專利名稱：微波爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種含有半波倍壓電路的微波爐。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有微波爐高壓變壓器次級(jí)一般只輸出2000VAC左右，且次級(jí)繞組一端通過(guò)與變壓器骨架接觸來(lái)接地，因此在微波爐次級(jí)后面帶有一個(gè)半波倍壓電路，高壓變壓器在一個(gè)正弦波的半個(gè)周期內(nèi)先對(duì)半波倍壓電路中的電容充電，然后利用高壓變壓器的另外半個(gè)反向周期時(shí)的輸出，疊加原先已經(jīng)充完電的電容組成一個(gè)4000VAC左右的電壓給磁控管使其工作，為了防止高壓變壓器的高溫導(dǎo)致繞組起火等安全事故，一般在高壓變壓器次級(jí)繞組和高壓電容之間串聯(lián)一個(gè)高壓保險(xiǎn)絲組件，當(dāng)發(fā)生像高壓二極管擊穿等異常時(shí)，次級(jí)繞組的電流超過(guò)高壓保險(xiǎn)絲的電流限值，保險(xiǎn)絲就會(huì)燒毀以起到保護(hù)作用。使用這種高壓變壓器的微波爐，其功率因數(shù)沒有達(dá)到最大值。
發(fā)明內(nèi)容因此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種能大大提高功率因數(shù)的微波爐。上述目的采用下述技術(shù)方案給予實(shí)現(xiàn)。一種微波爐，包括高壓變壓器和磁控管，高壓變壓器又包括骨架、初級(jí)繞組、次級(jí)繞組和燈絲繞組，所述次級(jí)繞組與磁控管組成的電流回路中至少設(shè)有一個(gè)電壓通斷控制
ο上述技術(shù)方案可以做如下進(jìn)一步完善。所述電壓通斷控制器是一個(gè)雙向二極管?；蛩鲭妷和〝嗫刂破魇莾蓚€(gè)二極管的組合，兩個(gè)二極管極性相反共同并聯(lián)于電流回路中?；蛩鲭妷和〝嗥魇菃蝹€(gè)可控硅?；蛩鲭妷和〝嗥魇莾蓚€(gè)可控硅的組合，兩個(gè)可控硅極性相反共同并聯(lián)于電流回路中?；蛩鲭妷和〝嗥魇且粋€(gè)高壓二極管。所述燈絲繞組與磁控管組成的電流回路中設(shè)有移相器。本實(shí)用新型設(shè)計(jì)合理，通過(guò)電壓通斷控制器控制次級(jí)繞組工作電路導(dǎo)通或斷開的相位，用來(lái)改變磁控管的輸出，使得微波爐的輸出功率因數(shù)盡量達(dá)到最大。

圖1為實(shí)施例1的電氣圖。圖2為實(shí)施例2的電氣圖。圖3為實(shí)施例3的電氣圖。圖4為實(shí)施例4的電氣圖。[0018]圖5為實(shí)施例5的電氣圖。圖6為實(shí)施例6的電氣圖。圖7為實(shí)施例7的電氣圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳述。實(shí)施例1，結(jié)合圖1，一種微波爐，包括高壓變壓器1、高壓保險(xiǎn)絲10、高壓電容11、 高壓二極管8和磁控管9，高壓變壓器1又包括初級(jí)繞組2、次級(jí)繞組3、燈絲繞組4、初級(jí)繞組具有輸入端5、6、7，燈絲繞組4和磁控管9的陰極電連接，次級(jí)繞組3、高壓保險(xiǎn)絲10、高壓電容11、高壓二極管8和磁控管9的連接方式采用現(xiàn)有的半波倍壓方式，在高壓保險(xiǎn)絲 10和高壓電容11之間增加雙向二極管12，通過(guò)雙向二極管12的門檻電壓來(lái)控制次級(jí)繞組 3工作回路的通斷角度，使得微波爐的功率因數(shù)有所改善。實(shí)施例2，結(jié)合圖2，實(shí)施例2與實(shí)施例1的區(qū)別在于初級(jí)繞組2只有輸入端5和輸入端7。實(shí)施例3，結(jié)合圖3，實(shí)施例3與實(shí)施例1的區(qū)別在于電壓通斷控制器13采用高壓二極管14和可控二極管15，高壓二極管14與可控二極管15極性相反，并共同并聯(lián)于高壓保險(xiǎn)絲10和高壓電容11之間。實(shí)施例4，結(jié)合圖4，實(shí)施例4與實(shí)施例1的區(qū)別在于高壓保險(xiǎn)絲10和雙向二極管 12的位置互換。實(shí)施例5，結(jié)合圖5，實(shí)施例5與實(shí)施例3的區(qū)別在于電壓通斷控制只由單個(gè)高壓二極管14組成，利用高壓二極管14的反向擊穿電壓來(lái)控制其中一個(gè)半波的導(dǎo)通角。實(shí)施例6，結(jié)合圖6，實(shí)施例6與實(shí)施例5的區(qū)別在于燈絲繞組4的回路中還設(shè)有用于對(duì)燈絲繞組4的回路電流進(jìn)行調(diào)整的移相器16。實(shí)施例7，結(jié)合圖7，實(shí)施例7與實(shí)施例3的區(qū)別在于高壓二極管14和可控二極管 15做為兩個(gè)單獨(dú)的通斷控制器串聯(lián)于電路中。上述實(shí)施例中的雙向二極管、可控二極管、高壓二級(jí)管、可控硅等的主要作用是控制次級(jí)繞組和磁控管組成的電流回路中電壓工作角度。至于可控硅的工作方式及原理與二極管相同，單個(gè)可控硅或多個(gè)可控硅的組合與均與上述實(shí)施例中的雙向二極管、二極管的安裝方式一樣。另外，對(duì)于可控二極管等器件的觸發(fā)控制方式為現(xiàn)有技術(shù)這里不再描述。
權(quán)利要求1.一種微波爐，包括高壓變壓器和磁控管，高壓變壓器又包括骨架、初級(jí)繞組、次級(jí)繞組和燈絲繞組，其特征在于所述次級(jí)繞組與磁控管組成的電流回路中至少設(shè)有一個(gè)電壓通斷控制器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述微波爐，其特征在于所述電壓通斷控制器是一個(gè)雙向二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述微波爐，其特征在于所述電壓通斷控制器是兩個(gè)二極管的組合，兩個(gè)二極管極性相反共同并聯(lián)于電流回路中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述微波爐，其特征在于所述電壓通斷器是單個(gè)可控硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述微波爐，其特征在于所述電壓通斷器是兩個(gè)可控硅的組合，兩個(gè)可控硅極性相反共同并聯(lián)于電流回路中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述微波爐，其特征在于所述電壓通斷器是一個(gè)高壓二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述微波爐，其特征在于所述燈絲繞組與磁控管組成的電流回路中設(shè)有移相器。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種含有半波倍壓電路的微波爐。它包括高壓變壓器和磁控管，高壓變壓器又包括骨架、初級(jí)繞組、次級(jí)繞組和燈絲繞組，所述次級(jí)繞組與磁控管組成的電流回路中至少設(shè)有一個(gè)電壓通斷控制器。本實(shí)用新型設(shè)計(jì)合理，通過(guò)電壓通斷控制器控制次級(jí)繞組工作電路導(dǎo)通或斷開的相位，用來(lái)改變磁控管的輸出，使得微波爐的輸出功率因數(shù)盡量達(dá)到最大。
文檔編號(hào)F24C7/08GK201983307SQ20112011198
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月16日
發(fā)明者梁偉國(guó) 申請(qǐng)人:梁偉國(guó)