā)生物質(zhì)交換。在文件US 6，378，332 Bl中顯示出一種方法，用于減少在兩個(gè)鄰近的金屬片之間的接觸點(diǎn)的數(shù)量。為此設(shè)置成，如此改變波峰或棱邊的高度，即，每個(gè)金屬片的波峰或棱邊的僅僅一部分還具有最大的高度。由此，金屬片僅僅沿著帶有最大的高度的波峰部或棱邊彼此觸碰。根據(jù)文件US 6，378，332 Bl提出的填料的缺點(diǎn)在于其不充足的機(jī)械的穩(wěn)定性。此外，由于部分不太高的折疊部未優(yōu)化地利用幾何的交換面填充通過(guò)填料填充的體積，也就是說(shuō)，該結(jié)構(gòu)上的設(shè)計(jì)方案伴隨有物質(zhì)交換面的損失
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的為提供這樣的規(guī)整填料，S卩，在接觸點(diǎn)數(shù)量相同或更少時(shí)其具有改善的穩(wěn)定性。本發(fā)明的另一目的在于，尤其地在液態(tài)側(cè)受控的吸收器(Absorber)或解吸器 (Desorber)中改善物質(zhì)交換。解決方案在于這樣的吸收器或解吸器，即其包含用于規(guī)整填料的第一層。用于規(guī)整填料的第一層具有第一波形的輪廓(ftx)fil)，其中，通過(guò)該波形的輪廓構(gòu)造多個(gè)敞開(kāi)的通道。通道包括第一波谷、第一波峰以及第二波峰，其中，第一波峰和第二波峰限制第一波谷，其中，第一和第二波峰具有第一頂部(Scheitel)和第二頂部。在第一波峰的第一頂部上構(gòu)造有在第一頂部的方向上延伸的凹口(Einbuchtimg)，其中，第一波谷具有谷底 (Talgrund)，其中，凹口的至少一個(gè)點(diǎn)到波谷的谷底的垂直間距(Normalabstand)小于第一頂部到波谷的谷底的垂直間距。此外，設(shè)置有第二層，其中，第二層具有第二波形的輪廓，其中，如此布置第一層和第二層，即，第一層的通道與第二層的通道交叉(kreuzen)。第一層和第二層處于觸碰的接觸中，其中，該觸碰的接觸在凹口中的每一個(gè)的區(qū)域中中斷。由此，通過(guò)凹口實(shí)現(xiàn)用于液體流動(dòng)的引導(dǎo)的附加的可能性、以及接觸部位的這樣的布置方案，即，其使填料表面的最大的液體濕潤(rùn)成為可能。根據(jù)一種優(yōu)選的實(shí)施形式，在第二頂部上布置有第二凹口。備選地或補(bǔ)充地，可在第一谷底上布置第三凹口。顯然，可在層上設(shè)置多個(gè)第一、第二或第三凹口。每個(gè)層可包括第一邊緣限制部(Randbegrenzung)以及第二邊緣限制部，其中，第一邊緣限制部布置成基本上平行于第二邊緣限制部。尤其地，在第一邊緣限制部和第二邊緣限制部之間可布置多個(gè)凹口。為了在相同或更小數(shù)量的接觸點(diǎn)的情況下改進(jìn)穩(wěn)定性，層具有波形的輪廓，其中， 波高度基本上恒定。根據(jù)一種優(yōu)選的實(shí)施例，頂部的至少一部分構(gòu)造成棱邊和/或波谷的至少一部分構(gòu)造成V形。由此，規(guī)整填料包括根據(jù)前述實(shí)施例之一的第一層和第二層，其中，第二層具有與第一層相同的波形的輪廓，其中，如此布置第一層和第二層，即，第一層的通道和第二層的通道交叉。第一層和第二層處于觸碰的接觸中，優(yōu)選地，通過(guò)第一層的波峰的頂部與第二層的波谷的頂部觸碰。凹口可布置在第一和第二層中的每個(gè)上。通過(guò)凹口中斷第一層和第二層的接觸。根據(jù)本發(fā)明的填料由這樣的結(jié)構(gòu)化的層組成，S卩，其折疊全部相同高。由此保證了填料的高的穩(wěn)定性，尤其地在帶有大的直徑的塔中該穩(wěn)定性尤其重要。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)引入凹口實(shí)現(xiàn)單個(gè)層的交叉點(diǎn)數(shù)量的減小。這些凹口可構(gòu)造成透鏡形的凹陷部(Delle)，可例如通過(guò)層的頂部的塑性的變形施加該凹陷。在折疊的填料層的一定的部位處施加凹口，并且由此填料層可以特定的間距且在特定的部位處彼此分離。備選地，可通過(guò)設(shè)置空腔(在空腔中可安裝插入元件(Einsatzelement))將凹口設(shè)計(jì)到填料層中。此外，凹口的至少一部分在這樣的長(zhǎng)度上延伸，S卩，該長(zhǎng)度為頂部的長(zhǎng)度的直至 75%。有利地，凹口布置在第一或第二邊緣限制部中的至少一個(gè)之內(nèi)，以使得邊緣區(qū)域構(gòu)造成用于填料的提高的形狀穩(wěn)定性。可通過(guò)突起部(Erhebimg)中斷凹口中的每一個(gè)。可以與第二層的凹口至少部分地相疊的方式布置第一層的凹口。凹口可包括中間突起部，尤其地當(dāng)凹口延伸了直至頂部的長(zhǎng)度的75%時(shí)。中間突起部可位于鄰近的層的頂部上或布置成與該頂部成間距。層的每一個(gè)可包含孔。這種類(lèi)型的孔可使氣體和/或液體穿過(guò)到鄰近的層上更容易。這種類(lèi)型的孔可布置在折疊部的壁區(qū)域中、在波峰或波谷的頂部上或也可布置在凹口的區(qū)域中。根據(jù)一種可能性，通過(guò)變形方法與層的制造一起制造凹口。由此，可以最小的過(guò)程步驟數(shù)量實(shí)現(xiàn)層的制造。此外，凹口可在特定的部位(例如填料層的上棱邊和下棱邊)處通過(guò)壓入(Eindrilcken)、壓印或深拉伸從金屬片中加工出來(lái)。在相疊地放置單個(gè)的層時(shí)，通道分別在凹口的區(qū)域中不觸碰。在邊緣區(qū)域的至少每?jī)蓚€(gè)中，或者在層的上棱邊和下棱邊處或者在層的側(cè)棱邊處不存在凹口，從而存在足夠的接觸部位，以使得將鄰近的層彼此保持在通過(guò)波高度定義的間距中。通過(guò)在邊緣區(qū)域的每一個(gè)之內(nèi)設(shè)置多個(gè)凹口，引起接觸部位的顯著減少以及濕潤(rùn)的填料表面的最大化與此同時(shí)穩(wěn)定單個(gè)層且由此同樣穩(wěn)定由多個(gè)層組成的填料體。即使在限制敞開(kāi)的通道的頂部上存在凹口時(shí)，鄰近的填料層的間距也保持恒定。 頂部既可理解為波峰也可理解為棱邊，即，這樣的頂端，即，通過(guò)通道的兩個(gè)鄰近的側(cè)面構(gòu)造該頂端。為了清潔易揮發(fā)的流體、尤其氣體，在多個(gè)順序地進(jìn)行的部分步驟中進(jìn)行物質(zhì)交換。包含在氣體中的必須分離的組分通過(guò)對(duì)流和擴(kuò)散被輸送到相對(duì)于液體的邊界面處。緊接著組分必須經(jīng)過(guò)邊界面并且被容納在液體中。為了可改善物質(zhì)交換，有利的是，設(shè)置盡可能大的用于液體的物質(zhì)交換面。本發(fā)明的另一目的在于，如此選擇接觸點(diǎn)的布置方案，S卩，通過(guò)接觸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)物質(zhì)交換的最小化的變化。尤其地，在根據(jù)前述實(shí)施例之一的裝置中，接觸點(diǎn)以增多的方式布置在第一層的邊緣區(qū)域中。與背景技術(shù)(根據(jù)背景技術(shù)，力求接觸點(diǎn)的始終均勻的分布，但是減少接觸點(diǎn)的數(shù)量)相比，在本發(fā)明中可取消在填料的表面上的接觸點(diǎn)的均勻分布。因此，如果接觸部位更緊密地位于一起，則在接觸部位之后流動(dòng)收縮引起回流，由此減小在接觸部位之后的未濕潤(rùn)的面。因此，得到帶有較少的未濕潤(rùn)的面的較少的接觸部位，并且在總數(shù)上得到未濕潤(rùn)的填料表面相對(duì)于整個(gè)填料表面的最小的比例。根據(jù)裝置的一種有利的實(shí)施例，在層的每一個(gè)上存在多個(gè)凹口。在這種情況中，相同地構(gòu)建所有層，這減少制造成本。在這種形式中，通過(guò)連續(xù)地折疊帶，可連續(xù)地制造層，在此期間也可產(chǎn)生凹口。將折疊的且設(shè)有凹口的帶切割到期望的尺寸。已切割的帶部分產(chǎn)生層，其中，反轉(zhuǎn)每個(gè)第二層，以使得當(dāng)層以鄰近的方式彼此重疊地放置時(shí)產(chǎn)生層的交叉的布
置方案。一種物質(zhì)交換設(shè)備、尤其地塔可包括根據(jù)前權(quán)利要求中任一項(xiàng)的規(guī)整填料。一種用于清潔在包含規(guī)整填料的物質(zhì)交換設(shè)備中的流體的方法包括以下步驟將難揮發(fā)的流體輸送到物質(zhì)交換設(shè)備；輸送的難揮發(fā)的流體分布在填料的表面上；將易揮發(fā)的流體輸送到物質(zhì)交換設(shè)備中輸送到流體進(jìn)入?yún)^(qū)域；在氣體進(jìn)入?yún)^(qū)域中的易揮發(fā)的流體分布到填料的表面上，其中，易揮發(fā)的流體在相對(duì)于液體的逆流中流動(dòng)；收集易揮發(fā)的流體， 該易揮發(fā)的流體在流體離開(kāi)區(qū)域中離開(kāi)填料，其中，規(guī)整填料包含第一層和第二層，其中， 第一層和第二層具有帶有恒定的波高度的波形的輪廓，其中，通過(guò)波形的輪廓構(gòu)造敞開(kāi)的通道，其中，第一層的通道與第二層的通道交叉，其中，易揮發(fā)的流體通過(guò)通道從流體進(jìn)入?yún)^(qū)域在流體離開(kāi)區(qū)域的方向上流動(dòng)，其中，難揮發(fā)的流體包圍流動(dòng)通過(guò)通道的易揮發(fā)的流體，并且沿著通道壁流動(dòng)。第一層與第二層通過(guò)波峰的頂部處于觸碰的接觸中，以使得在通過(guò)通道形成的物質(zhì)交換面上進(jìn)行在易揮發(fā)的流體和難揮發(fā)的流體之間的物質(zhì)交換。通過(guò)使用凹口以及接觸部位的布置方案，使在物質(zhì)交換設(shè)備中的填料表面的最大的液體濕潤(rùn)成為可能。優(yōu)選地，由結(jié)構(gòu)化的層組成填料，其折疊部全部相同高。由此，產(chǎn)生填料的高的穩(wěn)定性，尤其地在帶有大的直徑的塔中該穩(wěn)定性尤其重要。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)將凹口引入兩個(gè)鄰近的層的至少每一個(gè)的波峰的頂部處，減少在單個(gè)層之間的交叉點(diǎn)數(shù)量。


下面根據(jù)圖紙解釋本發(fā)明。其中圖1顯示了包括多個(gè)填料層的根據(jù)本發(fā)明的裝置的視圖，圖加顯示了穿過(guò)根據(jù)本發(fā)明的兩個(gè)鄰近的填料層的截面圖，圖2b顯示了根據(jù)本發(fā)明的帶有成波形的輪廓的兩個(gè)鄰近的填料層的視圖，圖3顯示了在說(shuō)明難揮發(fā)的流體的流動(dòng)路徑的情況下的傳統(tǒng)的填料層的圖示，圖4顯示了根據(jù)按照背景技術(shù)的解決方案的節(jié)點(diǎn)的圖示，圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的節(jié)點(diǎn)的圖示，圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的節(jié)點(diǎn)的圖示，圖7a以透視圖顯示了在層上的根據(jù)本發(fā)明的凹口的布置方案的變型方案的圖示，圖7b顯示了在折疊部的方向上的根據(jù)圖7a的層的視圖，圖顯示了在橫向負(fù)載下的根據(jù)背景技術(shù)的填料的變形的圖解，圖8b顯示了在橫向負(fù)載下的根據(jù)本發(fā)明的填料的變形的圖解，圖9顯示了作為用于本發(fā)明的應(yīng)用示例的吸收設(shè)備的圖示，圖10顯示了用于氣體側(cè)受控的吸收系統(tǒng)或解吸系統(tǒng)所用的NTUM值的測(cè)量值，圖11顯示了用于液體側(cè)受控的吸收系統(tǒng)或解吸系統(tǒng)所用的NTUM值的測(cè)量值。
具體實(shí)施例方式圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明的包括規(guī)整填料7的幾個(gè)層的裝置1，這些層形成了填料體。規(guī)整填料7理解為用于在兩個(gè)流體的相之間的物質(zhì)交換的介質(zhì)。規(guī)整填料7使用在物質(zhì)交換設(shè)備2中。物質(zhì)交換設(shè)備可尤其地實(shí)施成塔5，其可用于吸收或解吸。規(guī)整填料7由多個(gè)層組成，其彼此處于有規(guī)律地重復(fù)的幾何關(guān)系中?？蛇x擇鄰近的層的間距作為用于該幾何的關(guān)系的示例。根據(jù)該幾何的關(guān)系，鄰近的層彼此的間距可周期性地采取相同值，從而從層的總和中得到這樣的結(jié)構(gòu)，即，其特征在于相同的或至少周期性相同的間距。該周期性發(fā)生在整個(gè)的規(guī)整填料中，由此填料包含有規(guī)律的結(jié)構(gòu)。尤其地， 該結(jié)構(gòu)可構(gòu)造成波形的輪廓。與此相反地，散裝填充體填料(Schiittfiillkdrperpackung)由散裝填充體組成，
也就是說(shuō)，由相同的幾何的結(jié)構(gòu)的元件組成，但是其中，每個(gè)散裝填充體相對(duì)于鄰近的散裝填充體可具有任意的間距，由此不可識(shí)別該間距的周期性。散裝填充體作為傾倒物 (Schuttung)被引入塔中。其在塔底部上形成堆積(Haufwerk)。該顆粒的特征在于單個(gè)散裝填充體的隨機(jī)布置。根據(jù)圖1的層由薄壁的元件組成，該元件具有波形的輪廓。波形的輪廓的特征在于，突起部(即波峰)和谷形的下沉部(即波谷)的周期形地重復(fù)的序列(Folge)。 該波形的輪廓可尤其地構(gòu)造成帶有具有朝向尖端伸延(zulaufen)的棱邊的鋸齒輪廓 (Zick-Zackprofil)的折疊部。如此相對(duì)于彼此布置層，即，兩個(gè)鄰近的層的波形的輪廓以一定的角度相對(duì)于主流動(dòng)方向傾斜。以彼此交叉的方式布置鄰近的層的波形的輪廓。圖加顯示了根據(jù)圖1的規(guī)整填料7的兩個(gè)鄰近的層10，100。第一層10布置成鄰近第二層100。尤其地，第一層10和第二層100可包括由金屬片或金屬織物制成的元件，但是此外備選地，也可包括由塑料或陶瓷制成的元件。在此，元件可包括整個(gè)的層，但是或者， 也可僅僅形成層的一部分。元件可具有板的形狀，其包括波形的輪廓，尤其地鋸齒形輪廓或帶有倒圓的頂端和谷底的波形的輪廓。元件可具有由塑料或陶瓷制成的覆層，以使得層相對(duì)于化學(xué)的影響(例如腐蝕)或熱的影響(例如溫度)或機(jī)械的影響(例如壓力)的穩(wěn)定性更強(qiáng)。在圖加中，在這樣的視圖中示出了第一層10和第二層100，S卩，該視圖顯示了填料7的第一表面8的區(qū)段。填料7的第一表面8布置成基本上垂直于(normal)主流動(dòng)方向6。將這樣的流動(dòng)方向稱(chēng)為主流動(dòng)方向6，S卩，在該流動(dòng)方向中，易揮發(fā)的流體、尤其地氣體在不帶安裝部(Einbauten)的塔中向上、即在塔5的頭部的方向上流動(dòng)。此外備選地，也可將相反的方向定義為主流動(dòng)方向。在這種情況中，主流動(dòng)方向相應(yīng)于這樣的方向，即，在該方向上難揮發(fā)的流體(也就是說(shuō)大多數(shù)情況液體)流經(jīng)不帶安裝部的塔(即在自由的情況中)。在填料中，該流動(dòng)方向局部地與主流動(dòng)方向不同，因?yàn)?，通過(guò)填料的層使流動(dòng)轉(zhuǎn)向。規(guī)整填料7的第一層10具有波形的輪廓，其中，通過(guò)波形的輪廓構(gòu)造多個(gè)敞開(kāi)的通道12，14，16。通道包括第一波谷22、第一波峰32以及第二波峰42。第一波峰32和第二波峰42限制第一波谷22。第一波峰32和第二波峰42具有第一頂部33和第二頂部43。 在第二波峰42的第二頂部43上構(gòu)造有在第二頂部43的方向上延伸的凹口 44。第一波谷 22具有谷底23。第一波谷22具有谷底23，其中，凹口 34的至少一個(gè)點(diǎn)相對(duì)于波谷22的谷底23的垂直間距27小于第一頂部33相對(duì)于波谷22的谷底23的垂直間距。在第一波峰32的第一頂部33和第一波谷22的谷底23之間的垂直間距稱(chēng)為波高度觀。相應(yīng)地，波高度觀大于垂直間距27。在根據(jù)本發(fā)明的層中，波高度觀尤其地基本上恒定，也就是說(shuō)，其位于通常的在0. 5mm的范圍內(nèi)的公差的范圍內(nèi)。在第一頂部33上也可布置第一凹口 ；34。可選地，也可在第一谷底23上布置第二凹口 24。規(guī)整填料7的第二層100具有波形的輪廓，其中，通過(guò)該波形的輪廓構(gòu)造多個(gè)敞開(kāi)的通道112，114，116。通道包括第一波谷122、第一波峰132以及第二波峰142。第一波峰132和第二波峰142限制第一波谷122。第一波峰132和第二波峰142具有第一頂部133 和第二頂部143。在第一波峰132的第一頂部133上構(gòu)造有在第一頂部133的方向上延伸的凹口 134。在第二波峰142的第二頂部143上構(gòu)造有在第二頂部143的方向上延伸的凹口 144。第一波谷122具有谷底123。與第二波峰142的第二頂部143距波谷122的谷底 123的垂直間距相比，凹口 134和凹口 144具有距波谷122的谷底123的更小的垂直間距。 頂部的至少一部分可構(gòu)造成棱邊。波谷的至少一部分可構(gòu)造成V形。根據(jù)圖加，對(duì)于層的所有波峰，在谷底和頂部之間的垂直間距基本上為相同的。圖2b顯示了帶有波形的輪廓的規(guī)整填料的兩個(gè)鄰近的層，根據(jù)該輪廓，頂部不形成尖的棱邊，而是實(shí)施成圓形。其它可參考圖加的描述。圖3顯示了接觸部位的布置對(duì)層(例如在圖加或213中所示出的填料的層10)的表面的可濕潤(rùn)性的影響。在此，圖3a顯示了根據(jù)背景技術(shù)的布置方案。層10覆蓋不可見(jiàn)的因?yàn)槲挥诶L圖平面之后的層100。在層10中示例性地顯示了第一頂部33、第二頂部43以及位于其間的谷底23。第一頂部和第二頂部33，43以及谷底23形成折疊棱邊。頂部33， 42位于谷底123上，谷底123屬于層100。顯然，層10和層100中的每一個(gè)分別包含多個(gè)其它頂部和谷底，未詳細(xì)繪出這些頂部和谷底，因?yàn)槠渑c繪出的頂部和谷底沒(méi)有區(qū)別。在圖 3中，與屬于谷底的線相比，更粗地繪出屬于波峰的頂部的線。此外，設(shè)置長(zhǎng)虛線用于第二層 100的波峰的頂部，以及短虛線用于層100的谷底。在層10的谷底和層100的頂部相遇的點(diǎn)處產(chǎn)生接觸部位48，在圖3中以圓圈標(biāo)記出接觸部位48。在所顯示的兩個(gè)層10，100中， 接觸部位均勻地分布在整個(gè)表面上。從圖3中可看出，接觸部位非常密集地位于一起，由此得到未濕潤(rùn)的表面的非常多的小的區(qū)域46，并且由此得到未濕潤(rùn)的表面相對(duì)于總填料面的相對(duì)大的份額。在圖3中僅僅顯示出唯一的區(qū)域46，箭頭47代表難揮發(fā)的流體的流動(dòng)。圖4顯示了這樣的情況，即，在該情況中例如通過(guò)層的折疊減少接觸部位，如在文件6，378，332B1中提出的那樣。雖然總地得到明顯更少的未濕潤(rùn)區(qū)域46，但是為此由于借助于箭頭47代表的難揮發(fā)的流體的流動(dòng)得到更大的未濕潤(rùn)的區(qū)域46。在該實(shí)施方案中，使液體流動(dòng)進(jìn)一步偏轉(zhuǎn)。在總數(shù)中再次得到在層10的總表面處的未濕潤(rùn)的表面的大的份額。 在圖8a中還將以細(xì)節(jié)涉及根據(jù)圖4的層的幾何的形狀。圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的在兩個(gè)鄰近的層10，100之間的接觸部位48的布置方案。層100布置在層10之后。在圖示方面參考圖3。在層10的表面方面，接觸部位的數(shù)量減小。尤其地，接觸部位不均勻地分布在表面上。相反地，如果少的接觸部位更窄地位于一起，流動(dòng)收縮引起在接觸部位之后的回流，由此再次減小在接觸部位之后的未濕潤(rùn)的面。因此，得到帶有更小的未濕潤(rùn)的面的少的接觸部位，并且在總數(shù)上得到未濕潤(rùn)的表面相對(duì)于層的總表面的最小的比例。層10包括第一邊緣限制部50以及第二邊緣限制部60，其中，第一邊緣限制部50 布置成基本上平行于第二邊緣限制部60。在層的垂直的取向中，邊緣限制部50展開(kāi)上邊界面，并且第二邊緣限制部60展開(kāi)下邊界面。此外，層10包括第一邊緣限制部51和第二邊緣限制部61。在層的垂直的取向上，第一邊緣限制部51和第二邊緣限制部61在鄰近物質(zhì)交換設(shè)備、尤其為塔的內(nèi)壁的填料中伸延。這樣的間隙聯(lián)接到上邊界面或下邊界面中的至少一個(gè)處，即，至少另一填料鄰接到該間隙處。
接觸部位48布置在第一和/或第二邊緣限制部50，51，60，61的附近。鄰近的層觸碰到該這些觸部位處。在邊緣限制部附近的這些接觸部位之間通過(guò)設(shè)置凹口至少部分地避免其它接觸部位。多個(gè)凹口(其可具有與根據(jù)圖加或圖2b的第一、第二或第三凹口 24， 34，44中之一相同的結(jié)構(gòu))可布置在第一邊緣限制部50，51和第二邊緣限制部60，61之間。顯然，凹口也可位于第一和第二邊緣限制部的至少每一個(gè)附近。此外，在圖6中示出另一變型方案，在其中，接觸部位不是并排地而是相疊地布置。在此，在接觸部位處向下的液體流動(dòng)也引起在接觸部位之間的未濕潤(rùn)的面的最小化。在圖7a以透視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的層10的視圖。圖7b為在折疊的方向上的根據(jù)圖7a的層的視圖。所屬的規(guī)整填料1包括第一層10和第二層100，其中，優(yōu)選地，第二層100具有與第一層10相同的波形的輪廓。如此布置第一層10和第二層100，即，第一層10的通道與第二層10的通道交叉。第一層10和第二層100通過(guò)第二層100的與第一層10的波峰相對(duì)的波谷的頂部處于觸碰的接觸中。第一和第二頂部33，43，133，143位于第一和第二層10，100的每一個(gè)上。優(yōu)選地，與在圖5或圖6中相同地布置形成觸碰點(diǎn)的第一和第二頂部33，43，133，143。在圖中，利用圓圈示出觸碰點(diǎn)。在不存在圓圈的部位處不出現(xiàn)觸碰點(diǎn)而出現(xiàn)凹口。出于簡(jiǎn)單性原因，在圖7中未以圖紙的方式示出第二層100。第一層10的凹口 24， 44在至少一個(gè)點(diǎn)中具有相對(duì)于第二層100(在圖7中布置在之上)的波谷的未示出的第一和第二頂部的間距。優(yōu)選地，如此布置位于第一邊緣限制部50附近的凹口 44，S卩，其構(gòu)造成在層10的第一側(cè)11上的凹入部。布置在第一邊緣限制部50和第二邊緣限制部60之間的凹口 M構(gòu)造成在層10的第二側(cè)13上的凹口。層10的第一側(cè)11布置成與第二側(cè)13相對(duì)，并且形成層的相應(yīng)一個(gè)表面。尤其地，在第一和第二層10，100的垂直的取向中，凹口可布置在彼此之下。此外， 備選地或以組合的方式，在第一和第二層的垂直的取向中，凹口可并排布置。沿著層10，100的頂部也可布置其它凹口，其不必或不必僅僅構(gòu)造成凹陷部。這種類(lèi)型的凹口可包括空腔，在該空腔中包含帶有相對(duì)于鄰近的層的頂部具有間距的輪廓的插入元件。如此設(shè)計(jì)該輪廓，即，其至少局部段地不超過(guò)垂直的折疊高度。折疊高度理解為在波峰和鄰近的波谷之間的間距。當(dāng)波峰在其頂部處具有有限的(endlich)彎曲時(shí)，該間距定義為兩個(gè)平行于彼此的頂部點(diǎn)切線的垂直間距。當(dāng)彎曲為無(wú)限的時(shí)，也就是說(shuō)頂部是尖的并且由此最高點(diǎn)不具有明確地確定的切線時(shí)，通過(guò)最高點(diǎn)設(shè)定這樣的平面，即，其包含層的側(cè)邊的所有頂部點(diǎn)。同樣通過(guò)波谷的最深的點(diǎn)設(shè)定這樣的平面，即，其包含波谷以及其它波谷的所有點(diǎn)。兩個(gè)平面應(yīng)彼此平行。由此，折疊高度為在兩個(gè)平面之間的垂直間距。根據(jù)前述實(shí)施例中之一的凹口在頂部或棱邊的一部分上延伸。可從用于層的坯件 (例如填料金屬片)中通過(guò)變形(即壓入、壓印或深拉伸)制造凹口。有利地，凹口單側(cè)地布置在折疊的波峰或波谷的頂部上。該布置方案的優(yōu)點(diǎn)在于，可以無(wú)限長(zhǎng)的方式制造坯件?？捎蓭Р牧现瞥蛇@種類(lèi)型的坯件，例如這種類(lèi)型的坯件可構(gòu)造成板形的金屬片。緊接著，從帶材料中切割出確定的長(zhǎng)度的區(qū)段。例如通過(guò)彎曲方法將該區(qū)段轉(zhuǎn)變成波形的輪廓。此外備選地，應(yīng)用這樣的帶材料，即，其已經(jīng)具有波形的輪廓。之后，帶有波形的輪廓的已切割的區(qū)段形成層。在彎曲過(guò)程期間可為波形的輪廓疊加變形過(guò)程，以使得在彎曲過(guò)程期間制造凹口。再次通過(guò)反轉(zhuǎn)每個(gè)第二波形的輪廓以匹配的方式相疊地放置第一層10和第二層100。在所有層之間存在至少一排在上和下邊緣限制部附近的和/或在側(cè)向的邊緣限制部附近的凹口。優(yōu)選地，凹口的深度在層高度的10%至30%的范圍中，從而在剛好該值范圍中的單個(gè)層之間得到間隙。對(duì)于含水的系統(tǒng)，該間隙為最小1.5mm。更窄的間隙可為不利的，因?yàn)橐后w、尤其地水可粘附在兩個(gè)鄰近的棱邊之間，可保留在該處并且可形成液體橋 (Fliissigkeitsbriicke)。在圖8a中示出了根據(jù)已知的帶有不同高度的折疊以用于減少接觸部位的結(jié)構(gòu)形式的層。該結(jié)構(gòu)形式的缺點(diǎn)在于，在對(duì)上側(cè)和下側(cè)進(jìn)行加載時(shí)壓緊(zusammenstauchen) 層，其中，箭頭20，21指出力的方向，在該方向上將層壓緊。折疊包括第一頂部65以及第二頂部85以及位于之間的波谷75。第一和第二頂部65，85可與未示出的鄰近的層接觸。形成折疊部的中間波谷66和中間波峰67位于第一頂部65和谷底75之間。中間波谷66具有中間谷底68，并且中間波峰67具有中間頂部69。在中間谷底68和中間頂部69之間的垂直間距70小于在頂部65和谷底75之間的垂直間距71。在圖8a中顯示的實(shí)施例中，垂直間距70約為垂直間距71的一半。由此，通過(guò)中間波谷66和中間波峰67形成半高的折疊。半高的折疊用作變皺區(qū)(Knautschzone)，并且可使半高的折疊變形。通過(guò)該變形一方面不可建立穩(wěn)定的填料體，另一方面不可實(shí)現(xiàn)遵守填料的固定的層高度。層高度相應(yīng)于之前定義的垂直間距71。通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)形式可避開(kāi)該問(wèn)題。如圖8b顯示的那樣，在每個(gè)折疊上的帶有凹口的層可更少地被壓縮，并且由此可在上側(cè)和下側(cè)上層可經(jīng)受更高的負(fù)載。這使穩(wěn)定的填料體的結(jié)構(gòu)成為可能，并且保證基本上恒定的層高度以用于獲得特定的填料表面。此外，凹口的表面可供物質(zhì)交換使用。這意味著，不僅與背景技術(shù)相比，而且與傳統(tǒng)的填料(其具有帶有恒定的波高度的波形的輪廓的交叉的層)相比可期待在物質(zhì)交換面方面獲益。圖9顯示了吸收設(shè)備90。吸收設(shè)備90包括兩個(gè)物質(zhì)交換設(shè)備，吸收器91和解吸器92，其尤其地實(shí)施成塔。在吸收設(shè)備中，在吸收器91中從氣流中分離一種或多種組分。 為此，應(yīng)用液態(tài)的溶劑或吸收介質(zhì)。在解吸器92中，使溶劑或吸收介質(zhì)凈化不帶有容納的組分。吸收和精餾均為分離方法，以用于從當(dāng)前的使用流(EinSatZStr0m)93中分離出一種或多種組分。應(yīng)用精餾方法，以用于基于單個(gè)組分的不同的沸點(diǎn)分離液體混合物，其中，精餾理解為連續(xù)的蒸餾，其尤其地包括多個(gè)分離階段。相反地，在吸收時(shí)，借助于合適的溶劑或吸收介質(zhì)94從氣流中吸收一種或多種組分，并且由此將其從氣流中分離。由此，吸收器91的塔頂產(chǎn)物(Kopfprodukt)為已清潔的氣流95。吸收器91的塔底產(chǎn)物 (Sumpfprodukt)96為加載有該一種或多種組分的吸收介質(zhì)或溶劑。出于經(jīng)濟(jì)性、能量的或生態(tài)的原因，可為有意義的是，清潔吸收介質(zhì)或溶劑，并且再次將其作為已清潔的溶劑或吸收介質(zhì)94重新輸送到吸收器處。在解吸器92中進(jìn)行吸收介質(zhì)或溶劑的清潔。加載的吸收介質(zhì)或溶劑，即，吸收器的塔底產(chǎn)物96形成解吸器的使用流。根據(jù)圖10，該使用流作為液體進(jìn)給到解吸器中。解吸器92可包含根據(jù)前述實(shí)施例中的一個(gè)的一個(gè)或多個(gè)填料。加載的溶劑或吸收介質(zhì)在解吸器的塔底(Sumpf)95的方向上流動(dòng)。在塔底中使吸收介質(zhì)或溶劑至少部分地蒸發(fā)，為此設(shè)置塔底蒸發(fā)器98。在塔底蒸發(fā)器中蒸發(fā)的吸收介質(zhì)或溶劑包含待分離的組分，并且在塔中的上升期間容納來(lái)自加載的吸收介質(zhì)或溶劑的在塔底的方向上流動(dòng)的使用流的待分離的組分。由此，在解吸器中產(chǎn)生氣態(tài)的部分流99，其富含有待分離的組分。或者可以熱的方式(也就是說(shuō)通過(guò)冷凝)或者通過(guò)其它置于之后的分離步驟將待分離的組分與氣態(tài)的部分流99分離。此外備選地或補(bǔ)充地，當(dāng)相對(duì)于吸收器解吸器在較低的壓力下運(yùn)行時(shí)，可設(shè)置去降壓裝置，或者當(dāng)相對(duì)于吸收器解吸器在較高的壓力下運(yùn)行時(shí)，可設(shè)置壓縮裝置。通常，在精餾時(shí)由于塔底相對(duì)于頭部的溫度差在兩個(gè)方向上進(jìn)行在氣體和液體之間的物質(zhì)傳輸。難蒸發(fā)的流體從氣態(tài)的相中液化并且在液體中被吸收，并且，易揮發(fā)的流體從液態(tài)的相中蒸發(fā)到氣態(tài)的相中。在吸收時(shí)，僅僅在一個(gè)方向上進(jìn)行物質(zhì)傳輸，在此，由液體吸收氣體。但是，現(xiàn)在在精餾和吸收之間的區(qū)別在于，在精餾時(shí)氣體流和液體流相互耦合，相反地在吸收時(shí)，可彼此獨(dú)立地調(diào)整兩個(gè)流在精餾時(shí)蒸發(fā)一定量的液體，并且其在塔的塔頭部的方向上向上升起。全部的蒸氣在塔頭部處液化，并且至少部分地再次作為液體流被引導(dǎo)回到塔中。相應(yīng)地，最大可設(shè)想的液體量為到達(dá)塔頭部處的全部液化的蒸氣量。如果在塔底中較多的液體蒸發(fā)，則同樣較多的液體可回流。就此而言，兩個(gè)流相互耦合并且物質(zhì)傳輸決定性地取決于蒸氣流。因此，通常在氣體側(cè)控制精餾應(yīng)用。與此相反地，在吸收應(yīng)用中可借助于泵和鼓風(fēng)機(jī)調(diào)整不同的運(yùn)行條件可將大的吸收介質(zhì)流與相對(duì)小的氣體流引入接觸或反之亦然。此外，吸收介質(zhì)可以不同的方式與氣體組分相結(jié)合(binden):以物理的方式、通過(guò)化學(xué)反應(yīng)或既以物理的方式又通過(guò)化學(xué)方式。在此，用于一定的氣體組分的吸收介質(zhì)或溶劑的選擇以及在氣體和液體中的濃度對(duì)于以下是決定性的，即，是在氣體側(cè)還是在液體側(cè)控制物質(zhì)傳輸。為了檢驗(yàn)根據(jù)本發(fā)明的填料的可用性，制造了填料的樣件O^rototyp)，其包含根據(jù)本發(fā)明的凹口以用于減少接觸點(diǎn)的數(shù)量。在研究的情況中，通過(guò)凹口產(chǎn)生的在兩個(gè)頂部點(diǎn)之間的間距為2. 5mm。對(duì)于樣件，接觸部位的數(shù)量從37500m_3減少到18000m_3，由此相對(duì)于背景技術(shù)，在相同的205m2/m3的總表面積的情況下接觸部位的數(shù)量減少約50%。將該樣件與帶有相同的幾何面的例如根據(jù)CH398503的不帶凹口的已知的填料相比較。在樣件中，通過(guò)凹口減少了接觸部位的數(shù)量。此外，將沿著交叉通道流動(dòng)的氣體部分地作為分支流通過(guò)凹口導(dǎo)引到鄰近的交叉通道中。然而，在樣件中，由于改變的氣體流動(dòng)， 可預(yù)料減小的分離效果。首先在帶有300mm的內(nèi)直徑的吸收塔中試驗(yàn)以上提及的樣件。在此，利用水從空氣中吸收異丙醇。在此，涉及主要?dú)怏w側(cè)受控的系統(tǒng)，與精餾相似。如預(yù)料的那樣，對(duì)于樣件測(cè)得較少的過(guò)渡單元數(shù)量或NTUM(每米的傳輸單元數(shù)量)，這在圖10中作為第一系列的測(cè)量點(diǎn)52，53，討的示出。NTUM數(shù)量越大，填料在物質(zhì)過(guò)渡方面效率更高。該圖示示例性地顯示了用于根據(jù)CH398503的填料和根據(jù)本發(fā)明的填料的對(duì)于選擇為1. 5Pa°_5的F因數(shù)的NTUM。改變液體負(fù)載L。F因數(shù)為用于在空的塔中的平均氣體速度乘以氣體密度的方根的指標(biāo)(Mass)。F因數(shù)與氣體的動(dòng)能成比例。用于根據(jù)CH398503的已知的填料的測(cè)量點(diǎn) 55，56，57顯示出比用于根據(jù)本發(fā)明的填料的測(cè)量點(diǎn)52，53，54更大的NTUM。因此，到目前為止的發(fā)現(xiàn)指出，雖然根據(jù)本發(fā)明的填料利用減少的接觸部位減小壓力損失，但是附加地也導(dǎo)致分離能力的降低，這可從圖10中根據(jù)較低的NTUM值看出。因此，這種填料對(duì)于吸收和精餾來(lái)說(shuō)看來(lái)好像沒(méi)有好處(Nutzen)，并且由此基本上與在文件 US6, 378，322B1中介紹的顯然對(duì)于精餾有利的填料不同。出人意料地，從其它試驗(yàn)中得到，存在這樣的物質(zhì)系統(tǒng)，S卩，對(duì)于該物質(zhì)系統(tǒng)根據(jù)本發(fā)明的填料得到分離能力的改善。第二試驗(yàn)的物質(zhì)系統(tǒng)為利用含水的氫氧化鈉溶液 (NaOH)從空氣中吸收CO2，其中，以化學(xué)的方式結(jié)合C02。圖11顯示了用于帶有用于約10 至80m3/m2h的液體負(fù)載的試樣的系統(tǒng)的測(cè)量點(diǎn)，其中，用于試樣的測(cè)量點(diǎn)58，59，63，64，72， 73，74具有比用于已知的填料的測(cè)量點(diǎn)78，79，83，84，86，87，88更高的NTUM值。如圖11顯示的那樣，盡管改變的氣體流動(dòng)，根據(jù)本發(fā)明的帶有減小的接觸部位數(shù)量的試樣的填料導(dǎo)致與參考填料至少同樣好的分離能力。這意味著，在某種系統(tǒng)中，實(shí)際上可通過(guò)減少接觸部位和接觸部位的合適的布置改善分離能力。同樣，通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的填料可避免壓力損失。圖11的下方的曲線101顯示了在1. 5Pa0·5的F因數(shù)時(shí)在增加帶有難揮發(fā)的流體的物質(zhì)交換設(shè)備的負(fù)載時(shí)，用于根據(jù)文件CH398503的市場(chǎng)通用的規(guī)整填料的NTUM，其中，在X 軸上以m3/m2h表示負(fù)載L。與此相比，圖11的上方的曲線102顯示了用于根據(jù)本發(fā)明的規(guī)整填料的NTUM0在相同的負(fù)載L時(shí)對(duì)于所有考慮的測(cè)量點(diǎn)得到，在使用帶有凹口的填料的情況下的NTUM大于對(duì)于不帶凹口的填料的NTUM。在其中根據(jù)本發(fā)明的填料具有優(yōu)點(diǎn)的系統(tǒng)主要用在廢氣的吸收的處理 (Aufbereitung)中，在其中應(yīng)借助于反應(yīng)性的含水的溶液從廢氣流中提取有問(wèn)題的組分。 在此，作為示例的是借助于含水的吸收介質(zhì)(其可包含有機(jī)的或無(wú)機(jī)的堿性(basisch)物質(zhì)，例如MEA(單乙醇胺)或碳酸鉀)從發(fā)電裝置廢氣中吸收有害環(huán)境的C02。因此，為什么在某種應(yīng)用中接觸部位的減少導(dǎo)致更好的吸收能力的假設(shè)的內(nèi)容是通過(guò)所使用的液體的不良的濕潤(rùn)特性在填料層上的接觸部位之后形成這樣的區(qū)域，即， 完全不由液體濕潤(rùn)該區(qū)域。由此，液體不可在整個(gè)周緣上濕潤(rùn)全部表面。在接觸部位處防止液體繼續(xù)流動(dòng)，截住液體并使其朝向側(cè)向偏轉(zhuǎn)。類(lèi)似地，也可確定的是，水作為膜在平的面上向下流并且突然通過(guò)引入的對(duì)象(例如放置到平面上的指部)干擾該流動(dòng)。在該對(duì)象之后膜流動(dòng)裂開(kāi)并且產(chǎn)生干燥的未濕潤(rùn)的面，當(dāng)從流中移除該對(duì)象時(shí)才再次濕潤(rùn)該面。在這樣的吸收應(yīng)用(即，在其中由于根據(jù)本發(fā)明的改變產(chǎn)生的惡化的氣體流動(dòng)對(duì)分離能力沒(méi)有負(fù)面影響)中，得到改善的分離能力。在異丙醇從空氣到水中的系統(tǒng)(氣體側(cè)地控制該系統(tǒng))中，填料面的濕潤(rùn)度幾乎對(duì)物質(zhì)交換無(wú)影響。相反地，改變的氣體流動(dòng)不利地作用于物質(zhì)交換。在液體側(cè)地受控的系統(tǒng)(如(X)2從空氣到NaOH中)中填料面的完全的濕潤(rùn)引起NTUM的提高。
權(quán)利要求
1.一種吸收器或解吸器，包含用于規(guī)整填料的第一層(10)，所述第一層(10)具有第一波形的輪廓，其中，通過(guò)所述第一波形的輪廓構(gòu)造多個(gè)敞開(kāi)的通道(12，14，16)，其中，所述通道包括第一波谷(22)、第一波峰(3 以及第二波峰(42)，其中，所述第一波峰(32)和所述第二波峰0 限制所述第一波谷(22)，其中，所述第一和所述第二波峰具有第一頂部 (33)和第二頂部(43)，其特征在于，在所述第一波峰(3 的第一頂部(3 上構(gòu)造有在所述第一頂部(3 的方向上延伸的凹口(34)，其中，所述第一波谷0 具有谷底(23)，其中，所述凹口(34)的至少一個(gè)點(diǎn)到所述波谷02)的谷底03)的垂直間距(XT)小于所述第一頂部(33)到所述波谷(22)的谷底(23)的垂直間距(觀)，其中，設(shè)置有第二層(100)， 其中，所述第二層(100)具有第二波形的輪廓，其中，如此布置所述第一層(10)和所述第二層(100)，S卩，使得所述第一層(10)的通道與所述第二層(100)的通道交叉，其中，所述第一層(10)和所述第二層(100)處于觸碰的接觸中，其特征在于，所述觸碰的接觸在所述凹口 (24,34,44)的區(qū)域中中斷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收器或解吸器，其特征在于，在所述第二頂部G3)上布置有第二凹口 (44)。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，在所述第一谷底 (23)上布置有第三凹口 (24) 0
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，所述吸收器或所述解吸器包括第一邊緣限制部(50，51)以及第二邊緣限制部(60，61)，其中，所述第一邊緣限制部(50，51)布置成基本上平行于所述第二邊緣限制部(60，61)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的吸收器或解吸器，其特征在于，所述第一、第二或第三凹口 (24,34,44)布置在所述第一邊緣限制部(50，51)和所述第二邊緣限制部(60，61)之間。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，所述第一、第二以及第三凹口 04，34，44)中的至少一個(gè)構(gòu)造成透鏡形的凹陷部。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，波高度08)基本上恒定。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，所述頂部(33，43)的至少一部分構(gòu)造成棱邊。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，所述波谷的至少一部分構(gòu)造成V形。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，所述凹口04， 34,44)布置在所述第一和第二層(10，100)中的每一個(gè)上。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，所述凹口04， 34,44)在這樣的長(zhǎng)度上延伸，即，所述長(zhǎng)度為所述頂部(33，43)的長(zhǎng)度的直至75%。
12.根據(jù)權(quán)利要求4至11中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，所述凹口 (24,34,44)構(gòu)造在所述第一或第二邊緣限制部(50，51，60，61)中的至少一個(gè)之內(nèi)。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，以與所述第二層(100)的凹口 04，34，44)至少部分地相疊的方式布置所述第一層(10)的凹口(M，34，44)。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，所述凹口04，·34，44)包括中間突起部。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的吸收器或解吸器，其特征在于，所述第一或第二層(10，100)中的至少一個(gè)包含孔。
全文摘要
一種吸收器或解吸器包含用于規(guī)整填料的第一層(10)，第一層(10)具有波形的輪廓，其中，通過(guò)該波形的輪廓構(gòu)造多個(gè)敞開(kāi)的通道(12，14，16)，其中，通道包括第一波谷(22)、第一波峰(32)以及第二波峰(42)。第一波峰(32)和第二波峰(42)限制第一波谷(22)，其中，第一和第二波峰具有第一頂部(33)和第二頂部(43)。在第一波峰(32)的第一頂部(33)上構(gòu)造有在第一頂部(33)的方向上延伸的凹口(34)。第一波谷(22)具有谷底(23)，其中，凹口(34)的至少一個(gè)點(diǎn)到波谷(22)的谷底(23)的垂直間距(27)小于第一頂部(33)到波谷(22)的谷底(23)的垂直間距(28)。
文檔編號(hào)B01J19/32GK102369056SQ201080012631
公開(kāi)日2012年3月7日 申請(qǐng)日期2010年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月18日
發(fā)明者I·奧斯納, M·迪斯, R·普呂斯 申請(qǐng)人:蘇舍化學(xué)技術(shù)有限公司