一種高真空磁控軸瓦濺鍍的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī)，涉及濺渡裝置【技術(shù)領(lǐng)域】，結(jié)構(gòu)包括濺渡殼體，濺渡殼體內(nèi)設(shè)有濺渡腔，濺渡腔設(shè)有濺射靶和軸瓦支撐架，濺渡殼體底部設(shè)有底座，底座上設(shè)有濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸，濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸固定設(shè)有用來活動放置濺射靶的濺射靶支撐架，所述濺射靶為雙面靶，正面為鎳靶、背面為合金靶，濺射靶支撐架中間固定連接有濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸，兩側(cè)邊緣為凹凸鋸齒狀，在所述底座7上還設(shè)有擋板10，所述擋板邊緣設(shè)有與濺射靶支撐架3兩側(cè)邊緣為凹凸鋸齒狀配合的凹凸鋸齒狀，所述軸瓦支撐架包括軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸和活動裝設(shè)在軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸上用來懸掛軸瓦的掛柱，本種濺鍍方式是安全環(huán)保的，通過設(shè)置可旋轉(zhuǎn)的兩面靶，解決以往受降溫以及更換靶材等步驟制約，增加了工作產(chǎn)量、提高了效率。
【專利說明】一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī)【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及濺渡裝置，尤其涉及一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前標(biāo)準(zhǔn)軸瓦都分為四層:鋼背，燒結(jié)在鋼背上的銅基合金，鎳柵層，減磨合金層，通常加工標(biāo)準(zhǔn)軸瓦的方法是:1、先制造鋼背，2、在鋼背上燒結(jié)或澆筑銅基合金層，3、再在將鎳柵層電鍍于銅基合金層上，4、再送入濺鍍設(shè)備內(nèi)濺鍍減磨合金層，這種方法缺點是:方法步驟中包含電鍍方式，屬于污染嚴(yán)重且對人體傷害較大的加工方法，另一種加工標(biāo)準(zhǔn)軸瓦的方法是:1、先制造鋼背，2、在鋼背上燒結(jié)或澆筑銅基合金層，3、將該軸瓦基體送入濺鍍設(shè)備分層濺鍍鎳柵層和減磨合金層，本方法是安全環(huán)保的，但缺點是由于要濺鍍兩層(鎳柵層和減磨合金層)，受目前濺鍍設(shè)備的限制，因此在濺鍍完鎳柵層后要降溫冷卻后更換鎳靶換成合金材料靶，這種濺鍍方式受降溫以及更換靶材等步驟制約，產(chǎn)量、效率很低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述問題，本發(fā)明提供了一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī)。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:提供了一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī)，包括濺渡殼體，濺渡殼體內(nèi)設(shè)有濺渡腔，所述濺渡腔設(shè)有濺射靶和軸瓦支撐架，所述濺渡殼體底部設(shè)有底座，所述底座上設(shè)有濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸，所述濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸固定設(shè)有用來活動放置濺 射靶的濺射靶支撐架，所述所述濺射靶為雙面靶，正面為鎳靶、背面為合金靶，所述濺射靶支撐架中間固定連接有濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸，兩側(cè)邊緣為方便濺射靶支撐架之間互相配合的凹凸鋸齒狀，所述軸瓦支撐架包括軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸和活動裝設(shè)在軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸上用來懸掛軸瓦的掛柱。
[0005]進(jìn)一步地，在所述底座下方設(shè)有電機(jī)，所述濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸6和軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸各獨自連接一個電機(jī)。
[0006]進(jìn)一步地，所述軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸表面設(shè)有多個螺紋孔，所述掛柱尾端設(shè)有與螺紋孔配合的牙，所述掛柱中間半徑小于首段半徑。
[0007]進(jìn)一步地，所述每兩個根軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸由一個擋板和擋板兩側(cè)邊緣各垂直緊靠一個濺射靶支撐架以及濺渡殼體圍繞著，所述每兩個根軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)向相反，所述濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)向為順時針。
[0008]進(jìn)一步地，所述濺渡殼體頂部設(shè)置有液壓裝置，所述液壓裝置通過圓桿貫穿濺渡殼體頂面連接一個設(shè)置在濺渡殼體內(nèi)部的圓形密封蓋。
[0009]由上述對本發(fā)明結(jié)構(gòu)的描述可知，和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點:
[0010]1.本種濺鍍方式是安全環(huán)保的，通過兩面靶，解決以往受降溫以及更換靶材等步驟制約，增加了工作產(chǎn)量、提高了效率。
[0011]2.掛柱活動連接在軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸上，選擇不同大小不同尺寸的掛柱以適應(yīng)不同尺寸規(guī)格軸瓦的要求，這樣就避免了對不同軸瓦麻煩?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0012]構(gòu)成本申請的一部分的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0013]圖1為本發(fā)明一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī)整體構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為本發(fā)明軸瓦支撐架的軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸和掛柱結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0015]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
實施例
[0016]通過參考圖1和圖2，一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī)，包括濺渡殼體1，濺渡殼體I內(nèi)設(shè)有濺渡腔2，所述濺渡腔8設(shè)有濺射靶2和軸瓦支撐架4，所述濺渡殼體I底部設(shè)有底座7，所述底座7上設(shè)有濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸6，所述濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸6固定設(shè)有用來活動放置濺射靶2的濺射靶支撐架3，所述所述濺射靶2為雙面靶，正面為鎳靶、背面為合金靶，所述濺射靶支撐架3中間固定連接有濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸6，兩側(cè)邊緣為凹凸鋸齒狀，在所述底座7上還設(shè)有擋板10，所述擋板邊緣設(shè)有與濺射靶支撐架3兩側(cè)邊緣為凹凸鋸齒狀配合的凹凸鋸齒狀，所述軸瓦支撐架4包括軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸5和活動裝設(shè)在軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸5上用來懸掛軸瓦的掛柱9，在所述底座7下方設(shè)有電機(jī)，所述濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸6和軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸5各獨自連接一個電機(jī)，所述軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸5表面設(shè)有多個螺紋孔，所述掛柱9尾端設(shè)有與螺紋孔配合的牙，所述掛柱9中間半徑小于首段半徑，所述每兩個根軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸5由一個擋板10和擋板10兩側(cè)邊緣各垂直緊靠一個濺射靶支撐架3以及濺渡殼體I圍繞著，所述每兩個根軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸5轉(zhuǎn)向相反，所述濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸6轉(zhuǎn)向為順時針，所述濺渡殼體I頂部設(shè)置有液壓裝置11，所述液壓裝置11通過圓桿貫穿濺渡殼體I頂面連接一個設(shè)置在濺渡殼體I內(nèi)部的圓形密封蓋12。
[0017]所謂濺鍍，是在靶材和承載件上分別接入電源的正負(fù)極，在靶材和承載件之間即可建立起一個電磁場，電源正極為電磁場陽極，電源負(fù)極為電磁場陰極。接通電源后電磁場能量通過濺鍍設(shè)備內(nèi)的惰性氣體對靶材轟擊,將靶材轟擊為中性離子濺射并沉積到對面的軸瓦基體上本發(fā)明則通過對濺射靶2設(shè)置為雙面靶，正面為鎳靶、背面為合金靶，將濺射靶
2設(shè)置在濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸6上的濺射靶支撐架3，通過旋轉(zhuǎn)濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸6實現(xiàn)濺射靶2翻轉(zhuǎn)，在濺射靶支撐架3邊緣設(shè)置為凹凸鋸齒狀，正好與擋板10緊密配合，濺渡殼體I頂部設(shè)置有液壓裝置11，液壓裝置11通過圓桿貫穿濺渡殼體I頂面連接一個設(shè)置在濺渡殼體I內(nèi)部的圓形密封蓋12，在對一面進(jìn)行濺射時，密封蓋12向下緊靠擋板10和濺射靶支撐架3，使軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸5存在一個密閉范圍內(nèi)，在對一面進(jìn)行濺射不容易造成不同靶面的不同靶材的污染，才能保持濺射靶2表面平整度，提高最終濺射效果，軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸5表面設(shè)有多個螺紋孔，掛柱9尾端設(shè)有與螺紋孔配合的牙，所述掛柱9中間半徑小于首段半徑，自行選擇不同型號掛柱9，使其方便不同軸瓦的濺渡。[0018]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī),包括濺渡殼體(I),濺渡殼體(I)內(nèi)設(shè)有濺渡腔(2 )，所述濺渡腔(8 )設(shè)有濺射靶(2 )和軸瓦支撐架(4 )，所述濺渡殼體(I)底部設(shè)有底座(7 )，其特征在于:在所述，所述底座(7 )上設(shè)有濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸(6 )，所述濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸(6 )固定設(shè)有用來活動放置濺射靶(2)的濺射靶支撐架(3)，所述所述濺射靶(2)為雙面靶，正面為鎳靶、背面為合金靶，所述濺射靶支撐架(3)中間固定連接有濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸(6)，兩側(cè)邊緣為凹凸鋸齒狀，在所述底座7上還設(shè)有擋板(10)，所述擋板(10)邊緣設(shè)有與濺射靶支撐架(3)兩側(cè)邊緣為凹凸鋸齒狀配合的凹凸鋸齒狀，所述軸瓦支撐架(4)包括軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸(5)和活動裝設(shè)在軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸(5)上用來懸掛軸瓦的掛柱(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī)，其特征在于:在所述底座(7)下方設(shè)有電機(jī)，所述濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸(6)和軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸(5)各獨自連接一個電機(jī)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī)，其特征在于:所述軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸(5)表面設(shè)有多個螺紋孔，所述掛柱(9)尾端設(shè)有與螺紋孔配合的牙，所述掛柱(9)中間半徑小于首段半徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī)，其特征在于:所述每兩個根軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸(5)由一個擋板(10)和擋板(10)兩側(cè)邊緣各垂直緊靠一個濺射靶支撐架(3)以及濺渡殼體(I)圍繞著，所述每兩個根軸瓦支架旋轉(zhuǎn)軸(5)轉(zhuǎn)向相反，所述濺射靶架旋轉(zhuǎn)軸(6)轉(zhuǎn)向為順時針。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高真空磁控軸瓦濺鍍機(jī)，其特征在于:所述濺渡殼體(I)頂部設(shè)置有液壓裝置(11)，所述液壓裝置(11)通過圓桿貫穿濺渡殼體(I)頂面連接一個設(shè)置在濺渡殼體(I)內(nèi)部的圓形密封蓋(12)。
【文檔編號】C23C14/35GK203768450SQ201420130056
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月21日
【發(fā)明者】木儉樸 申請人:煙臺大豐軸瓦有限責(zé)任公司