一種真空蒸鍍裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種真空鍍膜裝置，包括：用于承載及移動基板的基板驅(qū)動機構(gòu)；用于承載及移動第一掩膜板的第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)，第一掩膜板位于基板的下方；用于承載及移動第二掩膜板，以與第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)配合，改變第一掩膜板與第二掩膜板的掩膜板圖形區(qū)的相互交疊狀態(tài)的第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)，第二掩膜板位于第一掩膜板的下方；以及，蒸發(fā)源，蒸發(fā)源位于第二掩膜板的下方。本發(fā)明所提供的真空蒸鍍裝置，通過設(shè)置至少兩塊掩膜板，可以根據(jù)基板表面待蒸鍍圖形區(qū)的圖形特征，改變至少兩塊掩膜板上的掩膜板圖形區(qū)的相互交疊狀態(tài)，以與基板表面待蒸鍍圖形區(qū)的圖形相適配，從而實現(xiàn)各層蒸鍍薄膜的圖形化，降低了掩膜板的制造成本。
【專利說明】一種真空蒸鍍裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜形成【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種真空蒸鍍裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在光電及顯示領(lǐng)域，特別是有機發(fā)光二極管(Organic Light-EmittingDiode, 0LED)、有機薄膜晶體管(Organic Thin Film Transistor, OTFT)等器件制造領(lǐng)域，有機小分子真空蒸鍍的不均勻性、蒸鍍掩膜板(Mask)強度及精確度的要求等因素制約了OLED顯示技術(shù)往基板大尺化方向的發(fā)展?，F(xiàn)有技術(shù)的真空蒸鍍裝置中，蒸發(fā)源無論采用點蒸發(fā)源、線蒸發(fā)源、或面蒸發(fā)源等，一般均為一步式真空蒸鍍，即各層薄膜均一次性蒸鍍到整個基板上
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的真空蒸鍍裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括:用于移動及承載基板的基板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)，基板表面形成有圖形區(qū)；用于移動及承載掩膜板3的掩膜板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)；用于對基板和掩膜板3進(jìn)行對位的對位機構(gòu)(圖未示)；線蒸發(fā)源。其中，待蒸鍍基板膜面朝下，掩膜板3位于基板下方，線蒸發(fā)源位于掩膜板3下方。
[0004]圖2為現(xiàn)有技術(shù)的基板結(jié)構(gòu)的俯視圖，包括:基板；形成在基板表面的圖形區(qū)；基板上對位標(biāo)記(Mark) 5。其中，基板上對位標(biāo)記5位于圖形區(qū)外側(cè)。
[0005]圖3為現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板結(jié)構(gòu)的俯視圖，包括:掩膜板圖形區(qū)6 ;掩膜板邊框區(qū)7 ；掩膜板上第二對位標(biāo)記。其中，掩膜板上第二對位標(biāo)記位于掩膜板邊框區(qū)7，掩膜板圖形區(qū)6與基板圖形區(qū)尺寸相同。
[0006]蒸鍍時，基板驅(qū)動機構(gòu)將基板移動至掩膜板3上方；掩膜板上第二對位標(biāo)記與基板上對位標(biāo)記5通過對位機構(gòu)`進(jìn)行對位；打開線蒸發(fā)源，蒸鍍氣體向上蒸發(fā)至基板表面，并沉積為與掩膜板開口區(qū)圖形一致的薄膜。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)的真空蒸鍍裝置主要存在以下缺陷:
[0008]對于不同圖形的蒸鍍薄膜，需要通過不同圖形的蒸鍍掩膜板來實現(xiàn)，即，蒸鍍掩膜板上的圖形與蒸鍍薄膜的圖形保持一致，對于不同圖形的各層蒸鍍薄膜需要更換不同圖形的蒸鍍掩膜板，蒸鍍掩膜板的制作成本高；
[0009]并且，當(dāng)需要具有蒸鍍圖形較復(fù)雜的不規(guī)則圖形的薄膜時，要求掩膜板圖形區(qū)與基板的圖形區(qū)圖形一致，對于掩膜板的精確度要求高，掩膜板的制作難度大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的是提供一種真空鍍膜裝置，其可以不更換蒸鍍掩膜板，而實現(xiàn)不同蒸鍍薄膜的圖形化。
[0011]本發(fā)明所提供的技術(shù)方案如下:
[0012]一種真空鍍膜裝置，包括:
[0013]用于承載及移動基板的基板驅(qū)動機構(gòu)；
[0014]用于承載及移動第一掩膜板的第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)，所述第一掩膜板位于所述基板的下方；
[0015]用于承載及移動第二掩膜板，以與所述第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)配合，改變所述第一掩膜板與所述第二掩膜板的掩膜板圖形區(qū)的相互交疊狀態(tài)的第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)，所述第二掩膜板位于所述第一掩膜板的下方；以及，
[0016]蒸發(fā)源，所述蒸發(fā)源位于所述第二掩膜板的下方。
[0017]進(jìn)一步的，所述基板的表面分成為若干個蒸鍍子區(qū)域；
[0018]所述第一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸小于所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸，或者所述有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸與所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸相同；
[0019]所述真空鍍膜裝置還包括:
[0020]蒸鍍擋板，位于所述基板與所述蒸發(fā)源之間，能夠形成與所述有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸相同的蒸鍍氣體透過區(qū)；
[0021]用于移動及承載所述蒸鍍擋板，以使所述蒸鍍氣體透過區(qū)與所述基板的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域相對應(yīng)的擋板驅(qū)動機構(gòu)；以及，
[0022]用于移動及承載所述蒸發(fā)源，以使所述蒸發(fā)源與所述基板的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域相對應(yīng)的蒸發(fā)源驅(qū)動機構(gòu)。
[0023]進(jìn)一步的，所述真空蒸鍍裝置還包括用于將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分別與所述基板的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域進(jìn)行對位的對位機構(gòu)；
[0024]并且，當(dāng)所述第一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸小于所述蒸鍍子區(qū)域`的尺寸時，
[0025]所述真空蒸鍍裝置還包括:
[0026]用于移動及承載所述對位機構(gòu)移動及承載的對位驅(qū)動機構(gòu)。
[0027]進(jìn)一步的，當(dāng)所述第一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸與所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸相同時，
[0028]所述蒸鍍子區(qū)域外側(cè)設(shè)有第一對位標(biāo)記，所述第一掩膜板的邊框區(qū)設(shè)有第二對位標(biāo)記，所述第二掩膜板的邊框區(qū)設(shè)有第三對位標(biāo)記；所述對位機構(gòu)通過所述第一對位標(biāo)記和第二對位標(biāo)記對所述第一掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域進(jìn)行對位；
[0029]所述對位機構(gòu)通過所述第一對位標(biāo)記和第三對位標(biāo)記對所述第二掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域進(jìn)行對位。
[0030]進(jìn)一步的，當(dāng)所述第一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸小于所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸時，
[0031]所述第一掩膜板與所述第二掩膜板在第一方向上的寬度小于所述基板的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域的寬度，使所述有效掩膜板圖形區(qū)在所述第一方向上的寬度小于所述基板的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域的寬度。
[0032]進(jìn)一步的，當(dāng)所述第一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸小于所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸時，
[0033]所述蒸鍍子區(qū)域外側(cè)均設(shè)有第一對位標(biāo)記，所述第一掩膜板的邊框區(qū)設(shè)有第二對位標(biāo)記，所述第二掩膜板的邊框區(qū)設(shè)有第三對位標(biāo)記，其中，所述對位機構(gòu)通過所述第一對位標(biāo)記和所述第二對位標(biāo)記對所述第一掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域進(jìn)行蒸鍍起始前的對位，所述對位機構(gòu)通過所述第一對位標(biāo)記和所述第三對位標(biāo)記對所述第二掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域進(jìn)行蒸鍍起始前的對位；
[0034]所述蒸鍍子區(qū)域外側(cè)還設(shè)有第四對位標(biāo)記，所述第一掩膜板邊框區(qū)還設(shè)有第五對位標(biāo)記，所述第二掩膜板的邊框區(qū)還設(shè)有第六對位標(biāo)記，在蒸鍍過程中，所述對位機構(gòu)通過所述第四對位標(biāo)記和第五對位標(biāo)記對所述第一掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域在所述第一方向上相對位置連續(xù)移動狀態(tài)下進(jìn)行對位，所述對位機構(gòu)通過所述第四對位標(biāo)記和所述第六對位標(biāo)記對所述第二掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域在所述第一方向上相對位置連續(xù)移動狀態(tài)下進(jìn)行對位。
[0035]進(jìn)一步的，所述第四對位標(biāo)記為沿所述第一方向延伸，并貫穿對應(yīng)的蒸鍍子區(qū)域的長條形結(jié)構(gòu)。
[0036]進(jìn)一步的，當(dāng)所述第一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸小于所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸時，
[0037]所述第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)能夠根據(jù)所述第一掩膜板與當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域在所述第一方向上相對位置連續(xù)移動的狀態(tài)下進(jìn)行對位的結(jié)果，對所述第一掩膜板在所述第二方向上進(jìn)行精確微調(diào)，以使得所述第一掩膜板與當(dāng)前待蒸鍍子區(qū)域的位置不發(fā)生偏移；
[0038]所述第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)能夠根據(jù)所述第二掩膜板與當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域在所述第一方向上相對位置連續(xù)移動的狀態(tài)下進(jìn)行對位的結(jié)果，對所述第一掩膜板在所述第二方向上進(jìn)行精確微調(diào)，以使得所述第一掩膜板與當(dāng)前待蒸鍍子區(qū)域的位置不發(fā)生偏移。
[0039]進(jìn)一步的，所述蒸鍍擋板位于所述第二掩膜板的下方。
[0040]進(jìn)一步的，所述蒸鍍擋板包括4個可獨立驅(qū)動的子擋板，所述4個子擋板能夠圍成所述蒸鍍氣體透過區(qū)。
[0041]本發(fā)明的有益效果如下:`
[0042]本發(fā)明所提供的真空蒸鍍裝置，通過設(shè)置至少兩塊掩膜板，可以根據(jù)基板表面待蒸鍍圖形區(qū)的圖形特征，改變至少兩塊掩膜板上的掩膜板圖形區(qū)的相互交疊狀態(tài)，以與基板表面待蒸鍍圖形區(qū)的圖形相適配，從而實現(xiàn)各層蒸鍍薄膜的圖形化，降低了掩膜板的制造成本。
[0043]在本發(fā)明所提供的進(jìn)一步技術(shù)方案中，所述真空蒸鍍裝置還將基板表面分成若干個蒸鍍子區(qū)域(例如I至10個)，使用小于一個蒸鍍子區(qū)域的第一掩膜板和第二掩膜板分步完成各個蒸鍍子區(qū)域的蒸鍍，可以在掃描蒸鍍過程中不斷改變第一掩膜板和第二掩膜板的掩膜板圖形區(qū)相互交疊程度，從而可以適應(yīng)于各蒸鍍子區(qū)域的圖形不同的蒸鍍薄膜；并且，可以對應(yīng)大尺寸基板和大尺寸顯示器模組的真空蒸鍍；可縮短線性蒸發(fā)源的長度，提高了蒸鍍均勻性；并可使用小于基板面積若干倍的掩膜板進(jìn)行蒸鍍，降低了掩膜板的制作難度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0044]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的真空蒸鍍裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖2為現(xiàn)有技術(shù)的基板結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0046]圖3為現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0047]圖4為本發(fā)明實施例1的真空蒸鍍裝置的在第二方向上的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；[0048]圖5為本發(fā)明實施例1中的基板結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0049]圖6為本發(fā)明實施例1中第一掩膜板的俯視圖；
[0050]圖7為本發(fā)明實施例1中第二掩膜板的俯視圖；
[0051]圖8為實施例1中薄膜圖形化示意圖；
[0052]圖9為第一掩膜板和第二掩膜板的第一種相互交疊狀態(tài)的不意圖；
[0053]圖10為第一掩膜板和第二掩膜板的第二種相互交疊狀態(tài)的示意圖；
[0054]圖11為本發(fā)明實施例2中的真空蒸鍍裝置在第二方向上的剖視圖；
[0055]圖12為本發(fā)明實施例2中的真空蒸鍍裝置在第一方向上的剖視圖；
[0056]圖13為蒸鍍擋板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖14為實施例2中基板的結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0058]圖15為實施例3中的真空蒸鍍裝置在第一方向上的剖視圖；
[0059]圖16為實施例3中基板的結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0060]圖17為實施例3中第一掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖18為實施例3中第二掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0062]圖19為一塊形像素的蒸鍍子區(qū)域的圖形化示意圖；
[0063]圖20為第一掩膜板和第`二掩膜板的第三種相互交疊狀態(tài)的示意圖。
【具體實施方式】
[0064]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0065]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中真空蒸鍍裝置不利于實現(xiàn)蒸鍍薄膜圖形化的問題，本發(fā)明提供了一種真空蒸鍍裝置，可以實現(xiàn)不同蒸鍍薄膜的圖形化。
[0066]參照圖4至圖18，本發(fā)明所提供的真空蒸鍍裝置包括:
[0067]用于移動及承載基板100的基板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)，所述基板100的表面形成有待蒸鍍圖形區(qū)101 ；
[0068]用于移動及承載第一掩膜板201的第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)(圖未不)，所述第一掩膜板201位于所述基板100的下方；
[0069]用于移動及承載第二掩膜板202的第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)，第二掩膜板202位于所述第一掩膜板201的下方；以及，
[0070]蒸發(fā)源300，所述蒸發(fā)源300位于所述第二掩膜板202的下方；
[0071]其中，所述第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)和所述第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)能夠分別驅(qū)動所述第一掩膜板201和所述第二掩膜板202移動，以改變所述第一掩膜板201和所述第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)的相互交疊狀態(tài)，形成一能夠與基板100上的待蒸鍍圖形區(qū)101的圖形相應(yīng)的有效掩膜板圖形區(qū)A。
[0072]第一掩膜板201和第二掩膜板202上分別具有掩膜板圖形區(qū)和邊框區(qū)，其中，掩膜板圖形區(qū)中形成有開孔部2001a和遮擋部2001b。第一掩膜板201和所述第二掩膜板202處于不同相對位置，即，第一掩膜板201和第二掩膜板202處于不同相對交疊狀態(tài)時,第一掩膜板201上的開孔部2001a與第二掩膜板202上的開孔部2001a的重合狀態(tài)會不同，從而會形成能夠使得蒸鍍氣體能夠真正通過的有效掩膜板圖形區(qū)A。根據(jù)基板100表面待蒸鍍圖形區(qū)101的特征，分別移動至少兩塊掩膜板，改變至少兩塊掩膜板的掩膜板圖形區(qū)2001的相互交疊狀態(tài)，從而形成與基板100表面待蒸鍍圖形區(qū)101的薄膜的圖形相適配的有效掩膜板圖形區(qū)A，實現(xiàn)蒸鍍薄膜的圖形化。
[0073]需要說明的是，本發(fā)明所提供的真空蒸鍍裝置的掩膜板數(shù)量優(yōu)選為兩塊，但是本發(fā)明并不是對掩膜板的數(shù)量進(jìn)行限定，例如:掩膜板的數(shù)量還可以是三塊，相應(yīng)地，真空蒸鍍裝置還可以包括第三掩膜板驅(qū)動機構(gòu)，所述第三掩膜板驅(qū)動機構(gòu)能夠和所述第一、第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)配合，分別改變所述第一、第二和第三掩膜板的相對位置，從而改變所述第一、第二和第三掩膜板的掩膜板圖形區(qū)2001的相互交疊狀態(tài)。
[0074]以下列舉本發(fā)明的幾種優(yōu)選實施例，以更好地說明本發(fā)明。
[0075]實施例1
[0076]圖4為本發(fā)明實施例1中的真空蒸鍍裝置在第二方向X上的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0077]如圖4所示,本實施例中,所述真空蒸鍍裝置包括:
[0078]用于移動及承載基板100的基板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)，基板100表面形成有待蒸鍍圖形區(qū)101 ；
[0079]用于移動及承載第一掩膜板201的第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)；
[0080]用于移動及承載第二掩膜板202的第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)；
[0081]用于將所述第一掩膜板201、所述第二掩膜板202分別與所述基板100進(jìn)行對位的對位機構(gòu)；以及，蒸發(fā)源300，所述蒸發(fā)源300位于所述第二掩膜板202的下方；其中，所述第一掩膜板201和所述第二掩`膜板202相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸與整個所述待蒸鍍圖形區(qū)101的尺寸相同。
[0082]上述方案中，待蒸鍍基板100的膜面朝下，第一掩膜板201位于基板100下方，第二掩膜板202位于第一掩膜板201下方,線蒸發(fā)源300位于第二掩膜板202下方。
[0083]圖5為本發(fā)明實施例1中基板結(jié)構(gòu)的俯視圖，包括:基板100 ;形成在基板100表面的待蒸鍍圖形區(qū)101;基板100上待蒸鍍圖形區(qū)101外側(cè)的第一對位標(biāo)記1011。在本實施例中，待蒸鍍圖形區(qū)101外側(cè)均包括左右對稱的2個第一對位標(biāo)記1011。
[0084]圖6為本實施例中的第一掩膜板的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖7為本實施例中第二掩膜板的結(jié)構(gòu)的俯視圖。如圖6所示，所述第一掩膜板201包括:掩膜板圖形區(qū)2001 ;掩膜板邊框區(qū)2002 ;第一掩膜板的掩膜板外框區(qū)上的第二對位標(biāo)記2011。如圖7所示，所述第二掩膜板202包括:掩膜板圖形區(qū)2001 ;掩膜板邊框區(qū)2002 ;掩膜板邊框區(qū)2002上的第三對位標(biāo)記2021。其中，所述第一掩膜板201上第二對位標(biāo)記2011和所述掩膜板上第三對位標(biāo)記2021各有2個。
[0085]本實施例中，優(yōu)選的，第一掩膜板201和第二掩膜板202的結(jié)構(gòu)相同，且第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001的尺寸均與整個所述待蒸鍍圖形區(qū)101的尺寸相同。需要說明的是，在實際應(yīng)用中，第一掩膜板201和第二掩膜板202的結(jié)構(gòu)也可以不同，第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001的尺寸也可以與整個所述待蒸鍍圖形區(qū)101的尺寸不同，只需要保證第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001在相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸與基板100的整個待蒸鍍圖形區(qū)101的尺寸一致即可。
[0086]圖8為本實施例中基板上的待蒸鍍圖形區(qū)的薄膜圖形化示意圖；圖9和圖10為第一掩膜板與第二掩膜板相對位置示意圖。
[0087]蒸鍍開始前，所述對位機構(gòu)可以通過基板100上第一對位標(biāo)記1011和第一掩膜板201上的第二對位標(biāo)記2011對所述第一掩膜板201和基板100的待蒸鍍圖形區(qū)101進(jìn)行對位，并通過基板100上第一對位標(biāo)記1011和第二掩膜板202上的第三對位標(biāo)記2021對所述第二掩膜板202和基板100的待蒸鍍圖形區(qū)101進(jìn)行對位。具體地，移動基板100和/或第一掩膜板201、第二掩膜板202，使得基板100上相應(yīng)的第一對位標(biāo)記1011與第一、第二掩膜板上相應(yīng)的第二、第三對位標(biāo)記在視野中重合，完成對位。
[0088]當(dāng)基板100上待蒸鍍圖形區(qū)101的薄膜圖形的圖形尺寸與第一掩膜板201的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a尺寸完全相同時，對位完成后，如圖9所示，第一掩膜板201與第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a完全重合，且所述第一掩膜板201和所述第二掩膜板202相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸與整個待蒸鍍圖形區(qū)101的薄膜的待蒸鍍圖形區(qū)101的尺寸相同，所述有效掩膜板圖形區(qū)A的有效開孔部的尺寸與待蒸鍍圖形區(qū)101的薄膜的圖形尺寸完全一致；
[0089]當(dāng)基板100上待蒸鍍圖形區(qū)101的薄膜圖形在第二方向X上的圖形寬度al小于第一掩膜板201的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a在第二方向X上的寬度a2，而在第一方向Y上的圖形寬度bl與第一掩膜板201的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a在第一方向Y上的寬度b2相同時,對位完成后,第一掩膜板201與第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a在第二方向X上部分重合(即如圖10中所示的第一掩膜板201的開孔部2001a被第二掩膜板202的遮擋部2001b部分遮擋)，第一掩膜板201和第二掩膜板202相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A中的有效開孔部在第二方向X上的寬度a0與待蒸鍍圖形區(qū)101的薄膜在第二方向X上的圖形寬度al相同，且有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸與整個待蒸鍍圖形區(qū)101的薄膜的待蒸鍍圖形區(qū)101的尺寸相同；
[0090]同樣地，當(dāng)基板100上待蒸鍍圖形區(qū)101的薄膜在第一方向Y上的圖形寬度bl與第一掩膜板201的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a在第一方向Y上的寬度b2相同或不同時，對位完成后第 一掩膜板201和第二掩膜板202相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A中的有效開孔部的尺寸與待蒸鍍圖形區(qū)101的薄膜的圖形尺寸相同，且有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸與整個待蒸鍍圖形區(qū)101的薄膜的待蒸鍍圖形區(qū)101尺寸相同。
[0091]蒸鍍時，通過基板驅(qū)動機構(gòu)將基板100上待蒸鍍子區(qū)101移動至第一掩膜板201的上方；借助對位機構(gòu)，并通過第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)和第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)分別微調(diào)第一掩膜板201和第二掩膜板202的位置,完成相應(yīng)基板100上第一對位標(biāo)記1011與第一掩膜板201和第二掩膜板202上第二對位標(biāo)記2011和第三對位標(biāo)記2021之間的對位；打開蒸發(fā)源300，蒸鍍氣體向上蒸發(fā)至基板100表面，并沉積為與第一掩膜板201、第二掩膜板202相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A中的有效開孔部圖形一致的薄膜。
[0092]本實施例中，所述第一掩膜板201和所述第二掩膜板202相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸可以與整個所述待蒸鍍圖形區(qū)101的尺寸相同，從而，可以根據(jù)各層薄膜的圖形特征，改變第一掩膜板201和第二掩膜板202的相互交疊狀態(tài)，而依次將各層薄膜均可以一次性蒸鍍到整個基板100上(即一步式真空蒸鍍)。
[0093]實施例2
[0094]圖11為本發(fā)明實施例2中的真空蒸鍍裝置在第二方向X上的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為本發(fā)明實施例2中的真空蒸鍍裝置在第一方向Y上的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0095]參照圖11和圖12，本實施例中，所述真空蒸鍍裝置包括:
[0096]線蒸發(fā)源300 ；
[0097]用于移動及承載基板100的基板驅(qū)動機構(gòu)(圖未不),基板100表面形成有待蒸鍍圖形區(qū)101，待蒸鍍圖形區(qū)101分成若干個大小相同的蒸鍍子區(qū)域1012 ；
[0098]用于移動及承載第一掩膜板201的第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)(圖未不)；
[0099]用于移動及承載第二掩膜板202的第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)，其中所述第一掩膜板201與所述第二掩膜板202相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸與所述蒸鍍子區(qū)域1012的尺寸相同；
[0100]用于將第一掩膜板201和第二掩膜板202分別與待蒸鍍的蒸鍍子區(qū)域1012進(jìn)行對位的對位機構(gòu)(圖未示);
[0101]蒸鍍擋板(Shutter)400,位于所述基板100與所述線蒸發(fā)源300之間，，能夠形成與所述有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸相同的蒸鍍氣體透過區(qū)401以及用于遮擋當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012以外的其他蒸鍍子區(qū)域1012的蒸鍍氣體遮擋區(qū)；
[0102]用于移動及承載蒸鍍擋板400的擋板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)，所述擋板驅(qū)動機構(gòu)通過移動所述蒸鍍擋板400形成所述蒸鍍氣體透過區(qū)401，并使得所述蒸鍍氣體透過區(qū)401與當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012相對應(yīng)(即遮擋基板100的非蒸鍍區(qū)域，僅將當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012暴露在蒸鍍氣體透過區(qū)401)。
[0103]其中，待蒸鍍基 板100膜面朝下，第一掩膜板201和第二掩膜板202位于基板100下方，蒸鍍擋板400位于基板100下方，位于基板100與線蒸發(fā)源300之間。
[0104]需要說明的是，本實施例中，蒸鍍擋板400可以設(shè)置在第一掩膜板201與基板100之間或者位于第二掩膜板202下方或者位于第一掩膜板201與第二掩膜板202之間等位置，只要使得蒸鍍氣體透過區(qū)401與當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012相對應(yīng)，其蒸鍍氣體遮擋區(qū)能夠遮擋基板100的非蒸鍍區(qū)域，僅將當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012暴露在蒸鍍氣體透過區(qū)401，其可以設(shè)置在基板100與線蒸發(fā)源300之間的其他位置。優(yōu)選的，所述蒸鍍擋板400位于第二掩膜板202下方，線蒸發(fā)源300位于蒸鍍擋板400下方。采用上述方案，蒸鍍擋板400設(shè)置在第二掩膜板202下方，可以保證第一掩膜板201和第二掩膜板202與基板100之間的距離相對較短，從而，蒸鍍氣體從掩膜板圖形區(qū)透過而到達(dá)基板表面的距離相對較短，可以保證蒸鍍圖形的精確度。
[0105]圖13為本發(fā)明實施例中蒸鍍擋板400結(jié)構(gòu)的俯視圖。參照圖13，在本實施例中，蒸鍍擋板400包括4個可獨立驅(qū)動的子擋板401，所述4個子擋板401能夠圍成所述蒸鍍氣體透過區(qū)401。需要說明的是，子擋板401的數(shù)目可以根據(jù)需要設(shè)置，例如，還可以設(shè)置為3個或5個等。
[0106]圖14為本發(fā)明實施例中基板100結(jié)構(gòu)的俯視圖，包括:基板100 ;形成在基板100表面的待蒸鍍圖形區(qū)101，待蒸鍍圖形區(qū)101分成若干個大小相同的蒸鍍子區(qū)域1012 ;基板100上第一對位標(biāo)記1011。在本實施例中，將待蒸鍍圖形區(qū)101分為四個蒸鍍子區(qū)域1012，每個蒸鍍子區(qū)域1012外側(cè)均包括左右對稱的2個第一對位標(biāo)記1011。
[0107]本實施例中的第一掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖與實施例1中第一掩膜板的結(jié)構(gòu)相同；第二掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖與實施例1中第二掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖相同。如圖6所示，所述第一掩膜板201包括:掩膜板圖形區(qū)2001 ;掩膜板邊框區(qū)2002 ;掩膜板外框區(qū)上的第二對位標(biāo)記2011。如圖7所示，所述第二掩膜板202包括:掩膜板圖形區(qū)2001 ;掩膜板邊框區(qū)2002 ;掩膜板邊框區(qū)2002的第三對位標(biāo)記2021。其中，所述第一掩膜板201上第二對位標(biāo)記2011和所述掩膜板上第三對位標(biāo)記2021各有2個。
[0108]本實施例中，優(yōu)選的，第一掩膜板201和第二掩膜板202的結(jié)構(gòu)相同，且第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001尺寸均與所述蒸鍍子區(qū)域1012的尺寸相同。當(dāng)然可以理解的是，在實際應(yīng)用中，第一掩膜板201和第二掩膜板202的結(jié)構(gòu)也可不同，第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001尺寸也可以與蒸鍍子區(qū)域1012的尺寸不同，只需要保證第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001在相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A尺寸與蒸鍍子區(qū)域1012的尺寸一致即可。
[0109]本實施例中基板100上的蒸鍍子區(qū)域1012的薄膜圖形化示意圖與實施例1中整個待蒸鍍圖形區(qū)的薄膜圖形示意圖相同；本實施例中第一掩膜板201與第二掩膜板202相對位置示意圖與實施例1中第一掩膜板201與第二掩膜板202相對位置示意圖相同。
[0110]蒸鍍開始前，所述對位機構(gòu)通過基板100上第一對位標(biāo)記1011和第一掩膜板201上的第二對位標(biāo)記2011對所述第一掩膜板201和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012進(jìn)行對位，并通過基板100上第一對位標(biāo)記1011和第二掩膜板202上的第三對位標(biāo)記2021對所述第二掩膜板202和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012進(jìn)行對位，具體地，通過移動基板100和/或第一、第二掩膜板，使得基板100上相應(yīng)的第一對位標(biāo)記1011分別與第一掩膜板201上相應(yīng)的第二對位標(biāo)記2011、第二掩膜板202上相應(yīng)的第三對位標(biāo)記2021在視野中重合，從而完成對位。
[0111]當(dāng)基板100上蒸鍍子區(qū)域1012的薄膜圖形的圖形尺寸與第一掩膜板201的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a尺寸完全相同時，對位完成后，如圖9所示，第一掩膜板201與第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a完全重合，且所述第一掩膜板201和所述第二掩膜板202相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸與整個蒸鍍子區(qū)域1012的薄膜的蒸鍍子區(qū)域1012的尺寸相同，所述有效掩膜板圖形區(qū)A的有效開孔部的尺寸與蒸鍍子區(qū)域1012的薄膜的圖形尺寸完全一致；
`[0112]當(dāng)基板100上蒸鍍子區(qū)域1012的薄膜圖形在第二方向X上的圖形寬度al小于第一掩膜板201的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a在第二方向X上的寬度a2，而在第一方向Y上的圖形寬度bl與第一掩膜板201的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a在第一方向Y上的寬度b2相同時,對位完成后,第一掩膜板201與第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a在第二方向X上部分重合(即如圖10中所示的第一掩膜板201的開孔部2001a被第二掩膜板202的遮擋部2001b部分遮擋)，第一掩膜板201和第二掩膜板202相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A中的有效開孔部在第二方向X上的寬度a0與蒸鍍子區(qū)域1012的薄膜在第二方向X上的圖形寬度al相同，且有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸與整個蒸鍍子區(qū)域1012的薄膜的蒸鍍子區(qū)域1012的尺寸相同；
[0113]同樣地，當(dāng)基板100上蒸鍍子區(qū)域1012的薄膜在第一方向Y上的圖形寬度bl與第一掩膜板201的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a在第一方向Y上的寬度b2相同或不同時，對位完成后第一掩膜板201和第二掩膜板202相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A中的有效開孔部的尺寸與蒸鍍子區(qū)域1012的薄膜的圖形尺寸相同，且有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸與整個蒸鍍子區(qū)域1012的薄膜的蒸鍍子區(qū)域1012尺寸相同。[0114]蒸鍍時，通過基板驅(qū)動機構(gòu)將基板100上第一個蒸鍍子區(qū)域1012移動至掩膜板上方；借助對位機構(gòu)，并通過掩膜板驅(qū)動機構(gòu)微調(diào)掩膜板位置，完成相應(yīng)基板100上第一對位標(biāo)記1011與第一、第二掩膜板上第二、第三對位標(biāo)記之間的對位；通過擋板驅(qū)動機構(gòu)分別將四塊蒸鍍擋板400在水平方向上移動至指定位置，遮擋基板100待蒸鍍的子區(qū)域以外的區(qū)域；打開蒸發(fā)源300，蒸鍍氣體向上蒸發(fā)至基板100表面，并沉積為與所述第一、第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A的圖形一致的薄膜；完成第一個蒸鍍子區(qū)域1012的蒸鍍后，重復(fù)上述動作完成第二個蒸鍍子區(qū)域1012的真空蒸鍍；依次類推，直至完成整個基板100的真空蒸鍍。
[0115]需要說明的是，在上述實施例中，各蒸鍍子區(qū)域1012面積均相同。在其他實施例中，也可以將蒸鍍子區(qū)域1012面積設(shè)計為不相同，此時需要移動蒸鍍擋板400位置，遮擋部分掩膜板圖形區(qū)。
[0116]此外，還需說明的是，本實施例中，各蒸鍍子區(qū)域1012中的薄膜圖形可以不同。當(dāng)各蒸鍍子區(qū)域1012中的薄膜圖形不同時，可以通過改變各蒸鍍子區(qū)域1012外側(cè)的第一對位標(biāo)記1011、第一掩膜板201上的第二對位標(biāo)記2011以及第二掩膜板202上的第三對位標(biāo)記2021的位置來實現(xiàn)各不同蒸鍍子區(qū)域1012的圖形化。
[0117]本實施例中，真空蒸鍍裝置為分布式真空蒸鍍裝置，根據(jù)基板100表面待蒸鍍圖形區(qū)的特征，將基板100表面分成若干個蒸鍍子區(qū)域1012 (例如I至10個)，使用小于基板100面積和蒸鍍子區(qū)域1012面積若干倍的掩膜板分步完成各個蒸鍍子區(qū)域1012的蒸鍍。在面積較小的蒸鍍子區(qū)域1012上進(jìn)行蒸鍍，可縮短線蒸發(fā)源300長度，提高了蒸鍍均勻性；并可使用小于基板100面積和蒸鍍子區(qū)域1012面積若干倍的掩膜板進(jìn)行蒸鍍，降低了掩膜板的制作難度，從而可實現(xiàn)大尺寸基板100和大尺寸顯示器模組的真空蒸鍍。
[0118]實施例3
[0119]實施例3的真空蒸`鍍裝置在第二方向X的剖面結(jié)構(gòu)示意圖與實施例2的真空蒸鍍裝置在第二方向X的剖面結(jié)構(gòu)示意圖相同；圖15為本發(fā)明實施例3的真空蒸鍍裝置第一方向Y的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0120]參照圖11和圖15，本實施例中，所述真空蒸鍍裝置包括:
[0121]線蒸發(fā)源300;
[0122]用于移動及承載基板100的基板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)，基板100表面形成有待蒸鍍圖形區(qū)101，待蒸鍍圖形區(qū)101分成若干個大小相同的蒸鍍子區(qū)域1012 ；
[0123]用于移動及承載第一掩膜板201的第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)；
[0124]用于移動及承載第二掩膜板202的第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)，其中所述第一掩膜板201與所述第二掩膜板202相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸小于所述蒸鍍子區(qū)域1012的尺寸；
[0125]用于對第一掩膜板201和第二掩膜板202與待蒸鍍的蒸鍍子區(qū)域1012進(jìn)行對位的對位機構(gòu)(圖未示)，
[0126]用于移動及承載所述對位機構(gòu)移動及承載的對位驅(qū)動機構(gòu)；
[0127]蒸鍍擋板(Shutter)400，能夠形成與所述有效掩膜板圖形區(qū)A的尺寸相同的蒸鍍氣體透過區(qū)401 ；
[0128]用于移動及承載蒸鍍擋板400的擋板驅(qū)動機構(gòu)(圖未示)，所述擋板驅(qū)動機構(gòu)通過移動所述蒸鍍擋板400形成所述蒸鍍氣體透過區(qū)401，并使得所述蒸鍍氣體透過區(qū)401與待蒸鍍的蒸鍍子區(qū)域1012相對應(yīng)(即遮擋基板100的非蒸鍍區(qū)域，僅將待蒸鍍的蒸鍍子區(qū)域1012暴露在蒸鍍氣體透過區(qū)401)。
[0129]其中，待蒸鍍基板100膜面朝下，第一掩膜板201和第二掩膜板202位于基板100下方，蒸鍍擋板400位于基板100下方，位于基板100與線蒸發(fā)源300之間。
[0130]需要說明的是，本實施例中，蒸鍍擋板400可以設(shè)置在第一掩膜板201與基板100之間或者位于第二掩膜板202下方或者位于第一掩膜板201與第二掩膜板202之間等位置，只要使得蒸鍍氣體透過區(qū)401與當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012相對應(yīng)，其蒸鍍氣體遮擋區(qū)能夠遮擋基板100的非蒸鍍區(qū)域，僅將當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012暴露在蒸鍍氣體透過區(qū)401，其可以設(shè)置在基板100與線蒸發(fā)源300之間的其他位置。優(yōu)選的，所述蒸鍍擋板400位于第二掩膜板202下方，線蒸發(fā)源300位于蒸鍍擋板400下方。采用上述方案，蒸鍍擋板400設(shè)置在第二掩膜板202下方，可以保證第一掩膜板201和第二掩膜板202與基板100之間的距離相對較短，從而，蒸鍍氣體從掩膜板圖形區(qū)透過而到達(dá)基板表面的距離相對較短，可以保證蒸鍍圖形的精確度。
[0131]本實施例中蒸鍍擋板400的結(jié)構(gòu)示意圖與實施例2中蒸鍍擋板的結(jié)構(gòu)示意圖相同。參照圖13，在本實施例中，蒸鍍擋板400包括4個可獨立驅(qū)動的子擋板401，所述4個子擋板401能夠圍成所述蒸鍍氣體透過區(qū)401。需要說明的是，子擋板401的數(shù)目可以根據(jù)需要設(shè)置，例如，還可以設(shè)置為3個或5個等。
[0132]圖16為本發(fā)明實施例中基板結(jié)構(gòu)的俯視圖，包括:基板100 ;形成在基板100表面的待蒸鍍圖形區(qū)101，待蒸鍍圖形區(qū)101分成若干個大小相同的蒸鍍子區(qū)域1012 ;基板100上第一對位標(biāo)記1011。在本實施例中，將圖形區(qū)分為四個蒸鍍子區(qū)域1012，每個蒸鍍子區(qū)域1012外側(cè)均包括2個基板100上第一對位標(biāo)記1011和第四對位標(biāo)記1013，優(yōu)選的，所述第四對位標(biāo)記1013為沿所述第`一方向Y延伸的長條形結(jié)構(gòu)，可以貫穿對應(yīng)的整個蒸鍍子區(qū)域 1012。
[0133]圖17為本實施例中的第一掩膜板201的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖18為本實施例中第二掩膜板202的結(jié)構(gòu)的俯視圖。如圖17所示，所述第一掩膜板201包括:掩膜板圖形區(qū)2001 ；掩膜板邊框區(qū)2002 ;掩膜板外框區(qū)上的第二對位標(biāo)記2011以及第五對位標(biāo)記2012。如圖18所示，所述第二掩膜板202包括:掩膜板圖形區(qū)2001 ;掩膜板邊框區(qū)2002 ;掩膜板邊框區(qū)2002的第三對位標(biāo)記2021以及第六對位標(biāo)記2022。其中，優(yōu)選的，所述第一掩膜板201上第二對位標(biāo)記2011、第五對位標(biāo)記2012各有2個，所述第二掩膜板202上第三對位標(biāo)記2021和第六對位標(biāo)記2022各有2個。
[0134]本實施例中，優(yōu)選的，第一掩膜板201和第二掩膜板202的結(jié)構(gòu)相同，且所述第一掩膜板201與所述第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001在第一方向Y上的寬度b2均小于所述蒸鍍子區(qū)域1012的圖形寬度bl，且所述第一掩膜板201與所述第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001在第二方向X上的寬度a2均與所述蒸鍍子區(qū)域1012第二方向X上的寬度al相同，以使所述有效掩膜板圖形區(qū)A在第一方向Y上的寬度小于所述基板100的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012的寬度，而在與所述第一方向Y垂直的第二方向X上的寬度等于所述基板100的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012的寬度。
[0135]當(dāng)然可以理解的是，在實際應(yīng)用中，第一掩膜板201和第二掩膜板202的結(jié)構(gòu)也可不同，第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001尺寸也可以與蒸鍍子區(qū)域1012的尺寸不同，只需要保證第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001在相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)A尺寸與蒸鍍子區(qū)域1012的尺寸一致即可。
[0136]蒸鍍開始前，所述對位機構(gòu)通過基板100上第一對位標(biāo)記1011和第一掩膜板201上的第二對位標(biāo)記2011對所述第一掩膜板201和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012進(jìn)行對位，并通過基板100上第一對位標(biāo)記1011和第二掩膜板202上的第三對位標(biāo)記2021對所述第二掩膜板202和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域1012進(jìn)行對位，具體地，通過移動基板100和/或第一、第二掩膜板，使得基板100上相應(yīng)的第一對位標(biāo)記1011分別與第一掩膜板201上相應(yīng)的第二對位標(biāo)記2011、第二掩膜板202上相應(yīng)的第三對位標(biāo)記2021在視野中重合，從而完成蒸鍍初始對位。
[0137]蒸鍍過程中，所述蒸發(fā)源300、蒸鍍擋板400、第一掩膜板201和第二掩膜板202位置相對固定，蒸發(fā)氣體透過所述第一掩膜板201和第二掩膜板202相互交疊形成的有效掩膜板圖形區(qū)A，所述基板100在基板驅(qū)動機構(gòu)作用下沿第一方向Y移動，直至完成一個蒸鍍子區(qū)域1012的真空蒸鍍。所述對位機構(gòu)通過基板100上第一對位標(biāo)記1011和第一掩膜板201上第二對位標(biāo)記2011對所述第一掩膜板201和待蒸鍍的蒸鍍子區(qū)域1012進(jìn)行初始對位，所述對位機構(gòu)通過基板100上第一對位標(biāo)記1011和第二掩膜板202上第三對位標(biāo)記2021對所述第二掩膜板202和待蒸鍍的蒸鍍子區(qū)域1012進(jìn)行初始對位，而在基板沿第一方向Y方向移動過程中，即掃描蒸鍍過程中，所述對位機構(gòu)通過所述基板上的第四對位標(biāo)記1013與所述第一掩膜板201上的第五對位標(biāo)記2012以及第二掩膜板202上的第六對位標(biāo)記2022對所述第一、第二掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域在所述第一方向Y上相對位置連續(xù)移動狀態(tài)下進(jìn)行對位。所述第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)和所述第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)根據(jù)對位的結(jié)果，分別對第一掩膜板201、第二掩膜板202在第二方向X上的位置進(jìn)行精確調(diào)整，使得第一掩膜板201、第二掩膜板202和待蒸鍍的蒸鍍子區(qū)域1012的位置在第二方向X不發(fā)生偏移。完成第一個蒸鍍子區(qū)域1012的蒸鍍后，重復(fù)上述動作完成第二個蒸鍍子區(qū)域1012的真空蒸鍍；依次類推，直至完成整個基板100的真空蒸鍍。
[0138]需要說明的是，在上述實施例中，`各蒸鍍子區(qū)域1012面積均相同。在其他實施例中，也可以將蒸鍍子區(qū)域1012面積設(shè)計為不相同，此時需要移動蒸鍍擋板400位置，遮擋部分掩膜板圖形區(qū)2001。
[0139]圖19所示為一種塊形像素的蒸鍍子區(qū)域的圖形示意圖。如圖19所示，所述蒸鍍子區(qū)域1012包括沿第一方向Y依次分布的第一區(qū)域S1、第二區(qū)域S2和第三區(qū)域S3，其中在第二方向X上，第一區(qū)域SI的蒸鍍薄膜圖形的寬度all與第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)的開孔部2001a寬度a2 —致；第二區(qū)域S2的蒸鍍薄膜圖形的寬度為
O,即無蒸鍍薄膜，所述第三區(qū)域S3的蒸鍍薄膜圖形的寬度al3小于第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部的寬度al。
[0140]采用本實施例所提供的真空蒸鍍裝置蒸鍍?nèi)鐖D19所示的薄膜的工作過程如下:
[0141]沿著線蒸發(fā)源300在基板100表面的掃描方向(即第一方向Y)，當(dāng)線蒸發(fā)源300掃描過第一區(qū)域SI時,第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a完全重合，此時第一掩膜板201與第二掩膜板202的相對位置關(guān)系圖如圖9所示，有效掩膜板圖形區(qū)A的有效開孔部寬度與第一區(qū)域SI的蒸鍍薄膜圖形寬度all相同；第二區(qū)域S2無蒸鍍薄膜，當(dāng)線蒸發(fā)源300掃描過第二區(qū)域S2時，第一掩膜板201和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a完全被對方遮擋，此時第一掩膜板201與第二掩膜板202的相對位置關(guān)系圖如圖20所示；當(dāng)線蒸發(fā)源300掃描過第三區(qū)域S3時，第一掩膜板2013a和第二掩膜板202的掩膜板圖形區(qū)2001的開孔部2001a部分被對方遮擋，有效開孔部寬度與所述第三區(qū)域S3的蒸鍍薄膜圖形在第二方向X寬度al3 —致。
[0142]本實施例提供的真空蒸鍍裝置，通過設(shè)置至少兩塊掩膜板，可以根據(jù)基板表面待蒸鍍圖形區(qū)的圖形特征，改變至少兩塊掩膜板上的掩膜板圖形區(qū)的相互交疊狀態(tài)，以與基板表面待蒸鍍圖形區(qū)的圖形相適配，從而實現(xiàn)各層蒸鍍薄膜的圖形化，降低了掩膜板的制造成本；并且，根據(jù)基板100表面的待蒸鍍圖形區(qū)的特征，將基板100表面分成若干個蒸鍍子區(qū)域1012 (例如I至10個)，使用小于基板100面積和蒸鍍子區(qū)域1012面積若干倍的掩膜板分步完成各個蒸鍍子區(qū)域1012的蒸鍍。在面積較小的蒸鍍子區(qū)域1012上進(jìn)行蒸鍍，可縮短線蒸發(fā)源300長度，提高了蒸鍍均勻性；并可使用小于基板100面積和蒸鍍子區(qū)域1012面積若干倍的掩膜板進(jìn)行蒸鍍，降低了掩膜板的制作難度，從而可實現(xiàn)大尺寸基板100和大尺寸顯示器模組的真空蒸鍍。
[0143]最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神范圍， 其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種真空鍍膜裝置，其特征在于，包括: 用于承載及移動基板的基板驅(qū)動機構(gòu)； 用于承載及移動第一掩膜板的第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)，所述第一掩膜板位于所述基板的下方； 用于承載及移動第二掩膜板，以與所述第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)配合，改變所述第一掩膜板與所述第二掩膜板的掩膜板圖形區(qū)的相互交疊狀態(tài)的第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)，所述第二掩膜板位于所述第一掩膜板的下方；以及， 蒸發(fā)源，所述蒸發(fā)源位于所述第二掩膜板的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 所述基板的表面分成為若干個蒸鍍子區(qū)域； 所述第一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸小于所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸，或者所述有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸與所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸相同； 所述真空鍍膜裝置還包括: 蒸鍍擋板，位于所述基板與所述蒸發(fā)源之間，能夠形成與所述有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸相同的蒸鍍氣體透過區(qū)； 用于移動及承載所述蒸鍍擋板，以使所述蒸鍍氣體透過區(qū)與所述基板的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域相對應(yīng)的擋板驅(qū)動機構(gòu)；以及， 用于移動及承載所述蒸發(fā)源`，以使所述蒸發(fā)源與所述基板的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域相對應(yīng)的蒸發(fā)源驅(qū)動機構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 所述真空蒸鍍裝置還包括用于將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分別與所述基板的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域進(jìn)行對位的對位機構(gòu)； 并且，當(dāng)所述第一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸小于所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸時， 所述真空蒸鍍裝置還包括: 用于移動及承載所述對位機構(gòu)移動及承載的對位驅(qū)動機構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 當(dāng)所述第一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸與所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸相同時， 所述蒸鍍子區(qū)域外側(cè)設(shè)有第一對位標(biāo)記，所述第一掩膜板的邊框區(qū)設(shè)有第二對位標(biāo)記，所述第二掩膜板的邊框區(qū)設(shè)有第三對位標(biāo)記；所述對位機構(gòu)通過所述第一對位標(biāo)記和第二對位標(biāo)記對所述第一掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域進(jìn)行對位； 所述對位機構(gòu)通過所述第一對位標(biāo)記和第三對位標(biāo)記對所述第二掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域進(jìn)行對位。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 當(dāng)所述第一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸小于所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸時， 所述第一掩膜板與所述第二掩膜板在第一方向上的寬度小于所述基板的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域的寬度，使所述有效掩膜板圖形區(qū)在所述第一方向上的寬度小于所述基板的當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 當(dāng)所述第一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸小于所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸時， 所述蒸鍍子區(qū)域外側(cè)均設(shè)有第一對位標(biāo)記，所述第一掩膜板的邊框區(qū)設(shè)有第二對位標(biāo)記，所述第二掩膜板的邊框區(qū)設(shè)有第三對位標(biāo)記，其中，所述對位機構(gòu)通過所述第一對位標(biāo)記和所述第二對位標(biāo)記對所述第一掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域進(jìn)行蒸鍍起始前的對位，所述對位機構(gòu)通過所述第一對位標(biāo)記和所述第三對位標(biāo)記對所述第二掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域進(jìn)行蒸鍍起始前的對位； 所述蒸鍍子區(qū)域外側(cè)還設(shè)有第四對位標(biāo)記，所述第一掩膜板邊框區(qū)還設(shè)有第五對位標(biāo)記，所述第二掩膜板的邊框區(qū)還設(shè)有第六對位標(biāo)記，在蒸鍍過程中，所述對位機構(gòu)通過所述第四對位標(biāo)記和第五對位標(biāo)記對所述第一掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域在所述第一方向上相對位置連續(xù)移動狀態(tài)下進(jìn)行對位，所述對位機構(gòu)通過所述第四對位標(biāo)記和所述第六對位標(biāo)記對所述第二掩膜板和當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域在所述第一方向上相對位置連續(xù)移動狀態(tài)下進(jìn)行對位。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 所述第四對位標(biāo)記為沿所述第一方向延伸，并貫穿對應(yīng)的蒸鍍子區(qū)域的長條形結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 當(dāng)所述第 一掩膜板與所述第二掩膜板相互交疊后形成的有效掩膜板圖形區(qū)的尺寸小于所述蒸鍍子區(qū)域的尺寸時， 所述第一掩膜板驅(qū)動機構(gòu)能夠根據(jù)所述第一掩膜板與當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域在所述第一方向上相對位置連續(xù)移動的狀態(tài)下進(jìn)行對位的結(jié)果，對所述第一掩膜板在所述第二方向上進(jìn)行精確微調(diào)，以使得所述第一掩膜板與當(dāng)前待蒸鍍子區(qū)域的位置不發(fā)生偏移； 所述第二掩膜板驅(qū)動機構(gòu)能夠根據(jù)所述第二掩膜板與當(dāng)前蒸鍍子區(qū)域在所述第一方向上相對位置連續(xù)移動的狀態(tài)下進(jìn)行對位的結(jié)果，對所述第一掩膜板在所述第二方向上進(jìn)行精確微調(diào)，以使得所述第一掩膜板與當(dāng)前待蒸鍍子區(qū)域的位置不發(fā)生偏移。
9.根據(jù)權(quán)利要求2至10任一項所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 所述蒸鍍擋板位于所述第二掩膜板的下方。
10.根據(jù)權(quán)利要求2至10任一項所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，所述蒸鍍擋板包括4個可獨立驅(qū)動的子擋板，所述4個子擋板能夠圍成所述蒸鍍氣體透過區(qū)。
【文檔編號】C23C14/04GK103866238SQ201410081835
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月7日
【發(fā)明者】沐俊應(yīng), 馬大偉 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司