專利名稱：單個晶片的干燥裝置和干燥方法
技術領域：
本發(fā)明有關一種半導體制作工序，特別是有關一種將半導體基材干燥的方法。
背景技術：
隨著半導體元件尺寸持續(xù)縮小，超潔凈(ultra clean)制作工序的重要性也持續(xù)升高。在一槽(或盆)的液體內(nèi)以水溶液清潔，其后緊接著旋干沖洗(例如在另一個槽中，或是更換清潔槽中的液體)，就可以獲得所期望的潔凈程度。在由旋干制作工序移出后，若不使用旋干裝置，清洗液體將由基材表面揮發(fā)，并且導致條紋或斑點的產(chǎn)生，或是留下清洗殘留物在基材表面上。這些條紋、斑點以及清洗殘留物可能導致后續(xù)的元件失效。因此很多注意力被導向改善基材由液體槽移出時，使其干燥的方法。
一種眾所周知的Marangoni干燥法，可以產(chǎn)生表面張力梯度，以將沖洗液引導而離開基材，使其表面基本上不留下沖洗液，并且藉此所產(chǎn)生的流動方式，得以避免產(chǎn)生條紋、斑點以及沖洗液殘留物。特別是利用Marangoni方法，將可與沖洗液(例如IPA蒸氣)溶混的溶劑導入到液體凹面上，此液體凹面是在基材被由沖洗盆舉起時所形成的，或是當沖洗液體漏出而流過基材時所形成的，溶劑蒸氣是以高于液體凹面的頂端的被吸收蒸氣濃度，而沿著液體表面被吸收，此被吸收氣體的較高濃度，導致液體凹面頂端的表面張力較沖洗液體內(nèi)部的表面張力為低，因此使得沖洗液體由干燥中的液體凹面，流向沖洗液體內(nèi)部。這樣的流動就是所謂的「 Marangoni」流動，且可加以利用，以避免在基材上留下斑紋、斑點或是洗液殘留物的情況下，進而將基材干燥。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方案提供第一組件，用以處理晶片，此組件包含處理部分(processing portion)，該處理部分包含負載端口和卸載端口。晶片可以被負載端口降低而進入處理部分；而卸載端口是由該負載端口處進行水平置換，使得該晶片可以在卸載端口上被舉高而離開該處理部分。該處理部分還包含可轉(zhuǎn)動晶片支持器，用于轉(zhuǎn)動輸入晶片由第一定向轉(zhuǎn)到第二定向，該輸入晶片具有該第一定向時，是與該負載端口對齊，該輸入晶片具有該第二定向時，是與該卸載端口對齊。
本發(fā)明的第二方案提供第二組件，用以處理晶片，此第二組件包含處理部分，該處理部分包含如第一方案的第一組件內(nèi)功能相當?shù)呢撦d端口和卸載端口。第二組件還包含(1)外部溢流堰(an external overflow weir)，其位于沿著前述處理部分的外部表面上；以及(2)分隔板，其位于負載端口和卸載端口之間，以將處理部分的上面區(qū)域分隔成第一區(qū)域和第二區(qū)域，并且可制止表面液體在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的流動。
本發(fā)明的第三方案提供第三組件，用以處理晶片，此第三組件包含處理部分，其具有如第一方案中第一組件內(nèi)相同功能的負載端口。第三組件還包含噴灑機構，此噴灑機構能于處理時沒入處理部分的液體中，且該噴灑機構的位置是能噴灑液體到晶片位于水面下的表面上(該晶片是經(jīng)由負載端口被降低進入水面)。
本發(fā)明的第四方每提供第四組件，用以處理晶片，此第四組件包含處理部分，該處理部分包含如第一方案中第一組件內(nèi)相同功能的負載端口和卸載端口。第四組件還包含輸出部分，該輸出部分具有(1)第一晶片接收器，用于接收經(jīng)由卸載端口所舉高的晶片；以及(2)捕獲器，其被耦合到第一晶片接收器，被用于接觸被卸載端口升高的晶片，并且也隨著被動地升高。
本發(fā)明的第五方面提供第五組件，用以處理晶片，此第五組件包含處理部分，該處理部分包含如第一方案中的第一組件內(nèi)相同功能的負載端口和卸載端口。第五組件還包含輸出部分，該輸出部分具有一第一晶片接收器，用于接收經(jīng)由卸載端口所舉高的晶片；以及一圍體(enclosure)，此圍體環(huán)繞第一晶片接收器。此圍體包含有(1)第一開口，用于使得晶片可以由處理部分舉高，經(jīng)卸載端口而到該第一晶片接收器；(2)第二開口，用于使得晶片可以被晶片握持器由晶片接收器中抽取出來；以及(3)多個外加開口，用于允許在前述圍體中，建立起流動的空氣氣流？本發(fā)明的第六方案提供第六組件，用以處理晶片，此第六組件包含處理部分，該處理部分包含如第一方案中的第一組件內(nèi)相同功能的負載端口和卸載端口。第六組件也包含輸出部分，該輸出部分具有(1)第一晶片接收器，用于接收經(jīng)由卸載端口所舉高的晶片；以及(2)第二晶片接收器，用于接收經(jīng)由該卸載端口所舉高的晶片。其中上述的第一晶片接收器以及第二晶片接收器是用于分別位在第一位置和第二位置之間傳送晶片，其中該第一晶片接收器被置放的位置是接收經(jīng)由該卸載端口所舉高的該晶片，該第二晶片接收器被置放的位置是接收經(jīng)由該卸載端口所舉高的該晶片。如所提出的數(shù)種其他方案，有關于本發(fā)明的方法、裝置以及系統(tǒng)的方案，是依據(jù)上述這些方案而提出。
為進一步說明本發(fā)明的上述目的、結構特點和效果，以下將結合附圖對本發(fā)明進行詳細的描述。


圖1所顯示的是所提出的一種干燥裝置的側視圖，其中該裝置至少包含處理部分以及輸出部分，二者的結構皆是依據(jù)第一方案所提出；圖2A至圖2I為本發(fā)明所提出的圖1的干燥裝置的概略的側視圖，其顯示了晶片傳輸通過及輸出來源的一連串階段的干燥裝置；圖3A與圖3B分別為本發(fā)明所提出的圖1的干燥裝置的概略的側視圖以及俯視平面圖，其中的輸出部分是依據(jù)第二方案所建造而成；圖4A至圖4I為本發(fā)明所提出的圖3A與圖3B的干燥裝置的概略的側視圖，其顯示了晶片輸出的過程中，輸出部分所處的一連串位置；圖5為本發(fā)明所提出的干燥裝置的概略的側視圖，其處理部分是依據(jù)本發(fā)明所提出的第二方案所建構而成；圖6為可以和蒸氣噴嘴一同建構在本發(fā)明所提出的干燥裝置內(nèi)的蒸氣氣流變流裝置的概略的側視圖；圖7為依據(jù)所觀察到經(jīng)由被不同IPA濃度和不同氣流率的情況下，被干燥化處理的晶片，其表面上被發(fā)現(xiàn)的粒子數(shù)目的圖表；圖8A是對于描述蒸氣氣流角度時可以幫助了解的概略性示意圖；以及圖8B是將含有不同材料的基材干燥化時，所常常使用的蒸氣氣流角度的一個列表。
具體實施例方式
依據(jù)本發(fā)明所提出的一個干燥裝置包含處理部份和輸出部份，前述處理部份包含一主室，而主室的建構可以是依據(jù)兩個主要的方案而完成。在第一方案(沒入室18a)中，晶片沉浸在清洗液中，并且可以參照圖1至2I圖所顯示及其所伴隨進行的說明；第二方案(噴霧室18b)對于未沒入于液體中的晶片加以噴灑液體于其表面上，并且可以參照圖5所顯示及其所伴隨進行的說明。
類似前段所述，輸出部分包含輸出平臺，而此輸出平臺的建構可以是依據(jù)兩個主要的方案而完成。在第一方案(轉(zhuǎn)動平臺58)中，將晶片由大致垂直方向轉(zhuǎn)動到大體是水平的方向，并且可以參照圖1至圖2I所顯示及其所伴隨進行的說明；第二方案(傳送平臺158)水平地傳送，以在多個晶片接收器中，接收一個大體是垂直方向的晶片，并且可以參照圖3A至圖4K所顯示及其所伴隨進行的說明。
處理部分和輸出部份的每一個方案就其本身而言，都被認為是一個獨立的發(fā)明。也因此，每一個處理部分的方案就可以利用不同的每一個輸出部分的方案，同理，反之亦然。另外，處理部和輸出部也可以分別使用傳統(tǒng)的處理部分和輸出部分。最后，處理部分和輸出部分的數(shù)個各別的特征是具有發(fā)明性的，并且可以藉由參照下列附圖及其描述而獲得。
圖1所顯示的是依據(jù)本發(fā)明所提出的干燥裝置11的結構的側視圖，其中所顯示的處理部分和輸出部分是依據(jù)本發(fā)明的第一方案提出。依據(jù)本發(fā)明所提出的一種干燥裝置11包含處理部份10和輸出部分12。
處理部-第一方案處理部分10包含一沒入室18a，其將晶片沉浸在例如去離子水的液體中，其中可能包含也可能不包含表面活性劑(surfactant)或是其他的化學清潔劑，例如應用材料(Applied Material)公司的ElectraCleanTM溶液。
上分隔板24(圖2A)將沒入室18a分隔成兩個部分，一個旋干部分26和干燥部分28。借著將干燥部分28與旋干部分26隔離開來，可以獲得并維持一個較干凈的出口區(qū)域，并且可以降低要移除的微粒重新附著于晶片，諸如此類的污染的危險性，因為微粒很容易在此旋干部分26中被移除，并由此被排出。沒入室18a可以具有一圍繞著沒入室18a的溢流堰20，以使得液體得以流入。液體可能持續(xù)供應到，例如較低部位的沒入室18a，所以液體持續(xù)地溢流到溢流堰20。溢流堰20(如圖2A至2I所示)可以被耦合到上分隔板24，以幫助由旋干部分26及干燥部分28中移除微粒。(圖中所未顯示的)高準位和低準位液體傳感器可以被耦合到?jīng)]入室18a以及溢流堰20、20a。在另一個并未顯示出來的方案中，溢流堰20可以包含一室，而處理部10則嵌入在其中。排氣管線(例如設施排氣管線)可以被耦合到此室(例如靠近其底部)，并且泄出管線可以被安排于沿著此室底部的位置，其可以被傾斜以加速排除泄出物。
旋干部分26可以裝配有頂頭噴嘴30，并且/或者沒入噴嘴32，前述每一個都是要在晶片進入旋干部分26時，將液體導流到晶片表面上。此旋干部分26，在一方案中，是用來將傳送到依據(jù)本發(fā)明所提出的干燥裝置11前已經(jīng)噴灑于晶片上的任何液體的薄膜(例如表面活性劑)加以旋干。這樣的介面活性劑噴灑步驟，已知能防止晶片在送入依據(jù)本發(fā)明所提出的干燥裝置11前其表面的液體就干化而殘留。因此在將晶片載入干燥裝置前，若有對晶片噴灑以介面活性劑(經(jīng)常適合使用的是含有低濃度的介面活性劑噴溢，例如Alfonic介面活性劑)，將可以避免晶片進入干燥裝置前，晶片表面上的液體干化而留下水痕。這樣一個依據(jù)本發(fā)明所提出的步驟可以在清洗裝置中或是在晶片傳遞(例如晶片握持器或是清洗器可以包含將基材施以介面活性劑，以讓其在清洗過程中或是在基材被由清洗裝置移出，或是在藉由晶片握持器傳送基材的時候，都能保持其濕潤)過程中進行。
旋干部分26可以還包含負載部34，其可以只是一個位置，晶片即是經(jīng)由此區(qū)域進入旋干部分26；或者負載部分也可以是一由旋干部分26的頂部溢流堰或是蓋子(若是有蓋子的話)所限定的一個開口。
正位于或是靠近沒入室18a底部的是托架36，被用于接收或是支持大體是垂直方向的晶片(可能有稍微的與鉛直方向有出入)，托架36可更進一步地產(chǎn)生一個轉(zhuǎn)動，此轉(zhuǎn)動是由一個托架36可以接收經(jīng)由負載部34進入旋干部分26的晶片的一個第一位置，轉(zhuǎn)到第二位置，此第二位置是晶片可以被托架36舉起，經(jīng)由干燥部分28的出口部分37的位置離開。當托架36將晶片由旋干部分26轉(zhuǎn)動到干燥部分28時，晶片是保持沒入在液體中。
通常使用來轉(zhuǎn)動托架36的機構常常是嵌在處理部10的外部上，并且是經(jīng)由處理部10的外溢流堰，而被直接或是磁吸在耦合到托架36上。在圖1例示性的實施例中，當鏈接系統(tǒng)被啟動是往下時，鏈接系統(tǒng)38可把托架36由第一位置(在旋干部分26中)旋轉(zhuǎn)到第二位置(在干燥部分28中)。當鏈接系統(tǒng)被啟動往上時，鏈接系統(tǒng)38可把托架36由干燥部分28撤回旋干部分26。所顯示的促動器40被耦合到鏈接系統(tǒng)38上，其中的促動器40可以是任何傳統(tǒng)的促動器，例如汽缸等。
得以驅(qū)使托架轉(zhuǎn)動的另一種結構可以包含將托架36嵌于一棍狀物上，此棍狀物是沿著沒入室18a的底部而水平延伸，所以托架36可以沿著該棍狀物轉(zhuǎn)動，在這樣一個結構中，托架36可以是例如與沒入室18a同寬，使得一磁性物質(zhì)得以同時嵌在前述二者之上，并且可以是經(jīng)由沒入室18a的側壁而耦合到外部的磁性物質(zhì)。此外部磁性物質(zhì)可以被某種促動器(例如氣動式的促動器40)向前驅(qū)動或是向后驅(qū)動。為了使托架36和外部磁性物質(zhì)轉(zhuǎn)動，滾筒可以被嵌置于其上，以接觸并且沿著沒入室18a的側壁滾動。
一對傳感器(未圖示)可以被耦合到促動器40、鏈接系統(tǒng)38以及/或者托架36上，以檢測得知第一及第二托架位置。進一步而言，一個傳感器，例如光學傳感器(未圖示)可以檢測晶片是否存在于托架36上，一旦檢測到晶片存在，則一信號被送到促動器40，以使得促動器40將托架36由第一位置轉(zhuǎn)動到第二位置。
干燥部分28可以包含推進器44，其是被設計成能以最小接觸面積來接觸晶片的一較低的邊緣。這樣的一個推進器即是傳統(tǒng)所指稱的刀緣推進器(knife-edge pushers)，此刀緣推進器44可以被耦合到一垂直導引(未圖示)上，其是沿著干燥部分28的后壁而放置的，并且可以被進一步(例如磁性地)耦合到促動器(例如一個由馬達所驅(qū)動的，如圖1的鉛質(zhì)螺旋物48)上，其是被用來沿著導引而將推進器44舉高或是降低，以至于推進器44得以將晶片由干燥部分28處舉起來，并可以在此后讓該推進器回到托架36下面的原始位置。
此干燥部分28的后壁通常是傾斜的，(例如，傾斜九度)使得該推進器可以在晶片被由干燥部分28舉起時，將該晶片維持在其傾斜的位置，也可以確保晶片位于一較可重復實現(xiàn)的位置，亦即，較一非傾斜的垂直方向更能達成的位置。
一對傾斜導引46也可以被耦合到干燥部分28的后壁，并且其所放置的位置是使其在晶片由托架36經(jīng)由干燥部分28而被舉起時，可以接觸晶片的反面邊緣。每一個導引46可以包含一個插槽，其可以是U型的或是V型的插槽，而晶片的邊緣可以被抓住于其中?；蛘?，每一個導引46可以包含晶片邊緣所倚靠的一個斜表面，或是導引46可以形成一個由晶片開始向外遠離的角度，以盡可能降低接觸面積。
干燥部分28的出口部分37通常是被限定成干燥部分28的一個頂部墻或是蓋子，使得干燥時所產(chǎn)生的蒸氣得以由此排出(例如經(jīng)由泵)，而不是由逸散到周圍的空氣中。在液體準位的上及出口部分37之下，設置有一對的噴灑機構50，其是被用來在晶片被舉起而離開液體表面的時候，提供跨過晶片正表面和反面表面的全面連續(xù)性的蒸氣噴灑。噴灑機構50所擺放的位置是要噴灑蒸氣到晶片被由液體中舉起時，所形成的凹面上。雖然噴灑機構可能包含一個單一線性噴嘴或是多個噴嘴，其通常包含有一個具有一連串洞孔(例如具有直徑0.005至0.007英時直徑的114個洞孔，并且沿著與晶片相鄰8.5英時的距離均勻地分布)形成于其中的管子，前述的噴灑機構(管子)50通常是由石英或是不銹鋼所建構而成。
每一個噴灑機構(管子)50可以是人工手動調(diào)整方向，以導流出一個具有預期角度(此角度可以如下所述，相對于經(jīng)過噴灑管子50中心所畫出的水平線，以及垂直于圖8A中的液體表面的垂直線)的蒸氣流(例如IPA蒸氣)。當進一步參照到圖6時，此IPA蒸氣流的導向，可以有也可以沒有氣流變流裝置的幫助。此氣流的特定角度可能視該晶片將要干燥的物質(zhì)的不同而有所改變，圖8B所列出的對照表，是舉例所常使用的物質(zhì)，以及其相對應常使用的氣流角度。
此被供應到液體凹面的IPA蒸氣流產(chǎn)生了一個Marangoni力，其引起了與晶片舉起方向相反的向下液體流，因此在凹面上的該晶片表面會被干燥。
為了要容納以及排出在干燥部分28內(nèi)的IPA蒸氣，所以提供了廢氣歧管51和全(blanket)氮氣歧管54，這些歧管的制作可以伸入位于噴灑機構50上面的干燥部分28的頂蓋56。氣流組件(未圖示)被耦合到噴灑機構50，廢氣歧管51和全氮氣歧管54控制了IPA蒸氣流率、廢氣流率和氮氣遮掩流率。此外廢氣管線(未圖示)可以是被制作在輸出部12的下方，經(jīng)由輸出部12可以維持一垂直的流線型的氣流，并且可以將由干燥部分28散出的IPA蒸氣稀釋掉。噴灑機構50通常是被放置在靠近凹面的地方，并且全氮氣歧管54通常是被制作在靠近卸載端口37的地方。
晶片處理-第一方案圖2A至圖2I是側面立視圖的結構概要圖，其顯示當晶片被本發(fā)明所提出的裝置所傳送時，該晶片所處的不同階段。參照圖2A，當一機械臂(例如走動橫桿機械臂，未于此圖示，于公元2000年4月26日送件申請的美國申請專利案第09/558,815號中所揭示，，其一并引用于此)經(jīng)由負載端口34而將晶片W載入旋干部分26，噴嘴30與噴嘴32，都噴灑去離子水于晶片W的兩個面上，此機械臂釋放晶片于托架36上，然后由旋干部分26退回其位在負載端口34上方的原始位置。一個光學傳感器(未圖示)檢測到晶片存在于托架36(圖2B)上，并且送信號到促動器40，以啟動鏈接系統(tǒng)38，使其由旋干部分26轉(zhuǎn)動到干燥部分28。
托架36被制作的位置，是在沒入室18a的底部上，或是與前述底部靠近的地方，而其制作的功能是可以傳送晶片，由旋干部份26傳送到干燥部分28。在此傳送過程中，晶片都保持沒入在液體面之下，因此托架36為了要接收晶片，由一垂直位置開始轉(zhuǎn)動，為了晶片升高通過干燥部分28(圖2C)而轉(zhuǎn)動一個傾斜位置(例如，傾斜9度)。
然后晶片W被舉起，經(jīng)由推進器44以一個舉起速度向卸載部37靠近，其舉起是以一進行速度(例如每秒十厘米)，起始于當晶片頂端沒入箱內(nèi)液體時(此時即是干燥蒸氣開始噴灑的時)，直到晶片的下緣(例如下面部分的三十至四十厘米的部分的晶片)沒入箱內(nèi)液體。當晶片下緣沒入箱內(nèi)液體中并且通過干燥蒸氣時，此晶片會被以一種較慢(例如小于每秒五厘米)的速度舉起，因為晶片較低的部分較不好將其干燥(起因于晶片的曲率)，在整個晶片干燥后，此晶片可以被以一種較高(例如高于每秒十厘米)的速度舉起，以進入到傳送位置。當晶片被舉起，晶片邊緣會因為重力而倚靠在兩個平行傾斜引導46上，該導引是沉沒在液體中。
當晶片W被舉出液體表面時，該對噴灑機構50(圖2D)噴灑IPA蒸氣以及氮的混合氣體，于晶片W的兩面所形成的凹面上。此IPA蒸氣流可以借助或是不借助如圖6所進一步參照說明的氣流變流裝置，而得以導引氣流方向。此氣流的該特定角度，可以視晶片上所要干燥的物質(zhì)的不同而有所改變。
圖8A是一個有助于說明蒸氣氣流的概略圖。參照圖8A，如圖所示，蒸氣/承載氣體氣流72的流動角度θ是相對于水/空氣介面(并且/或者經(jīng)過噴灑管子50的水平中心線)而量測出來的。(在一較佳實施例中，噴灑管子50是被建構在晶片W側面水平距離0.5英時的地方，此時的流動角度被選擇在大約25度，并且噴嘴高度是被選擇為HN，使得氣流72敲擊晶片W，大約在晶片/氣流介面以上3.7厘米，亦即高度HV的地方。也可使用其他水平間隔、流動角度、噴嘴高度HN以及蒸氣敲擊高度HV)。圖8B表列出例示性物質(zhì)材料的較佳流動角度(是相對于水/空氣介面作測量)。表面物質(zhì)是指晶片表面上所欲干燥的物質(zhì)。干進(dry-in)或濕進(wet-in)是指在干燥裝置11內(nèi)處理前的晶片是濕的或是干的，干出(dry-out)表示當晶片由干燥裝置11移出時是干的。黑鉆石(Black Diamond)是一個應用材料公司所可以使用的低k(介電常數(shù))值的介電物質(zhì)(例如摻雜有碳的氧化物)。IPA蒸氣流產(chǎn)生一個″Marangoni″作用力，此會導致與晶片舉起方向相反的向下液體流，藉此，在凹面上方的晶片表面會被干燥化。
在干燥步驟中，IPA蒸氣是經(jīng)廢氣歧管51，由處理部分10排出，并且氮氣流被導向橫跨過輸出部分37(經(jīng)由全氮氣歧管54)，以制止IPA蒸氣逸散出處理部分10。此氣體傳遞組件(未圖示)控制IPA蒸氣流、廢氣流率以及全氮氣氣流流率。
輸出部分-第一方案在如圖1至圖2I所顯示的較佳實施例中，輸出部分12包含平臺58，是被用于在兩個位置之間轉(zhuǎn)動，該二位置是用于由干燥部分28接收晶片的處理位置(圖2E)，以及用于輸出晶片到傳輸機械臂的FAB介面位置(圖2G)。處理位置是與晶片被由干燥部分28舉起的傾斜位置相符，并且處理部份大致而言是為水平的。被耦合到輸出部12的馬達或是其他驅(qū)動機構，可以驅(qū)動平臺58的轉(zhuǎn)動。
輸出部分12可以包含用來與晶片W被動地移動的捕獲器60，其可以被架在線性球切片(linear ball slide)(未圖示)上，該線性球切片的每一邊的端點上都具有阻擋器。當平臺58在處理位置(例如以一個與傾斜的導引46傾斜角相同的角度--九度，向處理部10傾斜)中時，此捕獲器60因為重力的因素會掉到線性球切片的底部，可以利用光學傳感器(未圖示)來檢測出此低位。捕獲器60可以于兩個相隔一距離的點上接觸晶片，并且也能夠緊密跟隨晶片所處環(huán)境，而只在一容許誤差值內(nèi)變化，因此捕獲器60可以對于精確的晶片定位有所幫助。
輸出部分12也可以包含抓指62(finger 62)，用于在晶片固定位置和晶片通行位置之間移動，當其在晶片固定位置，在晶片被舉起而位在抓指62之上時，抓指62可以鎖住并且固定晶片，因此可以容許推進器44撤回，留下晶片被抓指62和捕獲器60固定在輸出部分12中的位置上。抓指62可以是，例如汽缸(未圖示)所促動，并且配備有一對的開關(未圖示)以檢測抓指62的晶片固定以及晶片通過位置。也可以利用光學檢測器(未圖示)來檢測何時晶片已經(jīng)到達抓指62以上足夠高的位置，使得抓指62可以安全地假設晶片固定位置。
晶片輸出-第一方案在舉起晶片W通過干燥部分28前，平臺58大致而言是垂直傾斜(例如以一個九度的角度傾斜)(如圖2C所示)，捕獲器60是在其低位置，并且抓指62是在晶片通過位置上。當晶片W離開干燥部分28(如圖2D所示)，其推動捕獲器60(例如接觸的兩個點)，并且導致捕獲器60抗拒重力而向上移動。此晶片W因此固定在三點(經(jīng)由推進器44以及捕獲器60)之間，當推進器44到達其高位時，抓指62被啟動而來到晶片固定位置，以將晶片固定在平臺58上，然后推進器44撤回。(抓指62顯示在圖2E中的晶片固定位置中)因為捕獲器60隨著升起的晶片W一起被動地移動，所以在傳送進入輸出部分12的時候，晶片摩擦和所產(chǎn)生的微粒都得以大量減少。
當晶片W被固定在平臺58上時，平臺58轉(zhuǎn)到其水平位置(如圖2F所示)，汽缸64(圖1)，其可包含一可調(diào)整式制動器和震動吸收器(未圖示)，并且可以被用來將平臺58降低到一個已定的輸出位置，例如，在一個晶片握持器(圖2H)可以抽出晶片W處做一升起動作的地方。然后抓指62如圖2H所示那樣撤回，并且晶片握持器將晶片W拿起以將其轉(zhuǎn)換到另一個位置(例如，轉(zhuǎn)換到卡匣)。然后平臺58回到其大體是垂直傾斜的處理位置(圖2I)，以準備好接收下一個處理好的晶片W′，而使其當被由干燥部分28舉起時，作為下一個處理中的晶片W′。
在本發(fā)明的較佳實施例或是其他更多的實施例中，可以使用精密的氣體傳遞和廢氣排放組件(未圖示)，藉此以傳遞異丙醇(isopropyl alchol，IPA)蒸氣、氮氣以及廢氣到干燥裝置11(例如，靠近噴灑機構)。例如干燥而干凈的空氣伴隨以一個或更多個控流管(venturis)(未圖示)可以提供其排出(例如氣體管線(未圖示)可以供應清潔干燥的空氣到嵌于卸載端口42附近的控流管的壓力部分以供排放)。
為了要將IPA/氮氣流提供到噴灑機構50，一個質(zhì)量流控制器(未圖示)可以提供一個預設氣流量的氮氣流，供應到IPA噴口(未圖示)。至少在一實施例中，一個1.4公升的噴口被用來傳遞IPA/氮氣混合氣體，其具有的成分大約5％的IPA，當然也可以使用其他尺寸的噴口以及/或者其他濃度的IPA。
在依據(jù)本發(fā)明所提出的另一個特定的較佳實施例中，此噴口可以配備有三個準位傳感器低、高以及高-高，首二個準位傳感器，被使用的場合可以是，例如，在IPA噴口的自動重新填充期間。而后者的高-高傳感器可以被使用的場合是，例如，作為硬件互鎖，以避免重新充填時過度填充噴口。一個被加壓的供應容器(未圖示)，例如一公升或是適合容量的容器，可以被使用來對噴口重新填充IPA液體。此供應容器可以包含一個低準位傳感器，并且在其低準位傳感器被觸發(fā)時，可以自動地或是人工手動地進行重新填充。
全氮氣氣流流率(例如為了防止IPA蒸氣氣流由處理部10逸散而出)可以利用針狀閥門或是其他合適的機構加以控制，為了安全的目的，清潔的干燥空氣以及全氮氣供應管線任一個都可以被加上氣流開關(例如當廢氣或是全氮氣氣流喪失時，硬件互鎖氣流開關可以被用來關掉IPA蒸氣供應)，壓力調(diào)節(jié)器可以被用來控制每一個供應管線中的壓力。
輸出部-第二方案圖3A至圖3B，分別是依據(jù)本發(fā)明所提出的第二較佳實施例所提出的輸出部分12，其概略的側視圖和俯視的概略圖。此處依據(jù)本發(fā)明所提出的圖3A至圖3B中的裝置11a，其包含圍繞輸出部分12的圍體111，輸出部分12的可傳動平臺158可以包含兩個或更多個晶片接收器113a及113b，參照圖1至圖2I，每一個都包含捕獲器60和抓指62。在此較佳實施例中，可傳動平臺158是被用于水平地移動(例如，經(jīng)由一個鉛質(zhì)螺旋物、汽缸、馬達或類似件)，所以被由干燥部分28所舉起的晶片可以被第一或是第二晶片接收器113a、113b所接收。利用此種方式，得以讓晶片產(chǎn)出最大化。當?shù)谝痪梢员坏谝痪邮掌?13a握住，以供晶片握持器(未圖示)所提起，而此時第二晶片正被輸出到第二晶片接收器113b，反之的亦然。
此圍體111具有可以被建構在鄰近于傳送機械臂(未圖示)的第一側壁115a，此第一側壁115a具有開口117，經(jīng)此開口，傳送機械臂可以抽出晶片。圍體111也可以具有位置在與第一側壁115a相反的內(nèi)部分隔壁115b，其用以將圍體111分隔成兩個氣室111a與111b。第一氣室111a可以包圍可傳動平臺158，并且也包圍了足夠空間以容許可傳動平臺向前或是向后傳，并且也可以接收晶片在第一或第二晶片接收器113a與113b上。第二氣室111b可以包圍用以傳遞可傳動平臺158以及任何其他移動部件(大體上由圖3B中的參考數(shù)字159所代表)的機構。這樣分隔兩個氣室的內(nèi)部分隔壁115b，可以具有多個小開口119(圖3A)，其通常涵蓋了整個內(nèi)部分隔壁115b。當鄰接于傳動機械臂的區(qū)域的壓力，較鄰接于依據(jù)本發(fā)明所提出的裝置11a的區(qū)域的壓力為高時，空氣可能流動式地流動在開口117中，越過第一及第二晶片接收器113a和113b(如箭頭F所表示的，平行于晶片的主要表面)，并且通過小開口119到達第二氣室111b，第二氣室111b可以藉由廢氣排放系統(tǒng)而排放廢氣。
此外，廢氣管線(未圖示)位在輸出部分12之下，經(jīng)由輸出部12維持一可接受的垂直流線型氣流，并且也稀釋由干燥部分28逸散而出的任何IPA蒸氣。輸出部分112的圍體111作用如一外加的污染機構，以防止IPA蒸氣進入環(huán)繞干燥裝置11a周圍的空氣中。
為了要容許晶片可以被輸出到第一晶片接收器113a，而不會阻擋主容箱118的旋干部分26，主容箱118的前壁121(也就是旋干部分26的前壁)，可以如圖3所示那樣，使其具有一定角度(例如九度)。藉由將旋干部分26的前壁彎曲一角度，負載端口34將可以被制作在一個離輸出部分37足夠遠的地方，以避免被圍體111所阻擋，但是處理部分10的液體體積的增加，并沒有和使用直的前壁時所會增加的體積一樣多。在使用前述具有角度前壁的實施例中，托架36可以被舉起到一個靠近負載端口34的位置，使得晶片握持器可以放置晶片于被舉起的托架36。這樣一個舉起的托架36，容許使用沒有能力轉(zhuǎn)動以讓負載端口34和處理部分10角度符合的晶片握持器。這一個可提高的托架36可以被耦合到一個導引，此導引的位置是沿著具有某角度的前壁的內(nèi)部表面，并且經(jīng)由前壁可以磁性地耦合到外部促動器，并且因此可以與可提高的推進器44具有相類似的運作方式。
晶片輸出-第二方案圖4A至圖4I，是顯示晶片在如圖3A到圖3B所顯示的另一個不同的裝置11a，于不同的處理階段時的概略的側視圖，如圖4A所示，晶片W1被放置在輸出平臺158的晶片接收器113a上，并且輸出平臺158是在其最右邊的位置，而第二晶片接收器113b被放置的位置，是使其可以接收由干燥部分28所輸出的晶片。晶片W2是被放置在沒入的托架36上，并且推進器44所在的位置是在托架36下方。在圖4B中，推進器44被舉高(例如經(jīng)由托架36中的槽或是開口)，以由托架36上舉起晶片W2，并且托架36已經(jīng)被轉(zhuǎn)回到垂直位置。
在圖4C中，推進器44已經(jīng)到達升高的位置，此位置是晶片W2通過卸載端口37的位置，并且晶片W2的頂緣接觸到捕獲器60。當晶片W2移動進入卸載端口37，IPA蒸氣噴灑、全氮氣以及廢氣開始啟動，圖4C也顯示托架36已經(jīng)舉起，并且被放置在負載端口34中，以準備好接收下一個要進入的晶片。
如圖4D所示，第一晶片W1已經(jīng)被由圍體111的第一晶片接收器113a所抽出，并且捕獲器60已經(jīng)回其較低的位置，第二晶片W2已經(jīng)提升到第二晶片接收器113b上的一個抓指62的上方，抓指62已經(jīng)移動進入到第二晶片W2的下方，并且推動器44已經(jīng)降低其位置，并不在支持第二晶片W2，其于此時是被握持在抓指62和捕獲器60之間。第三晶片W3被負載在托架36之上，并且托架36已經(jīng)降低到處理部10的底部，值得注意的是因為第三晶片W3經(jīng)由可能是在被沒入噴嘴32以及/或是未沒入噴嘴30(未圖示)所噴灑的負載端口34而降低其位置。
如圖4E所示，平臺158被移動到其最左側的位置，使第一晶片接收器113a所處的位置能夠接收由干燥部份28所輸出的晶片，此推進器44已經(jīng)降低到一個位置低于托架36所提高，并且托架36將會旋轉(zhuǎn)第三晶片W3，使其由旋干部分26到干燥部分28。
如圖4F所示，托架36轉(zhuǎn)動到干燥部分36中的第三晶片W3的位置，并且第三晶片W3的上側部分停駐在晶片導引46上。
如圖4G所示，推進器44已經(jīng)升高，舉起托架36的第三晶片W3而升高，并且托架36轉(zhuǎn)動而回到一個垂直位置。
如圖4H所示，經(jīng)由IPA蒸氣噴灑，推進器44開始舉起第三晶片W3而升高，并且經(jīng)由全氮氣，到達第三晶片W3的頂端接觸到第一晶片接收器113a的捕獲器60。該托架36已經(jīng)舉高，以將其本身放到負載端口34中，以準備好接收下一個要進入的晶片。
如圖4I所示，第二晶片W2已經(jīng)由輸出圍體111的第二晶片接收器113b所抽出，并且捕獲器60已經(jīng)回到其較低的位置，此第三晶片W3已經(jīng)被舉起在第一晶片接收器113a上，而到達抓指62上方，抓指62已經(jīng)移動進入第三晶片W3之下的位置，并且推進器44已經(jīng)降低其位置，已不再支持第三晶片W3，其此時被握持在介于抓指62和捕獲器60之間的位置。第四晶片W4負載到托架36之上，并且托架36已經(jīng)降低到旋干部分10的底部上，值得注意的是因為第三晶片W4經(jīng)由可能是在被沒入噴嘴32以及/或是未沒入噴嘴(未圖示)所噴灑的負載端口34而降低其位置。
處理部份-第二方案圖5是為依據(jù)本發(fā)明所提出的一個干燥裝置211的側視概略圖，其中只顯示處理部份10。此處理部份10是依據(jù)本發(fā)明所提出的第二個方案所建構，特別的是不使用要浸入晶片(例如顯示于圖1至圖2I的沒入室18a)的主室。在本發(fā)明所提出的第二方案中，主室對以液體對于未沒入的晶片噴灑，以旋干并且/或是維持在旋干氣室226中的晶片的潮濕度，并且以液體對于未沒入的晶片進行噴灑，以產(chǎn)生在干燥器室228中的液體凹面(用于Marangoni干燥方法)。只有少數(shù)硬件差異存在于為了沒入器室處理方式所建構的處理部分，以及為了非沒入器室處理方式所建構的處理部分之間？如參照圖5所可以看見的，圖1至圖2I的溢流溢流堰20和20a可以被省略，通常所使用的一對頂頭噴嘴30所制作的位置，是使得當晶片進入而經(jīng)過負載端口34時，其可以對晶片的前表面和后表面都噴灑液體。在圖5所顯示的較佳實施例中，隔離墻24制止了所噴灑的液體由旋干部分226濺入到干燥部分228所提供的液體噴嘴上方的區(qū)域(并因此制止了已經(jīng)干燥的晶片不小心被重新弄濕)。在干燥部分228中，一個額外的液體供應噴灑機構50a被提供在IPA供應噴灑機構50之下。
在操作時，正在進入的晶片被噴灑的液體，例如去離子水，其可以有或沒有包含介面活性劑，或是其他清潔用的化學藥劑，例如應用材料公司的ElectraCleanTM溶液，以用于旋干以及/或是維持晶片表面的潮濕度。當晶片離開干燥部分228時，晶片被噴灑以例如去離子水的液體，其中可以摻雜或是不摻雜介面活性劑或是其他清潔劑，此出口液體噴灑形成了一個橫跨晶片的均勻液體凹面。此IPA噴灑機構50噴灑IPA蒸氣到凹面上，因此創(chuàng)造了可以將晶片干燥化的Marangoni流。值得注意的是晶片傳輸是在處理部10，并且晶片輸出到輸出部分12可以如圖1至圖4I所描述的那樣。
氣流變流裝置IPA蒸氣傳送到水/空氣/水介面(亦即凹面)的效率，可以因為對于每個IPA傳遞蒸氣噴嘴/管50建立蒸氣氣流變流裝置而獲得改善，一個這樣建構的裝置的概略圖顯示在圖6中。雖然在實務上的噴管50以及氣流變流裝置68，可以被提供在晶片W的每一個側邊，為了繪制上的簡化，噴管50(可以包含上述的噴嘴50)以及氣流變流裝置68只顯示在晶片W的一個側邊上。雖然晶片W可以用一個傾斜角(雖然可以使用其他的角度，但是在此例中是利用為垂直線算起約九度的角度)離開水76的表面，晶片W也可以如圖所示的，離開垂水76時，是垂直于其表面的。
在本發(fā)明所提出的一較佳實施例中，氣流變流裝置68可以利用兩個部分套管的形式，其是用于配合噴嘴50，氣流變流裝置68限定出一個楔型空間70，一股氣流的IPA蒸氣(例如混雜以氮氣的承載氣體)被噴灑，并且被設計將氣流72以一特定的角度導流入楔形空間70中，此角度是相對于，例如經(jīng)過噴嘴50中心并且平行于水表面，的一條水平線L。氣流變流裝置68的第二部分(例如低翼74)可以浸(dip)在水76的下面，以限制水暴露在IPA蒸氣下的部分的體積。IPA蒸氣的氣流72通常是使用向下的角度，如圖6所示那樣，打在氣流變流裝置68的第一部分69的內(nèi)部表面78。然后IPA蒸氣的氣流72可以被內(nèi)部表面78反射(未圖示)到形成于水/空氣/水介面的凹面80上。在本發(fā)明所提出的一個或更多的較佳實施例當中，IPA氣流72與內(nèi)部表面78之間的角度并不會超過四十五度，雖然IPA氣流72角度的選擇，通常是使得IPA氣流以一個預期的角度范圍內(nèi)(如以下所述并參照圖8A到圖8B)打在凹面80上，并且/或是以一個預期的氣流速度使得IPA蒸氣傳遞到凹面80上得以最佳化。
在一個用以說明本發(fā)明而舉例的實施例中，氣流變流裝置68具有一個細縫開口82，其寬度可以是0.05英時，并且細縫可以是被隔開的，例如遠離晶片W達0.1英時的地方，使其有效率地傳遞IPA蒸氣到凹面80。同理，對于其他寬度的細縫、在水76表面上方不同距離以及/或者與晶片W具不同的距離，這些上述條件也都可以適用。氣流變流裝置68可以位在對于水76表面具有四十五度的一個角度上，然而也可以利用其他的角度。細縫開口82的角度通常會被定在剛好位于凹面80下方。
此氣流變流裝置68是用以限制曝露在IPA蒸氣下的水的體積，因此可以降低IPA的浪費和使用量，同時也改進了干燥器效率以及其性能，并且降低了安全性的風險。在依據(jù)本發(fā)明所提出的一較佳實施例中，雖然其他數(shù)據(jù)仍能進行，但是一般而言，對于300厘米的晶片而言，曝露在IPA蒸氣下的水的體積的范圍大約是零至十二毫升(milliliter)，對于200厘米的晶片而言，曝露在IPA蒸氣下的水的體積的范圍大約是零至八毫升。
若沒有使用氣流變流裝置68，IPA蒸氣的氣流72可以在一角度范圍上，約為22度到30度，打在水76表面上，此已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)適合于形成在晶片上的數(shù)個不同種類的薄膜的干燥化工序，其他入射角也可以使用在本發(fā)明中。此氣流變流裝置68可以用單一個整體物件，或者是兩個以上的物件合并而成，氣流變流裝置68可以由不銹鋼或是其他適合的物質(zhì)來作成。
低濃度的IPA混合氣體要進一步改善此清潔/干燥化組件的安全性以及效率，可以降低IPA/負載氣體的混合氣體中的IPA蒸氣濃度(例如降低到0.2％)，同時也可以增加混合氣體的氣體流率(例如至少每分鐘二至三公升，常常使用的是每分鐘五公升)。此增加的氣流流率補償了低濃度的IPA氣體，并且也因此達到高效率以及高干燥率下的低缺陷的干燥工序(使得200厘米的晶片，在假設都是使用相同的晶片升高速度的條件下，例如每秒十厘米，其干燥時間是20秒)。圖7是一個畫出了具有粒徑0.12微米(圖3中，一般稱的)的粒子的數(shù)目的圖形，其為發(fā)現(xiàn)于被氣體(氮)干燥的晶片上，其中的氣體具有不同的IPA濃度和不同的氣流流率。結果可能也因為噴嘴直徑、噴嘴相隔于晶片表面的距離、氣流變流器的使用及角度等因素而有不同。對于每分鐘五公升的承載氣體流率所做的實驗性數(shù)據(jù)，顯示當IPA蒸氣的濃度由1％降低到0.2％時，硅上面的缺陷和包含晶片的低k介電物質(zhì)上面的缺陷，并沒有增加。
如前面所敘述的，當晶片W的較低部分被干燥時，晶片舉起速度可以被降低。相似地，當晶片W的較低部分已經(jīng)干燥化時，在IPA/承載氣體混合氣體中的IPA濃度可以增加，并且/或者IPA/承載氣體混合氣體的氣流流率可以增加。如眾所周知的，以上的氮氣可以被其他惰性氣體所取代仍能正常進行制作工序，而同時廣為了解的是，IPA可以被其他傳統(tǒng)用于Marangoni干燥工序等的有機氣體所取代，并仍能正常進行制作工序。
當此發(fā)明連同其所描述的較佳實施例被揭示之后，其他的實施例如眾所周知的，也都落在本發(fā)明的精神和范圍中。特別的是，本發(fā)明所提出的用來舉起的機制，以及本發(fā)明所提出的IPA氣流變流裝置，顯然地可以被使用在任何干燥化系統(tǒng)中，并且不限定只能使用在所揭示的系統(tǒng)中。相似地，當基材進入旋干工序箱中時，可以使用噴嘴(水下的以及/或是水/液體面之上的)來進行旋干工序，然而也可以用在本發(fā)明實施例所揭示以外的系統(tǒng)中。具有一傾斜角度的室壁，配合以用一已知方向輸出晶片的組件，被認為是具有發(fā)明性的，作為一個被動的輸出捕獲器。更進一步的發(fā)明特征，其包含用于傳送晶片(特別是一個沒入液體中的晶片)，由第一角度在傳送過程中轉(zhuǎn)變到到第二角度的組件與方法，也包含一個組件，其用于傳送晶片，由一個角度到下一個角度，以移動該晶片由對齊一輸入部分，到此晶片對其輸出部分。因此，所能被了解的是，在此所描述的所有實施例只是解說舉例，并且本發(fā)明所提出的裝置可以使用以下的一個或多個特征。
有些能被單獨使用的發(fā)明特征如下所述●結合旋干部分和干燥部分，而沒有旋干的晶片表面曝露在空氣中的一個組件；●配備有用于改善移除介面活性劑和制作工序箱微粒(頂頭噴嘴提供了最有效的旋干)的沒入以及/或是頂頭噴嘴的一個旋干部分；●具有兩個部分，以分開負載和卸載部分的一個主要制作工序箱；●管子、噴嘴以及/或是氣流變流裝置，用于精確地遞送IPA蒸氣(例如傳送到液體凹面的頂端)，以將IPA的消耗最小化；●IPA噴灑管子，可以被精確地位在一個最佳角度方向上，以供應IPA到液體凹面上；(參照申請日為2001年3月5日的、發(fā)明名稱為噴灑棒的美國專利第60/273,786號，現(xiàn)一并引用于此)；●不碎裂的導引機構，其使用嵌入輸出站頂端的一個″捕獲器″；●托架，簡化水面下晶片由旋干部傳遞到干燥部的過程；●可變速度推進器，其具有一個提高速度機構；●傾斜的后壁以及/或是傾斜的前壁；●內(nèi)部溢流溢流堰，用于具有分離的輸入和輸出部分的制作工序箱；●具有流線型氣流的被包圍的輸出；●變流器，用于限制曝露在干燥化(例如IPA)蒸氣的液體的表面的面積；●使用限流管的排放，用于稀釋有機溶劑的濃度；●干燥化混合氣體的使用，其具有被降低濃度的有機溶劑，并被提高空氣流率；●多個輸出晶片支持器，用于由干燥器而來的至少部分的同時輸出，并且以機械臂取拾；以及●一個組件，具有旋干部分，以及可以在其內(nèi)部使用Marangoni干燥方法的部分，前述兩個部分皆使用噴灑機構而不是使用晶片沒入處理。
與傳統(tǒng)的SRD比較，本發(fā)明所提出的裝置11可以提供特別優(yōu)越的表現(xiàn)，并在將斥水性或是親水性晶片進行干燥工序時，都容許較大的制作工序誤差。此新的植基于″Marangoni″原理的干燥技術，以下僅為舉例說明，可以只留下3奈米(neon-meter)厚的層，相對的，傳統(tǒng)的SRD所會留下的是大約200奈米厚的層。藉由將處理組件與輸出站結合，本發(fā)明所提出的裝置可以快速的干燥，以致對于各種不同的薄膜種類的晶片的干燥工序，都可以具有高產(chǎn)出。此旋干部分噴嘴，也有能力去除可能在刷洗以及傳送到干燥組件時，被施于斥水性晶片表面的介面活性劑。
應該注意的是全氮氣只是舉例說明，并且任何的惰性氣體或是空氣或是或是多種氣體混合，都可以用來形成橫越過輸出部分的一個包圍，并且接著制止干燥蒸氣由此裝置逸散出去。也應該注意的是IPA蒸氣也只是舉例說明所用的，并且可以溶解于液體(被施于干燥部分中)的其他蒸氣或氣體，其用于產(chǎn)生可將干燥化的Marangoni氣流，這些氣體都可以使用在本發(fā)明中。因此這樣的蒸氣或是氣體在此將會被指認為干燥化氣體。在此揭示時所使用的詞句″捕獲器″、″抓指″以及″托架″，并非用以限定本發(fā)明的相應物件到特定的形狀或結構，而是廣泛地指稱任何與在此所描述的捕獲器、抓指以及托架，具有相同功能的結構的物件。
雖然本發(fā)明已參照當前的具體實施例來描述，但是本技術領域中的普通技術人員應當認識到，以上的實施例僅是用來說明本發(fā)明，在沒有脫離本發(fā)明精神的情況下還可作出各種等效的變化或替換，因此，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍內(nèi)對上述實施例的變化、變型都將落在本申請的權利要求書的范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種干燥基材的方法，其包括以一第一速度提升一晶片通過一空氣/流體界面；以及正當該晶片的一部分保留在該空氣/流體界面上時，減小晶片的剩余部分被提升通過該空氣/流體界面的速度。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于還包括在提升該晶片過程中在該空氣/流體界面上定向引導干燥蒸氣。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于提升晶片通過該空氣/流體界面包括提升該晶片離開一流體箱。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于該空氣/流體界面是通過在該晶片上噴灑流體形成。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于減小晶片的剩余部分被提升通過該空氣/流體界面的速度包括減小晶片的下邊被提升通過該空氣/流體界面的速度。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于該晶片的下邊緣包括該晶片下部約30-40毫米。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于該第一速度是約為10毫米/秒，而第二速度是約為5毫米/秒。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于還包括在晶片被完全提升通過該/流體界面之后，提高晶片在該空氣/流體界面之上的提升速度。
9.一種干燥基材的方法，其包括提升一晶片通過一空氣/流體界面；以及正當提升該晶片時，在該空氣/流體界面上引導干燥蒸氣，其中該干燥蒸氣是采用一種輸運氣體提供并且該干燥蒸氣的濃度為占該輸運氣體內(nèi)的1％或更小。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于該干燥蒸氣的濃度約為0.2％或更小。
11.如權利要求9所述的方法，其特征在于該干燥蒸氣含有IPA。
12.如權利要求11所述的方法，其特征在于該輸運氣體含有氮。
13.如權利要求9所述的方法，其特征在于還包括采用一種至少2公升/分的干燥蒸氣/輸運氣體混合氣體流速。
14.如權利要求12所述的方法，其特征在于該干燥蒸氣/輸運氣體混合氣體流速是約為5公升/分或更小。
15.一種干燥基材的方法，其包括以一第一速度提升一晶片通過一空氣/流體界面；正當提升該晶片時，在空氣/流體界面上引導干燥蒸氣，其中該干燥蒸氣是采用一種輸運氣體被提供并且該干燥蒸氣具有一在該輸運氣體內(nèi)的第一濃度；以及正當該晶片的一部分保留在該空氣/流體界面上時，在該晶片的剩余部分被提升提升通過該空氣/流體界面時增大被引向該空氣/流體界面的干燥蒸氣的濃度。
16.如權利要求15所述的方法，其特征在于還包括正當該晶片的一部分保留在該空氣/流體界面上時減小該晶片剩余部分被提升通過該空氣/流體界面的速度。
17.一種干燥基材的方法，其包括以一第一速度提升一晶片通過一空氣/流體界面；正當提升該晶片時，在該空氣/流體界面上引導干燥蒸氣，其中干燥蒸氣是采用一種輸運氣體被提供并且該干燥蒸氣具有一在該輸運氣體內(nèi)的第一濃度；以及正當該晶片的一部分保留在該空氣/流體界面上時，在該晶片的剩余部分被提升通過該空氣/流體界面時增大被引向該空氣/流體界面的干燥蒸氣的流速。
18.如權利要求17所述的方法，其特征在于還包括正當晶片的一部分保留在該空氣/流體界面上時減小晶片的剩余部分被提升通過該空氣/流體界面的速度。
19.一種干燥裝置，其包括一卸載端口，一晶片通過它被卸載通過一空氣/流體界面；一噴灑機構，適用于當一晶片卸載通過該空氣/流體界面時在該空氣/流體界面上噴灑干燥蒸氣；以及一氣流偏流裝置，適用于將來自該噴灑機構的干燥蒸氣引向該空氣/流體界面。
20.如權利要求19所述的干燥裝置，其特征在于該氣流偏流裝置是配置成接觸該空氣/流體界面以限制暴露于該干燥蒸氣的流體體積。
21.如權利要求20所述的干燥裝置，其特征在于該氣流偏流裝置配置成適合限制被暴露于干燥蒸氣的流體體積為大約12公升或更小。
全文摘要
本發(fā)明一方案提供一種用于處理晶片的組件，此組件包含具有一個或更多個特征的處理部分，這些特征可以包含例如(1)可轉(zhuǎn)動晶片支持器，用于轉(zhuǎn)動輸入晶片由第一定向轉(zhuǎn)動到第二定向，在第一定向上的晶片對齊于負載端口，到了第二定向上的晶片系對齊于卸載端口；(2)捕獲器，用于接觸并在晶片由處理部分卸載時，與晶片一起被動地移動；(3)一被圍體圍繞的輸出部分，用于產(chǎn)生一個流動的空氣氣流，由一側流到另一側；(4)一輸出部分，具有多個晶片接收器；(5)沒入的液體噴嘴；以及/或者(6)干燥蒸氣流變流裝置等。本發(fā)明的其它方案包含晶片的處理方法。
文檔編號F26B3/06GK101086955SQ20071010340
公開日2007年12月12日 申請日期2002年11月1日 優(yōu)先權日2001年11月2日
發(fā)明者尤尼斯·阿克基雷, 亞歷山大·勒納, 鮑里斯·T·高符茲曼, 鮑里斯·菲什金, 邁克爾·休格曼, 拉希特·馬符雷夫, 方浩銓, 李世劍, 蓋伊·夏伊拉齊 申請人:應用材料股份有限公司