一種單晶爐爐筒內(nèi)膽支架的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種單晶爐爐筒內(nèi)膽支架，包括支架本體，支架本體為實心結(jié)構(gòu)，具有一支撐面、一焊接面和一清潔面，其中，焊接面為展開后形狀為矩形的圓弧面，且與爐筒內(nèi)壁緊密貼合焊接，清潔面設(shè)置在焊接面相對的位置，清潔面的上邊緣與焊接面的上邊緣平齊構(gòu)成支撐面，清潔面的下邊緣與焊接面的下邊緣通過一弧形面構(gòu)成散熱面A，清潔面的兩條側(cè)邊緣與支撐面的兩條側(cè)邊緣、焊接面的兩條側(cè)邊緣和散熱面A的兩條側(cè)邊緣構(gòu)成兩個對稱的散熱面B。本實用新型設(shè)計合理，散熱性能好，不易腐蝕熔化，使用壽命長，解決現(xiàn)有單晶爐爐筒內(nèi)膽支架存在設(shè)計不合理，散熱性能不好，易腐蝕熔化，使用壽命短等技術(shù)問題，具有很好的市場前景和發(fā)展空間。
【專利說明】
一種單晶爐爐筒內(nèi)膽支架
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及工業(yè)單晶硅生產(chǎn)裝置領(lǐng)域，具體涉及一種單晶爐爐筒內(nèi)膽支架。
【背景技術(shù)】
[0002]工業(yè)生產(chǎn)單晶硅是通過抽真空技術(shù)，在單晶爐內(nèi)形成工藝要求的真空狀態(tài)，再通入保護性氣體，然后對石墨熱場通電加熱，達到高溫狀態(tài)，使熱場內(nèi)石英坩禍中多晶硅熔化，然后用直拉法生產(chǎn)單晶硅。在這個過程中，石墨熱場的保溫和爐體隔熱是通過爐體內(nèi)安裝的由石墨碳氈制成的保溫筒和石墨制成的保溫內(nèi)膽完成的?，F(xiàn)階段用于安裝保溫筒和保溫內(nèi)膽的支架是由一塊不銹鋼板簡易焊接而成，缺點有以下三個:一，是散熱效果惡劣，與爐筒的焊接面積只有I平方厘米，不銹鋼支架在高溫下不斷熔化甚至氣化，很快即損壞變形以致大部分消失，氣化后的不銹鋼遇到溫度較低的電極云母環(huán)時會凝結(jié)并吸附在云母環(huán)上，易造成打火或接地的故障;二，容易產(chǎn)生大片死角，由于支架處沒有保溫層保護，高溫下氣化的雜質(zhì)揮發(fā)物遇冷，凝結(jié)在支架及周圍的爐體上，大量的揮發(fā)物吸附在支架的死角中極難清掃;三，易造成意外事故，并腐蝕爐體造成漏水點，生產(chǎn)中大量實例證明，由于支架死角中的揮發(fā)物沒有清掃干凈，在回位爐筒時掉落到密封面上極易造成漏氣或損壞密封環(huán)的故障。如何設(shè)計一種設(shè)計合理，結(jié)構(gòu)簡便，散熱性能好，不易腐蝕熔化，使用壽命長的單晶爐爐筒內(nèi)膽支架是目前單晶硅行業(yè)需要解決的問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]為了解決現(xiàn)有單晶爐爐筒內(nèi)膽支架存在設(shè)計不合理，結(jié)構(gòu)過于簡單，散熱性能不好，易腐蝕熔化，使用壽命短等技術(shù)問題，本實用新型提供一種單晶爐爐筒內(nèi)膽支架，來實現(xiàn)設(shè)計合理，結(jié)構(gòu)簡便，散熱性能好，不易腐蝕熔化，使用壽命長的目的。
[0004]本實用新型的技術(shù)方案是:一種單晶爐爐筒內(nèi)膽支架，包括支架本體，支架本體與單晶爐爐筒內(nèi)壁焊接在一起，所述的支架本體為實心結(jié)構(gòu)，具有一支撐面、一焊接面和一清潔面，其中，焊接面為展開后形狀為矩形的圓弧面，且與爐筒內(nèi)壁緊密貼合焊接，形狀為矩形的清潔面設(shè)置在焊接面相對的位置，且其面積小于焊接面的面積，清潔面的上邊緣與焊接面的上邊緣平齊構(gòu)成扇形狀的支撐面，清潔面的下邊緣與焊接面的下邊緣通過一內(nèi)陷的弧形面連接構(gòu)成散熱面A，清潔面的兩條側(cè)邊緣與支撐面的兩條側(cè)邊緣、焊接面的兩條側(cè)邊緣和散熱面A的兩條側(cè)邊緣構(gòu)成兩個對稱的散熱面B。
[0005]所述的散熱面B為形狀是凸起狀或凹陷狀或平面狀的斜面。
[0006]所述的散熱面B為平面狀的斜面。
[0007]所述的支架本體的數(shù)量為四個。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是:
[0009]I)本實用新型支架本體為實心結(jié)構(gòu)，設(shè)計合理巧妙，實心結(jié)構(gòu)相對現(xiàn)有的支架普遍采用的空心結(jié)構(gòu)來說，不易晃動，更加穩(wěn)固牢靠，加熱時實心結(jié)構(gòu)更加耐腐蝕熔化，使用壽命更長；
[0010]2)焊接面為展開后形狀為矩形的圓弧面，且與爐筒內(nèi)壁緊密貼合焊接，保證了焊接時的準確度；
[0011]3)清潔面的下邊緣與焊接面的下邊緣通過一內(nèi)陷的弧形面連接構(gòu)成散熱面A，清潔面的兩條側(cè)邊緣與支撐面的兩條側(cè)邊緣、焊接面的兩條側(cè)邊緣和散熱面A的兩條側(cè)邊緣構(gòu)成兩個對稱的散熱面B，散熱面相比原來的不銹鋼板來說，散熱面積更大，散熱效果更好；
[0012]4)清潔面的形狀為矩形，清潔面與支撐面、焊接面和散熱面全部采用無死角凸面設(shè)計，生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的揮發(fā)物質(zhì)粘附在支架上也很容易被及時清潔，保證了生產(chǎn)的順利進行。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實用新型正視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2是本實用新型側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖3是本實用新型俯視結(jié)構(gòu)不意圖；
[0016]圖4是本實用新型立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖5是本實用新型安裝位置示意圖；
[0018]圖中標記:1、支架本體，101、支撐面，102、焊接面，103、散熱面B，104、清潔面，105、
散熱面A。
【具體實施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖對本實用新型的【具體實施方式】作進一步詳細的說明。
[0020]如圖所示，一種單晶爐爐筒內(nèi)膽支架，包括支架本體I，支架本體I與單晶爐爐筒內(nèi)壁焊接在一起，所述的支架本體I為實心結(jié)構(gòu)，具有一支撐面101、一焊接面102和一清潔面104，其中，焊接面102為展開后形狀為矩形的圓弧面，且與爐筒內(nèi)壁緊密貼合焊接，形狀為矩形的清潔面104設(shè)置在焊接面102相對的位置，且其面積小于焊接面102的面積，清潔面104的上邊緣與焊接面102的上邊緣平齊構(gòu)成扇形狀的支撐面101，清潔面104的下邊緣與焊接面102的下邊緣通過一內(nèi)陷的弧形面連接構(gòu)成散熱面A105，清潔面104的兩條側(cè)邊緣與支撐面101的兩條側(cè)邊緣、焊接面102的兩條側(cè)邊緣和散熱面A105的兩條側(cè)邊緣構(gòu)成兩個對稱的散熱面B103。
[0021 ]以上為本實用新型的基本實施方式，可在以上基礎(chǔ)上做進一步的改進、完善和限定:如所述的散熱面B103為平面狀的斜面。
[0022]以上為本實用新型的基本實施方式，可在以上基礎(chǔ)上做進一步的改進、完善和限定:如所述的支架本體I的數(shù)量為四個。
[0023]本實用新型運用在實際生產(chǎn)時，更換支架的頻率大大降低，可使用數(shù)年不會損壞，節(jié)約了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
[0024]本實用新型設(shè)計合理，結(jié)構(gòu)簡便，散熱性能好，不易腐蝕熔化，使用壽命長，解決現(xiàn)有單晶爐爐筒內(nèi)膽支架存在設(shè)計不合理，結(jié)構(gòu)過于簡單，散熱性能不好，易腐蝕熔化，使用壽命短等技術(shù)問題，對現(xiàn)有技術(shù)來說，是一次重大的技術(shù)革新，具有很好的市場前景和發(fā)展空間。
[0025]上面結(jié)合附圖對本實用新型優(yōu)選的【具體實施方式】和實施例作了詳細說明，但是本實用新型并不限于上述實施方式和實施例，在本領(lǐng)域技術(shù)人員所具備的知識范圍內(nèi)，還可以在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下作出各種變化。
【主權(quán)項】
1.一種單晶爐爐筒內(nèi)膽支架，包括支架本體(I)，支架本體(I)與單晶爐爐筒內(nèi)壁焊接在一起，其特征在于:所述的支架本體(I)為實心結(jié)構(gòu)，具有一支撐面(101)、一焊接面(102)和一清潔面(104)，其中，焊接面(102)為展開后形狀為矩形的圓弧面，且與爐筒內(nèi)壁緊密貼合焊接，形狀為矩形的清潔面(104)設(shè)置在焊接面(102)相對的位置，且其面積小于焊接面(102)的面積，清潔面(104)的上邊緣與焊接面(102)的上邊緣平齊構(gòu)成扇形狀的支撐面(101)，清潔面(104)的下邊緣與焊接面(102)的下邊緣通過一內(nèi)陷的弧形面連接構(gòu)成散熱面A(105)，清潔面(104)的兩條側(cè)邊緣與支撐面(101)的兩條側(cè)邊緣、焊接面(102)的兩條側(cè)邊緣和散熱面A( 105)的兩條側(cè)邊緣構(gòu)成兩個對稱的散熱面B( 103)。2.如權(quán)利要求1所述的一種單晶爐爐筒內(nèi)膽支架，其特征在于:所述的散熱面B(103)為形狀是凸起狀或凹陷狀或平面狀的斜面。3.如權(quán)利要求1所述的一種單晶爐爐筒內(nèi)膽支架，其特征在于:所述的支架本體(I)的數(shù)量為四個。
【文檔編號】C30B15/00GK205669076SQ201620462830
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年5月20日
【發(fā)明人】王崢, 王曉飛, 彭套, 孫今召, 張倩
【申請人】麥斯克電子材料有限公司