專利名稱：一種電子級水的集成膜過程生產(chǎn)工藝與過程的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種超純水的生產(chǎn)工藝與過程，尤其是一種電子級超純水的集成膜過程生產(chǎn)工藝與過程。
國家標準GB/T11446.1-1997定義“電子級水”為“制造電子元器件工藝過程中所用的高純水”。電子級水的最高等級是用于超大規(guī)模和甚大規(guī)模集成電路生產(chǎn)所用的清洗水。電子工業(yè)對超純水的品質(zhì)要求，區(qū)別于其它所有的工業(yè)部門而需要考慮水中的全部污染物。
純水作為集成電路生產(chǎn)環(huán)境的一部分，其品質(zhì)好壞直接對產(chǎn)品質(zhì)量起著極大的影響作用。在幾乎每道加工工序中，導電的或絕緣的材料層被加到硅片的表面。在下一層加上之前，需用腐蝕性的化學藥品酸蝕刻掉表面的一部分。因此，為保證徹底地漂洗和移除硅片表面的化學藥物，需要使用純水對產(chǎn)品進行清洗。然而，此過程中所使用的純水中的微量雜質(zhì)又可能使產(chǎn)品再次受到污染。因此，純水的品質(zhì)對集成電路的生產(chǎn)質(zhì)量和生產(chǎn)成本具有至關重要的影響。
在二十世紀五十年代末期半導體工業(yè)剛問世時，電阻率為18MΩ·cm(25℃)被認為是超純水的唯一水質(zhì)指標，而當時的深度去離子技術——離子交換有時是能夠生產(chǎn)出電阻率18MΩ·cm的超純水的。其后逐漸發(fā)現(xiàn)僅以電阻率一項指標來衡量產(chǎn)品水質(zhì)量還遠遠不夠。七十年代中期提出了微粒、細菌、二氧化碳、鈉、總有機碳(TOC)五項新的指標，制水過程開始采用反滲透和離子交換相結合的工藝。八十年代，對微粒和細菌的控制越來越嚴，超濾技術相應地被引入到了電子級水的生產(chǎn)中來，并且此外還增加了溶解氧的限制指標。九十年代時已進入ULSI時代，各國都在不斷探討新的適應兆位級集成電路生產(chǎn)的超純水制造系統(tǒng)。因此，集成電路集成度的不斷提高使得對純水中污染物的指標要求日趨嚴格，ULSI對純水水質(zhì)的要求成為了當代超純水水質(zhì)的極值。
表一給出了日本對64M DRAM集成度的集成電路生產(chǎn)用超純水以及中國“電子級水”國家標準GB/T11446.1-1997EW-I級水的技術指標。
表一、電子級水水質(zhì)標準

對于電子級水的生產(chǎn)，其所要求的無機雜質(zhì)中弱離子化的硅(SiO2等)、硼、(B)、溶解二氧化碳(CO2)的去除一直是水處理技術中的難題，尤以硅和硼的去除更為困難。
硅，尤其是可溶性的硅酸根離子，除了影響圖形缺陷之外，還會造成磷硅霧與閥值電壓變化。超純水中硼的含量一般不為人所關注，但是近年分析科學的進展使人們認識到超純水中所含的微量硼是影響半導體加工質(zhì)量的又一個重要雜質(zhì)種類。晶格基片中的硼濃度對基于基片所生成的多通道晶體管的閥值電壓具有決定性影響，因此清洗所用的超純水中較高濃度的硼會使得基片中的硼濃度難以控制，從而導致產(chǎn)品缺陷。此外，當將細微的多通道晶體管用以生產(chǎn)高集成度半導體產(chǎn)品時，如此細微的產(chǎn)品生產(chǎn)過程就需要使基片中沿厚度方向的硼濃度能夠被精確控制，這反過來就要求生產(chǎn)過程中所用的超純水中的硼濃度具有相當?shù)偷闹怠?br> 傳統(tǒng)的純水制備技術，一般至少含有預處理、除鹽、除非離子化雜質(zhì)等三個單元，但一般都具有兩個明顯的缺點。一是設備的投資費用和運行維護費用居高不下；二是面臨大量的環(huán)境危害性廢液的處理排放問題，這主要是由于使用需要化學再生的離子交換樹脂而造成的。使用離子交換技術，不僅因大量酸堿的消耗以再生樹脂而導致生產(chǎn)效率低下、操作復雜、系統(tǒng)不能連續(xù)運轉，其主要的問題更在于排放的大量廢酸廢堿液難以處理而嚴重污染環(huán)境。近年來，不含任何化學再生型的純水制造技術備受關注，傳統(tǒng)的離子交換正在被反滲透(RO)、電去離子(EDI)等技術所取代。這些新的純水制備技術一般以膜分離過程為技術核心，結合其他的前后處理手段組成集成膜過程以適應生產(chǎn)要求。RO和EDI等技術的使用，在很大程度上解決了制水系統(tǒng)的效率低下，產(chǎn)生環(huán)境危害性廢水等問題。
專利JP11244853A2設計了如下的工藝流程用于半導體、光學鏡頭和液晶生產(chǎn)過程所需的清洗水。首先將經(jīng)預處理的自來水的pH值調(diào)節(jié)至4-5后，再經(jīng)一級反滲透除鹽、脫氣單元脫除溶解二氧化碳等氣體，再重新調(diào)節(jié)pH值為7-11后進入二級反滲透除鹽，二級反滲透的產(chǎn)品水再經(jīng)電去離子深度除鹽而得到超純水。
專利JP11244854A2的設計則首先將經(jīng)預處理的自來水的pH值調(diào)節(jié)至8-11，然后先后經(jīng)一級反滲透和電去離子過程而得到超純水。一級反滲透的濃縮水進入另一反滲透單元，其濃縮水排放，淡化水和EDI的濃縮水回收至一級反滲透的進水以提高水利用率。
專利JP11262771A2同樣采取了以“反滲透/電去離子”為核心的流程設計，但是預處理手段較為復雜。首先將原水的pH值調(diào)節(jié)為3-5進行脫氣，然后采用陰離子交換樹脂吸附有機物，再調(diào)節(jié)水的pH值至6-9.5而進入下游的“反滲透/電去離子”系統(tǒng)得到超純水。
然而，現(xiàn)有的純水、超純水制備技術，仍然很難同時兼顧水質(zhì)純度與制水過程的經(jīng)濟性和高效性；此外，分析科學的最新進展也為電子級超純水的制備帶來了新的問題和難題。這主要表現(xiàn)在以下幾個方面一、不能有效除硼用于超純水生產(chǎn)的原水，如自來水、井水或河水，其中硼的濃度一般為數(shù)十個ppb，而現(xiàn)有的超純水生產(chǎn)工藝都難以理想地除去這種低濃度的微量硼。對于采取化學再生的離子交換過程，弱解離性的硼在運行的很短時間內(nèi)就將發(fā)生床層泄露，因此只能通過增加離子交換樹脂床層的再生頻率來控制產(chǎn)品水中的硼濃度。此外，已經(jīng)被廣泛應用的RO和EDI也分別只能去除大約40％和75％的硼。對于使用“兩級反滲透—混床離子交換”和“反滲透—電去離子”深度除鹽的生產(chǎn)工藝，其終端膜過濾之后的產(chǎn)品水仍然將含有3-10ppb的硼，而這一濃度水平仍是過高的。
二、一級純水系統(tǒng)的設備投資過高，水利用率偏低對于當前的超純水生產(chǎn)過程，在一級純水系統(tǒng)中都普遍采用兩級反滲透加離子交換(或EDI)的設計。兩級反滲透雖然可以大大減輕后續(xù)離子交換柱的負擔，但是系統(tǒng)的投資成本過高，同時制水系統(tǒng)的水利用率偏低。一般兩級反滲透的總水利用率不超過35％。
三、終端精處理仍不能完全符合要求當光刻線寬減小到1μm以下時，一般采用超濾膜進行終端過濾。目前較多被采用的是0.1μmUF-UV(紫外線)-0.04μmUF的終端處理方法，但是對于集成度超過64MDRAM的集成電路生產(chǎn)而言，仍不能保證產(chǎn)品水中的微粒等指標的合格。
因此，對于最復雜的電子級水的制備，需要采用更科學合理的綜合集成工藝，既能完全去除水中的各種有機和無機雜質(zhì)，可靠、安全地生產(chǎn)質(zhì)量合格的超純水，同時又進一步降低系統(tǒng)投資費用，并提高水資源的利用率。
本發(fā)明的目的是通過如下的技術方案實現(xiàn)的設計一種同時集成有超濾(UF)、納濾(NF)、反滲透(RO)、電去離子(EDI)、膜脫氣、拋光反滲透(PRO)等多種膜分離過程和砂濾、活性炭吸附、pH調(diào)節(jié)、紫外線照射、拋光混床離子交換等工藝相結合的集成膜過程，該工藝過程含有預處理單元、一級純水系統(tǒng)(含除硼單元)、二級純水系統(tǒng)、終端精處理單元四個組成部分。以城市自來水為原水，依次經(jīng)過上述五個處理步驟，最終獲得電子級超純水。
(1)預處理單元預處理單元采用以“UF-NF”聯(lián)合為核心的流程設計。
UF是以壓力為驅動力，利用物理篩分作用對液體進行分離的膜分離過程，其操作壓力通常為0.2-0.3MPa。對于本發(fā)明所可采用的UF膜，可為有機高分子材料或無機材料的UF膜。有機材料UF膜主要有聚砜類和聚烯烴膜，如聚砜(PS)、磺化聚砜(SPS)、聚醚砜(PES)、聚丙烯(PP)、聚丙烯腈(PAN)等；無機材料UF膜主要是無機陶瓷膜。本發(fā)明中所使用的UF膜，其截留分子量控制選擇為2-5萬道爾頓。
以城市自來水為原水，經(jīng)UF膜分離，可去除原水中的膠體、微粒、大分子有機物、細菌等雜質(zhì)，使原水的污染指數(shù)降至3以下。
NF是同樣以壓力為驅動力，利用物理篩分作用對液體進行分離的膜分離過程，其孔徑范圍為1-3納米，平均孔徑2納米。NF的膜孔徑、操作壓力、分離性能介于RO和UF之間。主要的可使用的NF膜種類有醋酸纖維素—三醋酸纖維素(CA-CTA)膜、芳香聚酰胺復合膜和磺化聚醚砜膜等。NF膜對單價離子的截留率小于20％，對鈣、鎂硬度離子和其它的二價和高價離子，脫除率可達95％以上，同時脫鹽率達50-70％。此外，NF對分子量200以上的各種有機物雜質(zhì)的脫除率也可達到90％以上?？墒褂玫腘F膜牌號有ESNAl-4040、ESNAl等，其操作壓力約為0.5MPa，對于多支及大型的NF膜系統(tǒng)，通過流程的合理設計，其系統(tǒng)水回收率可高達85％。
在UF和RO之間使用NF膜軟化，可防止下游的RO膜結垢，并減輕下游工藝的有機雜質(zhì)污染。
在UF與NF之間設置活性炭吸附濾器，進一步吸附去除有機物和細菌病毒等微生物，減輕NF膜的有機污染負擔。
在活性炭吸附濾器和NF之間設置使用蜂房濾芯的保安過濾器，以防止活性炭粉末進入下游的NF膜組件。保安過濾的過濾孔徑為1-5μm。
若原水水質(zhì)偏差，則可視具體水質(zhì)情況在UF之前設置石英砂濾器、機械過濾等裝置以強化預處理，從而去除水中的懸浮物、大的顆粒等雜質(zhì)并降低濁度，防止UF膜的膜孔堵塞，通量下降。所用的砂濾器，其過濾介質(zhì)為0.4-1.0的石英砂。
(2)一級純水系統(tǒng)一級純水系統(tǒng)中依次含有pH調(diào)節(jié)、一級RO、臭氧殺菌、膜脫氣、深度除鹽單元與除硼單元。
經(jīng)“UF-NF”聯(lián)合預處理的原水，由于絕大多數(shù)的硬度離子已被去除，所以可避免在下游RO膜組件中的結垢。水在進入一級RO膜組件之前，采取投加稀NaOH溶液等方法將其pH值調(diào)節(jié)至8.0-11.0的弱堿性，以pH為9.0-10.0尤佳，從而有利于溶解CO2、TOC、SiO2的充分去除，以及經(jīng)RO之后通過EDI單元獲得高電阻率的超純水。NF水經(jīng)pH調(diào)節(jié)后經(jīng)一級RO除鹽，產(chǎn)品水電導率達到1-5μs/cm，同時RO膜還可進一步去除殘余的有機物和細菌、微粒。對于本發(fā)明，所用的RO膜，為高脫鹽率(大于99％)的低壓聚酰胺復合(TFC)膜，可選用的商品RO膜牌號有CPA-ULTRAPURE、CPA-3、CPA-4、ESPA-ULTRAPURE等，其標準操作壓力為1.05-1.55MPa。
通過一級RO獲得的純水進入一級純水水箱，在水箱中進行充氮氣保護，以避免純水受到空氣中的微粒、二氧化碳等雜質(zhì)的二次污染。此外，采用現(xiàn)場臭氧發(fā)生器向純水箱中投加濃度0.1-0.3ppm的臭氧，以防止細菌滋長。
一級RO純水經(jīng)純水泵進入中空纖維膜脫氣組件脫除水中的溶解氧。該組件采用疏水性的TEFLON或PE材質(zhì)的RO膜，只能透過氣體或氧氣。純水從中空纖維內(nèi)通過，溶解氧則滲透到膜外側，經(jīng)氮氣吹掃而使水中的殘余溶解氧濃度下降到5ppb以下。膜脫氣裝置除可去除溶解氧之外，還可去除殘余的溶解二氧化碳而減輕下游的樹脂的負擔。
本發(fā)明中所使用的EDI深度除鹽裝置，是近年來得到迅速推廣使用的一種新的深度除鹽手段，其技術特征是在厚度增加的電滲析器的淡水室中填充強酸強堿性混床離子交換樹脂，將電滲析與離子交換結合起來，通過電能與離子交換樹脂和膜深度除鹽，同時又通過電能實現(xiàn)樹脂的連續(xù)再生，免除了對離子交換樹脂使用酸堿的頻繁再生而直接、連續(xù)制取電阻率16-18MΩ·cm的超純水。
對于本發(fā)明，原水經(jīng)UF、NF、RO等膜過程處理之后，再通過EDI深度除鹽，與傳統(tǒng)的化學再生型或非再生型混床離子交換床相比，無須對樹脂進行復雜的再生或頻繁更換樹脂。此外，EDI還具有免pH調(diào)節(jié)除溶解二氧化碳、二氧化硅、硼等雜質(zhì)和抑菌，殺菌的能力。在RO之前進行的弱堿性pH調(diào)節(jié)，以及EDI過程中特有的水解離作用而生成的H+和OH-離子，有助于這些弱解離性雜質(zhì)的離子化。EDI過程中的這種離子化作用在于，在EDI的淡水室中離子交換膜和離子交換樹脂的表面會發(fā)生水的解離作用，水分子被解離為H+和OH-離子，部分OH-離子和水中弱離子化的硅、硼雜質(zhì)相結合，分別生成硅酸根和硼酸根離子，從而在外加直流電場的作用下從淡水流中透過樹脂和膜遷移到濃縮水中而除去。本發(fā)明所使用的EDI裝置已在專利ZL00200207.8中作了具體描述。
除硼單元是將純水通過填充有具備硼選擇性吸附功能的離子交換樹脂柱。該樹脂柱中使用的樹脂不同于一般的超純水生產(chǎn)過程中所使用的強堿性陰離子交換樹脂，其離子交換的活性功能基團為多羥基醇，屬于弱堿性陰樹脂。含有這種以多羥基醇為交換功能基的弱堿性離子交換樹脂，可以非常有效穩(wěn)定地去除水中的微量硼，確保其出水的硼含量低于0.01-0.1ppb。
在制水流程中，硼選擇性樹脂被設置在EDI深度除鹽之后，以完全去除EDI產(chǎn)品水中參與的痕量硼，保護和提高水質(zhì)。本發(fā)明中，硼選擇性離子交換柱設計為非再生型式以避免化學再生時Cl-、OH-等陰離子的污染。樹脂在吸附飽和后直接更換。
(3)二級純水系統(tǒng)二級純水系統(tǒng)依次包括超純水水箱、紫外燈氧化器和拋光混床離子交換。
在超純水水箱和拋光混床離子交換柱中均以高純氮氣作保護。紫外線氧化器采用低壓185nm的紫外燈，分解殘存在一級純水系統(tǒng)中的極少量TOC成分，尤其適用于分解在RO膜中去除率較低的低分子量有機物，進一步降低TOC至1ppb以下。拋光混床選擇低溶出式的均粒離子交換樹脂，去除前置紫外線氧化器分解TOC產(chǎn)生的小分子有機物和CO2，同時徹底除去水中殘余的衡量離子和硅等雜質(zhì)，使電阻率穩(wěn)定在可達到的最高水平。所使用的均粒樹脂，其定義為95％的陰陽離子交換樹脂顆粒的粒徑都在平均粒徑的10％以內(nèi)。拋光混床設計為非再生混床以避免再生時所產(chǎn)生的二次污染，定期直接更換樹脂。
(4)終端膜過濾采用截留分子量為100的超低壓拋光復合反滲透膜(PRO)作終端過濾，代替常規(guī)的超濾，截留粒子尺寸0.0001μm，徹底去除上游拋光混床中可能產(chǎn)生的微量TOC和微粒、細菌等雜質(zhì)，確保產(chǎn)品水質(zhì)符合光刻線寬已達0.13μm甚至較之更小的集成電路的用水要求。
本發(fā)明中的各個組成部分集為一體，可以產(chǎn)生如下效果UF—活性炭-NF聯(lián)合預處理，可以去除水中的各種膠體、微粒、有機物、細菌等雜質(zhì)，以及鈣、鎂硬度離子和50-70％的鹽份，防止下游的RO膜結垢，保證其使用壽命；一級純水系統(tǒng)中的RO、膜脫氣、EDI深度除鹽和硼選擇性樹脂等單元可高效、連續(xù)地去除水中的無機離子、硼、硅、溶解氧和細菌等微生物，出水電阻率達到16-18MΩ·cm；二級純水系統(tǒng)中的紫外燈氧化器和拋光混床徹底去除系統(tǒng)中殘余的微量低分子量有機物、細菌和離子態(tài)雜質(zhì)；終端拋光反滲透膜過濾徹底去除衡量的微粒、TOC和細菌，最終獲得超高純度的電子級水。
反滲透純水水箱以氮氣進行保護，避免受到空氣的二次污染。此外，在水箱中充以濃度適當?shù)?，現(xiàn)場制造的臭氧以防止滋生細菌。膜脫氣單元用以去除水中殘余的氧氣、氮氣和二氧化碳。電去離子單元連續(xù)深度除鹽，免除化學藥品對樹脂的反復再生，不排放污染性廢水，使出水電阻率達到16-18MΩ·cm。填充有硼選擇性離子交換樹脂的交換柱置于電去離子單元的下游，徹底去除水中微量的硼，使產(chǎn)品水中的硼濃度低于0.01ppb得到一級純水。除樹脂柱同樣用氮氣進行保護，可使用的硼選擇性樹脂牌號有Rome&Hass公司的AMBERLITEIRA-743T以及Mitsubishi Chemical Industries公司的DIAION CRB02等。
一級純水系統(tǒng)生產(chǎn)的超純水進入二級純水系統(tǒng)，依次經(jīng)過超純水箱、紫外線氧化、拋光混床樹脂提高水質(zhì)和終端拋光反滲透處理，得到產(chǎn)品水供應超純水用水點。所使用的紫外燈氧化器，其紫外線波長為185nm，用以分解一級純水系統(tǒng)中所殘余的低分子量有機物拋光混床則可去除衡量的小分子有機物和CO2，進一步提高出水電阻率。拋光混床同樣也充以氮氣保護。拋光反滲透則作為最終的水質(zhì)保護手段，徹底去除細微顆粒、細菌和殘余TOC。
從而，

圖1所提供的超純水生產(chǎn)流程，則不含有任何化學再生型的去離子單元，可長時間連續(xù)運行，生產(chǎn)不含有硼的超純水，同時不產(chǎn)生任何環(huán)境危害性廢液。相對于使用“兩級反滲透—電去離子”或“兩級反滲透—離子交換混床”的設計，不僅設備投資降低，同時水利用率得到提高，而且可以穩(wěn)定、高效地去除對集成電路生產(chǎn)所不利的微量硼。
圖1所提供的生產(chǎn)流程中，其預處理部分的管路采用潔凈聚氯乙烯(C-PVC)、聚丙烯(PP)或ABS材質(zhì)，納濾以及一級純水系統(tǒng)中的反滲透部分采用不銹鋼或拋光不銹鋼管，自反滲透之后至終端用水點之間的管路均采用標準聚偏二氟乙烯(PVDF)或高純PVDF(PVDF-HP)或特氟隆(PFA)材質(zhì)。當生產(chǎn)線用于提供溫超純水時，相應的管路則只采用PVDF-HP或PFA材質(zhì)。PVDF、PFA在化學穩(wěn)定性，最高工作溫度等方面均遠優(yōu)于PVC、PP和ABS，并且無添加劑，無溶出物，細菌無法賴以生存，故其細菌、TOC指標均很低，不會導致產(chǎn)品水電阻率的下降。
權利要求
1.一種電子級水的集成膜過程生產(chǎn)工藝與過程，以城市自來水為原水，依次經(jīng)過預處理、一級純水系統(tǒng)、二級純水系統(tǒng)和終端膜過濾精處理四個組成部分而制得電子級超純水，其特征在于制水過程采取以下的集成膜過程工藝(1)采用“砂濾—超濾—活性炭—保安過濾—納濾”集成過程組成預處理系統(tǒng)；(2)采用“pH調(diào)節(jié)—反滲透—臭氧殺菌—膜脫氣—電去離子—硼選擇性離子交換樹脂”集成過程組成一級純水系統(tǒng)，并且在反滲透水箱、硼選擇性離子交換樹脂柱和一級超純水水箱中充以高純氮氣為保護氣；(3)采用“紫外燈氧化器—拋光混床離子交換”組成二級純水系統(tǒng)，并且在拋光混床樹脂柱中充以高純氮氣為保護氣；(4)采用“拋光反滲透”作為終端膜過濾系統(tǒng)。
2.根據(jù)權利要求1所述的電子級水的集成膜過程生產(chǎn)工藝與過程，其特征在于，預處理中所使用的砂濾器的過濾介質(zhì)為0.4-1.0mm的石英砂。
3.根據(jù)權利要求1所述的電子級水的集成膜過程生產(chǎn)工藝與過程，其特征在于，在納濾和反滲透之間對水的pH值進行的調(diào)節(jié)，是投加稀NaOH溶液使反滲透的進水pH值為8.0-11.0。
4.根據(jù)權利要求1所述的電子級水的集成膜過程生產(chǎn)工藝與過程，其特征在于，預處理中所使用的超濾膜，是截留分子量為2-5萬道爾頓的有機高分子材料超濾膜或者無機陶瓷超濾膜，其中的有機高分子超濾膜的材質(zhì)是聚砜或磺化聚砜、聚醚砜、聚丙烯、以及聚丙烯腈中的一種。
5.根據(jù)權利要求1所述的電子級水的集成膜過程生產(chǎn)工藝與過程，其特征在于，預處理中所使用的納濾膜，其孔徑范圍為1-3納米，其材質(zhì)是醋酸纖維素—三醋酸纖維素，或芳香聚酰胺以及磺化聚醚砜中的一種。
6.根據(jù)權利要求1所述的電子級水的集成膜過程生產(chǎn)工藝與過程，其特征在于，一級純水系統(tǒng)中所使用的反滲透膜，為標準操作壓力1.05-1.55MPa，脫鹽率大于99％的低壓聚酰胺復合(TFC)反滲透膜。
7.根據(jù)權利要求1所述的電子級水的集成膜過程生產(chǎn)工藝與過程，其特征在于，終端過濾所用的拋光反滲透膜，為截留粒子尺寸0.0001μm，截留分子量為100的超低壓復合反滲透膜。
全文摘要
一種電子級水的集成膜過程生產(chǎn)工藝與過程，以自來水為原水，依次經(jīng)過預處理、一級純水系統(tǒng)、二級純水系統(tǒng)和終端膜過濾精處理四個組成部分而制得電子級超純水。其中，預處理單元主要含有砂濾、超濾、活性炭吸附和納濾，一級純水系統(tǒng)主要由反滲透、膜脫氣、電去離子、硼選擇性離子交換樹脂等單元組成，二級純水系統(tǒng)主要由紫外燈氧化和拋光混床樹脂組成，終端膜過濾則采用拋光反滲透膜處理。該制水系統(tǒng)可實現(xiàn)高效、清潔、可靠的非化學再生型的超純水生產(chǎn)，不排放環(huán)境危害性廢水，且可有效地去除雜質(zhì)硼，制水系統(tǒng)的成本降低，水利用率得到提高，終端過濾更安全可靠。
文檔編號C02F9/08GK1408653SQ0213127
公開日2003年4月9日 申請日期2002年9月24日 優(yōu)先權日2002年9月24日
發(fā)明者王建友, 王世昌, 任延, 王宇新, 王志 申請人:天津大學