一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及外延生長(zhǎng)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，碳化硅外延生長(zhǎng)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化，通常采用CVD (化學(xué)氣相沉積)的方法來生長(zhǎng)碳化硅外延晶片。隨著碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，產(chǎn)業(yè)應(yīng)用對(duì)碳化硅功率器件性能的要求越來越高，成本要求越來越低，大功率電力電子器件對(duì)碳化硅晶體和外延材料提出更高的要求和需求，提高備件利用率，降低生產(chǎn)成本成為碳化硅晶體發(fā)展的當(dāng)務(wù)之急。
[0003]碳化硅外延爐是用來生長(zhǎng)碳化硅外延晶片的反應(yīng)室，目前主流的商業(yè)碳化硅外延爐，為了配合生產(chǎn)的需要，通常需要儲(chǔ)備很多易損備件以及增加備件清理人員，這無形中增加了生產(chǎn)成本，給企業(yè)帶來了較大負(fù)擔(dān)。例如德國(guó)Aixtron公司的2400或2800系列碳化硅外延爐，其反應(yīng)室內(nèi)部的備件多達(dá)上百個(gè)，而易損備件就有三十多個(gè)，其中之一的易損備件一一半圓形蓋片(cover disc outside)，參照?qǐng)D1所示，主要用于反應(yīng)室進(jìn)氣端及襯底片之間，由于所處溫區(qū)溫場(chǎng)跨度較大，進(jìn)出氣體在半圓形蓋片上會(huì)留下沉積的附著物，這些附著物的主份復(fù)雜，并且半圓形蓋片材質(zhì)為石墨，在備件維護(hù)時(shí)沉積附著物的區(qū)域難以徹底清理干凈，導(dǎo)致其使用壽命約40?50爐，而且每次更換新的半圓形蓋片時(shí)，都要對(duì)備件的進(jìn)行烘烤以除去其表面附著的水汽等雜質(zhì)，這無疑降低了生產(chǎn)效率，同時(shí)也增加的生產(chǎn)的成本。
[0004]有鑒于此，本發(fā)明人對(duì)上述碳化硅外延爐的半圓形蓋片進(jìn)行改進(jìn)，特別研制出一種便于清洗且更耐用的碳化硅外延爐的半圓形蓋片，本案由此產(chǎn)生。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片，其能夠提高碳化硅外延爐的半圓形蓋片的利用率和碳化硅外延晶片的生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0007]一種碳化娃外延爐的半圓形蓋片，包括大蓋片和小蓋片；大蓋片和小蓋片均為圓環(huán)形狀，大蓋片由兩個(gè)半圓環(huán)蓋片拼接而成，大蓋片中間形成一個(gè)圓環(huán)形凹槽，小蓋片由復(fù)數(shù)個(gè)扇形圓環(huán)蓋片拼接而成，小蓋片安裝在大蓋片的圓環(huán)形凹槽內(nèi)。
[0008]所述小蓋片材質(zhì)為碳化娃。
[0009]所述小蓋片直徑小于或等于大蓋片直徑。
[0010]采用上述方案后，本實(shí)用新型在大蓋片上對(duì)應(yīng)的雜質(zhì)沉積區(qū)域設(shè)置便于揭取的小蓋片，使沉積物覆蓋著小蓋片上，在清洗蓋片是只需將小蓋片取出，替換為新的小蓋片，對(duì)取出的小蓋片全面清洗，小蓋片中扇形圓環(huán)蓋片可根據(jù)需要設(shè)定其數(shù)量，使蓋片的清洗效率最大化，同時(shí)對(duì)小蓋片的清洗更為徹底，進(jìn)而半圓形蓋片備件的使用壽命更長(zhǎng)，不需要經(jīng)常更換，降低了碳化硅外延爐的維護(hù)成本。
【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1是現(xiàn)有半圓形蓋片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一的俯視圖；
[0014]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例二的俯視圖。
[0015]標(biāo)號(hào)說明
[0016]大蓋片I，圓環(huán)形凹槽11，半圓環(huán)蓋片2，小蓋片3，扇形圓環(huán)蓋片4。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0018]實(shí)施例一:
[0019]如圖2所示，本實(shí)用新型揭示的一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片，包括大蓋片I和小蓋片2 ;大蓋片I和小蓋片2均為圓環(huán)形狀，大蓋片I由兩個(gè)半圓環(huán)蓋片2拼接而成，大蓋片I中間形成一個(gè)圓環(huán)形凹槽11，小蓋片3由復(fù)數(shù)個(gè)扇形圓環(huán)蓋片4拼接而成，本實(shí)施例的小蓋片3由扇形圓環(huán)蓋片4拼接而成，由兩個(gè)小蓋片3安裝在大蓋片I的圓環(huán)形凹槽內(nèi)。
[0020]小蓋片材質(zhì)為碳化硅，因?yàn)樘蓟杩梢灾苯舆M(jìn)行清洗處理和烘干，則碳化硅小蓋片能夠進(jìn)一步提高半圓形蓋片的清洗效率。
[0021]小蓋片3直徑小于或等于大蓋片I直徑，本實(shí)施例小蓋片3的直徑小于大蓋片I的直徑，在半圓形蓋片沉積物覆蓋區(qū)域集中在中間時(shí)，小蓋片3只需兩個(gè)扇形圓環(huán)蓋片4組成，以節(jié)省材料及清洗時(shí)間。
[0022]實(shí)施例二:
[0023]如圖3所示，本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于:小蓋片3直徑等于大蓋片I直徑，小蓋片3將大蓋片I全面覆蓋，本實(shí)施例適用于半圓形蓋片全部被沉積物覆蓋時(shí)的情況，同時(shí)小蓋片3由四個(gè)扇形圓環(huán)蓋片4組成，分成更多等分的扇形圓環(huán)蓋片4可使小蓋片清洗更快速徹底，還可以將只將有沉積物的扇形圓環(huán)蓋片4單獨(dú)取出更換，方便快捷。
[0024]本實(shí)用新型對(duì)原有碳化硅外延爐的半圓形蓋片的改進(jìn)，通過在原來半圓形蓋片上增設(shè)碳化硅小蓋片3，提高清洗效率，碳化硅小蓋片3可重復(fù)使用，降低了生產(chǎn)成本，避免半圓形蓋片備件的清洗維護(hù)過于頻繁，從而延長(zhǎng)了其使用壽命。
[0025]上述實(shí)施例和圖式并非限定本實(shí)用新型的產(chǎn)品形態(tài)和式樣，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員對(duì)其所做的適當(dāng)變化或修飾，皆應(yīng)視為不脫離本實(shí)用新型的專利范疇。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種碳化娃外延爐的半圓形蓋片，其特征在于:包括大蓋片和小蓋片；大蓋片和小蓋片均為圓環(huán)形狀，大蓋片由兩個(gè)半圓環(huán)蓋片拼接而成，大蓋片中間形成一個(gè)圓環(huán)形凹槽，小蓋片由復(fù)數(shù)個(gè)扇形圓環(huán)蓋片拼接而成，小蓋片安裝在大蓋片的圓環(huán)形凹槽內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片，其特征在于:所述小蓋片材質(zhì)為碳化娃。
3.如權(quán)利要求1所述的一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片，其特征在于:所述小蓋片直徑小于或等于大蓋片直徑。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片，包括大蓋片和小蓋片；大蓋片和小蓋片均為圓環(huán)形狀，大蓋片由兩個(gè)半圓環(huán)蓋片拼接而成，大蓋片中間形成一個(gè)圓環(huán)形凹槽，小蓋片由復(fù)數(shù)個(gè)扇形圓環(huán)蓋片拼接而成，小蓋片安裝在大蓋片的圓環(huán)形凹槽內(nèi)；本實(shí)用新型能夠提高碳化硅外延爐的半圓形蓋片的利用率和碳化硅外延晶片的生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
【IPC分類】C30B25-02, C30B29-36
【公開號(hào)】CN204491031
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520024756
【發(fā)明人】孫強(qiáng), 馮淦, 趙建輝
【申請(qǐng)人】瀚天天成電子科技（廈門）有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2015年1月14日