一種降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶制程技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種液晶成膜制程中降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器TFT-IXD(英文為：Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display)的制程中往往需要要用到PVD (物理氣相沉積，英文為：Physical VaporDeposition)或CVD (化學(xué)氣相沉積，英文為：Chemical Vapor Deposition)工藝來(lái)制程各種薄膜，而現(xiàn)今的技術(shù)，在PVD/CVD成膜腔室中，往往會(huì)存在較多的微粒雜質(zhì)，這些微粒雜質(zhì)在后續(xù)的制程中會(huì)造成膜內(nèi)或膜上缺陷，導(dǎo)致成膜后膜層損傷、膜脫、器件失效等問(wèn)題，從而會(huì)導(dǎo)致由于微粒雜質(zhì)造成的產(chǎn)品良率損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的方法及裝置，其采用活化后的玻璃吸附并帶出成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，從而避免由于微粒雜質(zhì)造成的產(chǎn)品良率損失。
[0004]本發(fā)明的一方面提供一種降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的方法，該方法包括：對(duì)玻璃進(jìn)行表面活化，將玻璃置于成膜腔室中，通過(guò)玻璃吸附成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，將吸附有微粒雜質(zhì)的玻璃從成膜腔室中取出。
[0005]其中，對(duì)玻璃進(jìn)行表面活化的步驟包括：對(duì)玻璃進(jìn)行HF表面活化，以增加玻璃的表面粗糙度。
[0006]其中，通過(guò)玻璃吸附成膜腔室中的微粒雜質(zhì)的步驟包括：通過(guò)傳片吸附將微粒雜質(zhì)吸附在玻璃的表面。
[0007]其中，該方法還包括：通過(guò)清洗降低玻璃表面上吸附的微粒雜質(zhì)。
[0008]其中，成膜腔窒為PVD或CVD成膜腔室。
[0009]本發(fā)明的另一方面提供一種降低成膜腔窒中微粒雜質(zhì)的裝置，該裝置包括一玻璃，裝置對(duì)玻璃進(jìn)行表面活化，并將玻璃置于成膜腔室中，以通過(guò)玻璃吸附成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，裝置將吸附有微粒雜質(zhì)的玻璃從成膜腔室中取出。
[0010]其中，裝置對(duì)玻璃進(jìn)行HF表面活化，以增加玻璃的表面粗糙度。
[0011]其中，裝置通過(guò)傳片吸附將微粒雜質(zhì)吸附在玻璃的表面。
[0012]其中，裝置通過(guò)清洗降低玻璃表面上吸附的微粒雜質(zhì)。
[0013]其中，成膜腔窒為PVD或CVD成膜腔室。
[0014]通過(guò)上述方案，本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的方法通過(guò)對(duì)玻璃進(jìn)行表面活化，并將玻璃置于成膜腔室中，通過(guò)玻璃吸附成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，并將吸附有微粒雜質(zhì)的玻璃從成膜腔室中取出，從而通過(guò)活化處理后的玻璃吸附成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，實(shí)現(xiàn)降低成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，避免出于微粒雜質(zhì)造成的成膜后的膜層損傷、膜脫、器件失效等缺陷，提高產(chǎn)品的良率。
【附圖說(shuō)明】
[0015]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中：
[0016]圖1是本發(fā)明降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的方法的流程示意圖；
[0017]圖2是本發(fā)明降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性的勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0019]氣相沉積技術(shù)（英文為：Vapor Deposition ;縮寫為VD)是指通過(guò)氣態(tài)物質(zhì)或使材料氣化后，使其沉積于固體材料或制品（基片）表面并形成固態(tài)沉積物的技術(shù)，其包括物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，縮寫為PVD)和化學(xué)氣相沉積（Chemical VaporD印osition，縮寫為CVD)。其中，PVD指利用物理過(guò)程實(shí)現(xiàn)物質(zhì)轉(zhuǎn)移，將原子或分子由源轉(zhuǎn)移到基材表面上的過(guò)程。它的作用是可以使某些有特殊性能（強(qiáng)度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴涂在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能；CVD指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)腔室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過(guò)程；而無(wú)論是PVD還是CVD制程，其都需要一個(gè)反應(yīng)腔室，即成膜腔室，例如，PVD離子鍍膜技術(shù)，其是真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，利用電場(chǎng)的加速作用，使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應(yīng)物沉積在工件上。因此，成膜腔室內(nèi)通常會(huì)存在較多的微粒雜質(zhì)，該微粒雜質(zhì)如果不進(jìn)行去除處理，則會(huì)在成膜制程時(shí)造成膜內(nèi)或膜上缺陷，導(dǎo)致成膜后膜層損傷、膜脫、器件失效等，因此，本發(fā)明針對(duì)成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，提出一種降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的方法。
[0020]請(qǐng)參看圖1，圖1是本發(fā)明降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的方法的流程示意圖。如圖1所示，該方法包括：
[0021]S11 :對(duì)玻璃進(jìn)行表面活化。
[0022]在本實(shí)施例中，準(zhǔn)備一塊干凈的玻璃，并對(duì)玻璃進(jìn)行HF表面活化，以增加玻璃的表面粗糙度。其中，HF (Hydrofluoric acid ;氫氟酸）是一種用于雕刻玻璃、清洗鑄件上的殘砂、控制發(fā)酵、電拋光和清洗腐蝕半導(dǎo)體硅片的化學(xué)試劑，而玻璃的主要成分為二氧化硅(Si02)，HF與玻璃進(jìn)行反應(yīng)的化學(xué)式為：
[0023]Si02+4HF = SiF4+2H20
[0024]SiF4+2HF = H2[SiF6]
[0025]通過(guò)HF對(duì)玻璃進(jìn)行表面活化，使得玻璃由光滑的表面變成一個(gè)具有一定粗糙度的玻璃表面，如圖2所示，經(jīng)過(guò)HF活化處理的玻璃表面變得高低不平，增大了接觸面積和表面粗糙度，從而使得玻璃的吸附能力大大提高。
[0026]S12 :將玻璃置于成膜腔窒中。
[0027]其中，將經(jīng)過(guò)HF表面活化處理后的玻璃置于成膜腔室中。
[0028]S13 :通過(guò)玻璃吸附成膜腔室中的微粒雜質(zhì)。
[0029]由于在PVD或CVD制程中，其成膜腔窒中存在較多的微粒雜質(zhì)，而將經(jīng)過(guò)HF表面活化處理后的玻璃置于成膜腔室內(nèi)，由于玻璃經(jīng)過(guò)HF表面活化后，其表面具有一定的粗糙度，使得其吸附能力大大提高了，因此，經(jīng)過(guò)反復(fù)多次傳片，這里的傳片，即傳遞玻璃片進(jìn)入成膜腔室內(nèi)，將微粒雜質(zhì)吸附在玻璃的表面。
[0030]S14 :將吸附有微粒雜質(zhì)的玻璃從成膜腔室中取出。
[0031]其中，將吸附有微粒雜質(zhì)的玻璃從成膜腔窒中取出，并對(duì)玻璃表面進(jìn)行清洗，以降低玻璃表面上吸附的微粒雜質(zhì)，并對(duì)清洗出來(lái)的微粒雜質(zhì)進(jìn)行回收，以循環(huán)利用。進(jìn)一步地，將清洗后的玻璃再次通過(guò)傳片進(jìn)入成膜腔室中，并再次吸附成膜腔窒中的微粒雜質(zhì)，然后取出清洗，因此，通過(guò)多次傳片吸附，從而可以大大降低成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，避免成膜腔室中存在過(guò)多的微粒雜質(zhì)影響膜的產(chǎn)品良率。
[0032]其中，成膜腔室指的是PVD或CVD成膜腔室。
[0033]本發(fā)明還提供一種降低成成膜腔窒中微粒雜質(zhì)的裝置，如圖2所示，該裝置1包括一玻璃2，裝置1對(duì)玻璃2進(jìn)行HF表面活化，使得玻璃2的表面增大表面接觸表面和粗糙力，以增加吸附能力，然后將玻璃2置于成膜腔室（圖未示）中，該成膜腔室指的是PVD或CVD成膜腔室，使得玻璃2吸附成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，裝置1進(jìn)一步將吸附有微粒雜質(zhì)的玻璃2從成膜腔窒中取出并清洗，通過(guò)清洗以降低玻璃2表面吸附的微粒雜質(zhì)，并回收清洗出來(lái)的微粒雜質(zhì)以循環(huán)利用，并減少環(huán)境污染。并且，將清洗后的玻璃2可反復(fù)多次通過(guò)傳片手段進(jìn)入成膜腔室中，通過(guò)傳片吸附將微粒雜質(zhì)吸附在玻璃2的表面帶出，從而實(shí)現(xiàn)利用玻璃2重復(fù)多次的將成膜腔室中的微粒雜質(zhì)取出，使得成膜腔窒中的微粒雜質(zhì)大大的減少，避免微粒雜質(zhì)影響成膜的良率。
[0034]綜上所述，本發(fā)明的降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的方法包括通過(guò)對(duì)玻璃進(jìn)行表面活化，將玻璃置于成膜腔室中，通過(guò)玻璃吸附成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，將吸附有微粒雜質(zhì)的玻璃從成膜腔室中取出，從而實(shí)現(xiàn)通過(guò)活化處理后的玻璃吸附成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，降低成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，避免出于微粒雜質(zhì)造成的成膜后的膜層損傷、膜脫、器件失效等缺陷，提高產(chǎn)品的良率，并且回收的微粒雜質(zhì)可循環(huán)利用，減少環(huán)境污染。
[0035]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的方法，其特征在于，所述方法包括: 對(duì)玻璃進(jìn)行表面活化； 將所述玻璃置于所述成膜腔室中； 通過(guò)所述玻璃吸附所述成膜腔室中的所述微粒雜質(zhì)； 將吸附有所述微粒雜質(zhì)的所述玻璃從所述成膜腔室中取出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述玻璃進(jìn)行表面活化的步驟包括:對(duì)所述玻璃進(jìn)行HF表面活化，以增加所述玻璃的表面粗糙度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過(guò)所述玻璃吸附所述成膜腔室中的所述微粒雜質(zhì)的步驟包括:通過(guò)傳片吸附將所述微粒雜質(zhì)吸附在所述玻璃的表面。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括:通過(guò)清洗降低所述玻璃表面上吸附的所述微粒雜質(zhì)。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述成膜腔窒為PVD或CVD成膜腔室。6.一種降低成膜腔窒中微粒雜質(zhì)的裝置，其特征在于，所述裝置包括一玻璃，所述裝置對(duì)所述玻璃進(jìn)行表面活化，并將所述玻璃置于所述成膜腔室中，以通過(guò)所述玻璃吸附所述成膜腔室中的所述微粒雜質(zhì)，所述裝置將吸附有所述微粒雜質(zhì)的所述玻璃從所述成膜腔室中取出。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述裝置對(duì)所述玻璃進(jìn)行HF表面活化，以增加所述玻璃的表面粗糙度。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述裝置通過(guò)傳片吸附將所述微粒雜質(zhì)吸附在所述玻璃的表面。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述裝置通過(guò)清洗降低所述玻璃表面上吸附的所述微粒雜質(zhì)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述成膜腔窒為PVD或CVD成膜腔室。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種降低成膜腔室中微粒雜質(zhì)的方法及裝置，其中方法包括：對(duì)玻璃進(jìn)行表面活化，將玻璃置于成膜腔室中，通過(guò)玻璃吸附成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，將吸附有微粒雜質(zhì)的玻璃從成膜腔室中取出。通過(guò)上述方式，本發(fā)明可降低液晶工藝中的PVD或CVD制程中成膜腔室中的微粒雜質(zhì)，避免由于微粒雜質(zhì)導(dǎo)致的成膜后膜層損傷、膜脫、器件失效等缺陷，降低因?yàn)槲⒘ｋs質(zhì)造成的產(chǎn)品良率損失。
【IPC分類】C23C16/00, C23C14/00
【公開號(hào)】CN104947036
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510405071
【發(fā)明人】張文波
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請(qǐng)日】2015年7月10日