技術總結
本實用新型公開了一種化學氣相沉積系統(tǒng)。所述化學氣相沉積系統(tǒng)具有多個反應室以在各個所述反應室內(nèi)的晶片上外延層生長中進行獨立地操作，以減少加工時間且同時保持制造高性能半導體裝置所必需的質(zhì)量。

技術研發(fā)人員：喬治·帕帕索利奧蒂斯;米格爾·索爾達娜;布雷特·斯諾登;尤利·拉什科夫斯基;邁克爾·佩奇
受保護的技術使用者：維易科儀器有限公司
文檔號碼：201720363485
技術研發(fā)日：2016.08.31
技術公布日：2017.11.17