本發(fā)明涉及一種用于玻璃磁控濺射鍍膜的方法。

背景技術(shù)：

目前，導(dǎo)電玻璃廣泛的使用于各類(lèi)帶有屏幕的電子產(chǎn)品中。氧化銦錫透明導(dǎo)電膜玻璃是在玻璃上濺射氧化銦錫導(dǎo)電薄膜鍍層并經(jīng)高溫退火處理得到的高技術(shù)產(chǎn)品。氧化銦錫是靶材通過(guò)磁場(chǎng)中磁力線的作用濺射至玻璃上進(jìn)行鍍膜的。

現(xiàn)有的玻璃鍍膜生產(chǎn)過(guò)程中，靶材一般是整塊分布，當(dāng)其不滿足生產(chǎn)要求時(shí)，對(duì)其進(jìn)行更換。而由于磁力線本身是一個(gè)閉合的環(huán)，因此靶材上部分區(qū)域的電子始終不會(huì)出射，直接遺棄會(huì)造成資源的浪費(fèi)，且靶材本身的成本也相對(duì)較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種用于玻璃磁控濺射鍍膜的方法，提高了對(duì)靶材的利用率，減少了玻璃鍍膜的成本。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種用于玻璃磁控濺射鍍膜的方法，包括以下步驟：

（1）將靶材分割成多個(gè)呈矩形的單元塊，每個(gè)所述單元塊均具有沿水平方向分布的第一中線和沿豎直方向分布的第二中線；

（2）排列用于形成磁場(chǎng)的多個(gè)磁塊，使多個(gè)所述磁塊兩兩依次首尾銜接形成閉合磁力線；

（3）調(diào)節(jié)所述磁塊的位置，使所述閉合磁力線對(duì)應(yīng)在所述單元塊上的單元磁力線位于所述第一中線的一側(cè)或所述第二中線的一側(cè)；

（4）對(duì)玻璃進(jìn)行磁控濺射鍍膜，當(dāng)靶材不滿足生產(chǎn)要求時(shí)，將所述單元塊繞其中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)180°，繼續(xù)對(duì)玻璃進(jìn)行磁控濺射鍍膜，直至靶材再次不滿足生產(chǎn)要求，更換靶材。

優(yōu)選地，取出沒(méi)有出射過(guò)電子的所述單元塊，將其與相同形狀的不滿足生產(chǎn)要求的所述單元塊進(jìn)行替換，并重復(fù)步驟（4）。

由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明一種用于玻璃磁控濺射鍍膜的方法，通過(guò)將靶材分割成多個(gè)單元塊，并調(diào)節(jié)磁塊的位置使磁力線位于對(duì)應(yīng)的單元塊上第一中線的一側(cè)或第二中線的一側(cè)，當(dāng)靶材不滿足生產(chǎn)要求時(shí)，將對(duì)應(yīng)的單元塊繞其中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)180°即可繼續(xù)使用，提高了對(duì)靶材的利用率，減少了玻璃鍍膜的成本。

附圖說(shuō)明

附圖1為本發(fā)明方法一種實(shí)施例中對(duì)靶材的分割示意圖；

附圖2為用于形成附圖1中磁力線的磁塊排列示意圖。

其中：1、單元塊；2、第一中線；3、第二中線；4、磁塊；5、閉合磁力線；6、單元磁力線。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的闡述。

參見(jiàn)圖1-2所示，為上述一種用于玻璃磁控濺射鍍膜的方法的一個(gè)具體實(shí)施例，該實(shí)施例中的方法包括以下步驟：

（1）在真空腔室內(nèi)設(shè)置用于輸送玻璃的輸送軌道，將靶材和磁塊4整體設(shè)于該輸送軌道的一側(cè)或兩側(cè)，通過(guò)磁場(chǎng)將靶材中的電子濺射到玻璃上進(jìn)行鍍膜；

（2）將靶材分割成多個(gè)呈矩形的單元塊1，每個(gè)單元塊1均具有沿水平方向分布的第一中線2和沿豎直方向分布的第二中線3，第一中線2和第二中線3均沿長(zhǎng)度方向分布，等分其寬邊；在本實(shí)施例中，靶材被等分為十三塊相同的矩形單元塊1；其中最上行（參見(jiàn)圖1，圖1中的上方即為這里的上）和最下行均具有沿長(zhǎng)度方向排列的兩塊單元塊1，中間三行均具有沿寬度方向排列的三塊單元塊1；該單元塊1的長(zhǎng)和寬的比例為3:2，使靶材整體形成一個(gè)矩形；

（3）排列用于形成磁場(chǎng)的多個(gè)磁塊4，使多個(gè)磁塊4兩兩依次首尾銜接形成閉合磁力線5；

（4）調(diào)節(jié)該磁塊4的位置，使閉合磁力線5對(duì)應(yīng)在單元塊1上的單元磁力線6位于該第一中線2的一側(cè)或該第二中線3的一側(cè)；在本實(shí)施例中，最上行兩塊單元塊1上對(duì)應(yīng)的單元磁力線6位于第一中線2的下方；最下行兩塊單元塊1上對(duì)應(yīng)的單元磁力線6位于第一中線2的上方；中間三行最左側(cè)（參見(jiàn)圖1，圖1中的左方即為這里的左側(cè)）的三塊單元塊1上對(duì)應(yīng)的單元磁力線6位于第二中線3的左方；中間三行最右側(cè)的三塊單元塊1上對(duì)應(yīng)的單元磁力線6位于第二中線3的右方；中間三行中間的三塊單元塊1上沒(méi)有單元磁力線6；

（5）對(duì)玻璃進(jìn)行磁控濺射鍍膜，當(dāng)靶材不滿足生產(chǎn)要求時(shí)，將上方兩塊單元塊1、下方兩塊單元塊1、左側(cè)三塊單元塊1和右側(cè)三塊單元塊1繞自身中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)180°，此時(shí)，單元磁力線6對(duì)應(yīng)的單元塊1上的區(qū)域?yàn)闆](méi)有出射過(guò)電子的區(qū)域，繼續(xù)對(duì)玻璃進(jìn)行磁控濺射鍍膜，直至靶材再次不滿足生產(chǎn)要求，更換靶材；

（6）取出中間三行中間的三塊單元塊1，由于這三塊單元塊1上始終沒(méi)有出射過(guò)電子，可以將其與相同形狀的不滿足生產(chǎn)要求的單元塊1進(jìn)行替換之后，繼續(xù)使用。

通過(guò)這種對(duì)靶材的切割方法，提高了對(duì)靶材的利用率，減少了玻璃鍍膜的成本。其具體切割的形狀和數(shù)量可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程的需要進(jìn)行調(diào)整，切割的靶材的大小也可以相同或不同。

上述實(shí)施例只為說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于玻璃磁控濺射鍍膜的方法，通過(guò)將靶材分割成多個(gè)單元塊，并調(diào)節(jié)磁塊的位置使磁力線位于對(duì)應(yīng)的單元塊上第一中線的一側(cè)或第二中線的一側(cè)，當(dāng)靶材不滿足生產(chǎn)要求時(shí)，將對(duì)應(yīng)的單元塊繞其中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)180°即可繼續(xù)使用，提高了對(duì)靶材的利用率，減少了玻璃鍍膜的成本。

技術(shù)研發(fā)人員：朱杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：張家港市銘斯特光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.26
技術(shù)公布日：2017.08.11