用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]由 DE 195 39 458 C2 和 DE 10 2005 028 461 A1 以及 DE 10 2004 021 863 A1
已知用于測(cè)試單片集成的磁場(chǎng)傳感器的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]由此本發(fā)明的任務(wù)是，說(shuō)明一種擴(kuò)展現(xiàn)有技術(shù)的方法。
[0004]所述任務(wù)通過(guò)具有權(quán)利要求1的特征的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法來(lái)解決。本發(fā)明的有利構(gòu)型是從屬權(quán)利要求的主題。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的主題，提供一種用于測(cè)試第一 1C的信號(hào)路徑的方法，其中封裝的第一 1C構(gòu)造一在半導(dǎo)體上共同與磁場(chǎng)傳感器單片集成的電路并且具有信號(hào)輸出端和供給電壓連接端以及測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)和正常運(yùn)行狀態(tài)，其中在正常運(yùn)行狀態(tài)中在信號(hào)輸出端上施加輸出信號(hào)，其中所述輸出信號(hào)與在磁場(chǎng)傳感器上獲取的信號(hào)相關(guān)，設(shè)置封裝的第二 1C，其中第二 1C具有控制單元并且借助所述控制單元實(shí)施從正常運(yùn)行狀態(tài)到測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)的切換，其方式是，在第一步驟中關(guān)斷第一 1C的電壓供給，在第二步驟中將信號(hào)輸出端與參考電勢(shì)連接，在第三步驟中接通第一 1C的電壓供給，在第四步驟中將信號(hào)輸出端與參考電勢(shì)分離，隨后在測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)中在第一 1C中實(shí)施自測(cè)試并且在信號(hào)輸出端上或者供給電壓連接端上施加測(cè)試圖形(Testmuster)并且由控制單元分析處理所述測(cè)試圖形以便檢查信號(hào)路徑。
[0006]理解為，第一 1C的供給電壓連接端和信號(hào)輸出端與第二 1C的相應(yīng)的輸入端和輸出端連接。此外應(yīng)當(dāng)注意，在檢查信號(hào)路徑時(shí)起作用的磁場(chǎng)對(duì)原理的功能測(cè)試幾乎不具有影響。與此相反，在確定磁場(chǎng)傳感器的偏置電壓時(shí)給定起作用的磁場(chǎng)的影響。尤其有利的是，磁場(chǎng)傳感器構(gòu)造為霍爾傳感器并且特別有利地構(gòu)造為橫向霍爾傳感器或者垂直霍爾傳感器。此外要注意，參考電勢(shì)優(yōu)選構(gòu)造為地電勢(shì)或者供給電壓電勢(shì)。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)點(diǎn)是，借助所述方法能夠檢查封裝的第一 1C的完整的信號(hào)路徑，其中在此第一 1C與第二 1C連接并且能夠同時(shí)檢查兩個(gè)1C之間的連接。為此，在供給電壓接通的時(shí)間期間，借助信號(hào)輸出線路的端子引起到測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)的切換。避免附加測(cè)試連接端的耗費(fèi)的制造。也可以隨時(shí)重復(fù)所述測(cè)試過(guò)程，即在沒(méi)有特別的輔助模塊、即特定的外部布線的情況下，其方式是，在控制單元中程序的實(shí)現(xiàn)是足夠的。節(jié)省在第二 1C(也稱作“主機(jī)”)和第一 IC(也稱作“從機(jī)”)之間的連接方面的改變。
[0008]在一種擴(kuò)展方案中，在第三步驟和第四步驟之間由控制單元等待一個(gè)預(yù)給定的時(shí)間和/或檢查第一 1C的供給電壓是否穩(wěn)定。借此，給信號(hào)路徑的測(cè)試提供特別簡(jiǎn)單且成本有利的解決。
[0009]在一種擴(kuò)展方案中，在測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)中將磁場(chǎng)傳感器與測(cè)試電流源連接并且優(yōu)選將測(cè)試電流的多個(gè)不同的大小饋入到磁場(chǎng)傳感器中。通過(guò)測(cè)試電流來(lái)模仿外部磁場(chǎng)的效果。由此，在沒(méi)有外部磁場(chǎng)的情況下也能夠測(cè)試第一 1C的行為。
[0010]在一種實(shí)施方式中，在信號(hào)路徑的測(cè)試期間第一 1C布置在設(shè)備的用于1C最終測(cè)試的接收設(shè)備中或者在現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中與第二 1C連接。后一應(yīng)用也能夠?qū)崿F(xiàn)在相應(yīng)的應(yīng)用中實(shí)施所謂的上電自檢(Power-On Selbsttest) ο
[0011]在另一種實(shí)施方式中，在第一 1C和第二 1C之間構(gòu)造恰好一個(gè)雙線連接或者恰好一個(gè)三線連接。在車輛領(lǐng)域中，所述連接已知為CAN總線實(shí)施或者LIN總線實(shí)施。在此，控制單元集成在主機(jī)1C或者主1C中。
[0012]在另一種擴(kuò)展方案中，磁場(chǎng)傳感器具有多個(gè)連接端，其中在測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)期間測(cè)試電流源交替地與磁場(chǎng)傳感器的不同連接端連接。研究示出，借助切換以及在磁場(chǎng)傳感器上獲得的各個(gè)信號(hào)的求和來(lái)抑制起作用的外部磁場(chǎng)的影響。也有利的是，測(cè)試電流源在磁場(chǎng)傳感器的至少一個(gè)連接端上交替地作為電流沉和電流源運(yùn)行。由此，可以改變信號(hào)的磁場(chǎng)相關(guān)的分量的符號(hào)，而偏置電壓的符號(hào)保持不變。在另一種實(shí)施方式中，在測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)期間借助控制單元優(yōu)選對(duì)于測(cè)試電流的不同大小確定磁場(chǎng)傳感器的偏置電壓值。
[0013]在另一種實(shí)施方式中，在沒(méi)有第二 1C的觸發(fā)信號(hào)的情況下，在經(jīng)過(guò)自檢測(cè)之后將第一 1C從測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)切換到正常運(yùn)行狀態(tài)。
【附圖說(shuō)明】
[0014]以下參考附圖詳細(xì)闡述本發(fā)明。在此，相同類型的部件標(biāo)記有相同的參考標(biāo)記。所示出的實(shí)施方式是強(qiáng)烈示意性的，即間距以及橫向的和垂直的延伸沒(méi)有按比例并且只要沒(méi)有其它說(shuō)明，彼此也不具有可推導(dǎo)出的幾何關(guān)系。附圖示出:
[0015]圖1:用于實(shí)施所述方法的電路裝置的視圖；
[0016]圖2:在圖1中所示出的電路裝置的時(shí)間上的電壓變化的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]圖1的示圖示出用于實(shí)施所述方法的電路裝置的視圖，所述電路裝置具有封裝的第一 IC S1和封裝的第二 IC S2。第一 IC S1具有一在半導(dǎo)體上共同與磁場(chǎng)傳感器單片集成的電路，沒(méi)有示出它們。此外，第一 ic S1包括信號(hào)輸出端0UT、供給電壓連接端VA和地連接端GND。信號(hào)輸出端OUT的任務(wù)是輸出輸出信號(hào)，所述輸出信號(hào)與在磁場(chǎng)傳感器上獲得的信號(hào)相關(guān)。
[0018]第二 IC S2包括用于提供供給電壓VS的連接端VP、雙向的信號(hào)連接端I/O和地連接端GND。第二 IC S2包括沒(méi)有示出的控制單元。理解為，控制單元優(yōu)選包括處理單元。在此，供給電壓連接端VA與用于提供供給電壓VP的連接端連接。此外，信號(hào)輸出端OUT與信號(hào)連接端1/0連接，其中信號(hào)輸出端可以借助信號(hào)連接端1/0與參考電勢(shì)連接。參考電勢(shì)優(yōu)選可以構(gòu)造為地電勢(shì)GND或者構(gòu)造為供給電壓VA，分別以虛線示出。
[0019]圖2的示圖示出具有在圖1中所示出的電路裝置的時(shí)間上的電壓變化的示圖，以便在第一 IC S1中實(shí)施從正常運(yùn)行狀態(tài)到測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)的切換。在此，示出兩個(gè)IC S1、S2的連接端關(guān)于時(shí)間t的電壓值Vx。
[0020]為了實(shí)施切換，在第一步驟中借助控制單元關(guān)斷第一 IC S1的供給電壓連接端VA上的電壓供給，在第二步驟中將信號(hào)輸出端OUT與地電勢(shì)GND連接。在第三步驟中，在時(shí)刻TV0接通第一 IC S1的電壓供給并且使供給電壓連接端VA上的電壓達(dá)到預(yù)確定的值。在時(shí)亥IJTSA的第四步驟中，將信號(hào)輸出端OUT與地電勢(shì)GND分離。由此，實(shí)現(xiàn)在第一 IC S1中到測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)的切換。理解為，當(dāng)供給電壓連接端VA上的電壓具有穩(wěn)定的狀態(tài)時(shí)才實(shí)現(xiàn)電壓輸出端OUT的分離。
[0021]隨后，在第一 IC S1中直至?xí)r刻TSE地實(shí)施自測(cè)試并且在信號(hào)輸出端OUT上施加測(cè)試圖形TS。所述測(cè)試圖形由控制單元分析處理，以便檢查信號(hào)路徑。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于測(cè)試第一 1C的信號(hào)路徑的方法，其中，封裝的所述第一 IC(S1)構(gòu)造一在半導(dǎo)體上共同與磁場(chǎng)傳感器單片集成的電路并且具有信號(hào)輸出端和供給電壓連接端(VA)以及測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)和正常運(yùn)行狀態(tài)，其中，在所述正常運(yùn)行狀態(tài)中在所述信號(hào)輸出端(OUT)上施加輸出信號(hào)，其中，所述輸出信號(hào)與在所述磁場(chǎng)傳感器上獲得的信號(hào)相關(guān)，設(shè)置封裝的第二 IC(S2)，其中，所述第二 1C構(gòu)造為控制單元并且借助所述控制單元實(shí)施從所述正常運(yùn)行狀態(tài)到所述測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)的切換，其方式是: 在第一步驟中，關(guān)斷所述第一 IC(S1)的電壓供給； 在第二步驟中，將所述信號(hào)輸出端(OUT)與參考電勢(shì)連接； 在第三步驟中，接通所述第一 IC(S1)的電壓供給； 在第四步驟中，將所述信號(hào)輸出端(OUT)與所述參考電勢(shì)分離， 隨后在測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)中在所述第一 IC(S1)中實(shí)施自測(cè)試，在所述信號(hào)輸出端(OUT)上或者在所述供給電壓連接端(VA)上施加測(cè)試圖形并且由所述控制單元分析處理所述測(cè)試圖形以便檢查所述信號(hào)路徑。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法，其特征在于，在所述第三步驟和所述第四步驟之間由所述控制單元等待一個(gè)預(yù)給定的時(shí)間和/或檢查所述第一 IC(S1)的供給電壓是否穩(wěn)定。3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法，其特征在于，在所述測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)中將所述磁場(chǎng)傳感器與測(cè)試電流源連接并且將預(yù)給定的測(cè)試電流饋入到所述磁場(chǎng)傳感器中。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法，其特征在于，所述第一 IC(S1)在所述信號(hào)路徑的測(cè)試期間布置在最終測(cè)試器的接收設(shè)備中或者在現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中與所述第二 IC(S2)連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法，其特征在于，所述第一 IC(S1)和所述第二 IC(S2)構(gòu)造成恰好一個(gè)雙線連接或者構(gòu)造成恰好一個(gè)三線連接。6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法，其特征在于，所述磁場(chǎng)傳感器具有多個(gè)連接端，在所述測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)期間所述測(cè)試電流源交替地與所述磁場(chǎng)傳感器的不同連接端連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法，其特征在于，借助所述切換來(lái)抑制起作用的磁場(chǎng)的影響。8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法，其特征在于，在沒(méi)有所述第二 1C的觸發(fā)信號(hào)的情況下在經(jīng)過(guò)所述自測(cè)試之后將所述第一 IC(S1)切換到所述正常運(yùn)行狀態(tài)。9.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法，其特征在于，所述測(cè)試電流源在所述磁場(chǎng)傳感器的至少一個(gè)連接端上交替地作為電流沉和作為電流源運(yùn)行。10.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法，其特征在于，在所述測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)期間借助所述控制單元確定偏置電壓值。11.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法，其特征在于，所述參考電勢(shì)構(gòu)造為地電勢(shì)(GND)或者構(gòu)造為供給電壓電勢(shì)。12.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于測(cè)試信號(hào)路徑的方法，其特征在于，所述磁場(chǎng)傳感器構(gòu)造為霍爾板。
【專利摘要】用于測(cè)試第一IC的信號(hào)路徑的方法，其中封裝的第一IC構(gòu)造一在半導(dǎo)體上共同與磁場(chǎng)傳感器單片集成的電路并且具有信號(hào)輸出端和供給電壓連接端以及測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)和正常運(yùn)行狀態(tài)，在正常運(yùn)行狀態(tài)中在信號(hào)輸出端上施加輸出信號(hào)，輸出信號(hào)與在磁場(chǎng)傳感器上獲取的信號(hào)相關(guān)，設(shè)置封裝的第二IC，第二IC具有控制單元并且借助控制單元實(shí)施從正常運(yùn)行狀態(tài)到測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)的切換，在第一步驟中關(guān)斷第一IC的電壓供給，在第二步驟中將信號(hào)輸出端與參考電勢(shì)連接，在第三步驟中接通第一IC的電壓供給，在第四步驟中將信號(hào)輸出端與參考電勢(shì)分離，隨后在測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)中在第一IC中實(shí)施自測(cè)試，在信號(hào)輸出端上施加測(cè)試圖形，由控制單元分析處理所述測(cè)試圖形。
【IPC分類】G01R31/28
【公開號(hào)】CN105486993
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510514625
【發(fā)明人】D·穆特思, J·里特爾, M·瓦格納, M·馮埃爾, T·考特爾
【申請(qǐng)人】邁克納斯公司
【公開日】2016年4月13日
【申請(qǐng)日】2015年8月20日
【公告號(hào)】DE102014014309A1, US20160097806