本發(fā)明涉及用于制造包括襯底和通過化學(xué)氣相沉積(cvd)過程施加到襯底上的膜的類型的半導(dǎo)體器件的設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、這種類型的設(shè)備包括處理室，其中布置多個襯底，并且其中供應(yīng)到處理室的處理氣體經(jīng)歷cvd過程，以在多個襯底上形成膜。

2、由這種設(shè)備實施的制造過程的一方面可以是，cvd過程應(yīng)導(dǎo)致在布置在處理室中的每個襯底上形成基本相同的膜(例如具有基本相同的厚度)。

3、這可以在處理室中為多個襯底占據(jù)的所有位置建立諸如溫度、氣體流量和壓力的均勻條件時實現(xiàn)。

4、jp2014123616a、jp5783859b2和jp2550024b2公開了某些現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提出了一種用于制造半導(dǎo)體器件的設(shè)備。

2、本發(fā)明總體涉及根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備。

3、本發(fā)明還涉及根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法。

4、權(quán)利要求形成了這里提供的教導(dǎo)的組成部分。

技術(shù)特征：

1.一種用于制造包括襯底(101)和通過化學(xué)氣相沉積(cvd)過程施加到襯底上的膜的類型的半導(dǎo)體器件的設(shè)備(10)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述外殼(8)包括沿第二參考軸線連續(xù)布置的：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述外殼(8)具有在所述中心段(8d)相對于所述入口和出口段(8c、8e)增大的橫截面流動面積，使得中心段(8d)中的氣流速度低于入口和出口段(8c、8e)中的氣流速度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的設(shè)備，其中，所述外殼(8)具有橫截面流動面積，該橫截面流動面積沿第一參考軸線(z)的尺寸在所述入口、中心和出口段(8c、8d、8e)上都一致且恒定。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備，其中，所述入口段(8c)包含沿第一參考軸線(z)延伸的一系列線性翅片(8f)，所述翅片面向所述入口(8a)并沿第一參考軸線(z)等距間隔開，以便將進入所述外殼入口(8a)的氣流均勻分配到對應(yīng)于線性結(jié)構(gòu)(101’)中的襯底(101)的位置的多個位置。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備，其中，所述外殼(8)包括一對相對壁(81)和一對端蓋(82)，該對相對壁都大致沿第二參考軸線(y)延伸，該對端蓋安裝至該對壁(81)的沿第一參考軸線(z)彼此相對的邊緣。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，參照第二參考軸線(y)：

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備，其中，所述外殼(8)由導(dǎo)熱材料制成，優(yōu)選為石墨或碳化硅，所述加熱系統(tǒng)布置成加熱外殼。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述加熱系統(tǒng)包括加熱器(3)，其產(chǎn)生熱輻射以加熱所述外殼(8)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，所述加熱系統(tǒng)包括兩個系列(3a、3b)熱輻射加熱器(3)，所述熱輻射加熱器布置在所述外殼(8)的外部，以面向外殼(8)的一對相對壁(81)并沿其延伸，該對相對壁(81)通常沿著第二參考軸線(y)延伸。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，每個系列(3a、3b)加熱器(3)遵循與沿著第二參考軸線(y)的相應(yīng)外殼壁(81)的輪廓相匹配的線(m)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的設(shè)備，其中，所述加熱系統(tǒng)配置為將所述外殼(8)的入口段(8c)加熱至比外殼(8)的中心和出口段(8d、8e)更高的溫度。

13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備，其中，所述輸送單元(4)包括具有多個孔的擋板(42a)，處理氣體通過所述孔噴射，擋板(42a)設(shè)置成平行于所述外殼的入口(8a)并正交于第二參考軸線(y)。

14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備，其中，所述廢氣抽取單元(6)包括具有多個孔的擋板(62a)，廢氣通過所述孔排出，擋板(62a)設(shè)置成平行于所述外殼(8)的出口(8b)并正交于第二參考軸線(y)。

15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備，其中，所述輸送單元(4)包括用于冷卻被輸送的處理氣體的冷卻管，和/或其中，所述廢氣抽取單元(6)包括用于冷卻被抽取的處理廢氣的冷卻管。

16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備，包括：

17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備，其中，第一參考軸線(z)是豎直的，第二參考軸線(y)是水平的。

18.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備，

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，包括支撐所述外殼(8)、輸送單元(4)和廢氣抽取單元(6)的基座(12)；

20.一種用于制造包括襯底(101)和通過化學(xué)氣相沉積(cvd)過程施加到襯底上的膜的類型的半導(dǎo)體器件的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
用于制造包括襯底(101)和通過化學(xué)氣相沉積(CVD)過程施加到襯底上的膜的類型的半導(dǎo)體器件的設(shè)備(10)，包括：處理室(2)，其中沿著處理室(2)的第一參考軸線(Z)并根據(jù)襯底(101)位于與第一參考軸線(Z)正交的平行平面中的取向以線性結(jié)構(gòu)(101’)布置襯底(101)；用于將處理室(2)加熱到預(yù)定內(nèi)部溫度的加熱系統(tǒng)；用于將處理氣體輸送到處理室(2)的輸送單元(4)，其中在處理室(2)中，處理氣體經(jīng)歷CVD過程以在線性結(jié)構(gòu)的每個襯底(101)上形成膜；廢氣抽取單元(6)，用于從處理室(2)抽取處理廢氣。

技術(shù)研發(fā)人員：F·科里亞,S·波利,S·R·M·普雷蒂,D·克里帕,G·瓦倫特,R·伯奇
受保護的技術(shù)使用者：LPE公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23