專(zhuān)利名稱(chēng)：過(guò)濾裝置及其過(guò)濾方法與晶片制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種過(guò)濾裝置及其過(guò)濾方法與晶片制造方法，且特別是涉及一種利用具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部的吸附元件的過(guò)濾裝置及其過(guò)濾方法與晶片制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造工藝中，晶片必須通過(guò)許多道的工藝步驟以完成各種微電子元件和線路的布局。不論是沉積工藝(deposition process)、氧化、擴(kuò)散(diffusion process)及蝕刻工藝(etching process)，均有可能在半導(dǎo)體機(jī)器中產(chǎn)生廢氣，且廢氣中摻雜微粒子。
半導(dǎo)體機(jī)器具有反應(yīng)室和排氣管。晶片在反應(yīng)室中進(jìn)行薄膜沉積工藝，制造工藝中所產(chǎn)生的廢氣將通過(guò)排氣管排出反應(yīng)室。尤其是一些需在低壓下進(jìn)行的沉積工藝，例如等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(plasma enhanced chemicalvapor deposition，PECVD)或低壓化學(xué)氣相沉積法(low pressure chemicalvapor deposition，LPCVD)。此類(lèi)工藝必須使用抽氣泵(pump)，通過(guò)排氣管抽出反應(yīng)室內(nèi)的氣體。抽氣泵啟動(dòng)時(shí)可通過(guò)排氣管將反應(yīng)室內(nèi)的氣體抽出，以?xún)艨辗磻?yīng)室內(nèi)的廢氣，或者是維持反應(yīng)室在低壓狀態(tài)或真空狀態(tài)。
反應(yīng)室內(nèi)的氣體經(jīng)常伴隨著需多微粒子，例如氮化硅(silicon nitride)。微粒子可能附著于排氣管的管壁而影響抽氣，或進(jìn)入抽氣泵造成過(guò)載。因此，需通過(guò)冷凝井(cold trap)來(lái)過(guò)濾氣體。
傳統(tǒng)的冷凝井用以過(guò)濾氣體中的微粒子，氣體的溫度比冷凝井的溫度高。傳統(tǒng)的冷凝井包括冷凝室和圓柱狀冷凝元件。通過(guò)抽氣泵的抽氣運(yùn)作，氣體可由冷凝室的一端從排氣管進(jìn)入冷凝室，并由冷凝室的另一端離開(kāi)冷凝室而進(jìn)入抽氣泵。圓柱狀冷凝元件擺置于冷凝室中，且圓柱狀冷凝元件的溫度比進(jìn)入冷凝室的氣體的溫度還低。當(dāng)氣體于冷凝室中接觸圓柱狀冷凝元件的表面時(shí)，氣體的溫度劇降。因此，部分微粒子將被吸附于圓柱狀冷凝元件的表面。因此，冷凝井可過(guò)濾氣體的微粒子，以使微粒子避免附著于排氣管的管壁或抽氣泵內(nèi)。
然而圓柱狀冷凝元件的表面較光滑且吸附面積較有限，導(dǎo)致圓柱狀冷凝元件對(duì)于氣體的微粒子的吸附效果受到局限。很快地，圓柱狀冷凝元件的吸附量在很短時(shí)間內(nèi)將會(huì)達(dá)到飽和狀態(tài)，而無(wú)法繼續(xù)吸附氣體的微粒子。因此，操作人員就必須經(jīng)常停止機(jī)器運(yùn)作而更換或清洗圓柱狀冷凝元件。如此一來(lái)，圓柱狀冷凝元件過(guò)短的更換周期不僅降低機(jī)器的生產(chǎn)力，更增加人力的耗費(fèi)，且增加操作人員更換圓柱狀冷凝元件時(shí)的危險(xiǎn)性。

發(fā)明內(nèi)容
鑒此，本發(fā)明的目的就是在提供一種過(guò)濾裝置及其過(guò)濾方法與晶片制造方法。其利用具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部的吸附元件來(lái)增加其與氣體接觸的面積，可以更有效率地吸附氣體的微粒子。因此，大大地提高過(guò)濾裝置的過(guò)濾能力，避免面臨傳統(tǒng)的具有圓柱狀冷凝元件的冷凝井所遭遇的問(wèn)題。如此一來(lái)，本發(fā)明不僅可延長(zhǎng)吸附元件的更換周期而降低吸附元件更換頻率。更可提高機(jī)器的生產(chǎn)力，且降低操作人員更換吸附元件時(shí)的危險(xiǎn)性。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種過(guò)濾裝置，用以過(guò)濾氣體。氣體具有第一溫度。過(guò)濾裝置包括殼體、冷凝器及至少一個(gè)吸附元件。殼體具有進(jìn)氣口、排氣口及冷凝室，進(jìn)氣口用以供氣體進(jìn)入冷凝室，排氣口用以供氣體離開(kāi)冷凝室。冷凝器與殼體耦接，用以維持冷凝室內(nèi)的溫度為第二溫度，第二溫度低于第一溫度。至少一個(gè)吸附元件設(shè)置于冷凝室中，并具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部。峰部和谷部交錯(cuò)排列，峰部和谷部用以接觸氣體而吸附氣體中的微粒子。
根據(jù)本發(fā)明的再一目的，提出一種過(guò)濾方法，用以過(guò)濾氣體。氣體具有第一溫度。首先，提供至少一個(gè)吸附元件，吸附元件具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部，峰部和谷部交錯(cuò)排列。維持吸附元件的溫度為第二溫度，第二溫度低于第一溫度。導(dǎo)引氣體流經(jīng)吸附元件，使峰部和谷部接觸氣體而吸附氣體中的微粒子。
根據(jù)本發(fā)明的另一目的，提出一種晶片制造方法。首先，置放晶片于反應(yīng)室中。接著，提供第一溫度于反應(yīng)室，以進(jìn)行晶片的半導(dǎo)體制造工藝。然后，提供至少一個(gè)吸附元件。吸附元件具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部，峰部和谷部交錯(cuò)排列。接著，維持吸附元件的溫度為第二溫度，第二溫度低于第一溫度。然后，導(dǎo)引反應(yīng)室的氣體流經(jīng)吸附元件，使峰部和谷部接觸氣體而吸附氣體中的微粒子。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖1展示了依照本發(fā)明實(shí)施例一的過(guò)濾裝置的示意圖；圖2A展示了依照本發(fā)明實(shí)施例一的吸附元件的立體圖；圖2B展示了圖2A中吸附元件的俯視圖；圖3A展示了依照本發(fā)明實(shí)施例二的吸附元件的立體圖；圖3B展示了圖3A中吸附元件的俯視圖；圖4A展示了依照本發(fā)明實(shí)施例三的吸附元件的立體圖；圖4B展示了圖4A中吸附元件的俯視圖；圖5展示了依照本發(fā)明實(shí)施例四的過(guò)濾方法的流程圖；圖6展示了依照本發(fā)明實(shí)施例五的晶片制造方法的流程圖；以及圖7展示了晶片和反應(yīng)室的示意圖。
簡(jiǎn)單符號(hào)說(shuō)明1過(guò)濾裝置10殼體10a頂面10b底面101進(jìn)氣口101a第一管路102排氣口102a第二管路103冷凝室11冷凝器11a冷凝槽11b注入口11c排出口121、122、123吸附元件
121a、122a、123a頂面121b、122b、123b底面121c、122c、123c側(cè)面121d、122d、123d貫孔121e、122e、123e孔壁121f、122f、123f濾網(wǎng)121g、122g、123g峰部121h、122h、123h谷部13網(wǎng)狀隔板2微粒子30晶片40反應(yīng)室G氣體W冷凝液L121、L122、L123吸附元件中心軸L10連接延伸線具體實(shí)施方式
實(shí)施例一請(qǐng)參照?qǐng)D1，其展示了依照本發(fā)明實(shí)施例一的過(guò)濾裝置的示意圖。過(guò)濾裝置1包括殼體10、冷凝器11及至少一個(gè)吸附元件121。吸附元件121用以過(guò)濾氣體G，氣體G具有第一溫度。在本實(shí)施例中，以多個(gè)吸附元件121為例作說(shuō)明。殼體10具有進(jìn)氣口101、排氣口102及冷凝室103。進(jìn)氣口101用以供具有第一溫度的氣體G進(jìn)入冷凝室103，排氣口102用以供氣體G離開(kāi)冷凝室103。冷凝器103與殼體10耦接，用以維持冷凝室103內(nèi)的溫度為第二溫度，其中第二溫度低于第一溫度。吸附元件121設(shè)置于冷凝室103中，并具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部。峰部和谷部交錯(cuò)排列，峰部和谷部用以接觸氣體G而吸附氣體G中的微粒子2，使得離開(kāi)冷凝室103的氣體G幾乎不含微粒子。
本實(shí)施例通過(guò)峰部和谷部交錯(cuò)排列的設(shè)計(jì)，可以增加吸附元件121與氣體G的接觸面積，大大地提高過(guò)濾裝置1的過(guò)濾能力。至于吸附元件121的峰部和谷部的位置在此

如下，但本實(shí)施例的技術(shù)并不局限與此。
請(qǐng)同時(shí)參考圖2A～2B，圖2A展示了依照本發(fā)明實(shí)施例一的吸附元件的立體圖。圖2B展示了圖2A中吸附元件的俯視圖。吸附元件121具有頂面121a、底面121b及貫孔121d，貫孔121d貫穿頂面121a和底面121b。例如，吸附元件121為中空?qǐng)A柱體。在本實(shí)施例中，貫孔121d的孔壁121e具有峰部121g和谷部121h。如圖2B所示，從吸附元件121的截面來(lái)看，峰部121g儼然如同銳角凸起，且谷部121h儼然如同銳角凹口。
本實(shí)施例所屬技術(shù)領(lǐng)域中的任何普通技術(shù)人員，也可明了峰部121g與谷部121h的截面形狀并非限定于本實(shí)施例所揭露的銳角凸起和銳角凹口，各種變形的結(jié)構(gòu)形式均不脫離本實(shí)施例的技術(shù)范圍。例如，從吸附元件121的截面來(lái)看，峰部121g與谷部121h可以分別是半圓凸起和半圓凹口。
其中，由于金屬材料具有良好的導(dǎo)熱性，且容易在鑄造吸附元件121時(shí)同時(shí)形成峰部121g和谷部121h。因此，在本實(shí)施例中，吸附元件121的材料優(yōu)選地以金屬材料為例作說(shuō)明。雖然吸附元件121以金屬材料為例作說(shuō)明，然而本實(shí)施例的吸附元件也可針對(duì)欲過(guò)濾不同的微粒子，采用適當(dāng)?shù)奈讲牧稀Ｖ灰抢镁哂卸鄠€(gè)峰部和多個(gè)谷部的吸附元件，以達(dá)到過(guò)濾微粒子的目的，都不脫離本實(shí)施例的技術(shù)范圍。
至于過(guò)濾裝置1如何與爐管和抽氣泵連通，在此簡(jiǎn)單說(shuō)明如下，但本實(shí)施例的技術(shù)并不局限于此。
又如圖1所示，進(jìn)氣口101通過(guò)第一管路101a與爐管(未顯示)連通，出氣口102通過(guò)第二管路102a與抽氣泵(pump)(未顯示)連通。當(dāng)抽氣泵(pump)運(yùn)作時(shí)，可以將爐管內(nèi)的氣體G依次經(jīng)由第一管路101a和進(jìn)氣口101抽進(jìn)冷凝室103。并可將氣體G從冷凝室103依次經(jīng)由排氣口102和第二管路102a抽離冷凝室103。
在本實(shí)施例中，爐管例如是供晶片進(jìn)行氮化硅(silicon nitride)的化學(xué)氣相沉積制造工藝。爐管內(nèi)的氣體G含有未反應(yīng)完成的氮化硅微粒子2。且此類(lèi)微粒子2具有以下特性。當(dāng)氣體G為第一溫度時(shí)，例如是200℃，氣體G中的微粒子2呈現(xiàn)懸浮狀態(tài)。且當(dāng)氣體G為第二溫度時(shí)，例如是10℃，氣體G中的微粒子2呈現(xiàn)緩慢移動(dòng)狀態(tài)。當(dāng)帶有微粒子2的氣體G流經(jīng)吸附元件121，并接觸側(cè)面121c或孔壁121e的峰部121g和谷部121h時(shí)，微粒子2的溫度由第一溫度瞬間降為第二溫度。使得微粒子2停留于吸附元件121的側(cè)面121c上或孔壁121e的峰部121g和谷部121h上。由于吸附元件121具有多個(gè)峰部121g和多個(gè)谷部121h，明顯地比傳統(tǒng)的圓柱狀冷凝元件具有更多與氣體接觸的面積。使得氣體G在短暫流經(jīng)吸附元件121的過(guò)程中，有效率地將微粒子2吸附于吸附元件121上。
又如圖1所示，殼體10還具有頂面10a、底面10b及側(cè)面10c，頂面10a與底面10b通過(guò)側(cè)面10c連接。優(yōu)選地為了維持氣體G的流速，進(jìn)氣口101設(shè)置于頂面10a，且排氣口102對(duì)應(yīng)于進(jìn)氣口101設(shè)置于底面10b。并且吸附元件121以實(shí)質(zhì)上順著氣體G流動(dòng)方向的方式排列。亦即吸附元件121的中心軸L121(如圖2A所示)平行于進(jìn)氣口101和排氣口102的連接延伸線L10。氣體G可穿越貫孔121d或流經(jīng)吸附元件121的側(cè)面121c。
然而本實(shí)施例的進(jìn)氣口101和排氣口102也可以設(shè)置于殼體10不同的位置上。例如進(jìn)氣口設(shè)置在殼體10的側(cè)面10c但靠近頂面10a，排氣口設(shè)置在底面10b；或者進(jìn)氣口設(shè)置在頂面10a，排氣口設(shè)置在側(cè)面10c但靠近底面10b；或者進(jìn)氣口101和排氣口102設(shè)置在殼體10的側(cè)面10c，但進(jìn)氣口101和排氣口102分別靠近頂面10a和底面10b。本實(shí)施例所屬技術(shù)領(lǐng)域中的任何普通技術(shù)人員，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與修改，都不脫離本實(shí)施例的保護(hù)范圍。
又如圖2A～2B所示，過(guò)濾裝置1優(yōu)選地還包括濾網(wǎng)121f，濾網(wǎng)121f設(shè)置于貫孔121d的一端，并封住貫孔121d的一端開(kāi)口。當(dāng)氣體G穿越貫孔121d時(shí)，濾網(wǎng)121f可過(guò)濾部分的微粒子2。
又如圖1所示，過(guò)濾裝置1優(yōu)選地還包括網(wǎng)狀隔板13，用以將冷凝室103區(qū)隔為兩個(gè)空間，如上部空間和下部空間。較多的吸附元件121設(shè)置于鄰近進(jìn)氣口101的上部空間，而較少的吸附元件121設(shè)置于鄰近排氣口102的下部空間。因此，當(dāng)氣體G進(jìn)入冷凝室103時(shí)，可立即將大部分微粒子2吸附于吸附元件121上。還可增加過(guò)濾效率，提高吸附元件121的使用效率。
再者，冷凝器11可以各種方式維持冷凝室103的溫度。在本實(shí)施例中，冷凝器11包括冷凝槽11a和具有第二溫度的冷凝液W。冷凝槽11a具有注入口11b和排出口11c。冷凝室103設(shè)置于冷凝槽11a內(nèi)。冷凝液W由注入口11b注入冷凝槽11a中，并由排出口11c離開(kāi)冷凝槽11a。具有第二溫度的冷凝液W流經(jīng)冷凝室103的殼體10時(shí)，帶走冷凝室103的熱量，使得冷凝室103內(nèi)的工作環(huán)境溫度維持在第二溫度。即，吸附元件121維持在第二溫度，比氣體G的第一溫度還低。其中，在冷凝液W穿越冷凝槽11a的過(guò)程中，冷凝液W以隔離方式不與氣體G接觸，避免干擾氣體G的流動(dòng)。
本實(shí)施例所揭示的過(guò)濾裝置，其利用具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部的吸附元件來(lái)增加其與氣體接觸的面積，可以更有效率地吸附氣體的微粒子。因此，大大地提高過(guò)濾裝置的過(guò)濾能力，避免面臨傳統(tǒng)的具有圓柱狀冷凝元件的冷凝井所遭遇的問(wèn)題。如此一來(lái)，本實(shí)施例不僅可延長(zhǎng)吸附元件的更換周期而降低吸附元件更換頻率，還可提高機(jī)器的生產(chǎn)力，且降低操作人員更換吸附元件時(shí)的危險(xiǎn)性。
實(shí)施例二請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3A～3B，圖3A展示了依照本發(fā)明實(shí)施例二的吸附元件的立體圖。圖3B展示了圖3A中吸附元件的俯視圖。本實(shí)施例的吸附元件122與實(shí)施例一的吸附元件121不同處在于吸附元件122的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及峰部122g和谷部122的設(shè)置位置。且本實(shí)施例的吸附元件122也可設(shè)置于實(shí)施例一的過(guò)濾裝置1的冷凝室103中。其余相同之處沿用相同的標(biāo)號(hào)，并不再贅述。
如圖3A～3B所示，吸附元件122還具有底面122b、頂面122a、側(cè)面122c及貫孔122d，側(cè)面122c連接底面122b和頂面122a。貫孔122d貫穿底面122b和頂面122a。例如，吸附元件122為中空?qǐng)A柱體。在本實(shí)施例中，側(cè)面122c具有峰部122g和谷部122h。如圖3B所示，從吸附元件122的截面來(lái)看，峰部122g儼然如同銳角凸起，且谷部122h儼然如同銳角凹口。
峰部122g和谷部122h交錯(cuò)排列，峰部122g和谷部122h用以接觸氣體G而吸附氣體G中的微粒子2，使得離開(kāi)冷凝室的氣體G幾乎不含微粒子。
本實(shí)施例所屬技術(shù)領(lǐng)域中的任何普通技術(shù)人員，也可明了峰部122g與谷部122h的截面形狀并非限定于本實(shí)施例所揭露的銳角凸起和銳角凹口，各種變形的結(jié)構(gòu)形式均不脫離本實(shí)施例的技術(shù)范圍。例如，從吸附元件122的截面來(lái)看，峰部122g與谷部122h可以分別是半圓凸起和半圓凹口。
本實(shí)施例所屬技術(shù)領(lǐng)域中的任何普通技術(shù)人員，也可明了本實(shí)施例的吸附元件122并非限定為具有貫孔的中空?qǐng)A柱體。各種變形的結(jié)構(gòu)形式均不脫離本實(shí)施例的技術(shù)范圍。例如吸附元件122可以是實(shí)心柱體。
實(shí)施例三請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4A～4B，圖4A展示了依照本發(fā)明實(shí)施例三的吸附元件的立體圖。圖4B展示了圖4A中吸附元件的俯視圖。本實(shí)施例的吸附元件123與實(shí)施例一的吸附元件121不同處在于吸附元件123的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及峰部123g和谷部123h的設(shè)置位置。且本實(shí)施例的吸附元件123也可設(shè)置于實(shí)施例一的過(guò)濾裝置1的冷凝室103中。其余相同之處沿用相同的標(biāo)號(hào)，并不再贅述。
如圖4A～4B所示，吸附元件123還具有底面123b、頂面123a、側(cè)面123c及貫孔123d，側(cè)面123c連接底面123b和頂面123a。貫孔123d貫穿底面123b和頂面123a。例如，吸附元件123為中空?qǐng)A柱體。在本實(shí)施例中，貫孔123d的孔壁123e和側(cè)面123c具有多個(gè)峰部123g和多個(gè)谷部123h。如圖4B所示，從吸附元件123的截面來(lái)看，峰部123g儼然如同銳角凸起，且谷部123h儼然如同銳角凹口。
峰部123g和谷部123h交錯(cuò)排列，峰部123g和谷部123h用以接觸氣體G而吸附氣體G中的微粒子2，使得離開(kāi)冷凝室的氣體G幾乎不含微粒子。
本實(shí)施例所屬技術(shù)領(lǐng)域中的任何普通技術(shù)人員，也可明了峰部123g與谷部123h的截面形狀并非限定于本實(shí)施例所揭示的銳角凸起和銳角凹口，各種變形的結(jié)構(gòu)形式均不脫離本實(shí)施例的技術(shù)范圍。例如，從吸附元件123的截面來(lái)看，峰部123g與谷部123h可以分別是半圓凸起和半圓凹口。
根據(jù)以上三個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明的峰部和谷部可以各種方式形成，例如沖壓成型、鑄模成型或者是以側(cè)板沿著多條折彎線折彎出峰部和谷部。峰部和谷部各種形成方式都不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。
實(shí)施例四請(qǐng)參照?qǐng)D5，其展示了依照本發(fā)明實(shí)施例四的過(guò)濾方法的流程圖。首先，在圖5的步驟S1中，提供至少一個(gè)吸附元件。吸附元件可以是上述實(shí)施例的吸附元件，在此以實(shí)施例三的吸附元件123為例作說(shuō)明。吸附元件123具有多個(gè)峰部123g和多個(gè)谷部123h。其中，峰部123g和谷部123h交錯(cuò)排列，如圖4A～4B所示。
接著，進(jìn)入圖5的步驟S2，維持吸附元件123的溫度為第二溫度，第二溫度低于第一溫度。
然后在圖5的步驟S3中，導(dǎo)引具有第一溫度的氣體G流經(jīng)吸附元件123。使峰部123g和谷部123h接觸氣體G而吸附氣體G中的微粒子2。
其中，維持吸附元件123的溫度的步驟中(S2)，利用冷凝液W(如圖1所示)維持吸附元件123的溫度為第二溫度。再者，優(yōu)選地還可導(dǎo)引氣體G流經(jīng)濾網(wǎng)123f(如圖4A所示)，用以過(guò)濾部分微粒子2。且以抽氣方式導(dǎo)引氣體G流經(jīng)吸附元件123。
實(shí)施例五請(qǐng)參照?qǐng)D6，其展示了依照實(shí)施例五的晶片制造方法的流程圖。本實(shí)施例的晶片制造方法應(yīng)用實(shí)施例一的過(guò)濾裝置1和吸附元件121，相同之處沿用相同標(biāo)號(hào)，并不再贅述。
請(qǐng)參照?qǐng)D7，其展示了晶片和反應(yīng)室的示意圖。首先，在圖6步驟S61中，置放晶片30于反應(yīng)室40中。
接著，進(jìn)入圖6的步驟S62，提供第一溫度于反應(yīng)室40，以進(jìn)行晶片30的半導(dǎo)體制造工藝。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1和圖2A～2B。然后，進(jìn)入圖6的步驟S63，提供至少一個(gè)吸附元件121。吸附元件121具有多個(gè)峰部121g和多個(gè)谷部121h，峰部121g和谷部121h交錯(cuò)排列。
接著，進(jìn)入圖6的步驟S64，維持吸附元件121的溫度為第二溫度，第二溫度低于第一溫度。
然后，進(jìn)入圖6的步驟S65，導(dǎo)引反應(yīng)室40的氣體G流經(jīng)吸附元件121。使峰部121g和谷部121h接觸氣體G而吸附氣體G中的微粒子2，如圖2A所示。
本發(fā)明上述實(shí)施例所揭示的過(guò)濾裝置及其過(guò)濾方法與晶片制造方法，其利用具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部的吸附元件來(lái)增加其與氣體接觸的面積，可以更有效率地吸附氣體的微粒子。因此，大大地提高過(guò)濾裝置的過(guò)濾能力，避免面臨傳統(tǒng)的具有圓柱狀冷凝元件的冷凝井所遭遇的問(wèn)題。如此一來(lái)，本實(shí)施例不僅可延長(zhǎng)吸附元件的更換周期而降低吸附元件更換頻率，還可提高機(jī)器的生產(chǎn)力，且降低操作人員更換吸附元件時(shí)的危險(xiǎn)性。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以?xún)?yōu)選實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的任何普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與修改。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍以所附權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種過(guò)濾裝置，用以過(guò)濾氣體，該氣體具有第一溫度，該過(guò)濾裝置包括殼體，具有進(jìn)氣口、排氣口及冷凝室，該進(jìn)氣口用以供該氣體進(jìn)入該冷凝室，該排氣口用以供該氣體離開(kāi)該冷凝室；冷凝器，與該殼體耦接，用以維持該冷凝室內(nèi)的溫度為第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度；以及至少一個(gè)吸附元件，設(shè)置于該冷凝室中，并具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部，該些峰部和該些谷部交錯(cuò)排列，該些峰部和該些谷部用以接觸該氣體而吸附該氣體中的微粒子。
2.如權(quán)利要求1所述的過(guò)濾裝置，其中該吸附元件還具有底面、頂面及貫孔，該貫孔貫穿該底面和該頂面，該貫孔的孔壁具有該些峰部和該些谷部，該過(guò)濾裝置還包括濾網(wǎng)，設(shè)置于該頂面上，并封住該貫孔的一端開(kāi)口，該濾網(wǎng)用以過(guò)濾該氣體。
3.如權(quán)利要求1所述的過(guò)濾裝置，其中該吸附元件還具有底面、頂面、側(cè)面及貫孔，該側(cè)面連接該底面和該頂面，該貫孔貫穿該底面和該頂面，該側(cè)面具有該些峰部和該些谷部，該過(guò)濾裝置還包括濾網(wǎng)，設(shè)置于該頂面上，并封住該貫孔的一端開(kāi)口，該濾網(wǎng)用以過(guò)濾該氣體。
4.如權(quán)利要求1所述的過(guò)濾裝置，其中該吸附元件還具有底面、頂面、側(cè)面及貫孔，該側(cè)面連接該底面和該頂面，該貫孔貫穿該底面和該頂面，該貫孔的孔壁和該側(cè)面具有該些峰部和該些谷部。
5.如權(quán)利要求4所述的過(guò)濾裝置，還包括濾網(wǎng)，設(shè)置于該頂面上，并封住該貫孔的一端開(kāi)口，該濾網(wǎng)用以過(guò)濾該氣體。
6.一種過(guò)濾方法，用以過(guò)濾氣體，該氣體具有第一溫度，該過(guò)濾方法包括提供至少一個(gè)吸附元件，該吸附元件具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部，該些峰部和該些谷部交錯(cuò)排列；維持該吸附元件的溫度為第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度；以及導(dǎo)引該氣體流經(jīng)該吸附元件，使該些峰部和該些谷部接觸該氣體而吸附該氣體中的微粒子。
7.如權(quán)利要求6所述的過(guò)濾方法，其中該吸附元件還具有底面、頂面及貫孔，該貫孔貫穿該底面和該頂面，該貫孔具有貫穿中心線，該吸附元件的任一垂直于該貫穿中心線的截面為中空星狀截面。
8.如權(quán)利要求6所述的過(guò)濾方法，其中該吸附元件還具有底面、頂面及側(cè)面，該側(cè)面連接該底面和該頂面，該側(cè)面具有該些峰部和該些谷部。
9.一種晶片制造方法，包括置放晶片于反應(yīng)室中；提供第一溫度于該反應(yīng)室，以進(jìn)行該晶片的半導(dǎo)體制造工藝；提供至少一個(gè)吸附元件，該吸附元件具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部，該些峰部和該些谷部交錯(cuò)排列；維持該吸附元件的溫度為第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度；以及導(dǎo)引該反應(yīng)室的氣體流經(jīng)該吸附元件，使該些峰部和該些谷部接觸該氣體而吸附該氣體中的微粒子。
10.如權(quán)利要求9所述的晶片制造方法，其中該吸附元件還具有底面、頂面、側(cè)面及貫孔，該側(cè)面連接該底面和該頂面，該貫孔貫穿該底面和該頂面，該側(cè)面具有該些峰部和該些谷部。
11.如權(quán)利要求9所述的晶片制造方法，其中該吸附元件還具有底面、頂面、側(cè)面及貫孔，該側(cè)面連接該底面和該頂面，該貫孔貫穿該底面和該頂面，該貫孔的孔壁和該側(cè)面具有該些峰部和該些谷部。
全文摘要
一種過(guò)濾裝置及其過(guò)濾方法與晶片制造方法。過(guò)濾裝置用以過(guò)濾氣體。氣體具有第一溫度。過(guò)濾裝置包括殼體、冷凝器及至少一個(gè)吸附元件。殼體具有進(jìn)氣口、排氣口及冷凝室，進(jìn)氣口用以供氣體進(jìn)入冷凝室，排氣口用以供氣體離開(kāi)冷凝室。冷凝器與殼體耦接，用以維持冷凝室內(nèi)的溫度為第二溫度，第二溫度低于第一溫度。至少一個(gè)吸附元件設(shè)置于冷凝室中，并具有多個(gè)峰部和多個(gè)谷部。峰部和谷部交錯(cuò)排列，峰部和谷部用以接觸氣體而吸附氣體中的微粒子。
文檔編號(hào)B01D8/00GK101053702SQ20071008566
公開(kāi)日2007年10月17日 申請(qǐng)日期2007年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月10日
發(fā)明者郝鴻虎, 曾國(guó)邦 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司