半導(dǎo)體晶圓減薄裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，包括第一轉(zhuǎn)動機(jī)械軸和第二轉(zhuǎn)動機(jī)械軸，所述第一轉(zhuǎn)動機(jī)械軸下方設(shè)有第一產(chǎn)品吸附平臺，所述第二轉(zhuǎn)動機(jī)械軸上方設(shè)有第二產(chǎn)品吸附平臺，所述第一產(chǎn)品吸附平臺與所述第二產(chǎn)品吸附平臺之間設(shè)有磨輪，所述磨輪的上下表面均設(shè)有磨輪齒，所述磨輪的上表面與所述第一產(chǎn)品吸附平臺相對設(shè)置，所述磨輪的下表面與所述第二產(chǎn)品吸附平臺相對設(shè)置。本實用新型的半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，可以同時實現(xiàn)不同研磨品質(zhì)要求的半導(dǎo)體晶圓減薄研磨工藝，可以同時進(jìn)行樹脂面減薄和硅面減薄，提高設(shè)備利用率，成倍增加了磨片機(jī)產(chǎn)能及工藝的靈活性。
【專利說明】半導(dǎo)體晶圓減薄裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及圓片級封裝領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體晶圓減薄裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]在圓片級封裝領(lǐng)域，經(jīng)過圓片級封裝的半導(dǎo)體晶圓，一般都需要通過磨片機(jī)進(jìn)行減薄厚度，其基本方式是通過半導(dǎo)體晶圓和研磨砂輪的相對運動來實現(xiàn)，分別是通過粗磨和精磨兩個砂輪實現(xiàn)，精磨砂輪的顆粒尺寸直接決定了研磨的品質(zhì)。
[0003]參見圖1，轉(zhuǎn)動機(jī)械軸1下方安裝磨輪固定鑄鐵2，磨輪固定鑄鐵2下方安裝磨輪3，產(chǎn)品硅片4吸附在產(chǎn)品承載平臺5上，將磨輪3需要研磨的面向上放置，通過上部的磨輪3轉(zhuǎn)動，來達(dá)到研磨的目的。如果需要研磨不同的面，需要更換不同的磨輪。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)的磨片機(jī)作業(yè)時只能安裝一個型號的精磨砂輪，而半導(dǎo)體圓片級封裝領(lǐng)域?qū)ν黄A又有不同的研磨品質(zhì)的要求。例如有些產(chǎn)品需進(jìn)行硅面和樹脂面的減薄，其作業(yè)順序只能是:先進(jìn)行硅面減薄，更換樹脂磨輪后再進(jìn)行樹脂面減薄。這樣導(dǎo)致一片產(chǎn)品減薄硅面及樹脂面，需要多次進(jìn)行磨輪的更換，不但浪費材料，還大大降低了設(shè)備的利用率。
實用新型內(nèi)容
[0005]在下文中給出關(guān)于本實用新型的簡要概述，以便提供關(guān)于本實用新型的某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解，這個概述并不是關(guān)于本實用新型的窮舉性概述。它并不是意圖確定本實用新型的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本實用新型的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。
[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本實用新型提供一種提高設(shè)備利用率，增加產(chǎn)能的半導(dǎo)體晶圓減薄裝置。
[0007]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采取的技術(shù)方案是:
[0008]一種半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，包括第一轉(zhuǎn)動機(jī)械軸和第二轉(zhuǎn)動機(jī)械軸，所述第一轉(zhuǎn)動機(jī)械軸下方設(shè)有第一產(chǎn)品吸附平臺，所述第二轉(zhuǎn)動機(jī)械軸上方設(shè)有第二產(chǎn)品吸附平臺，所述第一產(chǎn)品吸附平臺與所述第二產(chǎn)品吸附平臺之間設(shè)有磨輪，所述磨輪的上下表面均設(shè)有磨輪齒，所述磨輪的上表面與所述第一產(chǎn)品吸附平臺相對設(shè)置，所述磨輪的下表面與所述第二產(chǎn)品吸附平臺相對設(shè)置。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是:
[0010]本實用新型的半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，可以同時實現(xiàn)不同研磨品質(zhì)要求的半導(dǎo)體晶圓減薄研磨工藝，可以同時進(jìn)行樹脂面減薄和硅面減薄，提高設(shè)備利用率，成倍增加了磨片機(jī)產(chǎn)能及工藝的靈活性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的磨片機(jī)研磨部分的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為本實用新型提供的的半導(dǎo)體晶圓減薄裝置的研磨部分結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]附圖標(biāo)記:
[0015]1-轉(zhuǎn)動機(jī)械軸；2磨輪固定鑄鐵；3磨輪，30磨輪齒，31第一磨輪，32第二磨輪；4硅片；5產(chǎn)品承載平臺；6第一轉(zhuǎn)動機(jī)械軸；7第二轉(zhuǎn)動機(jī)械軸；8第一產(chǎn)品吸附平臺；9第二產(chǎn)品吸附平臺；10貫穿軸；11樹脂。

【具體實施方式】
[0016]為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。在本實用新型的一個附圖或一種實施方式中描述的元素和特征可以與一個或更多個其它附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本實用新型無關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0017]參見圖2，一種半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，包括第一轉(zhuǎn)動機(jī)械軸6和第二轉(zhuǎn)動機(jī)械軸7，第一轉(zhuǎn)動機(jī)械軸6下方設(shè)有第一產(chǎn)品吸附平臺8，第二轉(zhuǎn)動機(jī)械軸7上方設(shè)有第二產(chǎn)品吸附平臺9，第一產(chǎn)品吸附平臺8與第二產(chǎn)品吸附平臺9之間設(shè)有磨輪3，所述磨輪3的上下表面均設(shè)有磨輪齒30，磨輪3的上表面與第一產(chǎn)品吸附平臺8相對設(shè)置，磨輪3的下表面與第二產(chǎn)品吸附平臺9相對設(shè)置。
[0018]采用本實用新型的半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，可同時作業(yè)硅面及樹脂面，實現(xiàn)硅面及樹脂面的減薄，提高了設(shè)備利用率，增加了產(chǎn)能。
[0019]優(yōu)選地，磨輪3包括第一磨輪31和第二磨輪32，第二磨輪32位于第一磨輪31的，第一磨輪31和第二磨輪31通過貫穿軸10連接，第一磨輪31的上表面設(shè)有磨輪齒30，第一磨輪31與第一產(chǎn)品吸附平臺8相對設(shè)置，所述第二磨輪32的下表面設(shè)有磨輪齒30，第二磨輪32與第二產(chǎn)品吸附平臺9相對設(shè)置。
[0020]優(yōu)選地，第一產(chǎn)品吸附平臺8下方用于吸附硅片4，第一磨輪31為硅面減薄磨輪，硅面減薄磨輪對圓片硅面進(jìn)行減薄。
[0021]優(yōu)選地，第二產(chǎn)品吸附平臺9上方用于吸附樹脂11，第二磨輪32為樹脂面減薄磨輪，樹脂面減薄磨輪對圓片樹脂面進(jìn)行減薄。
[0022]優(yōu)選地，為方便操作及整體的緊湊性，設(shè)計時，第一轉(zhuǎn)動機(jī)械軸6、第一產(chǎn)品吸附平臺8、磨輪3、第二轉(zhuǎn)動機(jī)械軸7及第一產(chǎn)品吸附平臺9的軸線位于同一條線上。
[0023]采用本實用新型的半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，可以在不進(jìn)行磨輪更換的前提下，同時作業(yè)硅面及樹脂面的減薄，增加了磨片機(jī)的產(chǎn)能。
[0024]本實用新型的工作原理:磨輪做成正反面都有磨輪齒的結(jié)構(gòu)，作業(yè)時磨輪不旋轉(zhuǎn)，而是產(chǎn)品承載平臺吸附產(chǎn)品進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，來達(dá)到研磨的目的。并且減薄設(shè)備設(shè)計為雙料盒上下料，分為料盒A及料盒B，料盒A的產(chǎn)品進(jìn)行硅減薄，料盒B的產(chǎn)品進(jìn)行樹脂減薄，將硅面減薄磨輪和樹脂減薄磨輪各取1片，一個磨輪齒向上一個磨輪齒向下，中間用貫穿軸固定，進(jìn)料手臂將料盒A中產(chǎn)品放置到上吸附平臺進(jìn)行硅減薄，將料盒B中產(chǎn)品放置到下吸附平臺進(jìn)行樹脂減薄，這樣就實現(xiàn)了 A料盒產(chǎn)品在上端進(jìn)行硅減薄作業(yè)，B料盒產(chǎn)品在下端進(jìn)行樹脂作業(yè)，互不干擾。實現(xiàn)一臺設(shè)備同時進(jìn)行硅及樹脂減薄。提高了設(shè)備利用率的同時，增加了產(chǎn)能。
[0025]在本實用新型上述各實施例中，實施例的序號僅僅便于描述，不代表實施例的優(yōu)劣。對各個實施例的描述都各有側(cè)重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實施例的相關(guān)描述。
[0026]在本實用新型的裝置和方法等實施例中，顯然，各部件或各步驟是可以分解、組合和/或分解后重新組合的。這些分解和/或重新組合應(yīng)視為本實用新型的等效方案。同時，在上面對本實用新型具體實施例的描述中，針對一種實施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類似的方式在一個或更多個其它實施方式中使用，與其它實施方式中的特征相組合，或替代其它實施方式中的特征。
[0027]應(yīng)該強(qiáng)調(diào)，術(shù)語“包括/包含”在本文使用時指特征、要素、步驟或組件的存在，但并不排除一個或更多個其它特征、要素、步驟或組件的存在或附加。
[0028]最后應(yīng)說明的是:雖然以上已經(jīng)詳細(xì)說明了本實用新型及其優(yōu)點，但是應(yīng)當(dāng)理解在不超出由所附的權(quán)利要求所限定的本實用新型的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行各種改變、替代和變換。而且，本實用新型的范圍不僅限于說明書所描述的過程、設(shè)備、手段、方法和步驟的具體實施例。本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員從本實用新型的公開內(nèi)容將容易理解，根據(jù)本實用新型可以使用執(zhí)行與在此所述的相應(yīng)實施例基本相同的功能或者獲得與其基本相同的結(jié)果的、現(xiàn)有和將來要被開發(fā)的過程、設(shè)備、手段、方法或者步驟。因此，所附的權(quán)利要求旨在在它們的范圍內(nèi)包括這樣的過程、設(shè)備、手段、方法或者步驟。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，其特征在于，包括第一轉(zhuǎn)動機(jī)械軸和第二轉(zhuǎn)動機(jī)械軸，所述第一轉(zhuǎn)動機(jī)械軸下方設(shè)有第一產(chǎn)品吸附平臺，所述第二轉(zhuǎn)動機(jī)械軸上方設(shè)有第二產(chǎn)品吸附平臺，所述第一產(chǎn)品吸附平臺與所述第二產(chǎn)品吸附平臺之間設(shè)有磨輪，所述磨輪的上下表面均設(shè)有磨輪齒，所述磨輪的上表面與所述第一產(chǎn)品吸附平臺相對設(shè)置，所述磨輪的下表面與所述第二產(chǎn)品吸附平臺相對設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，其特征在于，所述磨輪包括第一磨輪和第二磨輪，所述第二磨輪位于所述第一磨輪的下方，所述第一磨輪和第二磨輪通過貫穿軸連接，所述第一磨輪的上表面設(shè)有磨輪齒，所述第一磨輪與所述第一產(chǎn)品吸附平臺相對設(shè)置，所述第二磨輪的下表面設(shè)有磨輪齒，所述第二磨輪與所述第二產(chǎn)品吸附平臺相對設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，其特征在于，所述第一產(chǎn)品吸附平臺下方用于吸附硅片，所述第一磨輪為硅面減薄磨輪。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，其特征在于，所述第二產(chǎn)品吸附平臺上方用于吸附樹脂，所述第二磨輪為樹脂面減薄磨輪。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶圓減薄裝置，其特征在于，所述第一轉(zhuǎn)動機(jī)械軸、第一產(chǎn)品吸附平臺、磨輪、第二轉(zhuǎn)動機(jī)械軸及第一產(chǎn)品吸附平臺的軸線位于同一條線上。
【文檔編號】B24B37/10GK204209541SQ201420628115
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年10月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月27日
【發(fā)明者】郭其俊, 王棟衛(wèi) 申請人:南通富士通微電子股份有限公司