專利名稱：：催化劑載體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及催化劑載體，具體地說，涉及通過在氧化鋁質(zhì)基體的表面上形成含有堿土金屬和/或堿金屬的催化劑負(fù)載層而成的催化劑載體。
背景技術(shù)：
：氧化鋁質(zhì)的催化劑載體被廣泛用于化學(xué)工業(yè)中的各種反應(yīng)中。由于氧化鋁質(zhì)的催化劑載體易于成形，因此可以制造蜂窩、泡沫等壓力損失小的催化劑載體。然而，氧化鋁由于表面具有弱酸性基團(tuán)因而存在容易發(fā)生副反應(yīng)的問題。另外，含有堿土金屬和/或堿金屬的催化劑載體也被廣泛使用。例如，在日本特開2005-199264號中記載了一種催化劑載體，該催化劑載體是將第l成分的堿土金屬的氧化物，第2成分的選自鈧、釔和鑭系元素所組成的組中的至少l種元素的氧化物和第3成分的氧化鋯或者以氧化鋯為主成分的物質(zhì)混合和成形，然后燒成而形成的。另外，該催化劑載體優(yōu)選是作為用于使天然氣體發(fā)生改性反應(yīng)而制造以氬氣和一氧化碳為主成分的合成氣體的催化劑載體。制得的合成氣體成為制造各種制品的原料，或者成為制造甲醇、合成汽油、二曱醚(DME)等這樣的清潔燃料的原料。但是，上述專利申請中的催化劑載體難以成形，難以成為蜂窩、泡沫等多孔質(zhì)。上述日本特開2005-199264號記載了使用氧化鋁等泡沫陶瓷作為基體，在該基體的表面上形成有含有堿土金屬的氧化物的被覆層的催化劑載體。由于泡沫陶瓷的壓力損失小，所以使4用該泡沫陶瓷作為基體的催化劑載體的壓力損失也小。如上述日本特開2005-199264號記載，在氧化鋁質(zhì)基體上形成含有堿土金屬的氧化物的催化劑負(fù)載層時(shí)，催化劑負(fù)載層內(nèi)的堿土金屬向基體內(nèi)移動(dòng)而與該基體內(nèi)的氧化鋁反應(yīng)，導(dǎo)致基體強(qiáng)度降低，隨著催化劑負(fù)載層內(nèi)的催化劑成分減少而引起反應(yīng)性降低。在曰本特開昭50-90590號中記載了氧化鋁與石威土金屬的反應(yīng)特別是當(dāng)氧化鋁是"氧化鋁時(shí)很顯著。然而，當(dāng)如上述天然氣體的改性反應(yīng)那樣暴露于非常高溫條件下時(shí)，即使是耐熱性優(yōu)異的a-氧化鋁也會(huì)與堿土金屬反應(yīng)，導(dǎo)致載體強(qiáng)度降低、反應(yīng)性降低。
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的問題本發(fā)明的目的在于提供催化劑載體，該催化劑載體通過在氧化鋁質(zhì)基體的表面上形成含有堿土金屬和/或堿金屬的催化劑負(fù)載層而成，可以防止或者抑制堿土金屬和/或堿金屬向基體移動(dòng)而與基體內(nèi)的氧化鋁反應(yīng)。本發(fā)明人等進(jìn)行了各種研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，如后述圖l所示，在基體l和催化劑負(fù)載層3之間設(shè)置與基體的反應(yīng)性非常小的氧化鋯質(zhì)層2，可以有效地抑制堿土金屬或者堿金屬與基體的反應(yīng)，尤其發(fā)現(xiàn)如后述圖5所示，具有3pm以上厚度的氧化鋯質(zhì)層相對于基體表面存在一定比例以上是有效果的，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明的催化劑載體是通過在具有三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的氧化鋁質(zhì)基體的表面上形成含有堿土金屬和堿金屬中的至少一種的催化劑負(fù)載層而成的催化劑載體，其特征在于，在該基體與催化劑負(fù)載層之間形成由氧化鋯和穩(wěn)定化氧化鋯中的至少一種構(gòu)成的氧化鋯質(zhì)層，該氧化鋯質(zhì)層中厚度為3pm以上的部位占基體表面的65%以上。該氧化鋯質(zhì)層的平均厚度優(yōu)選為330nm。用于形成該氧化鋯質(zhì)層的原料的粒徑優(yōu)選為5(am以下。前述基體優(yōu)選為a-氧化鋁。前述基體優(yōu)選具有每英寸540孔(540cellsperinch)的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。前述催化劑負(fù)載層優(yōu)選含有選自鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)和鋇(Ba)所組成的組中的至少l種;威土金屬的氧化物。前述催化劑負(fù)載層優(yōu)選含有第l成分、第2成分和第3成分，其中，該第l成分是選自鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)和鋇(Ba)所組成的組中的至少l種堿土金屬的氧化物，該第2成分是選自鈧(Sc)、釔(Y)和鑭系元素所組成的組中的至少l種元素的氧化物，該第3成分是氧化鋯或以氧化鋯為主成分的具有固體電解質(zhì)性質(zhì)的物質(zhì)。前述氧化鋯質(zhì)層優(yōu)選由選自氧化鋯、氧化鈣穩(wěn)定化氧化鋯、氧化鎂穩(wěn)定化氧化鋯、氧化釔穩(wěn)定化氧化鋯和氧化鈰穩(wěn)定化氧化鋯所組成的組中的至少l種構(gòu)成。本發(fā)明的催化劑載體在基體與催化劑負(fù)載層之間形成氧化鋯質(zhì)層，該氧化鋯質(zhì)層具有難以與堿土金屬和/或堿金屬反應(yīng)的性質(zhì)。因此，通過該氧化鋯質(zhì)層可以防止或者抑制催化劑負(fù)載層中的堿土金屬和/或堿金屬向基體中移動(dòng)。在基體表面的65%以上的區(qū)域，該氧化鋯質(zhì)層的厚度為3jim以上，因此可以真正地防止或者抑制石成土金屬和/或石咸金屬向基體中移動(dòng)。在本發(fā)明中，氧化鋯質(zhì)層的平均厚度為330^im時(shí)，不會(huì)發(fā)6防止或者抑制石咸土金屬和/或義威金屬向基體中移動(dòng)。在本發(fā)明中，用于形成該氧化鋯質(zhì)層的原料的粒徑為5pm以下時(shí)，可以得到膜厚均勻的氧化鋯質(zhì)層。在本發(fā)明中，前述基體優(yōu)選為a-氧化鋁。與"氧化鋁相比，a-氧化鋁的強(qiáng)度高且與堿土金屬和堿金屬的反應(yīng)性低。圖1是實(shí)施方式所涉及的催化劑載體10的截面示意圖。圖2是表示實(shí)施例1的試樣的截面的SEM照片。圖3是表示通過EPMA測得的圖2的方框內(nèi)的元素分析結(jié)果的圖。圖4是表示在實(shí)施例1~7和比較例14的熱處理試驗(yàn)前后的MgO平均浸透距離的測定結(jié)果的圖。圖5是繪制在實(shí)施例16和比較例4中耐熱性確認(rèn)試驗(yàn)前后的氧化鋯質(zhì)層厚度與MgO的浸透距離的關(guān)系得到的圖。具體實(shí)施方式下面參照附圖對本發(fā)明的催化劑載體的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。圖1是實(shí)施方式所涉及的催化劑載體10的截面示意圖。該催化劑載體10包括基體1、在該基體l的表面上形成的氧化鋯質(zhì)層2、在該氧化鋯質(zhì)層2的表面上形成的催化劑負(fù)載層3。在該催化劑負(fù)載層3中負(fù)載有催化劑成分。該基體l由具有三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的泡沫陶瓷(ceramicfoam)構(gòu)成。該基體l的材質(zhì)是a-氧化鋁、Y-氧化鋁、堇青石、氧化鋁/堇青石、莫來石、氧化鋁/氧化鋯等氧化鋁質(zhì)的物質(zhì)。其中，在適當(dāng)?shù)臏囟葪l件下使用時(shí)，特別優(yōu)選(X-氧化鋁。泡沫陶瓷由于使用例如網(wǎng)狀化軟質(zhì)聚氨酯泡沫作為起始基材，因此形成為在孔隙結(jié)構(gòu)中具有很大特征的均勻的連續(xù)氣孔的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多孔質(zhì)體。泡沫陶覺的基本結(jié)構(gòu)為在網(wǎng)狀聚氨酯泡沫的骨架表面涂布陶瓷原料，通過燒成或者燒結(jié)將聚氨酯泡沫部分燒去，僅剩下陶瓷部分而得到的結(jié)構(gòu)。因此，孔隙率高達(dá)80~90%，進(jìn)一步通過將其變?yōu)樘沾刹牧?，可以調(diào)整耐熱性、耐沖擊性、強(qiáng)度、壓力損失等。本發(fā)明的泡沫陶瓷的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)為每英寸540孔(在直線上每25.4mm排列的氣泡數(shù)的平均值。以下記為CPI。)左右，優(yōu)選為每英寸1030孔左右。該CPI值根據(jù)泡沫陶瓷的顯微鏡照片計(jì)算得到。該基體1的表面上形成有氧化鋯質(zhì)層2。該氧化鋯質(zhì)層2的材質(zhì)優(yōu)選為選自氧化鋯、氧化鈣穩(wěn)定化氧化鋯、氧化鎂穩(wěn)定化氧化鋯、氧化釔穩(wěn)定化氧化鋯、氧化鈧穩(wěn)定化氧化鋯和氧化鈰穩(wěn)定化氧化鋯所組成的組中的至少l種。作為用于形成該氧化鋯質(zhì)層2的原料，可以使用氧化鋯、穩(wěn)定化氧化鋯、氫氧化鋯、硝酸鋯、碳酸鋯、氯化鋯、醋酸鋯等、通過在氧化氣氛中燒成而生成上述氧化鋯質(zhì)層2的物質(zhì)，優(yōu)選使用氧化鋯和/或穩(wěn)定化氧化鋯。用于形成該氧化鋯質(zhì)層2的原料的平均粒徑優(yōu)選為5fim以下，更優(yōu)選為liim以下。粒徑為5pm以下時(shí)，可以在具有三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的基體l上形成均勻且無斑的氧化鋯質(zhì)層2。另外，在本發(fā)明中，平均粒徑是通過動(dòng)態(tài)光散射法測定的值。作為在基體1上形成氧化鋯質(zhì)層2的方法，理想的是采用例如下面的方法。即，制作含有規(guī)定比率的用于形成氧化鋯質(zhì)層2的原料的漿料，進(jìn)行一次或者重復(fù)多次將基體l浸漬于該漿料中然后再拉出使其干燥的操作從而形成涂膜。(另外，由于該涂膜是未燒成的，在下面將其稱作生涂膜。)該漿料的濃度適宜為2050wt。/。左右。在漿料中也可以含有增粘劑、分散劑。然后，在1000。C以上，優(yōu)選在12001500。C下燒成形成氧化4告質(zhì)層2。在尺寸較大的多孔質(zhì)體上形成氧化鋯質(zhì)層2時(shí)，可以將漿料散布到基體l上形成上述生涂膜。該氧化鋯質(zhì)層2的厚度為3jim以上的部位占基體表面的65%以上，優(yōu)選為85%以上。另外，厚度為3(im以上的部位少于65%時(shí)，催化劑負(fù)載層3中的堿土金屬和/或石威金屬容易向基體l中移動(dòng)。另外，該氧化鋯質(zhì)層2的平均厚度優(yōu)選為330]am,特別優(yōu)選為530nm。平均厚度小于3fim時(shí)，催化劑負(fù)載層3中的堿土金屬和/或堿金屬容易向基體l中移動(dòng)。氧化鋯質(zhì)層的平均厚度大于30pm時(shí)，在催化劑載體10中可能會(huì)發(fā)生阻塞、壓力損失變大。該氧化鋯質(zhì)層2的厚度是對催化劑載體的切斷面通過EPMA分析測定氧化鋯質(zhì)層2的厚度后，在同一切斷面的SEM照片中對氧化鋁基體的垂直方向上進(jìn)行修正后求得的值。該氧化鋯質(zhì)層2在催化劑載體10總體中所占的重量比例優(yōu)選為2wt。/。以上，特別優(yōu)選為540wt%。少于2wt。/。時(shí)，催化劑負(fù)載層3中的堿土金屬和/或堿金屬容易向基體l中移動(dòng)。另外，多載層3變少，催化劑負(fù)載功能降低。該氧化鋯質(zhì)層2的表面形成有含有堿土類金屬和/或堿金屬的催化劑負(fù)載層3。作為堿土金屬，適宜使用選自鎂(Mg)、4丐(Ca)、鍶(Sr)和鋇(Ba)所組成的組中的至少l種。作為石咸金屬，適宜使用選自鉀(K)、鈉(Na)、銫(Cs)、鋰(Li)所組成的組中的至少l種。該催化劑負(fù)載層3也可以含有以下的第l成分、第2成分和第3成分。第l成分為選自鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)和鋇(Ba)所組成的組中的至少l種石威土金屬的氧化物。在這些氧化物中，特別適宜為氧化鎂(MgO)或者是含有氧化鈣(CaO)的氧化鎂。第2成分為選自鈧(Sc)、釔(Y)和鑭系元素所組成的組中的至少l種元素的氧化物。更具體地，為選自鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)和釤(Sm)所組成的組中的至少l種元素的氧化物。在這些氧化物中，特別適宜的是鈰(Ce)的氧化物。第3成分為選自氧化鋯、氧化鈣穩(wěn)定化氧化鋯、氧化鎂穩(wěn)定化氧化鋯、氧化釔穩(wěn)定化氧化鋯、氧化鈧穩(wěn)定化氧化鋯和氧化鈰穩(wěn)定化氧化鋯所組成的組中的至少l種。其中，特別適宜的是氧化鋯或者氧化釣穩(wěn)定化氧化鋯。作為在氧化鋯質(zhì)層2上形成通過含有這樣的3種成分而構(gòu)成的催化劑負(fù)載層3的方法，理想的是采用例如下面的方法。即制作以氫氧化物、氧化物、硝酸鹽、碳酸鹽、醋酸鹽等形態(tài)含有規(guī)定比率的上述第l成分、第2成分和第3成分的基本構(gòu)成元素而成的漿料，在該漿料中，進(jìn)行一次或者多次將上述基體l中的形成有氧化鋯質(zhì)層2的面浸潰再拉出使其干燥的操作從而形成涂膜(生涂膜)。該漿料的濃度適宜為2050wt。/。左右。然后在1000。C以上優(yōu)選在12001500。C下燒成/人而形成催化劑負(fù)載層3。在尺寸較大的帶有氧化鋯質(zhì)層2的基體1上形成催化劑負(fù)載層3時(shí)，可以將漿料散布到帶有氧化鋯質(zhì)層2的基體1上而形成上述生涂膜。3種成分的皮膜的形成可以分別進(jìn)行。即，例如可以在10形成了MgO皮膜后形成Ce02、Zr02的皮膜或者相反地進(jìn)行。另外，也可以依次使用3種成分的漿料來形成皮膜，還可以多次重復(fù)這一操作。在這樣形成的催化劑載體10中，也可以負(fù)載根據(jù)目標(biāo)反應(yīng)的活性金屬而制成催化劑。作為活性金屬可以列舉銠、鉑等。為了將活性金屬負(fù)載于催化劑載體IO,適宜附著活性金屬的鹽的溶液，然后干燥、燒成。實(shí)施例下面列舉實(shí)施例和比較例對本發(fā)明進(jìn)行更具體地說明。催化劑載體的制造實(shí)施例1-4按照以下方法制造具有圖1結(jié)構(gòu)的催化劑載體。首先，作為形成基體的多孔質(zhì)體，準(zhǔn)備外徑16mm、厚度5mm的盤狀a-氧化鋁制泡沫(抹式會(huì)社普利司通制造，M-6。孔數(shù)為每英寸30孔。)。另夕卜，作為氧化鋯質(zhì)層的原料，將丫203穩(wěn)定化Zr02(TOSOHCORPORATION制造的"TZ-3Y-E"，平均粒徑為10(im)在球磨機(jī)中進(jìn)行24小時(shí)濕式粉碎，使其微粉碎為粒徑l.Opm以下以供使用。重復(fù)進(jìn)行將上述基體浸漬于上述氧化鋯質(zhì)層的漿料(濃度40wt%)中再拉出使其干燥的操作，在基體表面形成丫203穩(wěn)定化Zr02的生涂膜。接著，在空氣中，1400°C下燒成2小時(shí)在基體上形成具有表l所示的厚度和量(重量比例)的氧化鋯質(zhì)層。接著，將制備的以重量比計(jì)Ce02:Zr02:MgO-l:l:l的催化劑載體成分的燒結(jié)體粉碎從而制備催化劑負(fù)載層用漿料(濃度40%)。使用該漿料在上述氧化鋯質(zhì)層上與上述相同地形成催化劑載體成分的生被膜，在空氣中、1320。C下燒成2小時(shí)形成表l所示的催化劑負(fù)載層的量(重量比例)。實(shí)施例5、6作為形成基體的多孔質(zhì)體，除了實(shí)施例5使用孔數(shù)為每英寸34孔、實(shí)施例6使用孔數(shù)為每英寸20孔的a-氧化鋁泡沫(均為抹式會(huì)社普利司通制造的M-6，形狀和尺寸與實(shí)施例14相同。)以外，與實(shí)施例14同樣地制造催化劑載體。氧化鋯質(zhì)層的厚度和量以及催化劑負(fù)載層的量示于表l。實(shí)施例7除了不進(jìn)行氧化鋯質(zhì)層原料的微粉碎等粒徑控制而直接使用以外，與實(shí)施例l同樣地制造催化劑載體。氧化鋯質(zhì)層的厚度和量以及催化劑負(fù)載層的量示于表l。比專交例1除了不設(shè)置氧化鋯質(zhì)層而直接在基體上形成催化劑負(fù)載層以外，與實(shí)施例l同樣地制造催化劑載體。催化劑負(fù)載層的量如表1所示。比專交例2除了按照下面的方法形成MgO(氧化鎂)層來代替氧化鋯質(zhì)層以外，采用與實(shí)施例l同樣的方法制造催化劑載體。泡沫材料與實(shí)施例l相同。作為MgO層的原料，將MgO(協(xié)和化學(xué)工業(yè)(林)制造的">f口《義-r5Q"(商品名)，平均粒徑為2nm)制備成未經(jīng)過粒徑控制的濃度40wt。/。的漿料，并將其附著于上述基體的表面形成生涂膜。接著，在空氣中、H0(TC下燒成2小時(shí)，在基體上形成MgO層。MgO層的厚度和量以及催化劑負(fù)載層的量示于表l。比壽交例3作為氧化鋯質(zhì)層的原料，除了將CaO穩(wěn)定化Zr02(巴工業(yè)(抹)制造的"ZCO-GW-l",平均粒徑為45pm)不經(jīng)過粒徑控制而直接使用來代替Y203穩(wěn)定化Zr02以外，與實(shí)施例l同樣地制造催化劑載體。氧化鋯質(zhì)層的厚度和量以及催化劑負(fù)載層的量示于表l。另外，在這種情況下，厚度3pm以上的氧化鋯質(zhì)層的比例如表1所示為25%。比庫交例4除了將氧化鋯質(zhì)層的厚度變小以外，與實(shí)施例1同樣地制造催化劑載體。氧化鋯質(zhì)層的厚度和量以及催化劑負(fù)載層的量示于表l。為了確認(rèn)抑制堿金屬或者堿土金屬向基體內(nèi)擴(kuò)散的效果，進(jìn)一步對上述實(shí)施例17和比較例l-4的試樣在空氣中、1200°C下實(shí)施50小時(shí)的熱處理。對于熱處理前后的試樣，^按照下面的方法測定氧化鋯質(zhì)層的厚度以及MgO向基體中的浸透距離。氣化鋯質(zhì)層的厚度和催化劑負(fù)載層中的MgO向基體中的浸透距離的測定方法實(shí)施例17和比4支例14的各試樣中的氧化4告質(zhì)層的厚度(比較例1、2中不存在。)和催化劑負(fù)載層中的MgO向基體中的浸透距離按照下面的方法來進(jìn)行測定。首先，對各試樣的切斷面，使用EPMA(電子探針顯微分析儀)以Y元素(比較例-3是Ca穩(wěn)定化Zr02,所以是Ca元素)作為指標(biāo)測定基體表面的丫203穩(wěn)定化Zr02層的分布，以Mg元素作為指標(biāo)測定氧化鋁基體內(nèi)部的MgO分布。使用EPMA裝置附帶的SEM拍攝測定部位的SEM照片，將對氧化鋯質(zhì)層的厚度和MgO的浸透距離在與氧化鋁基體垂直的方向上進(jìn)行修正，由8個(gè)點(diǎn)以上的測定數(shù)據(jù)計(jì)算出氧化鋯質(zhì)層的平均厚度和MgO的平均浸透距離。圖2表示比較例1的試樣的截面的SEM照片，圖3表示圖2的方框內(nèi)的EPMA元素分析結(jié)果13的圖。根據(jù)上述氧化鋯質(zhì)層厚度的測定結(jié)果，將厚度為3pm以上的測定位置的比例(％)作為"3jim以上的氧化4告質(zhì)層的比例"。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>由表l可知，在熱處理前(制備載體時(shí))實(shí)施例17的試樣的MgO從催化劑負(fù)載層向基體的平均浸透距離小，即使在進(jìn)一步進(jìn)行1200。Cx50小時(shí)的熱處理后，MgO向基體的平均浸透距離也4交小。相反，與實(shí)施例17相比，不具有氧化鋯質(zhì)層的比較例l和用MgO層代替氧化鋯質(zhì)層的比較例2在熱處理前(制備載體時(shí))的MgO的平均浸透距離較大，在制備階段發(fā)生MgO的浸透。并且，在熱處理中MgO的平均浸透距離進(jìn)一步變大。即使如比專交例2那樣在負(fù)載催化劑負(fù)載層前預(yù)先存在易于與基體反應(yīng)的堿土金屬，也幾乎看不到其抑制效果。另外，與實(shí)施例17相比，3(im以上的氧化鋯質(zhì)層的比例小于65%的比較例3、4在熱處理前(制備載體時(shí))的MgO的平均浸透距離稍微變大，但在熱處理中，MgO的平均浸透距離變大，可以確i人，MgO的浸透抑制效果^[氐。比較例3雖然形成有與實(shí)施例l等量的Ca穩(wěn)定化氧化鋯質(zhì)層，但由于氧化鋯質(zhì)層的原料粉末的粒徑很大，為45pm，沒有經(jīng)過原料粒徑的控制，因此認(rèn)為氧化鋯質(zhì)層的形成變得不均勻。結(jié)果，3pm以上的氧化鋯質(zhì)層的比例低，為25%,進(jìn)一步氧化鋯層的平均厚度也變低，為1.8pm,認(rèn)為抑制MgO向基體浸透的效果降低了。對氧化鋯質(zhì)層的厚度和MgO浸透距離的關(guān)系的理解通過實(shí)施例16和比較例4的各測定點(diǎn)的It據(jù)確認(rèn)氧化錯(cuò)-質(zhì)層的厚度與MgO浸透距離的關(guān)系的結(jié)果示于圖5。如圖5所示，氧化鋯質(zhì)層的厚度變?yōu)?pm以下時(shí)，MgO的擴(kuò)散變得顯著。本發(fā)明雖然使用了特定的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不超出本發(fā)明意圖和范圍內(nèi)對本發(fā)明作各種變更。特愿2008-225969)，本發(fā)明引用其全部內(nèi)容。權(quán)利要求1.一種催化劑載體，其通過在具有三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的氧化鋁質(zhì)基體的表面上形成含有堿土金屬和堿金屬中的至少一種的催化劑負(fù)載層而成，其特征在于，在該基體與催化劑負(fù)載層之間形成有由氧化鋯和穩(wěn)定化氧化鋯中的至少一種構(gòu)成的氧化鋯質(zhì)層，該氧化鋯質(zhì)層中厚度為3μm以上的部位占基體表面的65％以上。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的催化劑載體，其特征在于，該氧化鋯質(zhì)層的平均厚度為330pm。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的催化劑載體，其特征在于，用于形成該氧化鋯質(zhì)層的原料的粒徑為5pm以下。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的催化劑載體，其特征在于，所述基體是a-氧化鋁。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的催化劑載體，其特征在于，所述基體具有每英寸540孔的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的催化劑載體，其特征在于，所述催化劑負(fù)載層含有選自鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)和鋇(Ba)所組成的組中的至少1種^威土金屬的氧化物。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的催化劑載體，其特征在于，所述催化劑負(fù)載層含有第l成分、第2成分和第3成分，該第l成分是選自鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)和鋇(Ba)所組成的組中的至少l種堿土金屬的氧化物，該第2成分是選自鈧(Sc)、釔(Y)和鑭系元素所組成的組中的至少l種元素的氧化物，該第3成分是氧化鋯或以氧化鋯為主成分的具有固體電解質(zhì)性質(zhì)的物質(zhì)。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的催化劑載體，其特征在于，所述氧化鋯質(zhì)層由選自氧化鋯、氧化鈣穩(wěn)定化氧化鋯、氧化鎂穩(wěn)定化氧化鋯、氧化釔穩(wěn)定化氧化鋯和氧化鈰穩(wěn)定化氧化鋯所組成的組中的至少l種構(gòu)成。全文摘要本發(fā)明涉及一種通過在氧化鋁質(zhì)基體的表面上形成含有堿土金屬和/或堿金屬的催化劑負(fù)載層而成的催化劑載體?？梢苑乐够蛘咭种茐A土金屬和/或堿金屬向基體移動(dòng)而與基體內(nèi)的氧化鋁反應(yīng)。在具有三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的氧化鋁質(zhì)基體(1)的表面上形成有含有堿土金屬和/或堿金屬的催化劑負(fù)載層(3)。在基體(1)與催化劑負(fù)載層(3)之間形成有由氧化鋯和/或穩(wěn)定化氧化鋯構(gòu)成的氧化鋯質(zhì)層(2)。在基體表面的65％以上區(qū)域，氧化鋯質(zhì)層(2)的厚度為3μm以上。通過該氧化鋯質(zhì)層可以防止或者抑制催化劑負(fù)載層中的堿土金屬和/或堿金屬向基體中移動(dòng)。文檔編號B01J32/00GK101664702SQ20091016729公開日2010年3月10日申請日期2009年9月2日優(yōu)先權(quán)日2008年9月3日發(fā)明者今川健一,山元智弘,執(zhí)行康成,皆見武志申請人:株式會(huì)社普利司通;千代田化工建設(shè)株式會(huì)社