專利名稱：中、高溫真空集熱管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽能光熱應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種中、高溫真空集熱管。
背景技術(shù)：
光熱轉(zhuǎn)換吸收膜層性能有兩個指標(biāo)，一是吸收率α，二是發(fā)射率ε。金屬吸熱元件表面鍍上吸收膜層后，膜層的發(fā)射率ε比金屬表面的發(fā)射率ε增加59TlO%，使槽式中、高溫線聚焦太陽能真空集熱管在工作狀態(tài)下向外輻射的能量增加?，F(xiàn)有槽式中、高溫聚光系統(tǒng)中應(yīng)用的中、高溫線聚焦太陽能真空集熱管的金屬吸熱管外表面全部覆蓋有膜層，膜層保證對陽光有高效吸收效率的同時也提高金屬表面的發(fā)射效率，也就是說增加了不必要的能量散失，因而當(dāng)中、高溫線聚焦太陽能真空集熱管在線聚光系統(tǒng)上應(yīng)用時，增加了中、高溫線聚焦太陽能真空集熱管外紅發(fā)射能量損失而且成本高、浪費(fèi)材料。

實(shí)用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種中、高溫真空集熱管，以克服現(xiàn)有的中、高溫真空集熱管的吸熱管外表面因全部覆蓋有吸熱膜，而造成的成本高、浪費(fèi)材料并且有不必要的能量散失的缺陷。(二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種真空集熱管，包括吸熱管，所述吸熱管外表面部分覆蓋有吸熱膜，所述吸熱膜的覆蓋區(qū)域為所述吸熱管接受光照的區(qū)域。優(yōu)選的，所述吸熱膜的覆蓋區(qū)域為吸熱管外表面積的一半。優(yōu)選的，所述吸熱膜采用磁控濺射方式或電鍍方式覆蓋在吸熱管的外表面上。優(yōu)選的，所述吸熱管為金屬吸熱管。優(yōu)選的，所述吸熱膜的材料是銅鋁鎘。(三)有益效果本實(shí)用新型提供的中、高溫真空集熱管，通過將中、高溫真空集熱管的吸熱管的外表面部分覆蓋吸熱膜，可在保證中、高溫真空集熱管有高吸收效率的同時，最大程度地減少能量散失，并且本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，制造成本低。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的中、高溫真空集熱管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的中、高溫真空集熱管的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記:1:排氣嘴保護(hù)帽；2:彈性緩沖組件；3:保護(hù)套；4:金屬吸熱管；5:玻璃管；6:真空；7:全圓鍍膜；8半圓鍍膜。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型，但不能用來限制本實(shí)用新型的范圍。如圖1、圖2所示，為中、高溫真空集熱管的結(jié)構(gòu)示意圖。中、高溫真空集熱管、槽式拋物面聚焦裝置、單軸自動跟蹤裝置、熱傳導(dǎo)及控制裝置、熱交換器、儲熱裝置組成了槽式太陽能集熱系統(tǒng)。槽式太陽能集熱系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于太陽能光熱應(yīng)用領(lǐng)域的熱發(fā)電、太陽能空調(diào)、太陽能工業(yè)加熱等。其中，所述中、高溫真空集熱管包括:排氣嘴保護(hù)帽1、彈性緩沖組件2，保護(hù)套3、玻璃管5、真空6、金屬吸熱管4以及其上的吸熱膜?，F(xiàn)有的金屬吸熱管4外表為全圓鍍膜7。具體的，所述玻璃管5用于保護(hù)金屬吸熱管4表面的膜層，并與彈性緩沖組件2、金屬吸熱管4組成密閉腔體，通過設(shè)置在玻璃管5側(cè)壁上的排氣管使密閉腔體形成真空6，達(dá)到絕熱目的，并且用排氣嘴保護(hù)帽I保護(hù)排氣嘴。彈性緩沖組件2吸收中、高溫真空集熱管工作時因受熱膨脹金屬吸熱管4與玻璃管5膨脹伸長量差額。當(dāng)槽式中、高溫線聚焦太陽能真空集熱管在溫度200°C 400°C條件工作時，中、高溫真空集熱管的金屬吸熱管4的外表面接受到槽式拋物面聚焦裝置照射的面積大約為金屬吸熱管4外表面積的一半左右，因而本實(shí)用新型的金屬吸熱管4的外表面積的覆蓋膜層為半圓鍍膜8。具體的，在中、高溫真空集熱管正對槽式拋物面聚焦裝置聚焦焦斑一面的吸熱管上鍍膜，在背對槽式拋物面聚焦裝置聚焦焦斑一面的吸熱管上保留原金屬吸熱管4的金屬表面(即在這一面上不鍍膜)。因為金屬吸熱管4表面鍍上膜層后的發(fā)射率ε要比金屬表面的發(fā)射率ε增加59TlO%，即能量損失增加59TlO%。所以，在相同工作溫度條件下，本實(shí)用新型提供的金屬管芯半圓鍍膜的槽式線聚焦太陽能真空集熱管要比金屬管芯全圓鍍膜的槽式線聚焦太陽能真空集熱管的單管的能量損失減少59TlO%，而能量的吸收效率不變，所以集熱效率提高了 59TlO%，成本也比全部鍍膜的真空集熱管低，而且節(jié)約材料。此外，本實(shí)用新型中所述吸熱膜可以采用磁控濺射方式、電鍍方式或其他等同方式覆蓋在金屬吸熱管4上，也可粘貼在其上，不影響本實(shí)用新型的效果。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員都知道，本實(shí)用新型所述金屬吸熱管4可替換為陶瓷吸熱管、玻璃吸熱管等，將吸熱膜部分覆蓋在陶瓷吸熱管、玻璃吸熱管等上均能達(dá)到相同的效果O本實(shí)用新型提供的中、高溫真空集熱管具有明顯的有益效果:通過將中、高溫真空集熱管的金屬吸熱管4的外表面設(shè)置成半圓鍍膜8，可在保證中、高溫真空集熱管有高吸收效率的同時，最大程度地減少其上的能量散失，將其吸收到的能量最大程度地轉(zhuǎn)化利用，并且本中、高溫真空集熱管結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，制造成本低，節(jié)約材料。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種中、高溫真空集熱管，其特征在于，包括吸熱管，所述吸熱管外表面部分覆蓋有吸熱膜，所述吸熱膜的覆蓋區(qū)域為所述吸熱管接受光照的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的中、高溫真空集熱管，其特征在于，所述吸熱膜的覆蓋區(qū)域為吸熱管外表面積的一半。
3.如權(quán)利要求1所述的中、高溫真空集熱管，其特征在于，所述吸熱膜采用磁控濺射方式或電鍍方式覆蓋在吸熱管的外表面上。
4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的中、高溫真空集熱管，其特征在于，所述吸熱管為金屬吸熱管。
專利摘要本實(shí)用新型涉及太陽能光熱應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種中、高溫真空集熱管。該中、高溫真空集熱管包括吸熱管，所述吸熱管外表面部分覆蓋有吸熱膜，所述吸熱膜的覆蓋區(qū)域為所述吸熱管接受光照的區(qū)域。本實(shí)用新型提供的中、高溫真空集熱管，通過將中、高溫真空集熱管的吸熱管的外表面部分覆蓋吸熱膜，可在保證中、高溫真空集熱管有高吸收效率的同時，最大程度地減少能量散失，并且本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，制造成本低。
文檔編號F24J2/48GK202938528SQ20122049873
公開日2013年5月15日 申請日期2012年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月27日
發(fā)明者雷柏松, 胡金良 申請人:北京桑達(dá)太陽能技術(shù)有限公司