技術(shù)編號：7007752
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開一種，利用高能離子注入設(shè)備進行漸深注入，再通過擴散制作一N型通道連接溝道與漏極，N型通道所形成的類T形結(jié)構(gòu)也是3D結(jié)構(gòu)，PN之間形成空乏區(qū)從單一的垂直方向改變?yōu)榇怪迸c水平兩個方向，這樣可以大幅提高這個區(qū)域的耐壓，從而可以增加N通道的摻雜濃度，進而又起到降低導(dǎo)通電阻的作用；同時，上述結(jié)構(gòu)中柵極底部與漏極之間由P外延阻隔，從而使柵極底部與漏極之間的電容基本為零；并且通道與溝道的接觸部分較小，可以大幅消除柵極和漏極之間的電容，綜合前述兩方面的改進，可以...
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