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用于放置引線框架陣列的料盒的制作方法

文檔序號(hào):4276164閱讀:132來(lái)源:國(guó)知局
用于放置引線框架陣列的料盒的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用于放置引線框架陣列的料盒,包括一腔體,在腔體側(cè)壁上相對(duì)設(shè)置有多組用于插入并支撐所述引線框架陣列的凹槽,引線框架陣列兩端分別插入相對(duì)的一組凹槽中,在凹槽的下壁表面設(shè)置有支撐塊,支撐塊用于支撐所述引線框架陣列的下表面,以降低引線框架陣列的彎曲形變。本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于,在凹槽的下壁表面設(shè)置有支撐塊,所述支撐塊用于支撐所述引線框架陣列的下表面,以降低引線框架陣列的彎曲形變,從而防止由于引線框架陣列密度太大而造成的引線框架陣列從凹槽中脫落的情況發(fā)生。本實(shí)用新型的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于,支撐塊下表面與相鄰凹槽的上壁表面之間具有一距離,以避免支撐塊觸碰設(shè)置于引線框架陣列上表面的芯片及引線。
【專利說(shuō)明】用于放置引線框架陣列的料盒
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件封裝【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種用于放置引線框架陣列的料盒。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中,為了降低封裝的成本,在封裝時(shí)多采用高密度封裝。高密度封裝對(duì)引線框架的要求是在相同面積的引線框架陣列中引線框架個(gè)數(shù)增加,即在引線框架陣列中引線框架密度增加,形成高密度引線框架陣列,使得相關(guān)材料的耗費(fèi)減少,實(shí)現(xiàn)降低封裝成本的目的,既符合國(guó)家節(jié)約材料的政策也為公司帶來(lái)了經(jīng)濟(jì)效益。隨著引線框架陣列中引線框架密度的大幅度增加,引線框架陣列的強(qiáng)度大幅減弱,因此在封裝工序流轉(zhuǎn)過(guò)程中極易造成引線框架陣列變形,影響產(chǎn)品良率。
[0003]圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中多個(gè)引線框架陣列放置在料盒中的示意圖,參見圖1,引線框架陣列10放置在料盒11中,在料盒11的側(cè)壁相對(duì)位置對(duì)應(yīng)設(shè)置有凹槽12,引線框架陣列10兩端分別插入相對(duì)的凹槽12中。由于引線框架陣列10強(qiáng)度較小,在引線鍵合后,在重力的作用下,引線框架陣列10會(huì)發(fā)生變形,相鄰的兩個(gè)引線框架陣列10容易彼此接觸,會(huì)給芯片及引線造成破壞。圖2所示為采用現(xiàn)有技術(shù)中的用于引線框架陣列的料盒放置引線框架陣列的結(jié)構(gòu)示意圖,其中采用虛線示意性地表示引線框架陣列10變形后的位置。從圖2可以看出,引線框架陣列10放置在現(xiàn)有的引線框架陣列的料盒11中,引線框架陣列10變形較大。由于引線框架陣列10強(qiáng)度小,變形大,容易從凹槽12中脫落,這就要求作業(yè)員在移動(dòng)裝有引線框架陣列10的料盒11的過(guò)程中必須輕拿輕放,不能碰撞,但這種人為控制的方法效果不佳。圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)中放置有引線框架陣列的料盒受到碰撞導(dǎo)致多個(gè)引線框架陣列疊片的示意圖。參見圖3,在裝有引線框架陣列10的料盒11移動(dòng)的過(guò)程中,若裝有引線框架陣列10的料盒11搖晃或滑落或碰撞,則可能會(huì)發(fā)生不規(guī)律的引線框架陣列10的疊片現(xiàn)象,造成引線框架引線塌絲,芯片劃傷,從而導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是,提供一種用于放置引線框架陣列的料盒,該料盒能夠防止高密度的引線框架從料盒中脫落。
[0005]為了解決上述問(wèn)題,本實(shí)用新型提供了一種用于放置引線框架陣列的料盒,包括一腔體,在所述腔體側(cè)壁上相對(duì)設(shè)置有多組用于插入并支撐所述引線框架陣列的凹槽,所述引線框架陣列兩端分別插入所述相對(duì)的一組凹槽中,在凹槽的下壁表面設(shè)置有支撐塊,所述支撐塊用于支撐所述引線框架陣列的下表面,以降低引線框架陣列的彎曲形變。
[0006]進(jìn)一步,所述支撐塊下表面與相鄰凹槽的上壁表面之間具有一距離,以避免所述支撐塊觸碰設(shè)置于引線框架陣列上表面的芯片及引線。
[0007]進(jìn)一步,所述支撐塊下表面與相鄰凹槽的上壁表面之間的距離大于設(shè)置于引線框架陣列上表面的芯片的厚度與引線的線弧的高度之和。[0008]進(jìn)一步,所述支撐塊與所述腔體一體成型。
[0009]進(jìn)一步,所述支撐塊的上表面與所述凹槽的下壁表面在同一平面內(nèi),以便于支撐所述引線框架陣列。
[0010]進(jìn)一步,所述凹槽內(nèi)壁側(cè)表面到所述支撐塊側(cè)表面的距離大于4mm。
[0011]進(jìn)一步,所述凹槽寬度大于1mm。
[0012]進(jìn)一步,所述凹槽寬度優(yōu)選為1.27mm。
[0013]進(jìn)一步,設(shè)置于所述引線框架陣列邊緣的芯片到所述腔體側(cè)壁的垂直距離大于Imm0
[0014]進(jìn)一步,相鄰兩凹槽中心線之間的距離為2?10mm。
[0015]本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于,在凹槽的下壁表面設(shè)置有支撐塊,所述支撐塊用于支撐所述引線框架陣列的下表面,以降低引線框架陣列的彎曲形變,從而防止由于引線框架陣列密度太大而造成的引線框架陣列從凹槽中脫落的情況發(fā)生。
[0016]本實(shí)用新型的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于,所述支撐塊下表面與相鄰凹槽的上壁表面之間具有一距離,以避免所述支撐塊觸碰設(shè)置于引線框架陣列上表面的芯片及引線,避免芯片及引線受到損傷。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中多個(gè)引線框架陣列放置在料盒中的示意圖;
[0018]圖2所示為采用現(xiàn)有技術(shù)中的用于引線框架陣列的料盒放置引線框架陣列的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0019]圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)中放置有引線框架陣列的料盒受到碰撞導(dǎo)致多個(gè)引線框架陣列疊片的示意圖;
[0020]圖4所示為本實(shí)用新型用于引線框架陣列的料盒的立體結(jié)構(gòu)示意圖;
[0021]圖5所示為采用本實(shí)用新型用于引線框架陣列的料盒放置引線框架陣列后的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0022]圖6所示為采用本實(shí)用新型用于引線框架陣列的料盒放置引線框架陣列的另一結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型提供的用于放置引線框架陣列的料盒的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)說(shuō)明。附圖中的結(jié)構(gòu)并不代表本實(shí)用新型用于放置引線框架陣列的料盒的實(shí)際結(jié)構(gòu),僅示意性地表示出各個(gè)構(gòu)件之間的結(jié)構(gòu)關(guān)系。
[0024]圖4所示為本實(shí)用新型用于引線框架陣列的料盒的立體結(jié)構(gòu)示意圖,圖5所示為采用本實(shí)用新型用于引線框架陣列的料盒放置引線框架陣列后的結(jié)構(gòu)示意圖,圖6所示為采用本實(shí)用新型用于引線框架陣列的料盒放置引線框架陣列的另一結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖4、圖5及圖6。
[0025]用于放置引線框架陣列30、31的料盒20包括一腔體21,在所述腔體21側(cè)壁上相對(duì)設(shè)置有多組用于插入并支撐所述引線框架陣列30、31的凹槽22,所述引線框架陣列30、31兩端分別插入所述相對(duì)的一組凹槽22中。在本【具體實(shí)施方式】中,僅示意性地列舉出兩個(gè)引線框架陣列30和31,所述引線框架陣列30、31的兩端分別插入所述相對(duì)的一組凹槽22中。在本【具體實(shí)施方式】中,優(yōu)選地,相鄰兩凹槽22中心線之間的距離為2?10mm,對(duì)兩個(gè)凹槽22中心線之間的距離的要求是滿足引線框架陣列的需求,根據(jù)引線框架陣列選擇適合的距離,既能保證充分利用料盒20的內(nèi)部空間,又不會(huì)造成凹槽22彼此之間的接觸。所述每個(gè)凹槽22的寬度大于1mm,優(yōu)選地,所述凹槽22的寬度為1.27mm。
[0026]在凹槽22的下壁表面設(shè)置有支撐塊23,所述支撐塊23用于支撐所述引線框架陣列30、31的下表面,以降低引線框架陣列30、31的彎曲形變。所述引線框架30、31的上表面指的是引線框架陣列30、31的設(shè)置有芯片32及引線(附圖中未標(biāo)示)的一面,相對(duì)的,所述引線框架30、31的下表面指的是引線框架陣列30、31的沒(méi)有設(shè)置有芯片32及引線的一面。
[0027]所述支撐塊23的上表面與所述引線框架陣列30、31相鄰,用于支撐所述引線框架陣列30、31的下表面。在本【具體實(shí)施方式】中,所述支撐塊23的上表面與所述凹槽22的下壁表面在同一平面內(nèi),以便于支撐所述引線框架陣列30、31。在本實(shí)用新型的其他實(shí)施方式中,所述支撐塊23的上表面與所述凹槽22的下壁表面不在同一平面上,所述支撐塊23的上表面更靠近所述引線框架陣列30、31。所述支撐塊23的與上表面相對(duì)的下表面與相鄰凹槽22的上壁表面之間具有一距離dl,如圖6所示,以避免所述支撐塊23觸碰設(shè)置于引線框架陣列30、31上表面的芯片32及引線。在本【具體實(shí)施方式】中,所述支撐塊23下表面與相鄰凹槽22的上壁表面之間的距離大于設(shè)置于引線框架陣列上表面的芯片32的厚度與引線的線弧的高度之和。
[0028]在本實(shí)用新型中,在凹槽22的下壁表面設(shè)置支撐塊23,增大了對(duì)引線框架陣列的支撐面積,從而降低引線框架陣列30、31的彎曲形變,而且在搖晃過(guò)程中或不小心滑落或經(jīng)外力碰撞之后沒(méi)有發(fā)生不規(guī)律的引線框架陣列30、31疊片的現(xiàn)象。圖6所示為采用本實(shí)用新型用于引線框架陣列的料盒放置引線框架陣列的另一結(jié)構(gòu)示意圖,其中采用虛線示意性地表示引線框架陣列30變形后的位置。將圖2與附圖6比較,可以看出,采用了本實(shí)用新型用于引線框架陣列的料盒20放置引線框架陣列30,由于有支撐塊23的存在,引線框架陣列30變形小。
[0029]進(jìn)一步,在本【具體實(shí)施方式】中,設(shè)置于所述引線框架陣列30、31邊緣的芯片32到所述腔體21側(cè)壁的垂直距離大于1_。這樣可以防止芯片32邊緣觸碰腔體21側(cè)壁,避免芯片32及引線受到損傷。
[0030]進(jìn)一步,所述凹槽22內(nèi)壁側(cè)表面到所述支撐塊23側(cè)表面的距離d2大于4mm,使得支撐塊23能夠給所述引線框架陣列30帶來(lái)足夠的支撐力,盡量使得降低引線框架陣列30,31的彎曲形變。優(yōu)選地,在腔體21側(cè)壁上兩兩相對(duì)的支撐塊23不相互連接,從而便于引線框架陣列30、31的取放。
[0031 ] 進(jìn)一步,在本【具體實(shí)施方式】中,所述支撐塊23與所述腔體21 —體成型,可以采用一個(gè)模具制造,從而節(jié)省加工時(shí)間及節(jié)約成本。
[0032]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員,在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于放置引線框架陣列的料盒,包括一腔體,在所述腔體側(cè)壁上相對(duì)設(shè)置有多組用于插入并支撐所述引線框架陣列的凹槽,所述引線框架陣列兩端分別插入所述相對(duì)的一組凹槽中,其特征在于,在凹槽的下壁表面設(shè)置有支撐塊,所述支撐塊用于支撐所述引線框架陣列的下表面,以降低引線框架陣列的彎曲形變。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于放置引線框架陣列的料盒,其特征在于,所述支撐塊下表面與相鄰凹槽的上壁表面之間具有一距離,以避免所述支撐塊觸碰設(shè)置于引線框架陣列上表面的芯片及引線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于放置引線框架陣列的料盒,其特征在于,所述支撐塊下表面與相鄰凹槽的上壁表面之間的距離大于設(shè)置于引線框架陣列上表面的芯片的厚度與引線的線弧的高度之和。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于放置引線框架陣列的料盒,其特征在于,所述支撐塊與所述腔體一體成型。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于放置引線框架陣列的料盒,其特征在于,所述支撐塊的上表面與所述凹槽的下壁表面在同一平面內(nèi),以便于支撐所述引線框架陣列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于放置引線框架陣列的料盒,其特征在于,所述凹槽內(nèi)壁側(cè)表面到所述支撐塊側(cè)表面的距離大于4mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于放置引線框架陣列的料盒,其特征在于,所述凹槽寬度大于1mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于放置引線框架陣列的料盒,其特征在于,所述凹槽寬度優(yōu)選為1.27mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于放置引線框架陣列的料盒,其特征在于,設(shè)置于所述引線框架陣列邊緣的芯片到所述腔體側(cè)壁的垂直距離大于1_。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于放置引線框架陣列的料盒,其特征在于,相鄰兩凹槽中心線之間的距離為2?10mm。
【文檔編號(hào)】B65D25/02GK203682106SQ201320826131
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月16日
【發(fā)明者】姚感, 鄧星亮, 許文耀 申請(qǐng)人:上海凱虹科技電子有限公司, 上海凱虹電子有限公司, 達(dá)邇科技(成都)有限公司
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