一種連續(xù)多真空室卷繞鍍膜設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種連續(xù)多真空室卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述設(shè)備包括放卷機構(gòu)、放卷室、隔離閥門、真空濺射室A、真空濺射機構(gòu)A、隔離腔、真空濺射室B、真空濺射機構(gòu)B、隔離腔、真空濺射室C、真空濺射機構(gòu)C、導(dǎo)向軸、收卷室、收卷機構(gòu)、隔離機構(gòu)、沉積室A、沉積室B以及沉積室C。本發(fā)明提供一種連續(xù)多真空室卷繞鍍膜設(shè)備，全部采用分子泵系統(tǒng)，各沉積室之間設(shè)有隔離腔，可以很好的避免氣體間相互干擾，可以一次性沉積多種膜層，也可以實現(xiàn)多種工藝膜系一次完成。
【專利說明】一種連續(xù)多真空室卷繞鍍膜設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種鍍膜設(shè)備，具體涉及一種連續(xù)多真空室卷繞鍍膜設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]常見的真空卷繞鍍膜設(shè)備按其工作原理可分為:電阻加熱蒸發(fā)真空卷繞鍍膜設(shè)備；感應(yīng)加熱蒸發(fā)真空卷繞鍍膜設(shè)備；電子束加熱蒸發(fā)真空卷繞鍍膜設(shè)備；磁控濺射真空卷繞鍍膜設(shè)備等。其中電子束加熱真空卷繞鍍膜設(shè)備用于大量蒸鍍高熔點物質(zhì)如Si02。而磁控濺射原理的卷繞鍍膜設(shè)備生產(chǎn)效率較低，但具有鍍膜適應(yīng)范圍寬，膜層附著牢的優(yōu)點。真空卷繞鍍膜設(shè)備按其用途可分為:裝飾用真空卷繞鍍膜設(shè)備；包裝用真空卷繞鍍膜設(shè)備；功能膜真空卷繞鍍膜設(shè)備。裝飾用真空卷繞鍍膜設(shè)備和包裝用真空卷繞鍍膜設(shè)備可細(xì)分為鍍膜鍍紙兩用設(shè)備、鍍膜專用設(shè)備、鍍紙專用設(shè)備。其中鍍紙專用設(shè)備側(cè)重于向鍍制大卷徑的厚卡紙發(fā)展。[0003]目前，現(xiàn)有的真空卷繞鍍膜設(shè)備大多采用油擴散泵系統(tǒng)，在鍍膜時通常是需要經(jīng)過多次沉積才能完成的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供一種連續(xù)多真空室卷繞鍍膜設(shè)備，全部采用分子泵系統(tǒng)，各沉積室之間設(shè)有隔離腔，可以很好的避免氣體間相互干擾，可以一次性沉積多種膜層，也可以實現(xiàn)多種工藝膜系一次完成。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種連續(xù)多真空室卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述設(shè)備包括放卷機構(gòu)、放卷室、隔離閥門、真空濺射室A、真空濺射機構(gòu)A、隔離腔、真空濺射室B、真空濺射機構(gòu)B、隔離腔、真空濺射室C、真空濺射機構(gòu)C、導(dǎo)向軸、收卷室、收卷機構(gòu)、隔離機構(gòu)、沉積室A、沉積室B以及沉積室C，所述放卷室中設(shè)置有放卷機構(gòu)，所述沉積室A中設(shè)置有真空濺射室A，所述真空濺射室A中設(shè)置有真空濺射機構(gòu)A，所述所述沉積室B中設(shè)置有真空濺射室B，所述真空濺射室B中設(shè)置有真空濺射機構(gòu)B，所述所述沉積室C中設(shè)置有真空濺射室C，所述真空濺射室C中設(shè)置有真空濺射機構(gòu)C，所述收卷室中設(shè)置有收卷機構(gòu)，所述隔離機構(gòu)上分別設(shè)置有隔離閥門、隔離腔、隔離腔和導(dǎo)向軸。
[0006]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明提供一種連續(xù)多真空室卷繞鍍膜設(shè)備，全部采用分子泵系統(tǒng)，各沉積室之間設(shè)有隔離腔，可以很好的避免氣體間相互干擾，可以一次性沉積多種膜層，也可以實現(xiàn)多種工藝膜系一次完成。
[0007]【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明所述的一種連續(xù)多真空室卷繞鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。
[0011]一種連續(xù)多真空室卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述設(shè)備包括放卷機構(gòu)(I)、放卷室(2)、隔離閥門(3)、真空濺射室A (4)、真空濺射機構(gòu)A (5)、隔離腔(6)、真空濺射室B
(7)、真空濺射機構(gòu)B (8)、隔離腔(9)、真空濺射室C (10)、真空濺射機構(gòu)C (11)、導(dǎo)向軸
[12]、收卷室(13)、收卷機構(gòu)(14)、隔離機構(gòu)(15)、沉積室A(16)、沉積室B (17)以及沉積室C (18)，所述放卷室(2)中設(shè)置有放卷機構(gòu)(1)，所述沉積室A (16)中設(shè)置有真空濺射室A (4)，所述真空濺射室A (4)中設(shè)置有真空濺射機構(gòu)A (5)，所述所述沉積室B (17)中設(shè)置有真空濺射室B (7)，所述真空濺射室B (7)中設(shè)置有真空濺射機構(gòu)B (8)，所述所述沉積室C (18)中設(shè)置有真空濺射室C (10)，所述真空濺射室C (10)中設(shè)置有真空濺射機構(gòu)C (11 )，所述收卷室(13)中設(shè)置有收卷機構(gòu)(14)，所述隔離機構(gòu)(15)上分別設(shè)置有隔離閥門(3)、隔離腔(6)、隔離腔(9)和導(dǎo)向軸(12)。
[0012]以上是對本發(fā)明的描述而非限定，基于本發(fā)明思想的其他實施例，亦均在本發(fā)明的保護范圍之中。
【權(quán)利要求】
1.一種連續(xù)多真空室卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述設(shè)備包括放卷機構(gòu)(I)、放卷室(2)、隔離閥門(3)、真空濺射室A(4)、真空濺射機構(gòu)A (5)、隔離腔(6)、真空濺射室B (7)、真空濺射機構(gòu)B (8)、隔離腔(9)、真空濺射室C (10)、真空濺射機構(gòu)C (11)、導(dǎo)向軸(12)、收卷室(13)、收卷機構(gòu)(14)、隔離機構(gòu)(15)、沉積室A (16)、沉積室B (17)以及沉積室C(18)，所述放卷室(2)中設(shè)置有放卷機構(gòu)(1)，所述沉積室A (16)中設(shè)置有真空濺射室A(4)，所述真空濺射室A (4)中設(shè)置有真空濺射機構(gòu)A (5)，所述所述沉積室B (17)中設(shè)置有真空濺射室B (7)，所述真空濺射室B (7)中設(shè)置有真空濺射機構(gòu)B (8)，所述所述沉積室C (18)中設(shè)置有真空濺射室C (10)，所述真空濺射室C (10)中設(shè)置有真空濺射機構(gòu)C(11)，所述收卷室(13)中設(shè)置有收卷機構(gòu)(14)，所述隔離機構(gòu)(15)上分別設(shè)置有隔離閥門(3)、隔離腔( 6)、隔離腔(9)和導(dǎo)向軸(12)。
【文檔編號】C23C14/56GK103911595SQ201410166245
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月24日
【發(fā)明者】王振東, 何萬能 申請人:蘇州諾耀光電科技有限公司