本申請(qǐng)屬于光伏，尤其涉及一種硅料的加料方法。

背景技術(shù)：

1、單晶硅作為現(xiàn)代信息社會(huì)的關(guān)鍵支撐材料，是光伏發(fā)電利用太陽能的主要功能材料。目前主要采用直拉法生產(chǎn)單晶硅。但是，直拉法中所使用的顆粒硅因其生產(chǎn)工藝的原因，顆粒硅中含有一定量的氫，在高溫下熔料時(shí)容易出現(xiàn)氫跳和濺硅等問題，影響單晶硅的質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N硅料的加料方法，能夠降低顆粒硅氫跳和濺硅風(fēng)險(xiǎn)，提高單晶硅的質(zhì)量。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N硅料的加料方法，包括：

3、通過加料筒依次向坩堝中加入多筒硅料，第一筒和最后一筒硅料為小料，其余筒硅料為顆粒硅；

4、在所述多筒硅料的加料過程中，通過加熱器持續(xù)對(duì)所述坩堝中的硅料進(jìn)行加熱；

5、其中，相鄰兩筒硅料的加料間隔時(shí)間為所述坩堝液面的固體占比達(dá)到預(yù)設(shè)占比所需要的時(shí)間以及預(yù)設(shè)間隔時(shí)間中的最小值。

6、根據(jù)本申請(qǐng)的硅料的加料方法，每向坩堝中加入一桶硅料后，間隔一定時(shí)間向坩堝中加入下一桶硅料，其中加料間隔時(shí)間為坩堝液面的固體占比達(dá)到預(yù)設(shè)占比所需要的時(shí)間以及預(yù)設(shè)間隔時(shí)間中的最小值，以避免加料間隔時(shí)間過長，避免坩堝中液體比重過大，從而降低顆粒硅硅氫跳和濺硅風(fēng)險(xiǎn)，提高單晶硅的質(zhì)量。

7、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，所述預(yù)設(shè)占比為80％-100％，所述預(yù)設(shè)間隔時(shí)間為20min-35min。

8、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，所述預(yù)設(shè)占比為95％，所述預(yù)設(shè)間隔時(shí)間為25min。

9、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，所述其余筒硅料為100％顆粒硅。

10、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，所述方法還包括：

11、在所述多筒硅料的加料過程中，調(diào)整所述加熱器的加熱功率，使所述顆粒硅加料過程中的所述加熱功率比所述小料加料過程中的所述加熱功率減小8％-10％。

12、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，所述方法還包括：

13、在所述多筒硅料的加料過程中，調(diào)整所述加料筒的出料口與水冷屏之間的第一距離，使所述顆粒硅加料過程中的所述第一距離比所述小料加料過程中的所述第一距離增大20％-30％。

14、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，所述調(diào)整所述加料筒的出口與水冷屏之間的第一距離，包括：

15、調(diào)整加料筒的出料口的位置，以調(diào)整所述加料筒的出料口與水冷屏之間的第一距離。

16、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，所述調(diào)整加料筒的位置，包括：

17、調(diào)整法蘭支撐管的長度，以調(diào)整法蘭盤的位置，以調(diào)整所述加料筒的出料口的位置，所述法蘭盤套設(shè)于所述加料筒上，所述法蘭支撐管與所述法蘭盤相連接。

18、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，所述方法還包括：

19、在所述多筒硅料的加料過程中，調(diào)整所述加料筒的出料口與所述坩堝之間的第二距離，使所述顆粒硅加料過程中的所述第二距離比所述小料加料過程中的所述第二距離增大10％-15％。

20、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，所述調(diào)整所述加料筒的出口與所述坩堝之間的第二距離，包括：

21、調(diào)整所述坩堝的位置，以調(diào)整所述加料筒的出料口與所述坩堝之間的第二距離。

22、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，所述方法還包括：

23、在所述多筒硅料的加料過程中，通入氬氣，并調(diào)整所述氬氣的流量，使所述顆粒硅加料過程中的所述氬氣的流量比所述小料加料過程中的所述氬氣的流量增大25％-50％。

24、本申請(qǐng)實(shí)施例中的上述一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果之一：

25、每向坩堝中加入一桶硅料后，間隔一定時(shí)間向坩堝中加入下一桶硅料，其中加料間隔時(shí)間為坩堝液面的固體占比達(dá)到預(yù)設(shè)占比所需要的時(shí)間以及預(yù)設(shè)間隔時(shí)間中的最小值，以避免加料間隔時(shí)間過長，避免坩堝中液體比重過大，從而降低顆粒硅硅氫跳和濺硅風(fēng)險(xiǎn)，提高單晶硅的質(zhì)量；

26、顆粒硅加料時(shí)對(duì)應(yīng)的加熱器的加熱功率低于小料加料時(shí)對(duì)應(yīng)的加熱器的加熱功率，以達(dá)到節(jié)能目的的，同時(shí)可以防止顆粒硅過快熔化，且減小高溫對(duì)坩堝的損傷，延長坩堝的壽命；

27、顆粒硅加料時(shí)增大加料筒的出料口與水冷屏之間的距離，減少加料過程中粉塵向上飛散附著到水冷屏表面的風(fēng)險(xiǎn)，從而減少由于粉塵掉落造成的拉晶過程中的晶棒斷線風(fēng)險(xiǎn)；

28、顆粒硅加料時(shí)增大加料筒的出料口與坩堝之間的距離，從而增大水冷屏與坩堝之間的距離，降低熔硅過程中硅液濺到水冷屏的底部的風(fēng)險(xiǎn)，且進(jìn)一步降低加料過程中粉塵向上飛散附著到水冷屏表面的風(fēng)險(xiǎn)。

29、本申請(qǐng)的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請(qǐng)的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種硅料的加料方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)占比為80％-100％，所述預(yù)設(shè)間隔時(shí)間為20min-35min。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)占比為95％，所述預(yù)設(shè)間隔時(shí)間為25min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述其余筒硅料為100％顆粒硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述方法還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述調(diào)整所述加料筒的出口與水冷屏之間的第一距離，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述方法還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述調(diào)整所述加料筒的出口與所述坩堝之間的第二距離，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的硅料的加料方法，其特征在于，所述方法還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種硅料的加料方法，屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域。所述硅料的加料方法包括：通過加料筒依次向坩堝中加入多筒硅料，第一筒硅料和最后一筒硅料為小料，其余筒硅料為顆粒硅；在所述多筒硅料的加料過程中，通過加熱器持續(xù)對(duì)所述坩堝中的硅料進(jìn)行加熱；其中，相鄰兩筒硅料的加料間隔時(shí)間為所述坩堝液面的固體占比達(dá)到預(yù)設(shè)占比所需要的時(shí)間以及預(yù)設(shè)間隔時(shí)間中的最小值。本申請(qǐng)能夠降低顆粒硅氫跳和濺硅風(fēng)險(xiǎn)，提高單晶硅的質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：袁得斌,馬玉花,任杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天合光能股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/18