用于涂覆平面基板的裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種用來涂覆平面基板（3）的裝置。該裝置包括：形成反應(yīng)空間（4）的沉積室（2）；至少一個霧化器（16），所述至少一個霧化器布置到沉積室（2）中用于將至少一種液體前體霧化成液滴（20）；以及閘門（30，32），平面基板（3）可穿過閘門而被裝載到反應(yīng)空間（4）中以及從反應(yīng)空間（4）移出。閘門（30，32）包括具有第一長度（A）的細(xì)長閘門開口（12），用來使平面基板（3）穿過閘門（30，32）而被裝載到反應(yīng)空間（4）中和/或?qū)⑵矫婊鍙姆磻?yīng)空間卸載。閘門開口（12）橫截面的形狀和尺寸基本上對應(yīng)于平面基板（3）橫截面的形狀和尺寸，以使得當(dāng)基板（3）行進(jìn)穿過閘門開口（12）時平面基板（3）基本上關(guān)閉閘門開口（12）。
【專利說明】用于涂覆平面基板的裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及一種用于涂覆平面基板的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]不同的基板(諸如平玻璃)依照現(xiàn)有技術(shù)通過使用涂覆設(shè)備進(jìn)行涂覆，其中一種液體前體被形成為小液滴，這些小液滴被引到待涂覆基板的表面以形成涂覆層。這種氣霧輔助式涂覆設(shè)備包括沉積室，該沉積室在其內(nèi)部形成反應(yīng)空間，液滴在該反應(yīng)空間中被引導(dǎo)到基板的表面，并且實施涂覆。在沉積室中安裝至少一個霧化器，小液滴借助于所述霧化器由一種或多種液體前體產(chǎn)生。沉積室進(jìn)一步包括一個或多個閘門，基板可以穿過所述閘門被裝載到反應(yīng)空間中以及從反應(yīng)空間移出。閘門的用途在于將反應(yīng)空間和周圍環(huán)境隔離開，以使得沒有雜質(zhì)能夠進(jìn)入反應(yīng)空間來降低正生產(chǎn)涂層的質(zhì)量。此外，閘門有助于提供反應(yīng)空間內(nèi)部的穩(wěn)定條件,這改善了涂覆工藝的管理和穩(wěn)定性，并且由此也改善了正生產(chǎn)涂層的質(zhì)量。常規(guī)地，閘門配備有閘門開口和氣幕，所述氣幕設(shè)置在閘門處或閘門附近，用來阻止氣流和雜質(zhì)從周圍環(huán)境進(jìn)入到反應(yīng)空間中。換言之，在現(xiàn)有技術(shù)中，閘門開口借助于氣幕來關(guān)閉，以將反應(yīng)空間與環(huán)境隔離開。
[0003]在許多現(xiàn)有技術(shù)的涂覆應(yīng)用中，分隔開的待涂覆基板穿過第一閘門而被裝載到反應(yīng)空間中并且穿過第二閘門從反應(yīng)空間移出，以使得基板行進(jìn)通過沉積室。這種裝置尤其用于平面基板(諸如分隔開的平玻璃)的工業(yè)涂覆工藝中，其中分隔開的基板至少被連續(xù)地涂覆到一定程度。當(dāng)將分隔開的基板彼此以一段距離相繼地穿過反應(yīng)空間裝載時，氣幕在每個基板處中斷，并且氣幕的閘門氣可附著到基板的表面上，由此雜質(zhì)進(jìn)入反應(yīng)空間并且中斷反應(yīng)空間的流動條件。
實用新型內(nèi)容
[0004]因此，本實用新型的一個目的是開發(fā)出一種用于涂覆平面基板的裝置，以解決或至少減輕上述問題。本實用新型的目的通過一種用于涂覆平面基板的裝置來實現(xiàn)，所述裝置的特征在于:閘門包括具有第一長度的細(xì)長的閘門開口，用來將所述平面基板穿過所述閘門裝載到所述反應(yīng)空間中和/或從所述反應(yīng)空間移出，所述閘門開口的橫截面的形狀和尺寸基本上對應(yīng)于所述平面基板的橫截面的形狀和尺寸，以使得當(dāng)所述平面基板穿過所述閘門開口時所述平面基板基本上關(guān)閉所述閘門開口。
[0005]實用新型優(yōu)選地，所述裝置包括用來將所述平面基板引入到所述反應(yīng)空間中的第一閘門以及用來將所述平面基板從所述反應(yīng)空間移出的第二閘門，所述第一閘門和第二閘門被布置成使得所述平面基板被傳送通過所述反應(yīng)空間以進(jìn)行涂覆。
[0006]優(yōu)選地，所述裝置包括傳送設(shè)備，所述傳送設(shè)備用來將所述平面基板從所述沉積室的外部傳送到所述反應(yīng)空間中和/或從所述反應(yīng)空間傳送到所述沉積室的外部和/或穿過所述反應(yīng)空間，所述傳送設(shè)備布置成將平面基板彼此以第一距離傳送通過閘門開口，所述第一距離小于閘門開口的第一長度，從而每次至少一個平面基板關(guān)閉閘門開口。[0007]優(yōu)選地，所述閘門包括用于在閘門中提供氣幕的氣體噴嘴。
[0008]優(yōu)選地，所述氣體噴嘴設(shè)置在所述細(xì)長的閘門開口中、在與所述閘門開口的第一端相距第二距離且相距所述閘門開口的第二端相距第三距離處，所述第二距離和第三距離的大小基本相等。
[0009]優(yōu)選地，所述氣體噴嘴被設(shè)置為閘門氣噴嘴，以用來將所述反應(yīng)空間與周圍環(huán)境分隔開，和/或被設(shè)置為預(yù)處理噴嘴，用來預(yù)處理平面基板的表面和/或用來增強涂覆反應(yīng)或啟動涂覆反應(yīng)。
[0010]優(yōu)選地，所述閘門開口具有第一高度，所述第一高度比所述平面基板的厚度至多大6mm,優(yōu)選比平面基板的厚度至多大4mm,以及比平面基板的厚度至多大2mm。
[0011]本實用新型基于配備有設(shè)置在沉積室中或者由此與細(xì)長的閘門開口相關(guān)聯(lián)的閘門，該閘門開口在基板的行進(jìn)方向上具有第一長度。將平面基板從周圍環(huán)境穿過閘門開口傳送到反應(yīng)空間中，反之亦然。閘門開口被設(shè)計成使得其垂直于縱向方向的橫截面形狀呈大致矩形，以使得其基本對應(yīng)于平面基板的橫截面形狀。這樣，當(dāng)基板從沉積室的外面被傳送到反應(yīng)空間中時，基板基本上堵塞或關(guān)閉閘門開口，反之亦然。在本實用新型的一個實施例中，裝置包括傳送設(shè)備，所述傳送設(shè)備將平面基板從沉積室的外面?zhèn)魉偷椒磻?yīng)空間和/或?qū)⑵矫婊暹h(yuǎn)離反應(yīng)空間傳送且從沉積室傳送出和/或穿過反應(yīng)空間。傳送設(shè)備進(jìn)一步布置成將平面基板彼此以第一距離傳送通過閘門開口，第一距離比閘門開口的第一長度短，在這種情況下，每次至少一個平面基板關(guān)閉閘門開口。當(dāng)相繼的基板之間的第一距離短于閘門開口在基板行進(jìn)方向上的第一長度時，一個基板總會至少部分地位于閘門開口內(nèi)部。這意味著閘門開口被連續(xù)地堵塞或關(guān)閉。
[0012]本實用新型提供的優(yōu)點在于:當(dāng)關(guān)閉閘門開口時，平面基板基本上阻止了反應(yīng)空間與沉積室周圍環(huán)境之間的氣體交換。同時，反應(yīng)空間內(nèi)的氣流的壓力波動和擾動降低，以及反應(yīng)空間內(nèi)的涂覆工藝更可控且更易保持穩(wěn)定。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]現(xiàn)在將參考附圖1-4并且通過優(yōu)選的實施例更具體地描述本實用新型，附圖示出了本實用新型裝置的不同實施例。
[0014]圖1是本實用新型的通過氣霧輔助式涂覆工藝來涂覆平面基板3的裝置的一個實施例的側(cè)視圖。
[0015]圖2示出了本實用新型的第二實施例。
[0016]圖3示出了第三實施例。
[0017]圖4示出了閘門開口的橫截面的形狀和尺寸和基板的橫截面的形狀和尺寸?！揪唧w實施方式】
[0018]圖1是本實用新型的通過氣霧輔助式涂覆工藝來涂覆平面基板3的裝置的一個實施例的側(cè)視圖。在本實用新型中，氣霧輔助式涂覆工藝指的是一種使用小液滴或微粒在基板3的表面上形成涂層的工藝。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，這并非一定意味著將液滴或微粒本身引入到基板3的表面上來形成涂層，而是意味著用來形成涂層的前體在涂覆工藝的某一階段呈現(xiàn)微?；蛞旱蔚男问?。[0019]圖1的裝置包括沉積室2，在該沉積室內(nèi)部限定出反應(yīng)空間4，以實施實際的涂覆工藝。如圖1所示，該裝置進(jìn)一步包括傳送設(shè)備11，利用該傳送設(shè)備將基板3從沉積室2的外部5傳送到反應(yīng)空間4中和/或從反應(yīng)空間4傳送到沉積室2的外部5和/或穿過沉積室2的反應(yīng)空間4。沉積室2包括頂部部分7，在圖1實施例中，該頂部部分被布置成在傳送設(shè)備11上方，以使得傳送設(shè)備11形成反應(yīng)空間4的底部8并且頂部部分7形成反應(yīng)空間4的頂壁6。在圖1的實施例中，例如，傳送設(shè)備11可以是傳送帶，或者傳送設(shè)備可以包括使基板3移動的輥。沉積室進(jìn)一步包括供料噴嘴14，前體通過所述供料噴嘴被供給到反應(yīng)空間4中。沉積室2進(jìn)一步具有一個或多個霧化器16或噴灑器，利用所述霧化器或噴灑器，由液體前體產(chǎn)生小液滴20以及因此產(chǎn)生包含液滴20的氣霧。霧化器16優(yōu)選地布置在前體的供料噴嘴14中或供料噴嘴14處，或者與供料噴嘴流體連接。然而，前體的供料噴嘴也可以被略去，這種情況下，霧化器16可以將液滴直接供給到反應(yīng)空間4中。霧化器16優(yōu)選為氣體分散霧化器，在該氣體分散霧化器中借助于氣體流動形成液滴。氣體分散霧化器的優(yōu)點是液滴20可借助于霧化氣體而被引導(dǎo)到基板3的表面，也就是說，霧化氣體還可用作載氣。為了將液滴20引導(dǎo)到基板3的表面，也可使用一個或多個單獨的氣體噴嘴來產(chǎn)生載氣。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，本實用新型不受限于任一種具體的霧化器，而是在本實用新型的裝置中也可以使用其它霧化器(諸如超聲操作的霧化器)來產(chǎn)生液滴20。
[0020]在圖1的裝置中，沉積室2具有布置在霧化器16或前體供料噴嘴14的兩側(cè)上的出口單元18。在本實施例中，出口單元18優(yōu)選配備有抽吸設(shè)備(未示出)，諸如抽吸泵，用于從基板3的表面除去未發(fā)生反應(yīng)的液滴以及從反應(yīng)空間4除去載氣。在圖1的方案中，沉積室2進(jìn)一步包括閘門氣單元23，在閘門氣單元中布置有閘門氣噴嘴22，用來供給惰性氣體以及提供氣幕。在不具有閘門氣單元22的情況下，也可以為沉積室2提供閘門氣噴嘴23。閘門氣噴嘴23定位于出口單元18的相對側(cè)上，以使得霧化器16和出口單元18在閘門氣噴嘴23的之間，在這種情況下，在通過閘門氣噴嘴23提供的氣幕之間，存在反應(yīng)空間4的沉積區(qū)域，基板3的表面在沉積區(qū)域中經(jīng)受前體的表面反應(yīng)來形成涂層。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，閘門氣噴嘴23和閘門氣單元22也可以被略去，或者它們可以以一些其他可替代的方式來實施。
[0021]本實用新型的裝置進(jìn)一步包括至少一個閘門30、32，平面基板3穿過所述至少一個閘門從沉積室2的外部5被引入到反應(yīng)空間4中和/或從反應(yīng)空間4移出并且移到沉積室2的外部5。圖1、2和3示出了包括第一閘門20和第二閘門32的實施例，第一閘門20和第二閘門32布置在反應(yīng)空間4的相對側(cè)上，以使得在基板3表面上產(chǎn)生涂層的涂覆工藝中基板3可被傳送通過反應(yīng)空間4。在圖1中，基板3穿過左手側(cè)的第一閘門30被引入到反應(yīng)空間4中，并且基板3穿過右手側(cè)的第二閘門32從反應(yīng)空間4移出。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，沉積室2也可以包括僅僅一個閘門30、32，基板3穿過該僅僅一個閘門被傳送到反應(yīng)空間4中以及從該反應(yīng)空間傳送出?？商娲兀练e室2也可以包括兩個或更多個單獨的閘門30、32，基板3可穿過所述閘門被傳送到反應(yīng)空間4中以及從該反應(yīng)空間傳送出。
[0022]依照圖1，閘門30、32包括閘門開口 12，基板3穿過所述閘門開口被引入到反應(yīng)空間4中或者從該反應(yīng)空間移出。依照本實用新型，閘門開口 12被制成為具有第一長度A的細(xì)長的開口或通道。閘門開口 12具有在閘門開口的頂壁10和底壁8之間的高度H。在圖1的實施例中，閘門開口 12的底壁由傳送設(shè)備11形成，尤其是由傳送設(shè)備的頂表面8形成。在一個優(yōu)選的實施例中，閘門開口的高度H沿閘門開口 12的第一長度A基本恒定。閘門開口 12也具有寬度W，如圖4所示。在一個優(yōu)選的實施例中，寬度W也沿閘門開口 12的第一長度A基本恒定。換言之，閘門開口 12優(yōu)選為基本矩形的通道或通路。依照本實用新型和圖4，閘門開口 12的橫截面的形狀和尺寸基本上對應(yīng)基板3的橫截面的形狀和尺寸，以使得在平面基板3穿過閘門開口 12時基本上關(guān)閉或堵塞閘門開口 12。依照圖4，基本上平面的基板3的橫截面形狀大致為和閘門開口 12橫截面形狀一樣的矩形。然而，依照圖4，基板的寬度Y比閘門開口 12的寬度W稍小，并且相應(yīng)地，基板的厚度S比閘門開口 12的高度H稍小，這種情況下，在基板3的壁與閘門開口 12的壁之間存在小間隙，該小間隙允許基板3穿過閘門開口 12，以使得基板3不碰撞閘門開口 12的壁或邊緣或者不被俘獲在閘門開口 12中。在一個優(yōu)選的實施例中，閘門開口 12的第一高度H比平面基板3的厚度S至多大6_，優(yōu)選比平面基板3的厚度S至多大4mm，以及最優(yōu)選比平面基板3的厚度S至多大2mm。相應(yīng)地，在一個實施例中，閘門開口 12的寬度W比平面基板3的寬度Y至多大12mm，優(yōu)選比平面基板3的寬度Y至多大8mm，以及最優(yōu)選比平面基板3的寬度Y至多大4mm。依照如上所述的內(nèi)容，當(dāng)基板3至少部分地位于閘門開口 12內(nèi)時，基板3關(guān)閉或堵塞閘門開口 12，以使得閘門開口 12與基板3—起形成擴散閘門(diffusion gate)。因此，擴散閘門的閘門開口 12的尺寸設(shè)計成對應(yīng)于供給到其中的基板3的形狀，以使得當(dāng)基板3穿過閘門開口時基本上關(guān)閉或堵塞閘門開口 12。換言之，閘門開口 12制造成使得基板剛好適合穿過閘門開口12，并且在閘門開口 12的內(nèi)壁與基板3的外表面之間僅僅存在小間隙以使得基板3能穿過閘門開口 12。由于基板3位于閘門開口 12中，這種擴散閘門由此和基板3 —起形成用來進(jìn)行關(guān)閉的閥，由此基本上阻止氣流穿過閘門30、32。
[0023]在本實用新型的一個優(yōu)選實施例中，傳送設(shè)備11布置用于將平面基板3從沉積室2的外部5傳送到反應(yīng)空間4中和/或從反應(yīng)空間4傳送到達(dá)沉積室2的外部5和/或穿過反應(yīng)空間4。傳送設(shè)備11進(jìn)一步布置成將平面基板3彼此以第一距離B相繼地傳送通過閘門開口 12。換言之或可替代地，平面基板3被放置在傳送設(shè)備11上，以使得它們彼此相距第一距離B。換言之，在相繼的基板3之間，存在對應(yīng)于第一距離B的距離。如圖1所示，第一距離B是前一基板3的后邊緣與后一基板3的前邊緣之間的距離。依照本實用新型，相繼基板3之間的第一距離B小于閘門開口 12的第一長度A，在這種情況下，當(dāng)基板3被引入到反應(yīng)空間4內(nèi)和/或從反應(yīng)空間4移出時，每次至少一個平面基板3關(guān)閉閘門開口 12。在一實施例中，傳送設(shè)備11布置成以前述方式連續(xù)地傳送基板3，以使得基板3不停止，優(yōu)選在箭頭X方向上穿過反應(yīng)空間4。在一個可替代的實施例中，傳送設(shè)備11布置為步進(jìn)式地傳送基板3，以此方式使得基板3以特定的時間間隔停止，但使得至少一個基板3總是至少部分地位于閘門開口 12中。如圖1所示的第一閘門30，為了給閘門開口 12提供擴散閘門，一個基板3總是至少部分地位于閘門開口 12中就足夠了。
[0024]圖2示出了本實用新型的第二實施例，其中沉積室2包括底部部分17和頂部部分
7。頂部部分7和圖1的實施例中的頂部部分基本上相同，并且其布置用于涂覆基板3的上表面。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，頂部部分7和底部部分17的位置可以改變，以此方式使得基板的下表面在沉積室2中被涂覆，或者可替代地，沉積室2可被布置用于涂覆基板3的上表面和下表面。在圖2的實施例中，裝置包括第一傳送設(shè)備24(S卩，輥24)，基板3通過第一傳送設(shè)備在箭頭X方向上從沉積室2外部被引入到沉積室2中并且從沉積室2移出。在沉積室2的底部部分17中，進(jìn)一步設(shè)置第二傳送設(shè)備26以用于將基板3傳送到沉積室2中。在本實施例中，第二傳送設(shè)備26包括傳送輥26，但可替代地，它們也可以包括傳送帶或包括用來移動基板而使它們不與傳送設(shè)備接觸的浮動設(shè)備。輥26可以至少部分地被槽輪取代，所述槽輪將基板支撐在側(cè)邊緣上，以此方式使得可能進(jìn)行雙面涂覆。第一傳送設(shè)備24和第二傳送設(shè)備26 —起工作，以此方式使得它們被布置成將基板3如先前所述地彼此以第一距離B相繼地傳送。
[0025]圖3示出了第三實施例，其中傳送設(shè)備I基本上對應(yīng)于圖1實施例中的那些傳送設(shè)備。在本實施例中，閘門氣噴嘴22設(shè)置在閘門30、32中，以在閘門開口 12中產(chǎn)生氣幕，該氣幕進(jìn)一步降低沉積室2的周圍環(huán)境5與反應(yīng)空間4之間的氣體交換和壓力波動，或者進(jìn)一步加強反應(yīng)空間4與周圍環(huán)境5的隔離。閘門氣噴嘴22優(yōu)選地基本供給惰性氣體。閘門氣噴嘴22也可以供給氣體混合物或氣霧來處理表面或在啟動涂覆反應(yīng)時具有有益的效果。這種有益的效果可能與涂覆反應(yīng)中的成核中心的產(chǎn)生頻率有關(guān)，以及根據(jù)最終產(chǎn)品的使用目的，可以使用含水蒸汽、甲烷、它們的組合或其它一些試劑的氣體混合物。于是，氣體噴嘴22可被設(shè)置為預(yù)處理噴嘴，利用氣體噴嘴，基板3的表面可以被處理或預(yù)處理，或者可加強涂覆反應(yīng)或者其啟動。在一個實施例中，氣體噴嘴22可既用作閘門氣噴嘴又用作預(yù)處理噴嘴。在一個實施例中，在基板3進(jìn)入反應(yīng)空間的進(jìn)入方向上的第一氣體噴嘴是預(yù)處理噴嘴，以及在進(jìn)入方向上的第二氣體噴嘴是閘門噴嘴。換言之，第一閘門30可包括預(yù)處理噴嘴，而第二閘門32包括閘門氣噴嘴。圖3示出了一個優(yōu)選實施例，其中氣體噴嘴22位于細(xì)長的閘門開口 12中，在與閘門開口 12的第一端13相距第二距離C且與閘門開口 12的第二端15相距第三距離D處，第二距離C和第三距離D在長度上基本相等。換言之，氣體噴嘴22基本上位于細(xì)長的閘門開口 12的第一長度A的中間來提供可能的最好閘門性能。在圖3的實施例中，在反應(yīng)空間4中沒有提供氣幕，但應(yīng)當(dāng)注意的是，除了閘門30、32之外，氣幕也可設(shè)置在那里。
[0026]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，隨著技術(shù)發(fā)展，可以以很多不同方式來實施本實用新型的基本構(gòu)思。因此，本實用新型及其實施例不受限于上述示例，而是可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)改變。
【權(quán)利要求】
1.一種用于涂覆平面基板的裝置，所述裝置包括: -沉積室(2)，所述沉積室布置用于形成反應(yīng)空間(4)； -至少一個霧化器(16)，所述至少一個霧化器布置在所述沉積室(2)中，用來將在涂覆平面基板(3)時所使用的至少一種液體前體霧化成液滴(20)，以及用來朝向反應(yīng)空間(4)中的平面基板(3)的表面引導(dǎo)所述液滴(20)； -閘門，所述平面基板穿過所述閘門從沉積室(2)的外部(5)被引入到所述反應(yīng)空間(4)中和/或從所述反應(yīng)空間(4)移出并且移到所述沉積室(2)的外部(5)， 其特征在于，閘門包括具有第一長度(A)的閘門開口(12)，用來將所述平面基板(3)穿過所述閘門引入到所述反應(yīng)空間(4)中和/或從所述反應(yīng)空間(4)移出，所述閘門開口(12)的橫截面的形狀和尺寸基本上對應(yīng)于所述平面基板(3)的橫截面的形狀和尺寸，以使得當(dāng)所述平面基板(3)穿過所述閘門開口(12)時所述平面基板(3)基本上關(guān)閉所述閘門開口(12)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置包括用來將所述平面基板(3)引入到所述反應(yīng)空間(4)中的第一閘門(30)以及用來將所述平面基板(3)從所述反應(yīng)空間(4)移出的第二閘門(32)，所述第一閘門(30)和第二閘門(32)被布置成使得所述平面基板(3)被傳送通過所述反應(yīng)空間(4)以進(jìn)行涂覆。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置包括傳送設(shè)備(11、24、26)，所述傳送設(shè)備用來將所述平面基板(3)從所述沉積室(2)的外部(5)傳送到所述反應(yīng)空間(4)中和/或從所述反應(yīng)空間(4)傳送到所述沉積室(2)的外部(5)和/或穿過所述反應(yīng)空間(4)，所述傳送設(shè)備(11、24、26)布置成將平面基板(3)彼此以第一距離(B)傳送通過閘門開口(12)，所述第一距離(B)小`于閘門開口(12)的第一長度(A)，從而每次至少一個平面基板(3)關(guān)閉閘門開口(12)。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述裝置包括傳送設(shè)備(11、24、26)，所述傳送設(shè)備用來將所述平面基板(3)從所述沉積室(2)的外部(5)傳送到所述反應(yīng)空間(4)中和/或從所述反應(yīng)空間(4)傳送到所述沉積室(2)的外部(5)和/或穿過所述反應(yīng)空間(4)，所述傳送設(shè)備(11、24、26)布置成將平面基板(3)彼此以第一距離(B)傳送通過閘門開口(12)，所述第一距離(B)小于閘門開口(12)的第一長度(A)，從而每次至少一個平面基板(3)關(guān)閉閘門開口(12)。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的裝置，其特征在于，所述閘門包括用于在閘門中提供氣幕的氣體噴嘴(22)。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述氣體噴嘴(22)設(shè)置在所述閘門開口(12)中、在與所述閘門開口(12)的第一端(13)相距第二距離(C)且與所述閘門開口(12)的第二端相距第三距離(D)處，所述第二距離(C)和第三距離(D)的大小基本相等。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述氣體噴嘴(22)被設(shè)置為閘門氣噴嘴，以用來將所述反應(yīng)空間(4)與周圍環(huán)境(5)分隔開，和/或被設(shè)置為預(yù)處理噴嘴，用來預(yù)處理平面基板的表面和/或用來增強涂覆反應(yīng)或啟動涂覆反應(yīng)。
8.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述氣體噴嘴(22)被設(shè)置為閘門氣噴嘴，以用來將所述反應(yīng)空間(4)與周圍環(huán)境(5)分隔開，和/或被設(shè)置為預(yù)處理噴嘴，用來預(yù)處理平面基板的表面和/或用來增強涂覆反應(yīng)或啟動涂覆反應(yīng)。
9.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的裝置，其特征在于，所述閘門開口(12)具有第一高度(H)，所述第一高度比所述平面基板(3)的厚度(S)至多大6mm。
10.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的裝置，其特征在于，所述閘門開口(12)具有第一高度(H)，所述第一高度比所述平面基板(3)的厚度(S)至多大4mm。
11.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的裝置，其特征在于，所述閘門開口(12)具有第一高度(H)，所述第一高度比 所述平面基板(3)的厚度(S)至多大2mm。
【文檔編號】B05B15/12GK203648766SQ201320732470
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月4日
【發(fā)明者】E·塞佩萊寧 申請人:Beneq有限公司