專利名稱：：電子發(fā)射器件、電子源和成象裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于制造電子發(fā)射器件的含有機(jī)金屬化合物的溶液，并涉及用該含有機(jī)金屬化合物的溶液制造電子發(fā)射器件、電子源和成象裝置的方法，特別是涉及用噴漿方法和用于該制造方法中的溶液的制造方法。常規(guī)電子發(fā)射器件，已知的有兩種電子發(fā)射器件，即熱電子發(fā)射器件和冷陰極發(fā)射器件。冷陰極發(fā)射器件，已知有場(chǎng)發(fā)射型器件(此后稱為“FE型”)、金屬/絕緣層/金屬型(此后稱為“MIM型”)發(fā)射器件、和表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件。例如，對(duì)FE型器件，已知有W.P.Dyke和W.W.Dolan在1956年8卷89期電子物理“場(chǎng)發(fā)射”所公開的及C.A.Spindt在1976年47卷5248期應(yīng)用物理學(xué)報(bào)“有鉬錐的薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極的物理特性”公開的器件等。對(duì)MIM型發(fā)射器件，已知有C.A.Mead在1961年32卷646期應(yīng)用物理學(xué)報(bào)“溝道發(fā)射器件的工作”公開的等器件。對(duì)表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件，已知有M.I.Elinson在1965年10卷1290期無(wú)線電工程電子物理所公開的器件。表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件應(yīng)用了這樣的機(jī)理，即通過(guò)使電流沿薄膜平面方向流進(jìn)形成在基片上的小薄膜而產(chǎn)生電子發(fā)射。對(duì)表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件，已經(jīng)報(bào)道了Elinson得到的，用SnO2薄膜的上述電子發(fā)射器件，用Au薄膜的電子發(fā)射器件[G.Dittmer在1972年9卷317期“固體薄膜”，用In2O3/SnO2薄膜的電子發(fā)射器件[M.Hartwell和C.G.Fonstad在1975年519期“IEEETrans.EDConf.”]，用碳薄膜的電子發(fā)射器件[HisashiAraki等在1983年26卷1期22“真空”，或諸如此類的報(bào)道。對(duì)上述表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件的器件結(jié)構(gòu)圖，下面將參照?qǐng)D7描述M.Hartell得到的器件結(jié)構(gòu)。圖7中，數(shù)字1表示基片。數(shù)字4表示用濺射按H形圖形形成的由金屬氧化物薄膜構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜。將導(dǎo)電薄膜4進(jìn)行稱為激勵(lì)形成的電流導(dǎo)電處理來(lái)形成電子發(fā)射區(qū)5。圖7中器件的長(zhǎng)度L和寬度W′分別設(shè)置為約0.5mm到約1mm和約0.1mm。在上述常規(guī)表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件中，電子發(fā)射完成前，通常將導(dǎo)電薄膜4進(jìn)行稱為激勵(lì)形成的電流導(dǎo)電處理來(lái)形成電子發(fā)射區(qū)5。更具體地，在激勵(lì)形成中，在導(dǎo)電薄膜4的兩端加DC電壓或如以約1V/分鐘緩慢增加的電壓來(lái)激勵(lì)導(dǎo)電薄膜4，導(dǎo)電薄膜4局部地?cái)嗔?、變形、或退化以形成呈高阻狀態(tài)的電子發(fā)射區(qū)5。在電子發(fā)射區(qū)5中，在一部分導(dǎo)電薄膜4中形成裂縫，電子發(fā)射在裂縫附近發(fā)生。在已經(jīng)進(jìn)行激勵(lì)形成處理的表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)生器件中，在導(dǎo)電薄膜4上加電壓以產(chǎn)生流進(jìn)器件的電流，由此使電子發(fā)射區(qū)5發(fā)射電子。形成導(dǎo)電薄膜的方法，已知有通過(guò)如真空蒸發(fā)或?yàn)R射等等薄膜沉積直接在基片上形成導(dǎo)電材料的方法。另一種方法，已知有在基片上涂敷有機(jī)金屬化合物溶液等并加熱使其分解為金屬或金屬氧化物的方法。根據(jù)這些方法，因?yàn)椴恍枰纬杀∧さ恼婵昭b置，在生產(chǎn)技術(shù)方面可獲得如降低制造成本的優(yōu)點(diǎn)。如上所述，使用下面構(gòu)圖方法來(lái)在基片上涂覆有機(jī)金屬化合物溶液以形成導(dǎo)電薄膜。即，在基片上形成有預(yù)定圖形開孔的掩模后，通過(guò)浸漬、旋涂、噴涂等在基片上涂敷有機(jī)金屬化合物溶液，加熱和涂敷的薄膜使其分解以得到金屬或金屬氧化物。然后，去掉掩模得到具有預(yù)定形狀的導(dǎo)電薄膜。但是，如果涂敷在整個(gè)基片表面的溶液不需要形成圖形，那么在制造其中有大量器件設(shè)置在大基片上的電子源時(shí)，就有利于制造。本發(fā)明的目的是提供一種能以低成本和簡(jiǎn)單的工藝制造的電子發(fā)射器件的制造方法，和用該電子發(fā)射器件制造電子源和成象裝置的方法。本發(fā)明的另一目的是提供一種具有好的批量生產(chǎn)特性和增加成品率的電子發(fā)射器件的制造方法，和用該電子發(fā)射器件制造電子源和成象裝置的方法。本發(fā)明的還一目的是提供一種具有好的電子發(fā)射特性的電子發(fā)射器件的制造方法，和用該電子發(fā)射器件制造電子源和成象裝置的方法。本發(fā)明的還一目的是提供一種制造電子發(fā)射器件的造方法，該方法中用BJ裝置(噴泡器)把主要含水的溶液和有機(jī)金屬化合物溶液作液滴形成電子發(fā)射器件的導(dǎo)電膜，和用該電子發(fā)射器件制造電子源和成象裝置的方法。本發(fā)明的還一目的是提供一種制造方法，該方法能抑制由于涂覆溶液后液滴圖形的變化或者基片表面與上述制造方法中電子表面的溶液的濕潤(rùn)度的差異而導(dǎo)致的導(dǎo)電薄膜圖形與所要求圖形的差別。為實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明提供一種制造包括有電子發(fā)射區(qū)并位于電極之間的導(dǎo)電薄膜的電子發(fā)射器件的方法，其特征為形成導(dǎo)電薄膜的步驟具有下述的步驟利用加熱噴出溶液的噴漿方法，在位于基片上的電極之間的部分涂覆含有金屬元素的有機(jī)金屬化合物與氨基酸基和水的溶液，然后干燥所加溶液和分解化合物。根據(jù)本發(fā)明，提供一種制造包含電子發(fā)射器件的電子源的方法，該電子發(fā)射器件具有包含電子發(fā)射區(qū)并形成于電極之間的導(dǎo)電薄膜，給電子發(fā)射器件加電壓的加電壓裝置，其特征是用上述方法制造電子發(fā)射器件。根據(jù)本發(fā)明，提供一種包含具有電子發(fā)射器件的電子源和接收從電子源發(fā)射的電子來(lái)發(fā)光的發(fā)光部件的成象裝置的制造方法，該電子發(fā)射器件具有包含電子發(fā)射區(qū)并形成于電極之間的導(dǎo)電薄膜，和給電子發(fā)射器件加電壓的加電壓裝置，其特征是用上述方法制造電子發(fā)射器件。圖1A和1B是表示能用于本發(fā)明的表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件結(jié)構(gòu)的平面圖和剖面圖。圖2A到2D是表示根據(jù)本發(fā)明的制造表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件的方法的示意圖。圖3是具有測(cè)量評(píng)價(jià)功能的真空處理裝置的示意圖。圖4A和4B是表示當(dāng)制造本發(fā)明的表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件時(shí)可在激勵(lì)形成處理過(guò)程中應(yīng)用的電壓波形示意圖。圖5是表示能適用本發(fā)明的表面電導(dǎo)型電子發(fā)射器件的發(fā)射電流Ie、器件電流If、和器件電壓Vf之間關(guān)系的一個(gè)例子的曲線圖。圖6A到6C解釋在制造本發(fā)明的表面電導(dǎo)型電子發(fā)射器件的步驟中液滴噴射圖形的示意圖。圖7是表示Hartwell的表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件的示意圖。圖8是表示能用于本發(fā)明的簡(jiǎn)單矩陣排列的電子源的剖面圖。圖9是表示能用于本發(fā)明的簡(jiǎn)單矩陣排列的成象裝置的示意圖。圖10是表示根據(jù)本發(fā)明的電子源的一部分的平面圖。圖11是表示沿圖10的電子源沿11-11線的剖面圖。圖12A到12H是表示制造圖11所示電子源的步驟A到H的流程圖。根據(jù)下面技術(shù)構(gòu)成本發(fā)明。對(duì)于在制造電子發(fā)射器件中得到具有要求圖形的導(dǎo)電膜的方法，已知有下述方法。即，通過(guò)噴漿裝置將有機(jī)金屬化合物溶液作液滴滴在基片上形成所需圖形，加熱和分解有機(jī)金屬化合物溶液以形成導(dǎo)電薄膜。根據(jù)用噴漿裝置的方法，如果涂敷在整個(gè)基片表面的溶液不需要圖形化，則有利于制造其中有大量器件形成在大基片上的電子源。對(duì)于噴漿裝置方法，已知有通過(guò)加熱使溶液快速沸騰，并由此使液滴從噴嘴噴出的方法(稱作噴泡器BJ)。當(dāng)使用這種方法時(shí)，希望用水作溶液的主要成分。由此，作為在制造用BJ系統(tǒng)形成電子發(fā)射器件的導(dǎo)電薄膜方法中使用的溶液的有機(jī)金屬化合物必須某種程度地溶入水中。當(dāng)用BJ系統(tǒng)產(chǎn)生液滴時(shí)，BJ裝置的加熱器反復(fù)加熱到高溫。因此，發(fā)現(xiàn)在加熱器表面出現(xiàn)由有機(jī)金屬化合物產(chǎn)生的沉積物(此后稱為燒上物)的現(xiàn)象。但是，當(dāng)燒上物的沉積增加時(shí)，液滴排出狀態(tài)逐漸改變。由于這一變化，形成的導(dǎo)電薄膜的狀態(tài)改變，當(dāng)連續(xù)制造電子發(fā)射器件時(shí)電子發(fā)射器件的特性也改變。另外，燒上物和液滴一起局部地附著在基片上，部分將要形成的導(dǎo)電薄膜在形狀或電阻率上與其它部分不同，可能形成具有各不同特性的電子發(fā)射器件。BJ頭的噴射口可能堵塞，并可能不正常地噴出液滴。由于產(chǎn)生這些現(xiàn)象，應(yīng)該盡可能地抑制燒上物的產(chǎn)生。當(dāng)溶液在BJ裝置中沸騰時(shí)，加熱器的表面溫度大約400℃。當(dāng)含于溶液中的的有機(jī)金屬化合物的熱分解溫度(金屬原子和有機(jī)成分之間的鍵斷裂的溫度)比表面溫度更高時(shí)，不產(chǎn)生上述燒上物。但是，在液滴滴到基片上后，必須加熱并分解溶液以產(chǎn)生金屬或金屬氧化物。能加熱基片的溫度上限取決于基片、電極和布線材料的耐熱溫度，通常該溫度設(shè)置為400℃。因此，不能使用分解溫度高于加熱器表面溫度的上述方法。因此，要求在三百幾十度以下能熱分解且極少產(chǎn)生上述燒上物的有機(jī)金屬化合物。還有，用含有機(jī)金屬化合物的溶液作液滴形成所需圖形，干燥溶液和/或進(jìn)行加熱處理以形成具有要求圖形的導(dǎo)電薄膜。在該操作中使用的液滴必須保持它的原始圖形。但是，把液滴涂在基片上后，當(dāng)水逐漸揮發(fā)時(shí)，可能不會(huì)保持原始圖形。為了避免這種情況，溶液的粘度必須調(diào)整到對(duì)導(dǎo)電薄膜的形成沒(méi)有負(fù)影響的合適范圍。盡管在一對(duì)器件電極和它們之間基片表面上形成液滴圖形，為了形成所需圖形，器件電極表面的溶液的濕潤(rùn)度必須和基片表面溶液的濕潤(rùn)度一樣。本發(fā)明正是基于上述技術(shù)作出的。在本發(fā)明中，在用BJ系統(tǒng)形成導(dǎo)電薄膜的過(guò)程中，使用具有氨基酸的有機(jī)金屬化合物。最好，使用其中氨基酸基含有羥基或/和雜環(huán)的有機(jī)金屬化合物。在這些有機(jī)金屬化合物中，含具有雜環(huán)的氨基酸基的有機(jī)金屬化合物最好。具有羥基的氨基酸基是一種除去分子中含氨基(通常為-NH2)、羧基(-COOH)、和羥基(-OH)的化合物中的氫得到的原子團(tuán)?？捎玫幕衔锏木唧w例子有絲氨酸、蘇氨酸、甲狀腺素(Thyrosin)、二羥基苯丙氨酸(3-(3，4-二羥基苯)-丙氨酸)等。其中最好使用絲氨酸或蘇氨酸。具有雜環(huán)的氨基酸基是一種除去分子中有氨基、羧基和碳原子彼此環(huán)形連接的化合物中氫得到的原子團(tuán)，該環(huán)具有至少包含一個(gè)異質(zhì)原子的部分。可用的化合物的具體例子有脯氨酸、羥基脯氨酸、2-哌啶酸、色氨酸、組氨酸、四氫糠酸(tetrahydrofuroic)等。其中最好使用脯氨酸、羥基脯氨酸、或2-哌啶酸。用于本發(fā)明的有機(jī)金屬化合物所含金屬元素，可用如鉑、鈀鉑系元素或釕、金、銀、銅、鉻、鉭、鐵、鎢、鉛、鋅、錫等。特別是鉑系元素，最好是鈀。對(duì)于構(gòu)成有機(jī)金屬化合物的氨基酸基和金屬元素的混合，較好是使用鈀作為金屬元素與脯氨酸、羥基脯氨酸、絲氨酸、蘇氨酸、或2-哌啶酸之一作為氨基酸基混合的組合物，最好是使用鈀與脯氨酸、羥基脯氨酸、或2-哌啶酸之一混合的組合物，但最好是使用鈀與脯氨酸混合。盡管在使用含上述有機(jī)金屬化合物的溶液時(shí)要抑制燒上物的形成的原因沒(méi)有完全清楚，但估計(jì)有以下的原因。更具體地，有機(jī)金屬化合物具有比常規(guī)化合物相對(duì)高的200℃以上的分解溫度，并由于加熱器的加熱產(chǎn)生少量的分解產(chǎn)物。另外，即使有機(jī)金屬化合物通過(guò)加熱器加熱分解，當(dāng)分解產(chǎn)物很容易溶在水中時(shí)，分解產(chǎn)物不會(huì)作為燒上物而沉積。含羥基和雜環(huán)的原子團(tuán)有高鍵合強(qiáng)度，且包含在熱分解中不容易斷裂的鍵。因此，只是預(yù)定鍵合位置在熱分解時(shí)發(fā)生斷裂，通過(guò)熱分解產(chǎn)生的分解產(chǎn)物類型受到限制。當(dāng)分解產(chǎn)物可以溶在水中時(shí)，不產(chǎn)生燒上物。因此，當(dāng)適當(dāng)?shù)剡x擇材料使其主要分解產(chǎn)物能溶于水中時(shí)，就不會(huì)產(chǎn)生燒上物。特別是，雜環(huán)的鍵合強(qiáng)度很高，顯然雜環(huán)不易斷裂。因此，最好使用含雜環(huán)的化合物。另一方面，沒(méi)有這些原子團(tuán)的化合物包含大量易斷的鍵。因此，根據(jù)分解中化合物鍵斷裂的方式不同會(huì)產(chǎn)生各種類型的分解產(chǎn)物。這些類型的分解產(chǎn)物不能溶于水的可能性很大，不容易發(fā)現(xiàn)無(wú)燒上物產(chǎn)生的材料。盡管上述金屬組分的金屬濃度范圍由于所使用的金屬化合物的類型而有輕微的變化，金屬濃度范圍通常設(shè)置為0.1wt％到2.0wt％。當(dāng)金屬濃度過(guò)低時(shí)，必須在基片上涂大量的上述溶液的液滴以將要求量的金屬涂到該基片上。因此，會(huì)延長(zhǎng)涂液滴所需的時(shí)間，并會(huì)在基片上形成過(guò)大的蓄積。由此，不能實(shí)現(xiàn)僅在所需位置涂金屬的目的。與此相反，當(dāng)金屬的濃度過(guò)高時(shí)，會(huì)使加到基片上的液滴在后面的干燥或加熱處理中極不均勻。所以，電子發(fā)射器件的導(dǎo)電薄膜很容易變得不均勻，由此使電子發(fā)射器件的特性退化。用于本發(fā)明的金屬組分最好還包含部分酯化的聚乙烯醇以便較好地形成圖形。這里描述的部分酯化的聚乙烯醇是含乙烯醇單元和乙烯基酯單元的聚合物。例如，通過(guò)部分酯化“完全”水解的聚乙烯醇得到的聚合物是部分酯化的聚乙烯醇，該“完全”水解的聚乙烯醇通常可由如乙酸酐的羧基酐或如乙酰氯的羧基酐得到。在通常的生產(chǎn)聚乙烯醇的處理中，即通過(guò)水解聚乙烯乙酸酯生產(chǎn)聚乙烯醇的過(guò)程中，聚乙烯乙酸不完全水解使聚乙烯乙酸酯的水解在反應(yīng)的中間停止，由此得到部分水解的聚乙烯醇。這種部分水解的聚乙烯醇也用作部分水解的聚乙烯醇?？紤]到可商購(gòu)性和成本，部分水解的聚乙烯醇最適于用作本發(fā)明的部分酯化的聚乙烯醇。對(duì)于構(gòu)成酯的?；?，除上述乙?；?，有如丙酰基、丁?；?、或從脂族乙酰碳酸產(chǎn)生的硬脂酰基等的?；?。在這些?；拿恳粋€(gè)中的碳原子數(shù)必須是2以上。部分酯化的聚乙烯醇的酯化度很重要。例如，一種可商購(gòu)的稱作“完全”水解的聚乙烯醇，即從其中去除99％的乙酰基的聚乙烯乙酸酯水解物，不適合作本發(fā)明中金屬組分的部分酯化的聚乙烯醇。相反，因?yàn)槿缇垡蚁┮宜狨サ韧耆セ木垡蚁┐蓟静蝗苡谒?，它也不容易包含在本發(fā)明的金屬組分中。實(shí)際能用于本發(fā)明的部分酯化的聚乙烯醇的酯化率較好設(shè)置在5mol％到25mol％。具體地，當(dāng)部分酯化的聚乙烯醇的酯化率設(shè)置在8mol％到22mol％時(shí)最有效。這里描述的酯化率即成鍵的?；臄?shù)量與聚合物中所有乙烯醇重復(fù)單元的比。該比可通過(guò)元素分析或紅外吸收分析來(lái)測(cè)定。部分酯化的聚乙烯醇的聚合度較好設(shè)置在400到2000。當(dāng)聚合度低于該范圍時(shí)，不能穩(wěn)定形成金屬組分的涂敷。當(dāng)聚合度高于該范圍時(shí)，金屬組分的溶液粘度變高，當(dāng)溶液用在涂敷時(shí)有涂層變厚的趨勢(shì)。在形成有合適厚度的電子發(fā)射部分的導(dǎo)電膜過(guò)程中，最好使用具有450以上到1200以下聚合度的部分酯化的聚乙烯醇。用在用于本發(fā)明金屬組分中的部分酯化的聚乙烯醇的濃度較好設(shè)置在0.01％或以上到0.5％或以下。當(dāng)濃度低于該濃度范圍時(shí)，不能使聚合物添加劑充分有效。當(dāng)濃度度高于該濃度范圍時(shí)，在涂敷步驟中有金屬組分的粘度增加的問(wèn)題。加熱處理時(shí)聚合物成分不完全分解，且有機(jī)成分可能會(huì)留在電子發(fā)射區(qū)。另外，用在本發(fā)明的金屬組分最好包含構(gòu)圖能力好的水溶多羥基醇以改進(jìn)濕潤(rùn)度。這里描述的多羥基醇是在一個(gè)分子中有多個(gè)醇羥基的化合物。具體地，使用在室溫為液體的具有2或4個(gè)碳的多羥基醇。更具體地，可在本發(fā)明的金屬組分中有效地添加1-2亞乙基二醇、丙二醇、1，3-丙二醇、3-甲氧基-1、2-丙二醇、2-羥甲基-1、3-丙二醇、二亞甲基二醇、甘油、1，2，4-丁三醇等。用于本發(fā)明的金屬組分中的多羥基醇較好在0.05wt％到3wt％，最好為0.2wt％到5wt％。按這種方式，當(dāng)多羥基醇的濃度高時(shí)，涂敷在基片上的金屬組分的干燥速率表現(xiàn)出不希望的低。當(dāng)多羥基醇的濃度低于上述范圍時(shí)，成圖能力和濕潤(rùn)度等效應(yīng)退化。用于本發(fā)明的金屬組分最好含水溶單羥基醇以調(diào)整金屬組分的干燥速率。能用于本發(fā)明的具有1或4個(gè)碳的水溶單羥基醇在室溫下為液體。更具體地，使用甲醇、乙醇、丙醇、2-丁醇等。較好以5wt％以上到35wt％以下的濃度向金屬組分中加水溶單羥基醇。當(dāng)濃度高于該范圍時(shí)，水溶有機(jī)金屬化合物的溶解能力降低。另外，當(dāng)在基片上部分地涂敷溶液時(shí)涂敷層會(huì)在基片上延伸，這樣就很難只在需要的區(qū)域形成涂敷層。在液滴涂敷工藝中，在基片同一位置涂敷液滴不僅一次，而且可以在基片同一位置二次或多次涂敷液滴以在基片上涂敷所需量的金屬組分。當(dāng)單獨(dú)將一滴液滴加在基片上時(shí)，通常產(chǎn)生圓形或類似形狀的小涂層。當(dāng)施加基片上位置彼此以小于圓形直徑的間距隔開的方式涂敷多個(gè)液滴時(shí)，能形成具有任意形狀的連續(xù)的大的涂敷層。用一種裝置使涂敷在基片上的金屬組分干燥和熱處理，以形成導(dǎo)電的無(wú)機(jī)微細(xì)顆粒薄膜。按這種方式，在基片上形成電子發(fā)射無(wú)機(jī)微細(xì)顆粒薄膜。這里描述的微細(xì)顆粒薄膜是通過(guò)聚集大量微細(xì)顆粒得到的薄膜，該薄膜中微細(xì)顆粒不僅以微觀的方式獨(dú)立散布和排列，而且彼此相鄰或重疊(包括島形)。微細(xì)顆粒薄膜的顆粒直徑表示在上述狀態(tài)能認(rèn)出其形狀的每個(gè)微細(xì)顆粒的直徑。對(duì)于干燥處理，可使用自然干燥處理、吹空氣干燥處理、加熱干燥處理。將有溶液涂敷于其上的基片放在電干燥器中，在70℃到130℃干燥30秒到2分鐘可干燥該基片。在加熱處理中，可以使用通常的加熱裝置。盡管加熱溫度必須設(shè)置在足以使有機(jī)金屬化合物分解來(lái)形成無(wú)機(jī)金屬微細(xì)顆粒的溫度，通常設(shè)置為150℃以上500℃以下?？梢栽跍p壓氣體氣氛、氧化氣體氣氛、惰性氣體氣氛、或真空下進(jìn)行加熱處理。在減壓或真空氣氛下，通常通過(guò)熱分解有機(jī)金屬化合物產(chǎn)生金屬微細(xì)顆粒。另一方面，在氧化氣氛下，通常產(chǎn)生金屬氧化物的微細(xì)顆粒。但是，不能簡(jiǎn)單地如上述決定加熱氣氛和氧化狀態(tài)。即使在氧化氣氛進(jìn)行加熱處理，首先通過(guò)分解有機(jī)金屬化合物產(chǎn)生金屬氧化物顆粒。當(dāng)繼續(xù)加熱處理時(shí)，金屬可能會(huì)氧化產(chǎn)生金屬氧化物微細(xì)顆粒。當(dāng)產(chǎn)生金屬或金屬氧化物并形成具有導(dǎo)電性的微細(xì)顆粒薄膜時(shí)，該微細(xì)顆粒薄膜可以用在電子發(fā)射器件中。為了簡(jiǎn)化加熱裝置和降低生產(chǎn)成本，最好在空氣氣氛中加熱處理。最佳加熱時(shí)間隨所用有機(jī)金屬化合物的類型、加熱氣氛和加熱溫度而變化。加熱時(shí)間通常設(shè)置為約2到40分鐘。盡管加熱溫度可以為常數(shù)，但也可根據(jù)預(yù)定程序來(lái)改變。不需要作為不同步驟來(lái)進(jìn)行燥處理和加熱處理，可以一次連續(xù)完成這些處理。當(dāng)如上所述在基片上形成導(dǎo)電無(wú)機(jī)微細(xì)顆粒薄膜時(shí)，便可以制造電子發(fā)射器件。更具體地，根據(jù)本發(fā)明的制造電子源的方法是制造包含電子發(fā)射器件和給器件加電壓的供電裝置的電子源的方法，其特征是通過(guò)上述方法制造電子發(fā)射器件。根據(jù)本發(fā)明的制造成象裝置的方法是制造包含電子源和接收從器件發(fā)出的電子來(lái)發(fā)光的光發(fā)射部件的成象裝置方法，其中電子源具有電子發(fā)射器件和給器件加電壓的供電裝置，其特征是通過(guò)上述方法制造電子發(fā)射器件。根據(jù)本發(fā)明的制造成象裝置的方法是制造包含電子源、接收從器件發(fā)出的電子來(lái)發(fā)光的光發(fā)射部件、和用外部信號(hào)控制加到器件上的電壓的驅(qū)動(dòng)電路的成象裝置方法，其中電子源具有電子發(fā)射器件和給器件加電壓的供電裝置，其特征是通過(guò)上述方法制造電子發(fā)射器件。下面將說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。本發(fā)明不限于這些實(shí)施例，如果能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的，則對(duì)各相應(yīng)器件的替換和設(shè)計(jì)的改變是有效的。例1.將2.3克脯氨酸和20ml水倒進(jìn)100ml橢圓型(eggplant-type)燒瓶中得到水溶液，將1.7克氯化鈀加入溶液中，把得到的溶液加熱到70℃。反應(yīng)后，向溶液中加入5ml4N的氫氧化鈉水溶液，蒸發(fā)溶劑，將剩余物溶于少量熱水中。用熱漏斗過(guò)濾該溶液，得到鈀-脯氨酸配合物(PPro)。將0.94mmol(314mg)的PPro、0.05g的86％皂化的聚乙烯醇(平均聚合度500)、25g異丙醇、1g1，2-亞乙二醇與水混合得到共100g的溶液。用該溶液作鈀化合物溶液。例2-5用列于表1的氨基酸代替例1中的脯氨酸進(jìn)行與例1相同的處理，制備鈀化合物溶液?？梢杂扇魏伟被嶂苽溻Z化合物溶液。表1<tablesid="table1"num="001"><tablewidth="873">氨基酸鈀-氨基酸配合物例2絲氨酸PSer例3蘇氨酸PThr例4羥基脯氨酸PHyp例52-哌叮酸PPip</table></tables>例6按下面的方法合成用于本例中的鈀-DL-丙氨酸(此后稱為PAla)。將5克氯鈀酸鉀(II)溶于50cm3的水中，再加入5gDL-丙氨酸，將所得溶液在室溫?cái)嚢?小時(shí)。反應(yīng)完成后，冷卻溶液使其結(jié)晶為PAla。通過(guò)減壓吸出和干燥來(lái)過(guò)濾反應(yīng)產(chǎn)物。當(dāng)在空氣中進(jìn)行DSC測(cè)量時(shí)，PAla的分解溫度為270℃。用PAla代替例1中的脯氨酸進(jìn)行與例1相同的處理，制備鈀化合物溶液。例7按下面的方法合成用于本例中的鈀-β-丙氨酸(此后稱為PBal)。將5克氯鈀酸鉀(II)溶于50cm3的水中，再加入5gβ-丙氨酸，將所得溶液在室溫?cái)嚢?小時(shí)。反應(yīng)完成后，將15cm3的8N氫氧化鈉溶液加入反應(yīng)溶液以中和該反應(yīng)溶液。反應(yīng)溶液濃縮為20cm3后，冷卻濃縮溶液成為結(jié)晶為PBal。通過(guò)減壓吸出和干燥來(lái)過(guò)濾反應(yīng)產(chǎn)物。當(dāng)在空氣中進(jìn)行DSC測(cè)量時(shí)，PBal的分解溫度為316℃。用PBal代替例1中的脯氨酸進(jìn)行與例1相同的處理，制備鈀化合物溶液。例8按下面的方法合成用于本例中的鈀-∈-氨基己酸(此后稱為PAcx)。將5克氯鈀酸鉀(II)溶于50cm3的水中，再加入8g∈-氨基己酸，將所得溶液在室溫?cái)嚢?小時(shí)以結(jié)晶為PAcx。完成結(jié)晶后，通過(guò)減壓吸出和干燥來(lái)過(guò)濾反應(yīng)產(chǎn)物。當(dāng)在空氣中進(jìn)行DSC測(cè)量時(shí)，PAcx的分解溫度為370℃。用PAcx代替例1中的脯氨酸進(jìn)行與例1相同的處理，制備鈀化合物溶液。比較例1用乙酸鈀代替例1中的PPro進(jìn)行與例1相同的處理，制備鈀化合物溶液。但是，乙酸鈀沉積而不溶解，不能得到均勻的鈀化合物溶液。例9-16用0.25μm孔徑的膜濾器過(guò)濾例1-8制備的鈀化合物溶液，將過(guò)濾的溶液裝入噴泡印刷頭。向預(yù)定的印刷頭以1/60的占空比反復(fù)加20V的DC電壓7μs40,000次，卸下印刷頭，用顯微鏡觀察加熱器表面來(lái)評(píng)估燒上物的尺寸。結(jié)果列于表2。注意評(píng)估符號(hào)定義如下；◎微細(xì)燒上物，○小燒上物，△中間燒上物，和×大燒上物。表2</tables>比較例2用乙酸鈀-乙醇胺配合物(PAME)代替例1中的鈀-脯氨酸配合物進(jìn)行與例1相同的處理，制備鈀化合物溶液。進(jìn)行與例9一樣的處理，觀察加熱器表面來(lái)評(píng)估燒上物的尺寸。結(jié)果也列于表2。注意評(píng)估符號(hào)定義如下；◎微細(xì)燒上物，○小燒上物，△中間燒上物，和×大燒上物。例17根據(jù)本例，制造圖1A和1B所示電子發(fā)射器件。圖1A是該器件的平面圖，圖1B是該器件的剖面圖。圖1A和1B中，標(biāo)號(hào)1表示絕緣基片；2，3表示給器件加電壓的電極；4表示導(dǎo)電薄膜；5表示電子發(fā)射區(qū)。圖1A中，符號(hào)L表示器件電極2和3之間的器件電極間距；W表示器件電極的寬度；d表示器件電極的厚度。下面參照?qǐng)D2A到2D說(shuō)明根據(jù)本例制造電子發(fā)射器件的方法。用石英基片作絕緣基片1，用有機(jī)溶劑和水充分地清洗基片1，并在200℃的熱空氣中干燥。在基片1上形成由金構(gòu)成的器件電極2和3(圖2A)。此時(shí)，器件電極間距L(圖1A和1B)設(shè)置為3μm，器件電極寬度W(圖1A和1B)設(shè)置為500μm，器件電極厚度d設(shè)置為1000A。用0.048克PAla溶于10克水中得到BJ涂敷用(0.2Pdwt％)的水溶液。使用BJ系統(tǒng)的噴漿裝置，從該裝置的噴嘴6將PAla水溶液噴到器件電極2和3(圖2B)之間的部分。將該有機(jī)金屬配合物薄膜在80℃干燥2分鐘，并在具有大氣氣氛的烤箱中以450℃加熱12分鐘來(lái)分解沉積PAla，由此形成由氧化鈀微細(xì)顆粒(平均顆粒尺寸60A)構(gòu)成的微細(xì)顆粒薄膜作為導(dǎo)電薄膜4(圖2C)。通過(guò)X光分析證實(shí)該薄膜由氧化鈀構(gòu)成。在這種情況下，導(dǎo)電薄膜4有300μm的寬度(器件寬度)，并置于器件電極2和3之間的正中間部分。導(dǎo)電薄膜4的厚度為100A，表面電阻為5×104Ω。這里描述的微細(xì)顆粒薄膜是通過(guò)聚集大量微細(xì)顆粒得到的薄膜，該薄膜中微細(xì)顆粒不僅各自獨(dú)立散布和排列，而且彼此相鄰或重疊(包括島形)。微細(xì)顆粒薄膜的顆粒直徑表示在上述狀態(tài)能認(rèn)出其形狀的每個(gè)微細(xì)顆粒的直徑。在真空容器中給器件電極2和3加電壓，對(duì)導(dǎo)電薄膜4進(jìn)行電流導(dǎo)電處理(形成處理)，由此形成電子發(fā)射區(qū)5(圖2D)。形成處理的電壓波形如圖4A所示。在該例中，電壓波形的脈沖寬度T1設(shè)置為1ms，脈沖間隔T2設(shè)置為10ms，三角波峰值(在形成處理中的峰值)設(shè)置為5V，在1×10-6Torr的真空進(jìn)行60秒形成處理。如上述形成的電子發(fā)射區(qū)5具有這樣的狀態(tài)其中散布和排列含鈀為主要成分的微細(xì)顆粒，微細(xì)顆粒的平均顆粒尺寸為28A。測(cè)量上述制造的器件的電子發(fā)射特性。圖3是表示測(cè)量評(píng)估裝置的排列示意圖。在測(cè)量電子發(fā)射器件的器件電流If和發(fā)射電流Ie的過(guò)程中，電源31和安培計(jì)30連接在器件電極2和3之間，在上述電子發(fā)射器件中還排列有連接電源33和安培計(jì)32的陽(yáng)極34。將電子發(fā)射器件和陽(yáng)極34放于在真空裝置35中，真空裝置35包含真空裝置所需的抽空泵36和如真空計(jì)(未示出)等設(shè)備，這樣可以在需要的真空狀態(tài)進(jìn)行器件的測(cè)量評(píng)估。在該例中，陽(yáng)極34和電子發(fā)射器件之間的距離設(shè)置為4mm，陽(yáng)極34的電勢(shì)設(shè)置為1KV，測(cè)量電子發(fā)射特性時(shí)的真空裝置的真空度設(shè)置為1×10-6Torr。使用上述測(cè)量評(píng)估裝置，給電子發(fā)射器件的電極2和3加電壓，測(cè)量此時(shí)的器件電流If和發(fā)射電流Ie。在這種情況下獲得如圖5所示的電流-電壓特性。該器件中，發(fā)射電流Ie從器件電壓為8V開始急劇增加，平均器件電流If和發(fā)射電流Ie分別為2.2mA和1.1μA，在器件電壓為16V時(shí)，電子發(fā)射效率(＝Ie/If(％)為0.05％。當(dāng)在上述例中形成電子發(fā)射區(qū)時(shí)，在器件電極上加三角脈沖，進(jìn)行形成處理。但是，加在器件電極的脈沖波形不限于三角波，可以使用所需的如矩形波。峰值、脈沖寬度、脈沖間隔都不限于上述值，可以選擇能很好形成電子發(fā)射區(qū)的所需的值。例18用0.056克PBal作為有機(jī)金屬配合物溶于10克水中得到BJ涂敷用(2.0Pdwt％)的水溶液。用和例17相同的制造電子發(fā)射器件的方法制造電子發(fā)射器件。在該器件中，發(fā)射電流Ie從器件電壓為約8.1V開始急劇增加，平均器件電流If和發(fā)射電流Ie分別為2.3mA和1.2μA，在器件電壓為16V時(shí)，電子發(fā)射效率η＝Ie/If(％)為0.051％。例19根據(jù)本例，制造如圖1A和1B所示的電子發(fā)射器件。圖1A是該器件的平面圖，圖1B是該器件的剖面圖。圖1A和1B中，標(biāo)號(hào)1表示絕緣基片；2，3表示給器件加電壓的電極；4表示包括電子發(fā)射區(qū)的導(dǎo)電薄膜；5表示電子發(fā)射區(qū)。圖1A中，符號(hào)L表示器件電極2和3之間的器件電極間距；W表示器件電極的寬度；d表示器件電極的厚度。下面參照?qǐng)D2A到2D說(shuō)明根據(jù)本例的制造電子發(fā)射器件的方法。圖2A-2D中與圖1A與1B相同的符號(hào)表示相同的部分。用石英基片作絕緣基片1，用有機(jī)溶劑充分地清洗基片1。在基片1的表面上形成含Pt的器件電極2和3(圖2A)。此時(shí)，器件電極間距L設(shè)置為10μm，器件電極寬度W設(shè)置為500μm，器件電極厚度d設(shè)置為1000A。將0.94mmol(314mg)的PPro、0.05g的86％皂化的聚乙烯醇(平均聚合度500)、25g異丙醇、1g1，2-亞乙二醇與水混合得到共100g的溶液。把該溶液用作鈀化合物溶液。用0.25μm孔徑的膜濾器過(guò)濾鈀化合物溶液，將過(guò)濾的溶液裝入噴泡印刷頭。向預(yù)定的印刷頭加20V的DC電壓7μs，使鈀化合物溶液噴射到石英基片的器件電極2和3之間的空隙部分(圖2B)。保持印刷頭和基片的位置不變，重復(fù)噴射5次。得到的液滴幾乎為約110μm直徑的圓形。將基片在具有大氣氣氛的烤箱中以350℃加熱15分鐘，在基片上分解沉積金屬化合物，由此形成由氧化鈀微細(xì)顆粒(平均顆粒尺寸65A)構(gòu)成的微細(xì)顆粒薄膜作為導(dǎo)電薄膜4(圖2C)。器件電極2和3之間的電阻為10KΩ。如圖2D所示，電子發(fā)射區(qū)5是這樣形成的給器件電極2和3加電壓對(duì)導(dǎo)電薄膜進(jìn)行電流導(dǎo)電處理(形成處理)，由此形成電子發(fā)射區(qū)。形成處理的電壓波形如圖4B所示。圖4B中，符號(hào)T1和T2分別表示電壓波形的脈沖寬度和脈沖間隔。在該例中，T1和T2分別設(shè)置為1ms和10ms，增加三角波峰值(在形成處理中的峰值)。在1×10-6Torr的真空進(jìn)行形成處理。測(cè)量上述制造的器件的發(fā)射電流等來(lái)評(píng)估它的電子發(fā)射特性，和例17一樣，用圖3所示的測(cè)量評(píng)估裝置進(jìn)行評(píng)估。給電子發(fā)射器件的電極2和3加器件電壓，測(cè)量此時(shí)的器件電流If和發(fā)射電流Ie。在這種情況下，得到圖5所示的電流電壓特性。在該器件中，發(fā)射電流Ie從器件電壓為7.4V開始急劇增加，平均器件電流If和發(fā)射電流Ie分別為2.4mA和1.0μA，在器件電壓為16V時(shí)，電子發(fā)射效率η＝Ie/If(％)為0.042％。將具有磷薄膜和金屬底的面板來(lái)代替測(cè)量評(píng)估裝置中的陽(yáng)極34(圖3)放于真空裝置35中。當(dāng)試圖從電子源發(fā)射電子時(shí)，一部分磷薄膜發(fā)光，發(fā)光強(qiáng)度隨器件電流Ie改變。按這種方式，可以理解該器件起光發(fā)射成象裝置的作用。當(dāng)在上述例中形成電子發(fā)射區(qū)時(shí)，在器件電極上加三角脈沖進(jìn)行形成處理。但是，加在器件電極上的脈沖波形不限于三角波，可以使用所需的如矩形波。峰值、脈沖寬度、脈沖間隔都不限于上述值，可以選擇能很好形成電子發(fā)射區(qū)的所需的值。例19-2和19-3除了分別在例19-2和19-3中用PSer和PThr代替例19中的PPro來(lái)制備鈀化合物溶液外，按和例19相同的方法制造電子發(fā)射器件。制造的器件和例19的器件有基本相同的電子發(fā)射特性。比較例3在石英基片上以和例19相同的方法形成含Pt的器件電極。除了用0.94mmol代替PPro外，以和例19相同的方法制備鈀化合物溶液，用鈀化合物溶液，用BJ裝置將液滴噴在基片上器件電極之間的空隙部分。在空氣中300℃下加熱分解所得薄膜12分鐘，來(lái)形成主要由氧化鈀顆粒構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜，按和例19相同的方法對(duì)導(dǎo)電薄膜進(jìn)行形成處理，測(cè)量導(dǎo)電薄膜的電子發(fā)射特性。在器件電壓為16V時(shí)，器件電流If、發(fā)射電流Ie和電子發(fā)射效率η分別為2.3mA、1.1μA，和0.048％。隨后，按通過(guò)濺射在鈉鈣玻璃上沉積0.5(m的氧化硅的方式形成基片，在基片上形成多個(gè)器件電極對(duì)。按通過(guò)濺射形成并用光刻技術(shù)圖形化Pt薄膜的方式形成每個(gè)器件電極。器件電極對(duì)按100×100二維排列。即在基片上形成10,000對(duì)器件電極。通過(guò)使用和例17、18、19、19-2、19-3和比較例3相同的有機(jī)鈀溶液，在器件電極對(duì)間涂敷液滴，在和上述例子和比較例中相同的條件進(jìn)行加熱分解處理。使用上面六種有機(jī)鈀溶液，用每個(gè)有機(jī)鈀溶液在10個(gè)基片上分別形成導(dǎo)電膜。對(duì)其上用每種有機(jī)鈀溶液形成導(dǎo)電薄膜的第一基片的前100個(gè)器件和對(duì)其上用每種有機(jī)鈀溶液形成導(dǎo)電薄膜的最后基片的后100個(gè)器件進(jìn)行形成處理，用掃描電鏡(SEM)觀察電子發(fā)射區(qū)的形狀。在由和例17、18、19、19-2、和19-3相同的溶液得到的前100個(gè)器件和最后100個(gè)器件中形成較好的電子發(fā)射區(qū)。但是，在用和比較例3相同的溶液得到的后100個(gè)器件中的5個(gè)器件的導(dǎo)電薄膜中探測(cè)到大的雜質(zhì)。在探測(cè)到雜質(zhì)的每個(gè)器件中，觀察到形成在器件電極空隙中心部分附近的電子發(fā)射區(qū)形成在中心部分周圍，由此整個(gè)電子發(fā)射區(qū)變形。估計(jì)雜質(zhì)的形成使沉積在加熱器上的燒上物剝落隨液滴排出。當(dāng)測(cè)量電子發(fā)射器件的特性時(shí)，這5個(gè)器件的發(fā)射電流Ie比其它的器件的小。當(dāng)用比較例3的溶液連續(xù)形成導(dǎo)電薄膜時(shí)，發(fā)現(xiàn)混進(jìn)導(dǎo)電薄膜的雜質(zhì)率逐漸增加。最后，BJ頭堵塞，所以不能噴出液滴。另一方面，當(dāng)用例17、18、19、19-2和19-3的溶液連續(xù)形成導(dǎo)電薄膜時(shí)，觀察用每一溶液的第100個(gè)基片的最后100個(gè)器件。結(jié)果，在分別用例17、18、19-2和19-3的溶液的12、15、2和3器件中發(fā)現(xiàn)似乎是燒上物剝落的大雜質(zhì)，同時(shí)在用例19的溶液的情況下沒(méi)有發(fā)現(xiàn)雜質(zhì)，這樣形成好的導(dǎo)電薄膜。例20-23用在例2-5中制備的鈀化合物(PSer，PThr，PHyp，和PPip)溶液代替例19中的鈀化合物溶液進(jìn)行和例19相同的處理，來(lái)形成電子發(fā)射器件。任一種溶液都能容易地涂敷在基片表面。當(dāng)器件形成后，在器件電壓為14到18V時(shí)有電子發(fā)射現(xiàn)象。例24按和例19相同的方法形成其上有器件電極2和3的石英基片。將用于例19的鈀化合物溶液裝入噴泡印刷頭，向預(yù)定的印刷頭加20V的DC電壓7μs，使鈀化合物溶液噴放到石英基片的器件電極2和3之間的空隙部分，重復(fù)6次。將基片立即沿空隙方向移動(dòng)70μm，從噴頭噴放鈀化合物溶液6次(圖6B)。當(dāng)在350℃加熱基片12分鐘來(lái)熱分解鈀化合物時(shí)，產(chǎn)生氧化鈀。電極2和3之間的電阻變?yōu)?KΩ。以和例19相同的方法對(duì)基片進(jìn)行預(yù)定的激勵(lì)形成和激活處理，將器件作為電子發(fā)射器件來(lái)評(píng)估。結(jié)果，在器件電壓為16V時(shí)電子發(fā)射效率為0.044％。例25-28用在例2-5中制備的鈀化合物溶液代替例24中的鈀化合物溶液進(jìn)行和例24相同的處理，來(lái)形成電子發(fā)射器件。任一種溶液都能容易地涂敷在基片表面。當(dāng)器件形成后，在器件電壓為14到18V時(shí)有電子發(fā)射現(xiàn)象。例29用石英基片作絕緣基片1，用有機(jī)溶劑充分地清洗基片1。在基片1的表面上形成由Pt構(gòu)成的器件電極2和3。此時(shí)，器件電極間距L設(shè)置為30μm，器件電極寬度W設(shè)置為500μm，器件電極厚度d設(shè)置為1000A。用0.25μm孔徑的膜濾器過(guò)濾鈀化合物溶液，將過(guò)濾的溶液裝入噴泡印刷頭。噴頭固定在平面移動(dòng)臺(tái)上，使噴放口陣列的方向與基片上電子電極空隙方向相同，噴頭保持在基片上方1.6mm。當(dāng)通過(guò)移動(dòng)臺(tái)按在器件電極空隙垂直的方向以280mm/秒的速度移動(dòng)噴頭時(shí)，給5個(gè)預(yù)定相鄰噴頭外加20V的DC電壓7μs，以180μs的間隔重復(fù)三次。在基片上電極空隙處形成由15個(gè)液滴構(gòu)成的矩形圖形(圖6C)。當(dāng)在350℃加熱基片12分鐘來(lái)熱分解鈀化合物時(shí)，在矩形圖形部分產(chǎn)生均勻的氧化鈀。電極2和3之間的電阻變?yōu)?KΩ。以和例19相同的方法進(jìn)行預(yù)定的激勵(lì)形成和激活處理，將器件作為電子發(fā)射器件來(lái)評(píng)估。結(jié)果，在器件電壓為14V時(shí)電子發(fā)射效率為0.04％。例30-33用在例2-5中制備的鈀化合物溶液代替例29中的鈀化合物溶液進(jìn)行和例29相同的處理，來(lái)形成電子發(fā)射器件。任一種溶液都能容易地涂敷在基片表面。當(dāng)器件形成后，在器件電壓為14到18V時(shí)有電子發(fā)射現(xiàn)象。例34將1克完全皂化的聚乙烯醇(皂化率99％，平均聚合度500)加入80ml的二甲基甲酰胺，在無(wú)水汽下攪拌混合物。向混合物中加入三甲胺，并用冰冷卻。將1.8克乙酰氯加入混合物，邊冷卻邊攪拌混合物2小時(shí)。將反應(yīng)混合物倒入350ml水中，邊攪拌邊加150g脫鹽離子交換樹脂的該水溶液，樹脂過(guò)濾掉，由此得到液體成分。攪拌加100g脫鹽離子交換樹脂，將樹脂過(guò)濾掉，由此得到液體成分。在減壓下緩慢濃縮得到的液體，向濃縮的溶液加入約30ml水。在真空狀態(tài)冷凍干燥所得溶液，由此得到0.8g聚合物。從通過(guò)CHN元素分析得到的結(jié)果，估計(jì)聚乙烯醇的乙酰化率為8.2％。將0.05克聚合物、0.94mmol(314mg)的PPro、25g異丙醇、1g1，2-亞乙二醇與水混合得到共100g的溶液。用該溶液代替例29中的鈀化合物溶液進(jìn)行和例29相同的處理，來(lái)形成電子發(fā)射器件。在器件電壓為16V時(shí)有電子發(fā)射現(xiàn)象。例35-38用在例2-5中制備的鈀氨基酸配合物代替例34中的PPro進(jìn)行和例34相同的處理，來(lái)形成電子發(fā)射器件。任一種溶液都能容易地涂敷在基片表面。當(dāng)器件形成后，在器件電壓為15到18V時(shí)有電子發(fā)射現(xiàn)象。例39-48根據(jù)例34的方法合成表3的聚乙烯醇酯。使用所得到的聚合物(A)到(J)，按與例34相同的方法形成電子發(fā)射器件。表3表示所用的酯化劑及其劑量、根據(jù)元素分析得到的酯化率的估計(jì)值、和得到的薄膜部分的無(wú)缺陷/有缺陷的評(píng)估。要注意的是該評(píng)估是對(duì)圖形形成能力的評(píng)估，評(píng)估方法如下。即用顯微鏡觀察涂敷液滴后和涂敷液滴3小時(shí)后立刻得到的薄膜部分(圖6C的23)，用該薄膜部分的面積比進(jìn)行評(píng)估。所用評(píng)估符號(hào)定義如下；◎極好(面積比90％以上)，○好(面積比小于90％)。用例39和42的溶液作彼此重疊的多個(gè)BJ點(diǎn)，在其上濺射有0.5μm厚的SiO2薄膜的鈉鈣玻璃板上形成有機(jī)金屬混合物薄膜。調(diào)節(jié)BJ裝置的噴放條件形成30μm直徑的點(diǎn)，以18μm的相鄰點(diǎn)中心間距形成5×5個(gè)點(diǎn)。使用液滴后，在350℃干燥和烘烤10分鐘形成導(dǎo)電薄膜，通過(guò)掃描電鏡觀察薄膜構(gòu)成。結(jié)果發(fā)現(xiàn)一些用例39的溶液形成的導(dǎo)電薄膜有孔，在用例42的溶液形成的薄膜中沒(méi)有發(fā)現(xiàn)這種有缺陷的薄膜。認(rèn)為這些孔是在干燥過(guò)程中由點(diǎn)的收縮形成。即使用在干燥時(shí)間不會(huì)使點(diǎn)的面積相當(dāng)降低的溶液將給出更精確的圖形。表3<p>例49-58用例39-48得到的聚合物(A)到(J)，按和例35相同的方法制造電子發(fā)射器件。對(duì)得到的器件的薄膜部分的無(wú)缺陷/有缺陷的評(píng)估列于表4中。注意按例與39-48相同的方法進(jìn)行評(píng)估，所用評(píng)估符號(hào)定義如下；◎極好(面積比90％以上)，○好(面積比小于90％)。表4</tables>例59-68用例39-48得到的聚合物，按和例36相同的方法制造電子發(fā)射器件。對(duì)得到的器件的薄膜部分的無(wú)缺陷/沒(méi)缺陷的評(píng)估列于表5中。注意按例與39-48相同的方法進(jìn)行評(píng)估，所用評(píng)估符號(hào)定義如下；◎極好(面積比90％以上)，○好(面積比小于90％)。表5例69-78用例39-48得到的聚合物，按和例37相同的方法制造電子發(fā)射器件。對(duì)得到的器件的薄膜部分的沒(méi)缺陷/有缺陷的評(píng)估列于表6中。注意按例與39-48相同的方法進(jìn)行評(píng)估，所用評(píng)估符號(hào)定義如下；◎極好(面積比90％以上)，○好(面積比小于90％)。表6例79-80用例39-48得到的聚合物，按和例38相同的方法制造電子發(fā)射器件。對(duì)得到的器件的薄膜部分的沒(méi)缺陷/有缺陷的評(píng)估列于表7中。注意按例與39-48相同的方法進(jìn)行評(píng)估，所用評(píng)估符號(hào)定義如下；◎極好(面積比90％以上)，○好(面積比小于90％)。表7<tablesid="table7"num="007"><tablewidth="874">聚合物評(píng)估例79(A)○例80(B)○例81(C)◎例82(D)◎例83(E)◎例84(F)○例85(G)○例86(H)○例87(I)◎例88(J)◎</table></tables>例89-98分別按表8中表示的重量和表8中的多羥基醇代替用于例29的鈀化合物溶液中的1，2-亞乙二醇(1g)來(lái)制備溶液。當(dāng)多羥基醇的重量不是1g時(shí)，增加或減少水的重量使溶液總重量為100g。用該溶液代替例29中的鈀化合物溶液，進(jìn)行和例29相同的處理，來(lái)形成電子發(fā)射器件。對(duì)得到的器件的薄膜部分的無(wú)缺陷/有缺陷的評(píng)估列于表8中。注意所用評(píng)估符號(hào)定義如下；◎極好，○好。表8</tables>例99-108分別按表9中表示的重量和表9中的多羥基醇代替用于例30的鈀化合物溶液中的1，2-亞乙二醇(1g)來(lái)制備溶液。當(dāng)多羥基醇的重量不是1g時(shí)，增加或減少水的重量使溶液總重量為100g。用該溶液代替例30中的鈀化合物溶液，進(jìn)行和例30相同的處理來(lái)形成電子發(fā)射器件。對(duì)得到的器件的薄膜部分的無(wú)缺陷/有缺陷的評(píng)估列于表9中。注意所用評(píng)估符號(hào)定義如下；◎極好，○好。表9例109-118分別按表10中表示的重量和表10中的多羥基醇代替用于例31的鈀化合物溶液中的1，2-亞乙二醇(1g)來(lái)制備溶液。當(dāng)多羥基醇的重量不是1g時(shí)，增加或減少水的重量使溶液總重量為100g。用該溶液代替例31中的鈀化合物溶液，進(jìn)行和例31相同的處理來(lái)形成電子發(fā)射器件。對(duì)得到的器件的薄膜部分的無(wú)缺陷/有缺陷的評(píng)估列于表10中。注意所用評(píng)估符號(hào)定義如下；◎極好，○好。表10例119-128分別用表11中表示的重量和表11中的多羥基醇代替用于例32的鈀化合物溶液中的1，2-亞乙二醇(1g)來(lái)制備溶液。當(dāng)多羥基醇的重量不是1g時(shí)，增加或減少水的重量使溶液總重量為100g。用該溶液代替例32中的鈀化合物溶液，進(jìn)行和例32相同的處理來(lái)形成電子發(fā)射器件。對(duì)得到的器件的薄膜部分的沒(méi)缺陷/有缺陷評(píng)的估列于表11中。注意所用評(píng)估符號(hào)定義如下；◎極好，○好。表11</tables>例129-138分別用表12中表示的重量和表12中的多羥基醇代替用于例33的鈀化合物溶液中的1，2-亞乙二醇(1g)來(lái)制備溶液。當(dāng)多羥基醇的重量不是1g時(shí)，增加或減少水的重量使溶液總重量為100g。用該溶液代替例33中的鈀化合物溶液，進(jìn)行和例33相同的處理來(lái)形成電子發(fā)射器件。對(duì)得到的器件的薄膜部分的沒(méi)缺陷/有缺陷的評(píng)估列于表12中。注意所用評(píng)估符號(hào)定義如下；◎極好，○好。表12例139圖10是表示電子源的一部分的平面圖，圖11是表示圖10的電子源沿11-11線的剖面圖。圖11中與圖10相同的標(biāo)號(hào)表示相同的部分。此時(shí)，標(biāo)號(hào)1表示絕緣基片；82表示相當(dāng)圖8中DXm的X方向布線(也稱為低層布線)；83表示相當(dāng)圖8中DYn的Y方向布線(也稱為高層布線)；4表示導(dǎo)電薄膜；2，3表示器件電極；111表示絕緣夾層；及112表示電連接器件電極2與低層布線82的接觸孔。步驟a通過(guò)濺射把0.5μm厚的氧化硅濺射在潔凈的鈉鈣玻璃上，得到的基片1，用真空沉積方法相繼形成厚50A的Cr薄膜和6000A的Au薄膜，用甩膠機(jī)在基片上旋涂光刻膠(Hoechst的AZ1370膠)并烘干。曝光和顯影光刻掩模，形成低層布線82的光刻膠圖形。濕腐蝕Au/Cu沉積膜形成需要形狀的低層布線82圖12A。步驟b通過(guò)RF濺射，沉積由1.0μm厚的氧化硅膜，構(gòu)成層間絕緣層111圖12B。步驟c在步驟b中，沉積的氧化硅薄膜上，用來(lái)形成接觸孔112的光刻膠圖形，用光刻膠圖形作掩模腐蝕層間絕緣層111，形成接觸孔112。在該腐蝕中，用CF4和H2氣的RIE(反應(yīng)離子刻蝕)方法圖12C。步驟d然后，用光刻膠(HitachiChemicalCo.，Ltd.deRD-2000N-41膠)形成將成為器件的電極2和3與器件內(nèi)電極間隙L的圖形，在所得結(jié)構(gòu)上，用真空沉積方法相繼形成厚50A的Ti薄膜和厚1000A的Ni薄膜。用有機(jī)溶劑溶解光刻膠圖形以剝離Ni/Ti電極薄膜，由此形成具有3(m的器件內(nèi)電極間隙L和300(m的器件電極寬度的器件電極2和3圖12D。步驟e在器件電極2和3上形成上層布線的光刻膠圖形，用真空沉積方法相繼形成厚50A的Ti薄膜和厚5000A的Au薄膜。剝離去除不需要的部分，由此形成具有需要圖形的上層布線83圖12E。步驟f形成具有內(nèi)器件電極間隙L大小的開口的掩模，用該掩模通過(guò)真空沉積方法沉積厚1000A的Cr薄膜133。用BJ噴漿裝置將用于例17的金屬氨基酸配合物(PAla水溶液)噴到器件電極2和3之間的部分，將所得結(jié)構(gòu)在300℃進(jìn)行10分鐘加熱分解處理。如上述形成的主要由鈀微細(xì)顆粒構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜4具有100A的厚度和5.1×104A的表面電阻。這里描述的微細(xì)顆粒薄膜是通過(guò)聚集大量微細(xì)顆粒得到的薄膜。該薄膜中微細(xì)顆粒不僅分別散布和排列的結(jié)構(gòu)，而且有微細(xì)顆呈彼此相鄰或重疊狀態(tài)的結(jié)構(gòu)(包括島形)。微細(xì)顆粒薄膜的顆粒直徑表示在上述狀態(tài)能認(rèn)出其形狀的每個(gè)微細(xì)顆粒的直徑圖12F。步驟g用酸腐蝕劑腐蝕Cr薄膜133和導(dǎo)電薄膜4的不需要部分形成所需的圖形圖12G。步驟h除接觸孔112部分以外在涂敷有樹脂的所得結(jié)構(gòu)上形成圖形，用真空沉積方法相繼形成厚50A的Ti薄膜和厚5000A的Au薄膜。剝離去除不需要部分，由此掩埋接觸孔112圖12H。用上述步驟，在基片1上形成下層布線82、層間絕緣層111、上層布線83、器件電極2和3、和導(dǎo)電薄膜4。由如上述制造的電子源構(gòu)成成象裝置。下面將用圖9說(shuō)明根據(jù)本例的制造成象裝置的方法。將其上形成有如上述的大量平面型電子發(fā)射器件的基片81固定在背板91上，通過(guò)支撐框92設(shè)置面板96(通過(guò)在玻璃基片93的內(nèi)表面形成磷薄膜94和金屬底95而構(gòu)成的)。在面板96、支撐框92和背板91的結(jié)合處涂敷熔結(jié)玻璃，將這些部分在空氣或氮?dú)庵幸?00℃到500℃加熱10分鐘以上，使它們彼此粘結(jié)(圖9)。熔結(jié)玻璃還用來(lái)將基片固定到背板91上。圖9中，標(biāo)號(hào)84表示電子發(fā)射器件；82，83分別表示X方向和Y方向布線。盡管磷薄膜由一種磷構(gòu)成，本例中使用條形磷。更具體地，首先固定黑條，然后在黑條的空隙部分涂敷相應(yīng)顏色的磷，由此形成磷薄膜94。黑條的材料可以使用主要含石墨的常規(guī)材料。在玻璃基片93上涂敷磷的方法使用涂漿方法。金屬底95通常形成在磷薄膜94的內(nèi)表面一側(cè)上。用下面方法形成金屬底。即，形成磷薄膜，對(duì)磷薄膜94的內(nèi)表面精細(xì)光滑處理，然后，在真空狀態(tài)下在內(nèi)表面沉積Al?？梢栽诹妆∧?0內(nèi)表面一側(cè)上的面板96上設(shè)置透明電極(未示出)，以增加磷薄膜94的導(dǎo)電率。但是，可以只通過(guò)金屬底95得到充足的導(dǎo)電率，所以可以省略透明電極。在上述粘操作中，由于在彩色成象裝置中有和電子發(fā)射器件相應(yīng)的各顏色的磷，所以要進(jìn)行給出充足地定位。通過(guò)排氣管(未示出)用排氣泵將上述已完成的玻璃容器(外殼)的大氣抽出以得到充分的真空度。然后，通過(guò)容器外接頭Dox1-Doxm和Doy1-Doyn給電子發(fā)射器件84的電極2和3加電壓，對(duì)導(dǎo)電薄膜4進(jìn)行電流導(dǎo)電處理(形成處理)形成電子發(fā)射區(qū)5。形成處理的電壓波形如圖4A所示。圖4A中，符號(hào)T1和T2分別表示電壓波形的脈沖寬度和脈沖間隔。在該例中，T1和T2分別設(shè)置為1ms和10ms，三角波峰值(在形成處理中的峰值)設(shè)置為5V，在1×10-6Torr的真空氣氛進(jìn)行形成處理。如上形成的電子發(fā)射區(qū)5具有這樣的狀態(tài)其中散布和排列有主要含鈀的微細(xì)顆粒，微細(xì)顆粒的平均顆粒尺寸為30A。外殼保持約1×10-6Torr的真空度，用氣體燃燒器加熱排氣管使它熔接到外殼，由此密封外殼。最后，密封后度進(jìn)行吸氣處理以保持真空，在該處理中，在剛要密封前，通過(guò)用如高頻等加熱方法加熱設(shè)置在成象裝置中預(yù)定位置(未示出)的吸氣劑來(lái)進(jìn)行來(lái)形成沉積薄膜的工藝。對(duì)吸氣劑，使用主要含鋇等的吸氣劑。如上述形成成象裝置(驅(qū)動(dòng)電路未示出)，分別通過(guò)容器外接頭Dox1-Doxm和Doy1-Doyn給電子發(fā)射器件加從信號(hào)發(fā)生器(未示出)產(chǎn)生的掃描信號(hào)和調(diào)制信號(hào)，使電子發(fā)射器件發(fā)射電子。通過(guò)高壓接頭Hv給金屬底95加幾KV以上的高壓，來(lái)加速電子束。電子束和磷薄膜94碰撞以激發(fā)磷薄膜94使它發(fā)光，由此顯示圖象。為了知道上述步驟制造的平面型電子發(fā)射器件的特性，同時(shí)制造了具有與圖1A和1B所示的平面型電子發(fā)射器件相同電極間距、電極寬度、薄膜寬度等的標(biāo)準(zhǔn)電子發(fā)射器件樣品，用圖3所示的測(cè)量評(píng)估裝置測(cè)量該標(biāo)準(zhǔn)電子發(fā)射器件的電子發(fā)射特性。樣品的測(cè)量條件設(shè)置如下陽(yáng)極和電子發(fā)射器件的距離設(shè)置為4mm；陽(yáng)極電勢(shì)設(shè)置為1KV；測(cè)量電子發(fā)射特性時(shí)真空裝置的真空度設(shè)置為1×10-6Torr。在器件電極2和3上加器件電壓，測(cè)量此時(shí)的器件電流If和發(fā)射電流Ie。在這種情況下，得到圖5所示的電流電壓特性。在該例得到的器件中，發(fā)射電流Ie從器件電壓為約8V開始急劇增加，平均器件電流If和發(fā)射電流Ie分別為2.2mA和1.1μA，在器件電壓為16V時(shí)，電子發(fā)射效率η＝Ie/If(％)為0.05％。例140按和例29相同的方法，用BJ噴漿裝置對(duì)其上形成有多個(gè)器件電極和矩陣型布線的基片上的相反電極涂敷金屬化合物溶液液滴。加熱基片，然后進(jìn)行形成處理，得到電子源基片。將背板91、支撐框92、和面板96連接到電子源基片上，并在真空狀態(tài)密封，由此根據(jù)圖9的流程形成成象裝置。通過(guò)接頭Dx1-Dx16和Dy1-Dy16給器件分時(shí)地加預(yù)定電壓，通過(guò)接頭Hv給金屬底加高壓，由此可以顯示任意矩陣圖象圖形。例141-144按和例30-33相同的方法，用BJ噴漿裝置對(duì)其上形成有用于例140的器件電極和矩陣型布線的基片上的相反電極涂敷金屬化合物溶液液滴。加熱基片，然后進(jìn)行形成處理，得到電子源基片。當(dāng)對(duì)電子源基片進(jìn)行例140相同的處理時(shí)，這些電子源皆可以顯示任意矩陣的圖象。如上所述，當(dāng)用BJ系統(tǒng)形成導(dǎo)電薄膜時(shí)，制造根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件的金屬組分需要含水，這樣在用BJ系統(tǒng)形成導(dǎo)電薄膜時(shí)不易在加熱器上產(chǎn)生燒上物。當(dāng)用這種金屬組分通過(guò)用BJ系統(tǒng)形成導(dǎo)電薄膜時(shí)，可以穩(wěn)定地噴出金屬組分液滴。因此，可以在很長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)形成具有均勻尺寸的導(dǎo)電薄膜。特別是，這種金屬組分可以的效地用在形成用來(lái)作表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件的電子發(fā)射區(qū)的薄膜的步驟中。用來(lái)制造根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件的金屬組分是這樣的金屬組分當(dāng)將金屬組分涂敷在基片上時(shí)，它對(duì)基片有好的濕潤(rùn)性和均勻的厚度。當(dāng)加熱分解金屬組分時(shí)，可形成厚度均勻的導(dǎo)電薄膜。特別是，這種金屬組分可以有效地用在形成用來(lái)作表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件的電子發(fā)射區(qū)的薄膜的步驟中。當(dāng)在基片上涂敷用來(lái)制造根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件的金屬組分，以形成圖形時(shí)，可以得到預(yù)定圖形的涂敷層?？梢酝ㄟ^(guò)加熱和分解金屬組分形成具有預(yù)定圖形和均勻厚度的導(dǎo)電薄膜。因此，可以簡(jiǎn)化形成表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件的電子發(fā)射區(qū)的步驟，也可以減少形成電子發(fā)射區(qū)的金屬材料的量。根據(jù)使用制造本發(fā)明的電子發(fā)射器件的金屬組分來(lái)制造電子發(fā)射器件的方法，可以簡(jiǎn)單地形成具有任意形狀和任意尺寸的電子發(fā)射區(qū)，也可以自由地設(shè)計(jì)電子發(fā)射器件。由于形成電子發(fā)射區(qū)的薄膜是均勻的，所以可以低成本得到使用上述制造電子發(fā)射器件的金屬組分且具有穩(wěn)定特性的電子發(fā)射器件?？梢杂玫统杀镜玫绞褂迷撾娮影l(fā)射器件且具有穩(wěn)定特性的成象裝置。由于成象裝置具有穩(wěn)定特性，它可以均勻亮度顯示高質(zhì)量圖象。權(quán)利要求1.一種制造包括導(dǎo)電薄膜的電子發(fā)射器件的方法，該導(dǎo)電薄膜具有電子發(fā)射區(qū)并位于電極之間，其特征為形成導(dǎo)電薄膜的步驟具有下列步驟通過(guò)加熱溶液以使噴出溶液的噴漿方法，在置于基片上電極之間的部分涂敷含有機(jī)金屬化合物的溶液，干燥所加溶液、然后分解該化合物，其中，有機(jī)金屬化合物包含金屬元素、氨基酸基和水。2.一種如權(quán)利要求1的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基為分子中具有羥基的氨基酸基。3.一種如權(quán)利要求2的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基是選自脯氨酸、羥基脯氨酸、2-哌叮酸、絲氨酸和蘇氨酸的氨基酸基。4.一種如權(quán)利要求1的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基為分子中具有雜環(huán)的氨基酸基。5.一種如權(quán)利要求4的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基是選自脯氨酸、羥基脯氨酸、和2-哌叮酸的氨基酸基。6.一種如權(quán)利要求1的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為金屬元素是選自鉑系元素的金屬元素。7.一種如權(quán)利要求6的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為鉑系元素是鈀。8.一種如權(quán)利要求1的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為金屬元素的含量設(shè)置為0.1wt％-2.0wt％。9.一種如權(quán)利要求1的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為通過(guò)在所說(shuō)電極之間的區(qū)域涂敷大量液滴來(lái)進(jìn)行溶液涂敷。10.一種如權(quán)利要求1的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為通過(guò)在所說(shuō)電極之間的區(qū)域涂敷大量液滴同時(shí)移動(dòng)液滴相互間涂敷位置來(lái)涂敷溶液。11.一種如權(quán)利要求1的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為所說(shuō)電子發(fā)射器件是表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件。12.一種如權(quán)利要求1到11的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為形成導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。13.一種制造包含大量電子發(fā)射器件和給所說(shuō)電子發(fā)射器件加電壓的供電裝置的電子源的方法，其中每個(gè)電子發(fā)射器件都具有含電子發(fā)射區(qū)并形成于電極之間的導(dǎo)電薄膜，其特征為根據(jù)權(quán)利要求1到11的任一個(gè)方法制造所說(shuō)電子發(fā)射器件。14.一種如權(quán)利要求13的制造電子源的方法，其特征為形成所說(shuō)電子發(fā)射器件的導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。15.一種制造包括電子源和能接收從所說(shuō)電子源發(fā)射的電子來(lái)發(fā)光的發(fā)光部件的成象裝置的方法，其中，電子源包含每個(gè)都具有含電子發(fā)射區(qū)并形成于電極之間的導(dǎo)電薄膜的電子發(fā)射器件以及給所說(shuō)電子發(fā)射器件加電壓的供電裝置，其特征為根據(jù)權(quán)利要求1到11的任一個(gè)方法制造所說(shuō)電子發(fā)射器件。16.一種如權(quán)利要求15的制造成象裝置的方法，其特征為形成每個(gè)電子發(fā)射器件的導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。17.一種制造包括導(dǎo)電薄膜的電子發(fā)射器件的方法，該導(dǎo)電薄膜具有電子發(fā)射區(qū)并位于電極之間，其特征為形成導(dǎo)電薄膜的步驟具有下面步驟通過(guò)加熱溶液以便噴出溶液的噴漿方法，在置于基片上電極之間的部分涂敷含有機(jī)金屬化合物的溶液，干燥所加溶液、然后分解該化合物，其中，有機(jī)金屬化合物包含金屬元素、氨基酸基、部分酯化的聚乙烯醇和水。18.一種如權(quán)利要求17的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為部分酯化的聚乙烯醇的含量設(shè)置為0.01wt％-0.5wt％。19.一種如權(quán)利要求17的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為部分酯化的聚乙烯醇的酯化率設(shè)置為5mol％-25mol％。20.一種如權(quán)利要求17的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為部分酯化的聚乙烯醇的平均聚合度設(shè)置為450-1,200。21.一種如權(quán)利要求17的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基為分子中具有羥基的氨基酸基。22.一種如權(quán)利要求21的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基是選自脯氨酸、羥基脯氨酸、2-哌叮酸、絲氨酸和蘇氨酸的氨基酸基。23.一種如權(quán)利要求17的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基為分子中具有雜環(huán)的氨基酸基。24.一種如權(quán)利要求23的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基是選自脯氨酸、羥基脯氨酸、和2-哌叮酸的氨基酸基。25.一種如權(quán)利要求17的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為金屬元素是選自鉑系元素的金屬元素。26.一種如權(quán)利要求25的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為鉑系元素是鈀。27.一種如權(quán)利要求17的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為金屬元素的含量設(shè)置為0.1wt％-2.0wt％。28.一種如權(quán)利要求17的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為通過(guò)在所說(shuō)電極之間的區(qū)域涂敷大量液滴來(lái)進(jìn)行溶液涂敷。29.一種如權(quán)利要求17的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為通過(guò)在所說(shuō)電極之間的區(qū)域涂敷大量液滴同時(shí)移動(dòng)液滴的涂敷位置來(lái)涂敷溶液。30.一種如權(quán)利要求17的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為所說(shuō)電子發(fā)射器件是表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件。31.一種如權(quán)利要求17到30的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為形成導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。32.一種制造包含大量電子發(fā)射器件和給所說(shuō)電子發(fā)射器件加電壓的供電裝置的電子源的方法，其中每個(gè)電子發(fā)射器件都具有含電子發(fā)射區(qū)并形成于電極之間的導(dǎo)電薄膜，其特征為根據(jù)權(quán)利要求17到30的任一個(gè)方法制造所說(shuō)電子發(fā)射器件。33.一種如權(quán)利要求32的制造電子源的方法，其特征為形成每個(gè)電子發(fā)射器件的導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。34.一種制造包括電子源和能接收從所說(shuō)電子源發(fā)射的電子來(lái)發(fā)光的發(fā)光部件的成象裝置的方法，其中，電子源包含每個(gè)都具有含電子發(fā)射區(qū)并形成于電極之間的導(dǎo)電薄膜的電子發(fā)射器件以及給所說(shuō)電子發(fā)射器件加電壓的供電裝置，其特征為根據(jù)權(quán)利要求17到30的任一個(gè)方法制造所說(shuō)電子發(fā)射器件。35.一種如權(quán)利要求34的制造成象裝置的方法，其特征為形成每個(gè)電子發(fā)射器件的導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。36.一種制造包括導(dǎo)電薄膜的電子發(fā)射器件的方法，該導(dǎo)電薄膜具有電子發(fā)射區(qū)并位于電極之間，其特征為形成導(dǎo)電薄膜的步驟具有下面步驟通過(guò)加熱溶液以便噴出溶液的噴漿方法，在置于基片上電極之間的部分涂敷含有機(jī)金屬化合物的溶液，干燥所加溶液、然后分解該化合物，其中，有機(jī)金屬化合物包含金屬元素、氨基酸基、水溶聚乙烯醇和水。37.一種如權(quán)利要求36的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為水溶聚乙烯醇是具有2-4個(gè)碳原子的聚乙烯醇。38.一種如權(quán)利要求36的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為水溶聚乙烯醇是選自1，2-亞乙基二醇、丙二醇、和甘油的聚乙烯醇。39.一種如權(quán)利要求36的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為水溶聚乙烯醇的含量設(shè)置為0.2wt％-3wt％。40.一種如權(quán)利要求36的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基為分子中具有羥基的氨基酸基。41.一種如權(quán)利要求40的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基是選自脯氨酸、羥基脯氨酸、2-哌叮酸、絲氨酸和蘇氨酸的氨基酸基。42.一種如權(quán)利要求36的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基為分子中具有雜環(huán)的氨基酸基。43.一種如權(quán)利要求42的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基是選自脯氨酸、羥基脯氨酸、和2-哌叮酸的氨基酸基。44.一種如權(quán)利要求36的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為金屬元素是選自鉑系元素的金屬元素。45.一種如權(quán)利要求44的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為鉑系元素是鈀。46.一種如權(quán)利要求36的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為金屬元素的含量設(shè)置為0.1wt％-2.0wt％。47.一種如權(quán)利要求36的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為所說(shuō)溶液還包含部分酯化的聚乙烯醇。48.一種如權(quán)利要求47的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為部分酯化的聚乙烯醇的含量設(shè)置為0.01wt％-0.5wt％。49.一種如權(quán)利要求47的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為部分酯化的聚乙烯醇的酯化率設(shè)置為5mol％-25mol％。50.一種如權(quán)利要求47的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為部分酯化的聚乙烯醇的平均聚合度設(shè)置為450-1,200。51.一種如權(quán)利要求36的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為通過(guò)在所說(shuō)電極之間的區(qū)域涂敷大量液滴來(lái)進(jìn)行溶液涂敷。52.一種如權(quán)利要求36的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為通過(guò)在所說(shuō)電極之間的區(qū)域涂敷大量液滴同時(shí)相互移動(dòng)液滴的涂敷位置來(lái)涂敷溶液。53.一種如權(quán)利要求36的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為所說(shuō)電子發(fā)射器件是表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件。54.一種如權(quán)利要求36到53的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為形成導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。55.一種制造包含大量電子發(fā)射器件和給所說(shuō)電子發(fā)射器件加電壓的供電裝置的電子源的方法，其中每個(gè)電子發(fā)射器件都具有含電子發(fā)射區(qū)并形成于電極之間的導(dǎo)電薄膜，其特征為根據(jù)權(quán)利要求36到53的任一個(gè)方法制造所說(shuō)電子發(fā)射器件。56.一種如權(quán)利要求55的制造電子源的方法，其特征為形成每個(gè)電子發(fā)射器件的導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。57.一種制造包括電子源和能接收從所說(shuō)電子源發(fā)射的電子來(lái)發(fā)光的發(fā)光部件的成象裝置的方法，其中，電子源包含每個(gè)都具有含電子發(fā)射區(qū)并形成于電極之間的導(dǎo)電薄膜的電子發(fā)射器件以及給所說(shuō)電子發(fā)射器件加電壓的供電裝置，其特征為根據(jù)權(quán)利要求36到53的任一個(gè)方法制造所說(shuō)電子發(fā)射器件。58.一種如權(quán)利要求57的制造成象裝置的方法，其特征為形成每個(gè)電子發(fā)射器件的導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。59.一種制造包括導(dǎo)電薄膜的電子發(fā)射器件的方法，該導(dǎo)電薄膜具有電子發(fā)射區(qū)并排列于電極之間，其特征為形成導(dǎo)電薄膜的步驟具有下面步驟通過(guò)加熱溶液以便噴出溶液的噴漿方法，在置于基片上電極之間的部分涂敷含有機(jī)金屬化合物的溶液，干燥所加溶液、然后分解該化合物，其中，有機(jī)金屬化合物包含金屬元素、氨基酸基、單羥基醇和水。60.一種如權(quán)利要求59的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為單羥基醇是具有1-4個(gè)碳原子的室溫為液態(tài)的單羥基醇。61.一種如權(quán)利要求59的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為單羥基醇是選自甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、2-丁醇的單羥基醇。62.一種如權(quán)利要求59的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為單羥基醇的含量設(shè)置為5wt％-35wt％。63.一種如權(quán)利要求59的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為溶液還包含水溶聚乙烯醇。64.一種如權(quán)利要求63的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為水溶聚乙烯醇是具有2-4個(gè)碳原子的聚乙烯醇。65.一種如權(quán)利要求63的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為水溶聚乙烯醇是選自1，2-亞乙基二醇、丙二醇、和甘油的聚乙烯醇。66.一種如權(quán)利要求63的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為水溶聚乙烯醇的含量設(shè)置為0.2wt％-3wt％。67.一種如權(quán)利要求59的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基為分子中具有羥基的氨基酸基。68.一種如權(quán)利要求67的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基是選自脯氨酸、羥基脯氨酸、2-哌叮酸、絲氨酸和蘇氨酸的氨基酸基。69.一種如權(quán)利要求59的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基為分子中具有雜環(huán)的氨基酸基。70.一種如權(quán)利要求69的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為氨基酸基是選自脯氨酸、羥基脯氨酸、和2-哌叮酸的氨基酸基。71.一種如權(quán)利要求69的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為金屬元素是選自鉑系元素的金屬元素。72.一種如權(quán)利要求71的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為鉑系元素是鈀。73.一種如權(quán)利要求59的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為金屬元素的含量設(shè)置為0.1wt％-2.0wt％。74.一種如權(quán)利要求59的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為溶液還包含部分酯化的聚乙烯醇。75.一種如權(quán)利要求74的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為部分酯化的聚乙烯醇的含量設(shè)置為0.01wt％-0.5wt％。76.一種如權(quán)利要求74的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為部分酯化的聚乙烯醇的酯化率設(shè)置為5mol％-25mol％。77.一種如權(quán)利要求74的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為部分酯化的聚乙烯醇的平均聚合度設(shè)置為450-1,200。78.一種如權(quán)利要求59的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為通過(guò)在所說(shuō)電極之間的區(qū)域涂敷大量液滴來(lái)涂敷溶液。79.一種如權(quán)利要求59的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為通過(guò)在所說(shuō)電極之間的區(qū)域涂敷大量液滴同時(shí)移動(dòng)液滴的涂敷位置來(lái)涂敷溶液。80.一種如權(quán)利要求59的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為所說(shuō)電子發(fā)射器件是表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件。81.一種如權(quán)利要求59到80的制造電子發(fā)射器件的方法，其特征為形成導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。82.一種制造包含大量電子發(fā)射器件和給所說(shuō)電子發(fā)射器件加電壓的供電裝置的電子源的方法，其中每個(gè)電子發(fā)射器件都具有含電子發(fā)射區(qū)并形成于電極之間的導(dǎo)電薄膜，其特征為根據(jù)權(quán)利要求59到80的任一個(gè)方法制造所說(shuō)電子發(fā)射器件。83.一種如權(quán)利要求82的制造電子源的方法，其特征為形成每個(gè)電子發(fā)射器件的導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。84.一種制造包括電子源和能接收從所說(shuō)電子源發(fā)射的電子來(lái)發(fā)光的發(fā)光部件的成象裝置的方法，其中，電子源包含每個(gè)都具有含電子發(fā)射區(qū)并形成于電極之間的導(dǎo)電薄膜的電子發(fā)射器件以及給所說(shuō)電子發(fā)射器件加電壓的供電裝置，其特征為根據(jù)權(quán)利要求59到80的任一個(gè)方法制造所說(shuō)電子發(fā)射器件。85.一種如權(quán)利要求84的制造成象裝置的方法，其特征為形成每個(gè)電子發(fā)射器件的導(dǎo)電薄膜的步驟還包括在化合物分解后給所說(shuō)電極加電壓的步驟。全文摘要一種制造包括導(dǎo)電薄膜的電子發(fā)射器件的方法，該導(dǎo)電薄膜具有電子發(fā)射區(qū)并排列于電極之間，和一種制造包含電子發(fā)射器件的電子源與成象裝置的方法。形成導(dǎo)電薄膜的步驟具有下面步驟通過(guò)加熱溶液以便噴出溶液的噴漿方法，在置于基片上電極之間的部分涂敷含有機(jī)金屬化合物的溶液，干燥所加溶液、然后分解該化合物，其中，有機(jī)金屬化合物包含金屬元素、氨基酸基和水。文檔編號(hào)C09D11/00GK1162203SQ9612170公開日1997年10月15日申請(qǐng)日期1996年10月14日優(yōu)先權(quán)日1995年10月13日發(fā)明者小林辰,古瀨剛史申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社