專利名稱：高產(chǎn)出的四極離子阱的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明公開的實(shí)施例通常涉及用于運(yùn)行線性離子阱的裝置和方法。
背景技術(shù)：
線性離子阱在質(zhì)譜學(xué)的許多領(lǐng)域中找到許多應(yīng)用。這些應(yīng)用典型地需
要串聯(lián)質(zhì)譜學(xué)(MS/MS)技術(shù)，高質(zhì)荷(m/z)比的測(cè)量，大動(dòng)態(tài)范圍，精度， 高質(zhì)量數(shù)據(jù)和處理能力的幫助。這尤其是在生物或生物化學(xué)應(yīng)用的情況 中。例如在蛋白質(zhì)組學(xué)領(lǐng)域中，其中需要分析儀器識(shí)別小分子和大分子， 以及確定分子結(jié)構(gòu)，并且需要快速完成且提供高質(zhì)量的結(jié)果。需要這些儀 器用以識(shí)別單個(gè)樣本中成千上萬個(gè)覆蓋大動(dòng)態(tài)范圍的縮氨酸。也需要基于 串聯(lián)質(zhì)譜學(xué)或縮氨酸MS/MS分裂的縮氨酸識(shí)別。另外，該技術(shù)的特殊領(lǐng) 域典型地需要高度自動(dòng)化以在最短時(shí)間內(nèi)收納大量數(shù)據(jù)。由于這些原因， 因此尋求允許線性離子阱滿足該需求的新的裝置和方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，公開了一種與傳統(tǒng)的三部分線性離子阱相比，能夠提供 允許增加了功能的通用性的裝置和方法。設(shè)置線性離子阱，該離子阱具有 軸向，并在空間上分割為至少兩個(gè)分區(qū)，包括第一和第二分區(qū)。在操作中， 分區(qū)將初始數(shù)量的離子在空間上分割為至少第一離子數(shù)量和第二離子數(shù) 量，并使對(duì)應(yīng)于所述第一離子數(shù)量的離子基本上與對(duì)應(yīng)于第二離子數(shù)量的 離子同時(shí)排出離子阱離子被從離子阱中排出。離子可以沿著基本上與軸向 方向正交的方法排出。
每個(gè)分區(qū)可有效地獨(dú)立，在離子從離子阱屮排出之前，能夠操作獨(dú)
6立于所述第二離子數(shù)量的第一離子數(shù)量；在相同的條件下產(chǎn)生上述離子。 可以在兩個(gè)或者多個(gè)分區(qū)中同時(shí)操作上述離子?？梢圆捎梅至?，隔離或者 其他任何可以影響離子行為的工藝的形式。
該線性離子阱具有多個(gè)電極，每個(gè)電極分為多個(gè)部分。每個(gè)部分包括 三部分電極組件。
由于該裝置允許快速執(zhí)行串聯(lián)(MS/MS)質(zhì)譜學(xué)試驗(yàn)，且僅需要來自離 子源的一個(gè)填充。并且，將原始離子分為漸增的很窄范圍的m/z值允許在 它們的空間電荷限制內(nèi)優(yōu)化捕獲區(qū)域的離子容量。
在本發(fā)明的一個(gè)方面中，在初始離子數(shù)量進(jìn)入線性離子阱之前，可以 在空間上分割它，例如根據(jù)質(zhì)荷比。在該種情況下，通過分割初始數(shù)量， 線性離子阱運(yùn)行以在線性離子阱內(nèi)保持初始數(shù)量的空間分割。
根據(jù)本發(fā)明另外一方面，通過在用于離子運(yùn)動(dòng)且具有第一 q參數(shù)的(a,q) 穩(wěn)定區(qū)圖中，將離子從穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域移動(dòng)至不穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū) 域，排出與第一離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的離子，以及在用于離子運(yùn)動(dòng)且具有第二q 參數(shù)的(a,q)穩(wěn)定區(qū)圖中，將離子從穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域移動(dòng)至不穩(wěn)定的離 子運(yùn)動(dòng)區(qū)域，而排出與第二離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的離子，所述第一和第二q參數(shù) 彼此不同。
根據(jù)本發(fā)明另外一方面，所述線性離子阱包括多個(gè)分區(qū)，所述多個(gè)分 區(qū)軸向放置，每個(gè)分區(qū)與多個(gè)伸長的電極相關(guān)聯(lián)，并且每個(gè)分區(qū)的電極具 有r。值，其與相鄰分區(qū)的電極的r。值相同。
根據(jù)本發(fā)明另外一方面，所述線性離子阱包括多個(gè)分區(qū)，所述多個(gè)分 區(qū)軸向放置，每個(gè)分區(qū)與多個(gè)伸長的電極相關(guān)聯(lián)，并且每個(gè)分區(qū)的電極具 有r。值，其與相鄰分區(qū)的電極的r。值不同。在這個(gè)實(shí)施例中，在用于離 子運(yùn)動(dòng)且q參數(shù)基本相同的(a,q)穩(wěn)定區(qū)圖中，將穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域中的 離子移動(dòng)至不穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域，而排出與第一離子數(shù)量和第二離子數(shù) 量對(duì)應(yīng)的離子。


為了更好的理解本發(fā)明的性質(zhì)和目標(biāo)，結(jié)合附圖，參考下述詳細(xì)描述， $中
圖1示出了包括線性離子阱的質(zhì)譜儀的結(jié)構(gòu)。
圖2是用于說明一維線性離子阱的基本設(shè)計(jì)的透視圖。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的包括線性離子阱的質(zhì)譜儀的結(jié)構(gòu)。
圖4a,4b和4c是根據(jù)本發(fā)明的用于示出線性離子阱如何構(gòu)造為提供 分區(qū)的示意性說明。
圖5是用于說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的方法的流程圖。
圖6a至6d說明了一種方式，其中分割過程可以用于離子數(shù)量的分區(qū)。
圖7說明了另一種方式，其中分隔過程可以用于離子數(shù)量的分區(qū)。
圖8是根據(jù)本發(fā)明另-方面的用于示出分區(qū)的線性離子阱結(jié)構(gòu)的示 意性說明。
圖9是用于說明根據(jù)本發(fā)明另一方面的方法的流程圖。 在附圖的幾個(gè)視圖中，相同的附圖標(biāo)記始終表示對(duì)應(yīng)的部分。
具體實(shí)施例方式
圖1說明了典型的線性離子阱質(zhì)譜儀的結(jié)構(gòu)100。該結(jié)構(gòu)100包括適 當(dāng)?shù)碾x子源110，例如腔室120中的電噴霧離子源。在腔室120中形成的 離子經(jīng)由加熱的毛細(xì)管140傳導(dǎo)至第二腔室130，并通過透鏡裝置150到 達(dá)第三腔室160。進(jìn)入第三腔室160的離子由四極離子向?qū)?70導(dǎo)引，并 到達(dá)裝在真空室190中的二維(線性)四極離子阱180。由離子源110產(chǎn)生 的離子直接或間接進(jìn)入離子阱180。
四極離子阱基本使用四極場(chǎng)以捕獲離子。在純四極場(chǎng)中，通過被稱為 Mathieu方程的二階差分方程的解來數(shù)學(xué)地描述離子的運(yùn)動(dòng)。該解可以擴(kuò) 展用于應(yīng)用到所有射頻(RF)和直流(DC)四極設(shè)備的一般情況，其中該設(shè)備 包括二維和三維四極離子阱。二維四極阱在美國專利Na5420425中描述過，且其被并入本文作為參考。
圖2說明了線性或二維(2D)四極離子阱200的四極電極/桿的結(jié)構(gòu)。該 四極結(jié)構(gòu)包括兩組相對(duì)的電極，其包括限定了伸長的內(nèi)部體積的桿，其中 該內(nèi)部體積具有沿坐標(biāo)系統(tǒng)的z方向的中心軸。 一個(gè)X組相對(duì)的電極包 括沿著坐標(biāo)系統(tǒng)x軸布置的桿215和220， 一個(gè)Y組相對(duì)的電極包括沿著 坐標(biāo)系統(tǒng)的y軸布置的桿205和210。正如所說明的，每個(gè)桿205， 210， 215，220被切割為主要或中心部分230以及前面的部分和后面的部分235， 240。
在控制器290的控制下，由施加于X和Y組電極/桿的RF四極捕獲電 勢(shì)徑向約束離子。射頻(RF)電壓施加于桿，其中一相施加于X組，而相 對(duì)相施加于Y組。這在x和y方向上建立了 RF四極約束場(chǎng)，并使得離子 在這些方向被捕獲。
為了在軸向(z方向)約束離子，控制器290可以構(gòu)造為將DC電壓施加 于中心分區(qū)230的電極，或者改變?cè)揇C電壓，其中該中心分區(qū)不同于前 分區(qū)和后分區(qū)235， 240。這樣，除了的四極場(chǎng)的徑向約束外，在z方向 形成DC"電勢(shì)井"，從而導(dǎo)致在全部三維約束離子。
在桿205， 210， 215， 220中一個(gè)的至少一個(gè)屮心部分230屮定義孔 245。通過該孔245，控制器290進(jìn)一步通過在垂直于中心軸的方向上施 加或改變額外的AC雙極電場(chǎng)，而有助于基于捕獲的離子在垂直于中心軸 方向的質(zhì)荷比，有選擇性地排出該捕獲的離子。在該示例中，該孔和施加 的雙極電場(chǎng)在X組的桿中。也可以使用其它恰當(dāng)?shù)姆椒ㄊ沟秒x子被排出， 例如離子在桿之間被噴出。
一種獲得被約束的離子的質(zhì)譜的方法是改變捕獲參數(shù)，使得增加了質(zhì) 荷比的值的捕獲離子變得不穩(wěn)定。有效地，該離子的動(dòng)能被激勵(lì)使得它們 變得不穩(wěn)定。這些不穩(wěn)定的離子產(chǎn)生超出了捕獲結(jié)構(gòu)邊界的軌道，并通過 電極結(jié)構(gòu)中的一個(gè)孔或一系列孔離開四極場(chǎng)。
順序被排出的離子通常沖擊倍增電極195，并且從該倍增電極發(fā)出的 次級(jí)粒子被發(fā)射至隨后的檢測(cè)器裝置的元件。該檢測(cè)器裝置的位置和類型 會(huì)變化，例如該檢測(cè)器裝置沿著離子阱的長度延伸。通過該描述，倍增電極被認(rèn)為是檢測(cè)器裝置的一部分，其它元件是例如為電子乘法器，預(yù)放大 器，等其它類似設(shè)備的元件。
應(yīng)當(dāng)理解如本領(lǐng)域所公知的，在質(zhì)量分析系統(tǒng)中可以使用不同的裝置。 例如，分析設(shè)備可以構(gòu)造為使得離子從離子阱軸向地而不是徑向地被排 出。可以使用有效的軸向用以將線性離子阱耦合至另一質(zhì)量分析器，例如
傅立葉變換RF四極分析器，飛行時(shí)間分析器，三維離子阱，Orbitrap 或其它類型的混合結(jié)構(gòu)的質(zhì)量分析器。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的質(zhì)譜器結(jié)構(gòu)300，其包括線性離子 眺380。可以看出，該結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出在圖1中示出和描述的結(jié)構(gòu)的所有部件， 除了線性離子阱380和倍增電極395。在該結(jié)構(gòu)中，線性離子阱380包括 多重分區(qū)，相鄰于每個(gè)離散的分區(qū)放置多個(gè)倍增電極395。在該特殊的結(jié) 構(gòu)中，在多重分區(qū)線性離子阱的任一側(cè)放置倍增電極395，以充分檢測(cè)從 離子阱中排出的所有離子?？梢岳斫獗对鲭姌O的數(shù)量，以及它們的位置不 限于所說明的，并且如圖1所示，倍增電極可以僅在線性離子阱的一側(cè)放 置，或者相鄰于每隔一個(gè)分區(qū)放置，或者例如包括軸向放置的倍增電極。 在該方面，應(yīng)當(dāng)注意圖3不一定代表從離子阱中排出離子(典型地被噴射 和/或抽取)的方向，但是僅代表它們從軸向和/或徑向被排出的事實(shí)。除了 其它情況之外，排出的軌跡取決于所采用的結(jié)構(gòu)。
在運(yùn)行中，圖3的線性離子阱結(jié)構(gòu)用于從多重分區(qū)的線性離子阱380 中同時(shí)排出離子，并由多個(gè)倍增電極395檢測(cè)排出的離子。在離子沒有同 時(shí)從多個(gè)部分的線性離子阱380的所有分區(qū)中排出的情況下，多組的至少 兩個(gè)分區(qū)在任意一個(gè)時(shí)間將它們的離子排出，第二次和其它隨后排出的結(jié) 果可以和第一次排出的結(jié)果求和，以產(chǎn)生單個(gè)質(zhì)譜。
與在圖1中說明且在美國專利No.5420425中詳細(xì)描述的傳統(tǒng)的三部分 線性離子阱相比，利用多重分區(qū)的四極離子阱允許在功能上增加通用性。 將線性離子阱在空間上分割成多個(gè)準(zhǔn)獨(dú)立的分區(qū)會(huì)提供一種結(jié)構(gòu)，其有助 于在這些分區(qū)中存儲(chǔ)的離子被獨(dú)立操作，并允許在獨(dú)立的分區(qū)中同時(shí)執(zhí)行 離子處理。另外，它允許在相同條件下幾乎同時(shí)從相同的源發(fā)出的預(yù)定數(shù) 量的離子被同時(shí)操作，檢測(cè)或其他的處理或分析。每個(gè)離子數(shù)量也可以在
10隨后的檢測(cè)，處理或分析之前被獨(dú)立操作。
一種實(shí)現(xiàn)質(zhì)譜數(shù)據(jù)質(zhì)量改進(jìn)的應(yīng)用是將掃描輸出擴(kuò)展的質(zhì)量范圍優(yōu) 化。另一種實(shí)現(xiàn)質(zhì)譜數(shù)據(jù)質(zhì)量改進(jìn)的應(yīng)用是在給定掃描速率的情況下，什 么時(shí)候試圖減少掃描時(shí)間。這些應(yīng)用的一部分將在下面更詳細(xì)描述。
圖4a， 4b和4c說明了兩種根據(jù)本發(fā)明的線性離子阱的實(shí)現(xiàn)方式。線 性離子阱380構(gòu)造為提供多個(gè)(至少兩個(gè))基本離散的捕獲體積或分區(qū) 410，當(dāng)一種電和/或磁隔離機(jī)構(gòu)被激活時(shí)，這些分區(qū)中的每一個(gè)或這些分 區(qū)的組合彼此電隔離，當(dāng)分區(qū)被"組裝"或電隔離裝置無效時(shí)，其能組合 用作連續(xù)設(shè)備。該線性離子阱380能夠使圖4a巾示出的初始數(shù)量的離子 420被影響或被物理細(xì)分，使得預(yù)定數(shù)量的離子在多重分區(qū)的離子阱的一 個(gè)或多個(gè)分區(qū)410中被空間定位，如圖4b和4c所說明的。
可以通過產(chǎn)生空間分割線性離子阱380的勢(shì)壘來提供線性離子阱的多 重分區(qū)。在本發(fā)明的一個(gè)方面，通過激勵(lì)相應(yīng)的多極桿組件430，例如包 括四桿電極的四極桿組件，來產(chǎn)生或激活分區(qū)。每個(gè)多桿組件圍繞多重分 區(qū)的線型離子阱的軸至少部分限定分區(qū)或捕獲體積(即限定至少分區(qū)或捕 獲體積的一個(gè)端部)。這些多極桿組件可以包括單個(gè)部分或連續(xù)的桿，或 包括多個(gè)部分的桿。在該捕獲體積中，通過將RF和DC電勢(shì)的組合應(yīng)用 于多極桿組件，而在一個(gè)或多個(gè)部分中徑向和軸向限制離子。
在木發(fā)明的一個(gè)方面中，如圖4b所說明的，通過三部分的多極桿組件 440和450構(gòu)造線性離子阱380的分區(qū)。第一個(gè)三部分的多極桿組件440 能夠運(yùn)行產(chǎn)生捕獲體積410a，其主要被限制在組件440的中心部分。第 二個(gè)二部分的多極桿組件450能夠運(yùn)行產(chǎn)生捕獲體積410b，其主要被限 制在組件450的中心部分。
在本發(fā)明的另一方面，如圖4c所說明的，線性離子阱380的分區(qū)由三 部分的多極桿組件460， 470和480重新構(gòu)造。但是，在該種情況下，第 一個(gè)二.部分的多極桿組件460的第三部分也用作第二個(gè)三部分的多極桿 組件470的第一部分。類似地，第二個(gè)三部分的多極桿組件470的第三部 分也用作第三個(gè)三部分的多極桿組件480的第一部分。三部分的多極桿組 件有效重疊，并且在運(yùn)行中能夠產(chǎn)生捕獲體積410c， 410d和410e，該捕
ii獲體積比圖4b說明的結(jié)構(gòu)中的更大。
單獨(dú)的多極桿組件每一個(gè)都具有它們自己的RF， DC和補(bǔ)充的激勵(lì)電
壓。通常，端部部分被構(gòu)造為對(duì)于離子進(jìn)入或離開離子阱的彌散場(chǎng)效應(yīng)最
小。 一旦離子在阱中被捕獲，可以使用RF， DC和/或補(bǔ)充的電壓分量來 影響被捕獲的離子，以沿著離子阱的長度以預(yù)定方式分布這些被捕獲的離 子本身。RF， DC和/或補(bǔ)充電壓分量的變形可以進(jìn)一步被使用以影響離 子在離子阱內(nèi)從-個(gè)分區(qū)移動(dòng)至另-個(gè)分區(qū)，用以空出離子分區(qū)，或者使 相鄰分區(qū)之間的離子耦合最小。
通常，控制單元將相應(yīng)組的RF電壓施加于多重分區(qū)的離子阱的分區(qū) 以產(chǎn)生RF多極電勢(shì)用以在捕獲體積中圍繞線性離子阱的軸來徑向限制離 子。控制單元也將各種DC偏移施加于離子阱的分區(qū)，以沿著離子阱的捕 獲體積在任意一個(gè)分區(qū)或分區(qū)組合中軸向捕獲離子。
如果需要的話，多極桿組件的一個(gè)或多個(gè)桿可以具有槽或孔以使得離 子傳至多個(gè)檢測(cè)器裝置。
通過在一對(duì)桿的相關(guān)分區(qū)之間施加補(bǔ)充的AC電壓，使得在該特殊分 區(qū)中的離子諧振并離開該離子阱，從而實(shí)現(xiàn)從離子阱排出離子。施加該 AC電壓可能影響其它分區(qū)中的離子，因此，這需要補(bǔ)償。這是由于下述 事實(shí)，即施加的AC電壓不僅對(duì)該特殊分區(qū)內(nèi)的離子有影響，而且其彌散 效應(yīng)將耦合至相鄰分區(qū)中的離子。
在圖5和6中通過一系列步驟說明一種根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的運(yùn)行線 性離子阱的方法。該方法的步驟包括在多重分區(qū)的線性離子阱中捕獲初始 數(shù)量的離子(420)(步驟510);將初始的離子數(shù)量在空間上分割為至少兩個(gè) 離子數(shù)量(步驟520)，包括第一數(shù)量和第二數(shù)量；以及從多重分區(qū)的線性 離子阱中同時(shí)排出與第一和第二離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的離子(步驟530)。與第一 和第二離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的離子包括分別來自或者從第一和第二離子數(shù)量獲 得的離子。與第一數(shù)量對(duì)應(yīng)的至少一部分離子可以隨后被第一檢測(cè)器裝置 檢測(cè)，并且與第一-數(shù)量的離子對(duì)應(yīng)的至少一部分離子可以由第二檢測(cè)器裝 置檢測(cè)。在某些情況下，第一和第二檢測(cè)器裝置可以共用一些元件，或者 它們是分立的。
12可選地，如步驟525所指示的，如果需要的話，在多重分區(qū)線性離子 阱的任意分區(qū)或分區(qū)組合中的離子被抽取并傳給檢測(cè)器裝置之前，可操作 這些離子。與第一離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的離子可以獨(dú)立丁與第二離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的 離子而被操作，如果需要的話，可以同時(shí)操作。操作可以采取分裂，隔離， 或任何其它的該種運(yùn)行的形式，或者影響離子典型地響應(yīng)。
圖6說明了由三部分的多極電極結(jié)構(gòu)610， 615， 620提供多重分區(qū)線 性離子阱380的每個(gè)分區(qū)的結(jié)構(gòu)。如所說明的，在基本與軸向方向625 垂直的方向執(zhí)行從多重分區(qū)線性離子阱380排出離于。或者，以和軸向方 向625基本平行和垂直的組合方式執(zhí)行離子抽取。
一種可以在空間上分割離子數(shù)量的方式是根據(jù)質(zhì)荷比(m/z)或m/z范 圍。例如，多重分區(qū)的線性離子阱380的第三分區(qū)620可以構(gòu)造為在質(zhì)量 范圍M^^中捕獲離子，該范圍包括低于質(zhì)量nn的質(zhì)量。多重分區(qū)的線 性離子阱380的第二分區(qū)615可以構(gòu)造為在質(zhì)量范圍Mrange2中捕獲離子， 該范圍用于在質(zhì)量i化和m2之間的質(zhì)量。第一分區(qū)610可以構(gòu)造為在質(zhì) 量ni2和m3之間的質(zhì)量范圍M皿ge3屮捕獲離子，其中mfmpnn。
具有幾種可以實(shí)現(xiàn)其的方式，其中一種是施加軸向變化的軸向激勵(lì) AC電壓。這實(shí)質(zhì)上使得離子沿著阱前進(jìn)直到它們到達(dá)一個(gè)分K，在該分 區(qū)中，沒有施加激勵(lì)以影響該分區(qū)適應(yīng)的m/z的范圍。在那里，它們?cè)谂?撞中損失能量并在停留在該分區(qū)。
例如，該初始離子數(shù)量605包括M，^+M，ge2+lVUge3。這些離子在從
讀者方向看去的附圖的左手側(cè)進(jìn)入多重分區(qū)的離子阱。第一分區(qū)610捕獲
進(jìn)入的離子(優(yōu)選地，連續(xù)流)，并且同時(shí)激勵(lì)第二質(zhì)量范圍M，ge2和第三
質(zhì)量范圍Mrangel，例如m/z范圍(150-200Th)和m/z(200-2000)內(nèi)的離子， 以克服將第一和第二分區(qū)610， 615分離的電勢(shì)勢(shì)壘。電勢(shì)勢(shì)壘可以由DC 和可選的RF場(chǎng)的組合形成。由增加至電勢(shì)勢(shì)壘的AC場(chǎng)提供激勵(lì)，以激 勵(lì)在特殊質(zhì)荷比之上的離子的諧振軸向振蕩。與第一分區(qū)610中的第一數(shù) 量的離子對(duì)應(yīng)的離子獲得軸向能量直到已經(jīng)獲得充分的能量以克服將分 區(qū)610和615分離的電勢(shì)勢(shì)壘，并到達(dá)第二分區(qū)615(M，ge3)。為了避免 通過第一分區(qū)610的入口孔時(shí)丟失離子，在將離子反射回分區(qū)610的孔上
13施加額外的DC電勢(shì)。
如上所述，圖6說明了通過多個(gè)部分的四極桿組件610， 615， 620提 供多重分區(qū)的線性離子阱380的每個(gè)分區(qū)的結(jié)構(gòu)，因此，將激勵(lì)電壓施加 于多重分區(qū)的線性離子阱380的x-電極的第一個(gè)二個(gè)部分，用于向該部 分630， 635， 640提供電勢(shì)V2K)。激勵(lì)電壓的幅值足夠大以向前并沿著多
重分區(qū)線性離子阱380軸向激勵(lì)質(zhì)荷比在質(zhì)量范圍Mr皿ge3之外的離子，
因此，質(zhì)量范圍M皿^和Mrange1中的離子沿著方向625向前傳播。與第 一數(shù)量的離子對(duì)應(yīng)的離于，即在質(zhì)量范圍Mange3中的離子被捕獲并且沒有 第一個(gè)多部分的四極桿組件610的第三部分640傳播的遠(yuǎn)。如圖6所指示 的，可以施加應(yīng)用于第一個(gè)三部分630， 635， 640的激勵(lì)電壓，以在相鄰 的部分之間，W-V21(),+V21Q,-V21C的形式交變極性。因此，在質(zhì)量范圍Mrange3 中的離子在中間部分，部分二， 635中被有效捕獲。在這種方式中，質(zhì)量 范圍M,皿ge3中的離子受相鄰的第4部分645中的離子影響小，并也不可 能返回源頭。利用上述的方法，不僅使所有不屬于質(zhì)量范圍Mrange3的離 子從分區(qū)610移動(dòng)，并且除此之外，所有該質(zhì)量范圍中的離子在分區(qū)610 中被收集，而不是允許質(zhì)量范圍M皿ge3屮的離子分布在分區(qū)610， 615和 620之間?？梢栽谳S向沿著離子阱的長度施加很小的正DC電壓，將離子 獨(dú)立于質(zhì)量地拖拽至具有最低DC電勢(shì)的點(diǎn)，該點(diǎn)位于組件的最左邊的 點(diǎn)，即部分630。這樣，將位于任意一個(gè)分區(qū)610， 615， 620中的質(zhì)量范 圍M^n^的離子傳送至分區(qū)610。類似地，這應(yīng)用于其它m/z范圍的離子， 但是選擇由軸向AC場(chǎng)提供的激勵(lì)幅值，以提供足夠的軸向能量用于從分 區(qū)610向外推離子(用于Mrangel和M^ge2)以及從分區(qū)610， 615向外推 M皿一的離子。將DC電壓來說，將相同的考慮應(yīng)用于其它質(zhì)量范圍的離 子，DC產(chǎn)生的場(chǎng)收集組件左側(cè)的離子，而軸向AC產(chǎn)生的場(chǎng)在相反方向 獨(dú)立于質(zhì)量激勵(lì)它們，直到它們?cè)跊]有諧振AC場(chǎng)的分區(qū)停止，冷卻，并 停留在該區(qū)域中。這些離子不會(huì)進(jìn)一步蔓延開來，進(jìn)入沒有施加諧振AC 電壓的區(qū)域，這是因?yàn)樯鲜霎a(chǎn)生的DC場(chǎng)將抵制該運(yùn)動(dòng)。
類似地，施加應(yīng)用于第二組三個(gè)部分(第二個(gè)多部分的四極桿組件615) 的激勵(lì)電壓，使得質(zhì)量范圍M^^中的離子沿著方向625從源頭傳播出去，并傳播至多重分區(qū)的離子阱380的另一端部。與第一-離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的 離子，在質(zhì)量范圍Mrange2內(nèi)的離子，被捕獲，并且沒有第二個(gè)多部分四
極桿組件615的第三部分655傳播的遠(yuǎn)。這些離子與那里存在的AC場(chǎng)失 去諧振，并且由于和空氣的碰撞，它們的能量進(jìn)一歩損失，這些離子存儲(chǔ)
在該區(qū)域615中。施加的電壓VK)不足以使M皿ge2范圍中的離子穿過電勢(shì)
勢(shì)壘，進(jìn)入多重分區(qū)線性離子阱380的隨后的分區(qū)620。再次，施加應(yīng)用 于第二個(gè)多部分的四極桿組件615的激勵(lì)電壓，并且極性在相鄰的部分 645， 650， 655之間以+Vkj,-Vk),+Vu)交變。因此，質(zhì)量范圍Mrailge2中的 離子在這三個(gè)部分的中間，即從左邊數(shù)第5個(gè)部分650被有效捕獲。在該 種方式中，與第二數(shù)量的離子對(duì)應(yīng)的離子，在質(zhì)量范圍Mrange2中的離子 受相鄰的第4和第6部分645， 655中的離子影響小。
可以對(duì)所說明的多重分區(qū)的線性離子阱380結(jié)構(gòu)的第二個(gè)多部分的四 極桿組件620做出類似的解釋。和與第三離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的離子一起，質(zhì)量 范圍Mrangel中的離子以和上述類似的方式在第8個(gè)部分被捕獲。
作為替換，通過在分區(qū)之間的接口中的桿之間施加諧振的雙極和四極 場(chǎng)，來從特殊分區(qū)排出和抽取離子。軸向和徑向運(yùn)動(dòng)之間的耦合激發(fā)離子 軸向移動(dòng)，但是僅僅是和所施加的AC電壓諧振的那些離子。利用正DC 梯度的相同想法也用于促進(jìn)在分區(qū)中收集離子，其中在該分區(qū)中，給予 m/z比將分割初始化。
利用所述的結(jié)構(gòu)，一旦以該種方式將離子數(shù)量在空間上定位并且分區(qū)， 那么不僅執(zhí)行排出，使得從第一分區(qū)掃描輸出的質(zhì)量范圍與從第二分區(qū)掃 描輸出的質(zhì)量范圍不同，并且基本同時(shí)執(zhí)行掃描，這需要一個(gè)或兩個(gè)獨(dú)立 的檢測(cè)器裝置。這需要將獨(dú)立的AC信號(hào)分別有差別地施加于多重分區(qū)的 線性離子阱的第一和第二分區(qū)。
一種用于實(shí)現(xiàn)質(zhì)譜數(shù)據(jù)質(zhì)量改進(jìn)的應(yīng)用是在掃描輸出擴(kuò)展的質(zhì)量范圍 期間，例如多至6000Th?？紤]人們需要掃描輸出150-4000Th質(zhì)量范圍的 試驗(yàn)。如果與用于一般的質(zhì)量范圍(150-2000Th)，以及與現(xiàn)有技術(shù)普遍指 示的RF發(fā)生器相同的RF發(fā)生器用于該擴(kuò)展的質(zhì)量范圍，多至4000Th， 那么噴出q參數(shù)必須大約減小因數(shù)2。如果使用相同的掃描輸出速率(從
15離子阱屮排出離子的速率，分析的速度)，那么與一般的150-2000Th的質(zhì)
量范圍相比，數(shù)據(jù)的質(zhì)量通常較低。該數(shù)據(jù)具有更差的質(zhì)量分辨率，質(zhì)量 精度和靈敏度，除非分析速度顯著減小。這尤其是在高質(zhì)量范圍離子的情
況下，這些高質(zhì)量范圍離子典型地在區(qū)域中以比具有低于2000Th m/z的 離子慢三倍的情況進(jìn)行掃描。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，具有m/z的離子在預(yù)定的q值被放置，其中 該m/z處于某一有關(guān)的低值。然后，線性掃描RF幅值直到某一最大電壓， 其通過將離子的q值移動(dòng)至噴出q來噴出離子直到某一最大m/z。在這種 方式中，通過在用于離子運(yùn)動(dòng)目.具有第一q參數(shù)的(a,q)穩(wěn)定區(qū)圖中，將離 子從穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域移動(dòng)至不穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域，而排出與第一數(shù) 量的離子對(duì)應(yīng)的離子，以及在用于離子運(yùn)動(dòng)且具有第二 q參數(shù)的(a,q)穩(wěn)定 區(qū)圖中，將離子從穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域移動(dòng)至不穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域，而 排出與第二數(shù)量的離子對(duì)應(yīng)的離子，第一和第二q參數(shù)彼此不同。
通過向多重分區(qū)的線性離子阱中較高質(zhì)量范圍的離子所在的分區(qū)施加 第一.諧振噴出信號(hào)，從而當(dāng)RF幅值斜線下降時(shí)，可以使用相當(dāng)?shù)偷膓參 數(shù)值來在該q值噴出，并且可以同時(shí)在較高q值噴出較低質(zhì)量范圍的離子。 例如，第二分區(qū)可以掃描m/z 150-2000Th，而第一分區(qū)可以掃描m/z 2000-4000 Th。前述的方法使用四個(gè)檢測(cè)器。另外，掃描輸出時(shí)間減少， 這是由于200-2000Th范圍中的離子以0.88的正常速率被掃描，而 2000-4000Th的更高質(zhì)量范圍屮的離子以q=0.44被掃描輸出，但是由于 該范圍廣，那么在該很低的q處掃描的離子小于整個(gè)范圍200-4000Th。 可以在更短的吋間中實(shí)現(xiàn)以該很低的q值掃描，并且掃描輸出時(shí)間整體減 少。作為替換，在相同的掃描輸出時(shí)間的情況下，可以實(shí)現(xiàn)質(zhì)量分辨率和 質(zhì)量精度的提高。
這樣，離子根據(jù)它們的m/z比分散在整個(gè)多重分區(qū)的線性離子阱中， 并且隨后在三部分的多極電極組件的恰當(dāng)部分被捕獲。在該種情況下利用 多重分區(qū)的RF離子阱可以通過優(yōu)化整個(gè)擴(kuò)展范圍中的數(shù)據(jù)，來實(shí)現(xiàn)質(zhì)譜 數(shù)據(jù)質(zhì)量的改進(jìn)。通過一種方式激勵(lì)離子，其中該種方式與被討論的特殊 的離散的質(zhì)量范圍相適應(yīng)和一致，那么人們可以在有必要犧牲靈敏度，掃
16描速度或線性離子阱的分辨能力的情況下，對(duì)時(shí)間的利用進(jìn)行優(yōu)化。
利用傳統(tǒng)的方法，三部分的線性離子阱由100 fmol/uL范圍中的化合 物填充0.01-0.1ms(低于ms時(shí)間用于10fmol/uL)以達(dá)到允許的大約為2000 的空間電荷限制，并且該線性離子阱掃描1.5s(掃描速率為0.4ms/Th)以覆 蓋150-4000Th的質(zhì)量范圍。本發(fā)明利用大約50%的時(shí)間獲取相同的數(shù)據(jù)， 這是因?yàn)樵谠撌纠?，與掃描輸出時(shí)間相比，噴射時(shí)間不重要。
圖6說明了如何利用多個(gè)三部分的多極桿組件(與圖4b中的類似)，實(shí) 現(xiàn)線性離子阱的分區(qū)，其中每個(gè)多桿組件的每個(gè)部分具有在特定相施加的 激勵(lì)電壓以確定所需的結(jié)果。圖7說明了能夠?qū)崿F(xiàn)此冃的的其它方式，例 如正如所說明的，利用兩部分的多極結(jié)構(gòu)提供分區(qū)，在多個(gè)部分中或之間 形成捕獲體積。
在本發(fā)明的另一方面，在離子進(jìn)入多重分區(qū)的離子阱之前，根據(jù)它們 的m/z比將它們分散。 一旦在多重分區(qū)的離子阱中，可以通過在多重分區(qū) 的線性離子阱內(nèi)激勵(lì)該分區(qū)來保持該分散。在該特殊的情況下，如果之前 分散的離子基于離子特定的離子移動(dòng)性，在較低壓力下穿過無場(chǎng)區(qū)域或者 在離子傳送光學(xué)儀器的有壓力部分中分離，那么不同的m/z比將在不同的 時(shí)間穿過該區(qū)域并到達(dá)多重分K的線性離子阱。較低的m/z值將在較高的 m/z值之前到達(dá)離子阱，因此能夠保持分散。
可以使用各種其它機(jī)制以沿著線性離子阱的軸向維度產(chǎn)生離散的電勢(shì) 勢(shì)壘。例如，如圖8所說明的，這些包括在距離軸825變化的距離，定位 分區(qū)或多極桿組件。實(shí)質(zhì)上， 一個(gè)分區(qū)的r。值(從多重分區(qū)的線性離子阱 的縱軸825的距離)與相鄰的分區(qū)的r。值具有不同的值。參照?qǐng)D3，人們 可以看出多個(gè)分區(qū)中每一個(gè)的ro的值是相同的，而在圖8中，每個(gè)是不 同的，即n， r2， r3， r4， rjr6。
在該例子中，在多重分區(qū)的線性離子阱中捕獲初始離子數(shù)量。然后通 過公知的方法和/或上述的方法，將該初始離子數(shù)量在空間上分割以產(chǎn)生 幾個(gè)m/z范圍(m!s， m22;， m3S， m化，m52， 11161:)的離子數(shù)量。與上述具有 統(tǒng)一的rQ的示例相比，產(chǎn)生DC和AC場(chǎng)以實(shí)現(xiàn)該分割所需的電壓需要被 恰當(dāng)?shù)卣{(diào)諧。如果在掃描輸出事件期間，相同的RF場(chǎng)施加于多重分區(qū)的線性離子阱的每個(gè)分區(qū)，那么整個(gè)質(zhì)量范圍(m化，m2S， m3S， m4S， m5S， m6。中的離子將從具有相同或相近的q參數(shù)的相鄰的分區(qū)(或不同的rc值， ri， r2， r3， r4， 1"5和re)排出。這是由于q參數(shù)，質(zhì)量，RF電勢(shì)，頻率和 ro之間的關(guān)系。在該種方式中，可以實(shí)現(xiàn)完成離子數(shù)量的排出所需的時(shí)間 的優(yōu)化，但是在質(zhì)量分辨率，質(zhì)量精度和靈敏度之間需要一個(gè)折衷。
每個(gè)具有特定ri的分區(qū)可以被細(xì)分為至少三個(gè)部分，采用與之前利用 統(tǒng)一的ro相同的方法，該方法具有產(chǎn)生的用以在分區(qū)之間分割離子的軸 向AC和DC場(chǎng)的組合。由于改變n，用于實(shí)現(xiàn)該分割的DC和AC場(chǎng)的 電壓也必須相應(yīng)地調(diào)諧。
存在幾種其它的從離子阱中噴出離子的方法，例如通過在一組桿之間 施加DC激勵(lì)電壓，或者僅將離子脈沖地送出至檢測(cè)器裝置。這些過程的 細(xì)節(jié)不在這里描述，但是是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的。
在本發(fā)明的另一方面屮，如圖9所說明的，描述了一種運(yùn)行線性離子 阱的替換方式。該方法的步驟可以包括在多重分區(qū)的線性離子阱中捕獲初 始數(shù)量的離子(步驟910);將初始離子數(shù)量在空間上分割為至少兩個(gè)離子 數(shù)量OP驟920)，包括第一數(shù)量和第二數(shù)量；以及獨(dú)立于第二離子數(shù)量， 操作第一離子數(shù)量的離子(步驟930)。由檢測(cè)器裝置隨后檢測(cè)與第一和第 二離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的至少一部分離子。該檢測(cè)器裝置可以包括用于第一和第 二離子數(shù)量的單獨(dú)的檢測(cè)器。在本發(fā)明的另一方面，操作對(duì)應(yīng)于第一和第 二離子數(shù)量的離子可以基本同時(shí)發(fā)生。在本發(fā)明的再一方面，離子數(shù)量可 以送至隨后的質(zhì)量分析設(shè)備。
當(dāng)執(zhí)行需要分裂離子的串聯(lián)質(zhì)譜(MS/MS)試驗(yàn)時(shí)，該方法尤其有用。 在運(yùn)行完全的MS掃描之后，其屮該掃描允許識(shí)別有關(guān)的峰值，那么這些 離子在下一噴射事件期間存儲(chǔ)在阱中。作為替換，僅有來自第一噴射事件 的一部分離子用于完全的MS掃描。它們剩余的部分可以利用恰當(dāng)?shù)腁C 和DC電勢(shì)存儲(chǔ)在其它的分區(qū)中。最后的方法在噴射時(shí)間很長時(shí)尤其有 用。另外，人們可以將初始的離子數(shù)量在空間上分割為第一離子數(shù)量，第 二離子數(shù)量和可選擇地更多的數(shù)量，所有離子數(shù)量在相同的條件下從相同 的源發(fā)出。人們例如通過隔離每個(gè)數(shù)量中不同的m/z，并將兩個(gè)m/z進(jìn)行
18分裂，而彼此獨(dú)立地操作每個(gè)數(shù)量， 一旦分裂，每個(gè)分區(qū)的內(nèi)容被送至離 散的檢測(cè)器裝置，實(shí)質(zhì)上其利用一個(gè)線性離子阱同時(shí)有助于兩個(gè)分裂試 驗(yàn)。所有或一些這些事件基本可以同時(shí)發(fā)生。這節(jié)省了時(shí)間，以及蛋白質(zhì) 工業(yè)中昂貴的商品。
本發(fā)明的方法可以在數(shù)字電子電路，或硬件，軟硬件結(jié)合，軟件，或 它們的組合中實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的方法歩驟可以由執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序的一個(gè)或多 個(gè)可編程處理器執(zhí)行，以通過運(yùn)行輸入數(shù)據(jù)和產(chǎn)生輸出來執(zhí)行本發(fā)明的功能。
基于各種方面所解釋的各種特征可以組合以形成本發(fā)明的另一方面。
除非另有限定，這里使用的所有技術(shù)和科技術(shù)語都是本發(fā)明所屬領(lǐng)域 的技術(shù)人員所理解的含義。該公開的材料，方法和示例僅用于示意，而不 意在限制。熟練的技師可以理解與這里描述的等價(jià)的方法和材料可以用于 實(shí)施本發(fā)明。
19
權(quán)利要求
1、一種用于運(yùn)行具有軸向的線性離子阱的方法，該方法包括a. 在離子阱中捕獲初始數(shù)量的離子；b. 將初始數(shù)量的離子在空間上軸向至少分割為兩個(gè)離子數(shù)量，包括第一和第二離子數(shù)量；c. 同時(shí)從離子阱中排出與所述第一和第二離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的離子。
2、 如權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一歩包括檢測(cè)與所述第一和第二離子 數(shù)量對(duì)應(yīng)的離子。
3、 如權(quán)利要求1和2中任一個(gè)所述的方法，進(jìn)一歩包括(d)在排出之前，獨(dú)立于所述第二離子數(shù)量，操作至少一個(gè)離子數(shù)量。
4、 如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述操作的步驟包括將離子分裂。
5、 如權(quán)利要求3和4中任一個(gè)所述的方法，其中所述操作的步驟包括隔離具有理想的質(zhì)荷比范圍的離子。
6、 如權(quán)利要求1至5中任一個(gè)所述的方法，其中所述排出離子的步驟包括在基本與所述軸向垂直的方向排出離子。
7、 如權(quán)利要求1至6中任一個(gè)所述的方法，其中所述第一離子數(shù)量具有與所述第二離子數(shù)量的質(zhì)荷比的范圍不同的質(zhì) 荷比。2
8、 如權(quán)利要求1至7中任一個(gè)所述方法，其中所述排出離子的歩驟包括通過在用于離子運(yùn)動(dòng)且具有第一 q參數(shù)的(a,q)穩(wěn)定區(qū)圖中，將離子從穩(wěn) 定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域移動(dòng)至不穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域，而排出與第一離子數(shù)量 對(duì)應(yīng)的離子，以及在用于離子運(yùn)動(dòng)且具有第二q參數(shù)的(a,q)穩(wěn)定區(qū)圖屮， 將離子從穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域移動(dòng)至不穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域，而排出與第 二離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的離子，所述第一和第二 q參數(shù)彼此不同。
9、 如權(quán)利要求1至8中任一個(gè)所述的方法，其中所述線性離子阱包括 多個(gè)分區(qū)，所述多個(gè)分區(qū)軸向放置，每個(gè)分區(qū)與多個(gè)伸長的電極相關(guān)聯(lián)， 并且每個(gè)分區(qū)的電極具有r0值，其與相鄰分區(qū)的電極的r0值相同。
10、 如權(quán)利要求1至9中任一個(gè)所述的方法，其中所述線性離子阱包括 多個(gè)分區(qū)，所述多個(gè)分區(qū)軸向放置，每個(gè)分區(qū)與多個(gè)伸長的電極相關(guān)聯(lián)， 并且每個(gè)分區(qū)的電極與相鄰分區(qū)的電極具有不同的r0值；通過激活所述 線性離子阱多個(gè)分區(qū)結(jié)構(gòu)的分區(qū)的步驟，實(shí)現(xiàn)在空間上分割初始離子數(shù)量 的離子。
11、 如權(quán)利要求1至10中任一個(gè)所述的方法，其中通過在用于離子運(yùn) 動(dòng)且q參數(shù)基本相同的(a,q)穩(wěn)定區(qū)圖中，將穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域中的離子 移動(dòng)至不穩(wěn)定的離子運(yùn)動(dòng)區(qū)域，而排出與第一離子數(shù)量和第二離子數(shù)量對(duì) 應(yīng)的離子。
12、 如權(quán)利要求10所述的方法，其中激活所述分區(qū)的步驟通過施加激 勵(lì)電壓提供，所述激勵(lì)電壓的幅值對(duì)于每個(gè)分區(qū)來說基本相同。
13、 如權(quán)利要求1至12中任一個(gè)所述的方法，其中初始離子數(shù)量具有寬范圍的質(zhì)荷比的值，并且與第一離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的 離子具有窄范圍的質(zhì)荷比的值，其比初始離子數(shù)量的質(zhì)荷比的值窄。
14、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述寬范圍是在200至400Th之間。
15、 如權(quán)利要求13和14中任一個(gè)所述的方法，其中 所述窄范圍在200至2000Th之間。
16、 如權(quán)利要求13和14中任一個(gè)所述的方法，其中 所述窄范圍在2000至4000Th之間。
17、 一種裝置包括具有多個(gè)電極的線性離子阱，每個(gè)電極被分為多個(gè)部分；控制器，其被構(gòu)造為向所述多個(gè)電極的部分施加電壓，以在線性離子 阱中至少建立第一和第二分區(qū)，所述第一和第二分區(qū)分別限制第一和第二 離子數(shù)量；以及所述控制器進(jìn)一步構(gòu)造為向多個(gè)電極的部分施加電壓或改變施加的電 壓，以同時(shí)排出與第一和第二分區(qū)對(duì)應(yīng)的離子。
18、 如權(quán)利要求17所述的裝置，進(jìn)一步包括檢測(cè)器裝置，其包括第一 檢測(cè)器，用于檢測(cè)從第一分區(qū)排出的至少一部分離子，以及第二檢測(cè)器， 用于檢測(cè)從第二分區(qū)排出的至少一部分離子。
19、 如權(quán)利要求17和18中任一個(gè)所述的裝置，其中所述控制器進(jìn)一步 構(gòu)造為施加或調(diào)整多個(gè)電極的部分的電壓以彼此獨(dú)立地操作第一和第二數(shù)量離子中的一個(gè)。
20、 如權(quán)利要求17至19中任一個(gè)所述的裝置，其中多個(gè)中的每一個(gè)具 有三個(gè)部分。
21、 如權(quán)利要求17至20中任一個(gè)所述的裝置，其中 每個(gè)部分包括三部分的電極結(jié)構(gòu)。
22、 一種用于運(yùn)行具有伸長的軸向的線性離子阱的方法，所述方法包括:a. 軸向捕獲空間上分割的離子數(shù)量，空間上分割以提供至少兩個(gè)離子 數(shù)量，即第一和第二離子數(shù)量；b. 在線性離子阱中保持空間上分割；c. 從所述離子阱同時(shí)排出對(duì)應(yīng)于第一和第二離子數(shù)量的離子。
23、 如權(quán)利要求22所述的方法，進(jìn)一步包括通過包括第一檢測(cè)器和第二檢測(cè)器的檢測(cè)裝置檢測(cè)排出的離子，所述第一檢測(cè)器檢測(cè)與所述第一離 子數(shù)量對(duì)應(yīng)的至少一部分離子，所述第二檢測(cè)器檢測(cè)與所述第二離子數(shù)量對(duì)應(yīng)的離子。
24、 如權(quán)利要求22和23中任一個(gè)所述的方法，進(jìn)一步包括(d)在排出 之前，獨(dú)立于所述第二離子數(shù)量，操作至少一個(gè)離子數(shù)量。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于運(yùn)行線性離子阱(380)的方法和裝置。與傳統(tǒng)的三部分線性離子阱相比，該線性離子阱(380)被設(shè)置為允許增加功能的通用性。在運(yùn)行中，該線性離子阱(380)設(shè)置多個(gè)分區(qū)(610，615，620)，將初始數(shù)量的離子(420)在空間上至少分割為兩個(gè)離子數(shù)量(步驟520)，并使對(duì)應(yīng)于所述第一離子數(shù)量的離子基本上與對(duì)應(yīng)于第二離子數(shù)量的離子同時(shí)排出離子阱(380)(步驟530)。每個(gè)分區(qū)有效獨(dú)立，并且對(duì)應(yīng)于第一離子數(shù)量的離子能夠獨(dú)立于對(duì)應(yīng)于第二離子數(shù)量的離子而被處理；在相同條件下由離子源產(chǎn)生離子。
文檔編號(hào)B01D59/44GK101489651SQ200780026476
公開日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2007年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月11日
發(fā)明者維亞切斯拉夫·V·科夫敦 申請(qǐng)人:塞莫費(fèi)尼根股份有限公司