技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提供了一種方法，其包括：形成具有第一密度的低折射率凹槽區(qū)域；以大于第一密度的第二密度形成圍繞凹槽區(qū)域的包含二氧化硅的內(nèi)阻隔層(116a)；繞著第一阻隔層沉積基于二氧化硅的煙炱從而以小于第二密度的第三密度形成外包覆區(qū)域(114)；將芯棒(102)插入凹槽?外包覆結(jié)構(gòu)；以大于第三密度的第四密度在外包覆區(qū)域的外部部分中形成包含二氧化硅的外阻隔層(116b)；使含負摻雜劑的氣體流動通過凹槽?外包覆結(jié)構(gòu)(110)從而用負摻雜劑摻雜凹槽區(qū)域，以及其中，阻隔層(116a，116b)減輕了負摻雜劑擴散進入外包覆區(qū)域(114)；以及對凹槽?外包覆和芯棒進行固結(jié)。還提供了制造具有內(nèi)外阻隔層的固結(jié)的凹槽?外包覆結(jié)構(gòu)的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：D·C·布克班德;李明軍;J·S·斯通;P·坦登
受保護的技術(shù)使用者：康寧股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.09
技術(shù)公布日：2017.08.01