技術(shù)編號：6853322
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及開態(tài)電阻低的半導體器件，更具體地涉及具有橫向MOSFET的半導體器件。背景技術(shù) 橫向MOSFET已經(jīng)被用作低電壓半導體開關(guān)器件。當橫向MOSFET用于開關(guān)大電流時要求高的驅(qū)動能力。降低開態(tài)電阻對于提高驅(qū)動能力很重要。由于溝道電阻占用橫向MOSFET開態(tài)電阻的大部分，所以為了降低開態(tài)電阻增加溝道寬度就足夠了。但是，橫向MOSFET的平面區(qū)域(以下，稱為元件區(qū)域)隨著溝道寬度的增加而增加。在圖2A到2C中顯示的傳統(tǒng)的橫向溝槽MOSFET中，在源極層0...
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