一種刀片基體上的涂覆涂層的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種刀片基體上的涂覆涂層，所涂覆涂層的總厚度為5-40μm，所述涂覆涂層中至少包括采用化學(xué)氣相沉積方式沉積的一層氧化鋁層；所述氧化鋁層的厚度為1μm至15μm，具有非常明顯細(xì)柱狀晶結(jié)構(gòu)，氧化鋁層中的每個(gè)晶粒都以相同的方向排列，定向均勻的生長(zhǎng)，柱狀晶的柱具有0.2μm至4μm的相同柱寬。本發(fā)明一方面能有效降低涂層的內(nèi)應(yīng)力，提高涂層的韌性，阻止裂紋的擴(kuò)展，減少刀片崩刃；另一方面，能提高刀具的耐磨性能。本發(fā)明的切削刀具涂層韌性?xún)?yōu)秀、耐磨性好，在鋼、鑄鐵、不銹鋼等材料的切削加工領(lǐng)域上具有優(yōu)異的切削性能。
【專(zhuān)利說(shuō)明】-種刀片基體上的涂覆涂層

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及包含涂覆有細(xì)柱狀晶α -A1203涂層主體的切削工具，特別是涉及一種 在刀片基體上的涂覆涂層。

【背景技術(shù)】
[0002] A1203涂層具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性和優(yōu)良的熱障特性，是高速切削刀具理想的涂層 材料。此外，需要強(qiáng)調(diào)的是，CVD仍然是能夠經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)高質(zhì)量的A1 203涂層的唯一技術(shù)手段。 通過(guò)CVD工藝沉積A1203涂層可以獲得二種不同的相，分別是α_Α1 203, k-A1203和γ_Α1203， 其中α-Α1 203是唯一穩(wěn)定的A1203相。亞穩(wěn)定的κ相和Y相將通過(guò)如沉積中的熱處理、沉 積后的熱處理以及切削加工中產(chǎn)生的熱量而轉(zhuǎn)化為穩(wěn)定的α相。在相變時(shí)發(fā)生的體積收 縮將降低并最終破壞κ -Α1203涂層的粘附性，如美國(guó)專(zhuān)利US5700569。因此，考慮到涂層的 沉積效果和耐磨損性能（尤其在高速切削時(shí)），α-Α1 203相應(yīng)該是最佳和最安全的選擇，如 美國(guó)專(zhuān)利US5137774。
[0003] 通常，刀片CVD涂層主要由碳氮化鈦內(nèi)部層和α-Α1203外部層組成。最近 十幾年來(lái)，氧化鋁涂層的晶體學(xué)取向（織構(gòu)）進(jìn)行了大量的研究：US 20040028951、 US 20060115662、US 20060141271、US 20060199026、US 20070104945、US 6869668、US 6333103等專(zhuān)利公開(kāi)了分別單獨(dú)獲得具有強(qiáng){012}生長(zhǎng)織構(gòu)、強(qiáng){110}生長(zhǎng)織構(gòu)、強(qiáng){116} 生長(zhǎng)織構(gòu)、強(qiáng){104}生長(zhǎng)織構(gòu)、強(qiáng){006}生長(zhǎng)織構(gòu)、強(qiáng){300}生長(zhǎng)織構(gòu)、強(qiáng){1010}生長(zhǎng)織構(gòu) 的 α-Α1203涂層，各自涂層都表現(xiàn)出優(yōu)異的切削性能。這些專(zhuān)利主要通過(guò)對(duì)氧化鋁成核和 生長(zhǎng)順序、粘結(jié)層、反應(yīng)氣體的使用順序、添加織構(gòu)改性劑等措施進(jìn)行織構(gòu)改善，并提高了 刀片的使用壽命。這些涂層通過(guò)X射線(xiàn)衍射（XRD)技術(shù)和織構(gòu)系數(shù)的概念確定所述織構(gòu)。
[0004] 當(dāng)α-Α1203涂層厚度為7μπι時(shí)，晶粒已很粗大，平均晶粒度達(dá)4μπι以上，很難 獲得穩(wěn)定不易脫落的α -Α1Α厚膜涂層，而且粗大的氧化鋁經(jīng)常含有孔洞和晶體缺陷。 為了獲得高質(zhì)量、細(xì)顆粒的α-Α120 3涂層，通常采用多層分步沉積的方法。如：美國(guó)專(zhuān)利 US6713172公開(kāi)的氧化鋁采用分層多次沉積的方法，層與層之間通過(guò)極薄的鈦氧化物來(lái)間 隔，可以獲得表面平均顆粒約〇. 5μπι的α-Α1203涂層。美國(guó)專(zhuān)利US5071696通過(guò)控制成 核條件及利用κ-Α1 203亞穩(wěn)定相轉(zhuǎn)化為α_Α1203相，獲得細(xì)顆粒的氧化鋁涂層，顆粒大小 在0. 5?2 μ m之間。ZL201110024134通過(guò)氧化鋁在成核過(guò)程及生產(chǎn)過(guò)程控制C02與C0 之間的比例細(xì)化氧化鋁晶粒，涂層厚度為7μπι時(shí)，平均晶粒度小于Ιμπι。ZL201110439260 通過(guò)涂層過(guò)渡層有效的組合，當(dāng)氧化鋁涂層厚度為d = 0. 5 μ m?4 μ m，其平均晶粒度S為 0. 2 μ m < S < 0. 5 μ m。
[0005] 但是，氧化鋁涂層在傳統(tǒng)的CVD氧化鋁涂層中，晶體的生長(zhǎng)方向都是隨機(jī)的，這就 會(huì)造成涂層易產(chǎn)生裂紋，涂層的內(nèi)應(yīng)力增大，涂層的韌性不足等弊端。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種在刀片基體上的涂覆涂層，通 過(guò)對(duì)氧化鋁層的工藝改進(jìn)，一方面能有效降低涂層的內(nèi)應(yīng)力，提高涂層的韌性，阻止裂紋的 擴(kuò)展，減少刀片崩刃；另一方面，能提高刀具的耐磨性能。
[0007] 本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：
[0008] -種刀片基體上的涂覆涂層，所涂覆涂層的總厚度為5-40 μ m，優(yōu)選為5-25 μ m， 所述涂覆涂層中至少包括采用化學(xué)氣相沉積方式沉積的一層氧化鋁層；所述氧化鋁層的厚 度為1 μ m至15 μ m，具有非常明顯細(xì)柱狀晶結(jié)構(gòu)，氧化鋁層中的每個(gè)晶粒都以相同的方向 排列，定向均勻的生長(zhǎng)，柱狀晶的柱具有〇. 2μπ?至4μπ?的相同柱寬。
[0009] 所述氧化鋁層的晶粒非常均勻，柱狀晶的柱具有0. 7 μ m至1. 5 μ m的相同柱寬。
[0010] 所述氧化鋁層包括氧化鋁成核層，所述氧化鋁成核層是沉積在過(guò)渡層上，所述過(guò) 渡層包括TiAICNO層和TiCO層；所述TiAICNO層厚度為0. 1-3 μ m，所述TiCO層的厚度為 0· 1 ?0· 5 μ m〇
[0011] 所述TiAICNO層中各元素百分含量進(jìn)行梯度的變化，其中A1元素、0元素的百分 含量進(jìn)行梯度遞增變化，Ti元素、C元素、N元素的百分含量進(jìn)行梯度遞減變化。
[0012] 所述TiAICNO層上生長(zhǎng)受控氧含量的TiCO層，在沉積TiCO層過(guò)程中，控制C02/C0 氣體流量比在〇. 2彡（C02/C0)彡5。
[0013] 所述的沉積TiCO層過(guò)程中，控制C02/C0氣體流量比在0. 4彡（C02/C0)彡0. 8。
[0014] 所述氧化鋁層生長(zhǎng)在所述TiCO層上方，沉積氧化鋁層過(guò)程包括沉積氧化鋁成核 層過(guò)程和沉積氧化鋁涂層過(guò)程；所述氧化鋁成核層的厚度為0. 1?0. 8 μ m ;所述氧化鋁涂 層的厚度為2?15 μ m。
[0015] 在沉積氧化鋁成核層過(guò)程中，反應(yīng)氣體包含體積1%?5%的C02、2%?10%的 A1C13、1%?15%的HC1以及其余為H2的氣體混合物；溫度在900?1020°C;壓力為50? 200mbar。
[0016] 在沉積氧化鋁涂層過(guò)程中，反應(yīng)氣體包含體積2%?10 %的A1C13、0. 1?10 %的 C0、1?10%的C02、0?15%的HC1，0. 01 %?1 %的H2S以及其余為H2的氣體混合物；溫度 在 9〇0 ?l〇2〇°C ;壓力 5〇 ?2〇Ombar。
[0017] 所述的涂覆涂層與TiN層、MT-TiCN層、MT-ZrCN層結(jié)合，配合基體可以定制各種不 同用途的涂層刀片。
[0018] 所述的刀片基體包含硬質(zhì)合金，優(yōu)選為具有結(jié)合相富集表面區(qū)域的硬質(zhì)合金，CBN 或CBN燒結(jié)合金。
[0019] 本發(fā)明氧化鋁柱狀晶涂層生長(zhǎng)在過(guò)渡層上，該過(guò)渡層包含TiAICNO層和沉積TiCO 層。在沉積粘結(jié)相AlTiCNO層過(guò)程中，是在反應(yīng)室內(nèi)通入體積0. 2%?10%的TiCl4、 0· 2%?8% 的 A1C13,0. 2 ?3% 的 C0、0. 3%?5% 的 C02、0. 2%?7% 的 CH4、0 ?15%的隊(duì) 以及其余為H2的氣體混合物，在900?1020°C溫度下，并且在50?200mbar的壓強(qiáng)下，沉 積粘結(jié)相AlTiCNO層；在沉積TiCO層過(guò)程中，是在反應(yīng)室內(nèi)通入體積2%?6%的TiCl 4、 1%?3%的C0、0. 2%?9%的C02、0. 2%?7%的CH4、0?15%的N2以及其余為H2的氣 體混合物中，在900?1020°C溫度下，并且在50?200mbar的壓強(qiáng)下，沉積TiCO層；其中， TiCO層是沉積在粘結(jié)相AlTiCNO層表面上；所述氧化鋁成核層是沉積在TiCO層表面上； TiAICNO層厚度約為0. 1-1. 5 μ m，通過(guò)對(duì)涂層工藝進(jìn)行優(yōu)化，控制該過(guò)渡層各元素百分含 量進(jìn)行梯度的變化，其中A1、0元素的百分含量進(jìn)行梯度遞增變化變化，Ti、C、N等元素的 百分含量進(jìn)行梯度遞減變化。在該層上生長(zhǎng)受控氧含量的TiCO層，通過(guò)調(diào)節(jié)優(yōu)化層co2與 C0之間的比例來(lái)控制氧化氣氛，為氧化鋁柱狀晶提供了必要條件，所述co2/co氣體流量比 在 0· 2 彡（C02/C0)彡 5、優(yōu)選 0· 4 彡（C02/C0)彡 0· 8。
[0020] 本發(fā)明在氧化鋁成長(zhǎng)過(guò)程中，采用C02\C0氣體有效的控制氧化鋁涂層形貌，沿 著同一方向定向的成長(zhǎng)，并形成獨(dú)有的柱狀晶結(jié)構(gòu)，C0 2/C0氣體流量比在0. 1 < (C02/ C0) < 20、優(yōu)選2 < (C02/C0) < 6,進(jìn)行連續(xù)地或階梯式地循環(huán)變化。
[0021] 與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的有益效果是：
[0022] 本發(fā)明技術(shù)的氧化鋁涂層晶體形成非常明顯的柱狀晶。氧化鋁涂層的每個(gè)晶體都 以相同的方向排列，定向均勻的生長(zhǎng)。均勻的結(jié)構(gòu)可使涂層具有可控的優(yōu)化性能，晶體定向 排列的α -A1203柱狀晶涂層將會(huì)裂紋較少，能有效降低涂層的內(nèi)應(yīng)力，提高涂層的韌性，阻 止裂紋的擴(kuò)展，減少刀片崩刃。同時(shí)氧化鋁柱狀晶晶粒比較細(xì)，耐磨性能得到了有效的保 證。在切削時(shí)即使受到反復(fù)的機(jī)械沖擊及熱沖擊，涂層也不容易產(chǎn)生剝離或破壞，從而改善 了刀具在連續(xù)切削條件下的抗崩刃性能，這對(duì)加工不銹鋼，合金鋼，球墨鑄鐵等十分有利。
[0023] 通過(guò)本發(fā)明最優(yōu)化的條件限定α -A1203生長(zhǎng)形貌，使氧化鋁涂層生長(zhǎng)成均勻的柱 狀晶結(jié)構(gòu)，并沿著同一方向定向的生長(zhǎng)，能大幅度提高了氧化鋁涂層的耐磨損性和抗崩刃 性能。
[0024] 以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明；但本發(fā)明的一種刀片基體上 的涂覆涂層不局限于實(shí)施例。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025] 圖1為本發(fā)明柱狀晶α -A1203涂層的表面電鏡照片；
[0026] 圖2為本發(fā)明柱狀晶α -A1203涂層的斷面電鏡照片；
[0027] 圖3為現(xiàn)有技術(shù)α -A1203涂層的表面電鏡照片；
[0028] 圖4為現(xiàn)有技術(shù)α_Α1203涂層的斷面電鏡照片。

【具體實(shí)施方式】
[0029] 實(shí)施例
[0030] 本發(fā)明的一種刀片基體上的涂覆涂層，所涂覆涂層的總厚度為5-40 μ m，優(yōu)選為 5-25 μ m，所述涂覆涂層中至少包括采用化學(xué)氣相沉積方式沉積的一層氧化鋁層；所述氧化 鋁層的厚度為1 μ m至15 μ m，具有非常明顯細(xì)柱狀晶結(jié)構(gòu)，氧化鋁層中的每個(gè)晶粒都以相 同的方向排列，定向均勻的生長(zhǎng)，柱狀晶的柱具有〇. 2μπι至4μπι的相同柱寬。
[0031] 所述氧化鋁層的晶粒非常均勻，柱狀晶的柱具有0. 7μπι至1. 5μπι的相同柱寬。
[0032] 所述氧化鋁層包括氧化鋁成核層，所述氧化鋁成核層是沉積在過(guò)渡層上，所述過(guò) 渡層包括TiAICNO層和TiCO層；所述TiAICNO層厚度為0. 1-3 μ m，所述TiCO層的厚度為 0· 1 ?0· 5 μ m〇
[0033] 所述TiAICNO層中各元素百分含量進(jìn)行梯度的變化，其中A1元素、0元素的百分 含量進(jìn)行梯度遞增變化，Ti元素、C元素、N元素的百分含量進(jìn)行梯度遞減變化。
[0034] 所述TiAICNO層上生長(zhǎng)受控氧含量的TiCO層，在沉積TiCO層過(guò)程中，控制C02/C0 氣體流量比在〇. 2彡（C02/C0)彡5。
[0035] 所述的沉積TiCO層過(guò)程中，控制C02/C0氣體流量比在0. 4彡（C02/C0)彡0. 8。
[0036] 所述氧化鋁層生長(zhǎng)在所述TiCO層上方，沉積氧化鋁層過(guò)程包括沉積氧化鋁成核 層過(guò)程和沉積氧化鋁涂層過(guò)程；所述氧化鋁成核層的厚度為〇. 1?〇. 8 μ m ;所述氧化鋁涂 層的厚度為2?15 μ m。
[0037] 在沉積氧化鋁成核層過(guò)程中，反應(yīng)氣體包含體積1 %?5%的C02、2%?10%的 A1C13、1%?15%的HC1以及其余為H2的氣體混合物；溫度在900?1020°C;壓力為50? 200mbar。
[0038] 在沉積氧化鋁涂層過(guò)程中，反應(yīng)氣體包含體積2%?10 %的A1C13、0. 1?10 %的 CO、1?10%的C02、0?15%的HC1，0. 01 %?1 %的H2S以及其余為H2的氣體混合物；溫度 在 9〇0 ?l〇2〇°C ;壓力 5〇 ?2〇Ombar。
[0039] 所述的涂覆涂層與TiN層、MT-TiCN層、MT-ZrCN層結(jié)合，配合基體可以定制各種不 同用途的涂層刀片。
[0040] 所述的刀片基體包含硬質(zhì)合金，優(yōu)選為具有結(jié)合相富集表面區(qū)域的硬質(zhì)合金，CBN 或CBN燒結(jié)合金。
[0041] 本發(fā)明氧化鋁柱狀晶涂層生長(zhǎng)在過(guò)渡層上，該過(guò)渡層包含TiAICNO層和沉積TiCO 層。在沉積粘結(jié)相AlTiCNO層過(guò)程中，是在反應(yīng)室內(nèi)通入體積0. 2%?10%的TiCl4、 0· 2%?8% 的 A1C13,0. 2 ?3% 的 C0、0. 3%?5% 的 C02、0. 2%?7% 的 CH4、0 ?15%的隊(duì) 以及其余為H2的氣體混合物，在900?1020°C溫度下，并且在50?200mbar的壓強(qiáng)下，沉 積粘結(jié)相AlTiCNO層；在沉積TiCO層過(guò)程中，是在反應(yīng)室內(nèi)通入體積2%?6%的TiCl 4、 1%?3%的C0、0. 2%?9%的C02、0. 2%?7%的CH4、0?15%的N2以及其余為H2的氣 體混合物中，在900?1020°C溫度下，并且在50?200mbar的壓強(qiáng)下，沉積TiCO層；其中， TiCO層是沉積在粘結(jié)相AlTiCNO層表面上；所述氧化鋁成核層是沉積在TiCO層表面上； TiAICNO層厚度約為0. 1-1. 5 μ m，通過(guò)對(duì)涂層工藝進(jìn)行優(yōu)化，控制該過(guò)渡層各元素百分含 量進(jìn)行梯度的變化，其中A1、0元素的百分含量進(jìn)行梯度遞增變化變化，Ti、C、N等元素的 百分含量進(jìn)行梯度遞減變化。在該層上生長(zhǎng)受控氧含量的TiCO層，通過(guò)調(diào)節(jié)優(yōu)化層C0 2與 C0之間的比例來(lái)控制氧化氣氛，為氧化鋁柱狀晶提供了必要條件，所述C02/C0氣體流量比 在 0· 2 彡（C02/C0)彡 5、優(yōu)選 0· 4 彡（C02/C0)彡 0· 8。
[0042] 本發(fā)明在氧化鋁成長(zhǎng)過(guò)程中，采用C02\C0氣體有效的控制氧化鋁涂層形貌，沿 著同一方向定向的成長(zhǎng)，并形成獨(dú)有的柱狀晶結(jié)構(gòu)，C0 2/C0氣體流量比在0. 1 < (C02/ C0) < 20、優(yōu)選2 < (C02/C0) < 6,進(jìn)行連續(xù)地或階梯式地循環(huán)變化。
[0043] 以下通過(guò)具體的實(shí)例及實(shí)驗(yàn)比較，來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的抗沖擊性和耐磨性。
[0044] 在保持晶粒尺寸的同時(shí)大幅提高α-Α1203涂層柱狀晶結(jié)構(gòu)的形貌，在鋼材和鑄 鐵中比現(xiàn)有技術(shù)α_Α1 203涂層在耐磨性方面和韌性上得到明顯的提高。根據(jù)本發(fā)明的涂 層與TiN、MT-TiCN涂層結(jié)合可以定制各種不同用途的刀具涂層。采用現(xiàn)代CVD反應(yīng)器在 850-1050°C以受控的方式進(jìn)行該工藝。
[0045] 具體實(shí)例：組分為8% (質(zhì)量百分比）Co,4% 〇^、吣)(：、1%1^1余量為1(：的硬 質(zhì)合金切削刀片，其表面涂覆有TiN層、MT-TiCN層，α -A1203層，厚度分別為0. 5?1 μ m、 7-9 μ m、6-8 μ m。過(guò)渡層及氧化鋁層即涂層a詳細(xì)的工藝參數(shù)如表1所示。
[0046] 表 1

【權(quán)利要求】
1. 一種刀片基體上的涂覆涂層，所涂覆涂層的總厚度為5-40 μ m，所述涂覆涂層中至 少包括采用化學(xué)氣相沉積方式沉積的一層氧化鋁層；其特征在于：所述氧化鋁層的厚度為 1 μ m至15μπι，具有非常明顯細(xì)柱狀晶結(jié)構(gòu)，氧化鋁層中的每個(gè)晶粒都以相同的方向排列， 定向均勻的生長(zhǎng)，柱狀晶的柱具有0. 2μπ?至4μπ?的相同柱寬。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的刀片基體上的涂覆涂層，其特征在于：所述氧化鋁層的晶粒 非常均勻，柱狀晶的柱具有〇. 7 μ m至1. 5 μ m的相同柱寬。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的刀片基體上的涂覆涂層，其特征在于：所述氧化鋁層 包括氧化鋁成核層，所述氧化鋁成核層是沉積在過(guò)渡層上，所述過(guò)渡層包括TiAICNO層和 TiCO層；所述TiAICNO層厚度為0. 1-3 μ m，所述TiCO層的厚度為0. 1?0. 5 μ m。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的刀片基體上的涂覆涂層，其特征在于：所述TiAICNO層中各 元素百分含量進(jìn)行梯度的變化，其中A1元素、0元素的百分含量進(jìn)行梯度遞增變化，Ti元 素、C元素、N元素的百分含量進(jìn)行梯度遞減變化。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的刀片基體上的涂覆涂層，其特征在于：所述TiAICNO層上生 長(zhǎng)受控氧含量的TiCO層，在沉積TiCO層過(guò)程中，控制C0 2/C0氣體流量比在0. 2 < (C02/ CO) < 5。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的刀片基體上的涂覆涂層，其特征在于：所述的沉積TiCO層過(guò) 程中，控制C02/C0氣體流量比在0. 4彡（C02/C0)彡0. 8。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的刀片基體上的涂覆涂層，其特征在于：所述氧化鋁層生 長(zhǎng)在所述TiCO層上方，沉積氧化鋁層過(guò)程包括沉積氧化鋁成核層過(guò)程和沉積氧化鋁涂層 過(guò)程；所述氧化鋁成核層的厚度為〇. 1?〇. 8 μ m ;所述氧化鋁涂層的厚度為2?15 μ m。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的刀片基體上的涂覆涂層，其特征在于：在沉積氧化鋁成核層 過(guò)程中，反應(yīng)氣體包含體積1%?5%的C02、2%?10%的A1C1 3、1%?15%的HC1以及其 余為H2的氣體混合物；溫度在900?1020°C ;壓力為50?200mbar。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的刀片基體上的涂覆涂層，其特征在于：在沉積氧化鋁涂層過(guò) 程中，反應(yīng)氣體包含體積2%?10%的A1C1 3、0. 1?10%的C0、1?10%的C02、0?15% 的HC1，0. 01%?1%的H2S以及其余為H2的氣體混合物；溫度在900?1020°C;壓力50? 200mbar。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的刀片基體上的涂覆涂層，其特征在于：所述的涂覆涂層 與TiN層、MT-TiCN層、MT-ZrCN層結(jié)合，配合基體可以定制各種不同用途的涂層刀片。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的刀片基體上的涂覆涂層，其特征在于：所述的刀片基體 包含硬質(zhì)合金，優(yōu)選為具有結(jié)合相富集表面區(qū)域的硬質(zhì)合金，CBN或CBN燒結(jié)合金。
【文檔編號(hào)】C23C16/40GK104085142SQ201410230890
【公開(kāi)日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2014年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月28日
【發(fā)明者】陳藝聰, 鄭清平, 劉洋, 盧志紅, 張守全 申請(qǐng)人:廈門(mén)金鷺特種合金有限公司