蒸發(fā)源裝置和真空蒸鍍?cè)O(shè)備的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種蒸發(fā)源裝置和真空蒸鍍?cè)O(shè)備，該蒸發(fā)源裝置包括：蒸發(fā)腔室和對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱并將加熱后的蒸發(fā)材料傳輸至所述蒸發(fā)腔室內(nèi)的進(jìn)料腔室，所述蒸發(fā)腔室與所述進(jìn)料腔室連接，在進(jìn)行蒸鍍過程中，可根據(jù)蒸發(fā)腔室內(nèi)的蒸發(fā)材料的余量和蒸發(fā)速率，通過進(jìn)料腔室對(duì)蒸發(fā)腔室進(jìn)行加料，在加料過程中無須進(jìn)行開腔處理，使得真空蒸鍍?cè)O(shè)備能夠連續(xù)地、長時(shí)間地進(jìn)行蒸鍍，提高了真空蒸鍍?cè)O(shè)備的生產(chǎn)效率。
【專利說明】蒸發(fā)源裝置和真空蒸鍍?cè)O(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及薄膜形成【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及蒸發(fā)源裝置和真空蒸鍍?cè)O(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)憑借其鍍膜原理簡單、蒸鍍?cè)O(shè)備占地少、操作安全性能高、生產(chǎn)過程沒有污染等特點(diǎn)，廣泛地應(yīng)用于0LED、半導(dǎo)體芯片、太陽能電池等制造領(lǐng)域。
[0003]其中，真空蒸鍍?cè)O(shè)備包括:真空腔室和位于真空腔室內(nèi)的蒸發(fā)源裝置。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的蒸發(fā)源裝置的截面圖，如圖1所示，該蒸發(fā)源裝置包括:蒸發(fā)腔室1，蒸發(fā)腔室I為圓柱形或長方體形，該蒸發(fā)腔室I包括:蒸發(fā)冷卻層101和位于所述蒸發(fā)冷卻層101內(nèi)側(cè)的蒸發(fā)加熱層102。在蒸鍍過程中，蒸發(fā)材料5位于蒸發(fā)腔室I的底部，蒸發(fā)加熱層102對(duì)蒸發(fā)材料5進(jìn)行加熱，使得蒸發(fā)材料5蒸發(fā)、揮發(fā)或升華為鍍膜氣體并通過蒸發(fā)腔室I的開口部6溢出蒸發(fā)源，鍍膜氣體到達(dá)待蒸鍍基板表面并沉積為薄膜。
[0004]在實(shí)際的生產(chǎn)過程中，在蒸鍍基板處設(shè)置有石英晶體微天平，該石英晶體微天平可監(jiān)控鍍膜速率和蒸鍍基板表面的膜厚，根據(jù)監(jiān)控的鍍膜速率情況，可利用蒸發(fā)冷卻層和蒸發(fā)加熱層來控制蒸發(fā)腔室的溫度，從而獲得均勻的蒸發(fā)速率，進(jìn)而獲得均勻的鍍膜速率。
[0005]但是，由于蒸發(fā)腔室的容積有限，當(dāng)蒸發(fā)腔室內(nèi)的蒸發(fā)材料全部消耗完，需要對(duì)真空蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行破真空和開腔加料等步驟。其中，在開腔加料過程中需要依次進(jìn)行蒸發(fā)源降溫、添加蒸發(fā)材料、蒸發(fā)源升溫和調(diào)節(jié)蒸鍍速度等步驟，使得整個(gè)蒸鍍過程不連續(xù)，生產(chǎn)效率較低，難以滿足大尺寸基板大規(guī)模量產(chǎn)的需求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型提供一種蒸發(fā)源裝置和真空蒸鍍?cè)O(shè)備，該蒸發(fā)源裝置在進(jìn)行加料過程中無需對(duì)真空蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行破真空和開腔加料等步驟，使得真空蒸鍍?cè)O(shè)備能夠連續(xù)地、長時(shí)間地進(jìn)行蒸鍍，提高了真空蒸鍍?cè)O(shè)備的生產(chǎn)效率。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種蒸發(fā)源裝置，該蒸發(fā)源裝置包括:蒸發(fā)腔室和對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱并將加熱后的蒸發(fā)材料傳輸至所述蒸發(fā)腔室內(nèi)的進(jìn)料腔室，所述蒸發(fā)腔室與所述進(jìn)料腔室連接。
[0008]可選地，所述蒸發(fā)腔室的側(cè)壁上設(shè)置有通孔，所述進(jìn)料腔室通過所述通孔與所述蒸發(fā)腔室連接。
[0009]可選地，所述進(jìn)料腔室包括:對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行預(yù)先存儲(chǔ)的儲(chǔ)料腔室和對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行預(yù)先加熱的加熱腔室，所述加熱腔室的一端與所述儲(chǔ)料腔室連接，所述加熱腔室的另一端與所述蒸發(fā)腔室連接。
[0010]可選地，所述加熱腔室包括:第一腔體和設(shè)置于第一腔體內(nèi)側(cè)的第一加熱層。
[0011]可選地，所述進(jìn)料腔室還包括:第一隔離裝置，所述第一隔離裝置設(shè)置于所述儲(chǔ)料腔室與所述加熱腔室之間。
[0012]可選地，所述加熱腔室內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)第二隔離裝置，全部所述第二隔離裝置將所述加熱腔室分割為多個(gè)加熱子腔室。
[0013]可選地，所述儲(chǔ)料腔室的截面形狀為倒梯形。
[0014]可選地，所述蒸發(fā)腔室與所述進(jìn)料腔室之間還設(shè)置有進(jìn)料管道，所述進(jìn)料腔室內(nèi)的蒸發(fā)材料經(jīng)過所述進(jìn)料管道進(jìn)入所述蒸發(fā)腔室。
[0015]可選地，所述進(jìn)料腔室的數(shù)量為多個(gè)。
[0016]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種真空蒸鍍?cè)O(shè)備，該真空蒸鍍?cè)O(shè)備包括:蒸發(fā)源裝置，所述蒸發(fā)源裝置采用上述的蒸發(fā)源裝置。
[0017]本實(shí)用新型具有以下有益效果:該蒸發(fā)源裝置包括蒸發(fā)腔室和對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱并將加熱后的蒸發(fā)材料傳輸至所述蒸發(fā)腔室內(nèi)的進(jìn)料腔室，在進(jìn)行蒸鍍過程中，可根據(jù)蒸發(fā)腔室內(nèi)的蒸發(fā)材料的余量和蒸發(fā)速率，通過進(jìn)料腔室對(duì)蒸發(fā)腔室進(jìn)行加料，在加料過程中無須進(jìn)行開腔處理，使得真空蒸鍍?cè)O(shè)備能夠連續(xù)地、長時(shí)間地進(jìn)行蒸鍍，提高了真空蒸鍍?cè)O(shè)備的生產(chǎn)效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的蒸發(fā)源裝置的截面圖；
[0019]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的蒸發(fā)源裝置的截面圖；
[0020]圖3為圖2中進(jìn)料腔室和進(jìn)料管道的截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型提供的蒸發(fā)源裝置和真空蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0022]實(shí)施例一
[0023]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的蒸發(fā)源裝置的截面圖，圖3為圖2中進(jìn)料腔室和進(jìn)料管道的截面圖，如圖2和圖3所示，該蒸發(fā)源裝置包括:蒸發(fā)腔室I和對(duì)蒸發(fā)材料5進(jìn)行加熱并將加熱后的蒸發(fā)材料5傳輸至蒸發(fā)腔室I內(nèi)的進(jìn)料腔室，蒸發(fā)腔室I與進(jìn)料腔室連接，其中蒸發(fā)腔室I包括:蒸發(fā)冷卻層101和位于蒸發(fā)冷卻層101內(nèi)側(cè)的蒸發(fā)加熱層102。
[0024]當(dāng)蒸發(fā)腔室I中的蒸發(fā)材料5不夠時(shí)，可通過進(jìn)料腔室對(duì)蒸發(fā)腔室I進(jìn)行加料。具體地，首先，進(jìn)料腔室將蒸發(fā)材料5進(jìn)行預(yù)先加熱處理，使得進(jìn)料腔室中待進(jìn)入蒸發(fā)腔室I的蒸發(fā)材料5的溫度與蒸發(fā)腔室I內(nèi)的蒸發(fā)材料5的溫度相近或相等。然后，進(jìn)料腔室將進(jìn)料腔室中加熱完畢的蒸發(fā)材料5傳輸至蒸發(fā)腔室I中，從而完成了對(duì)蒸發(fā)腔室I的加料處理。
[0025]其中，蒸發(fā)材料5可為顆粒狀或者粉末狀的材料。
[0026]本實(shí)施例的技術(shù)方案中，整個(gè)加料過程無需進(jìn)行開腔處理，從而可省去蒸發(fā)源降溫、添加蒸發(fā)材料、蒸發(fā)源升溫和調(diào)節(jié)蒸鍍速度等步驟，使得蒸發(fā)腔室I實(shí)現(xiàn)了連續(xù)工作。
[0027]可選地，蒸發(fā)腔室I的側(cè)壁上設(shè)置有通孔7，進(jìn)料腔室通過通孔7與蒸發(fā)腔室I連接。具體地，在蒸發(fā)冷卻層101和蒸發(fā)加熱層102上打孔，進(jìn)料腔室通過蒸發(fā)冷卻層101上的孔和蒸發(fā)加熱層102上的孔與蒸發(fā)腔室I連接。進(jìn)料腔室位于蒸發(fā)腔室I的側(cè)面，進(jìn)料腔室內(nèi)的蒸發(fā)材料5可在重力的作用下通過通孔進(jìn)入至蒸發(fā)腔室I的底部。
[0028]可選地，進(jìn)料腔室包括:對(duì)蒸發(fā)材料5進(jìn)行預(yù)先存儲(chǔ)的儲(chǔ)料腔室2和對(duì)蒸發(fā)材料5進(jìn)行預(yù)先加熱的加熱腔室3，加熱腔室3的一端與儲(chǔ)料腔室2連接，加熱腔室3的另一端與蒸發(fā)腔室I連接。儲(chǔ)料腔室2包括:第二腔體201和第二加熱層202，加熱腔室3包括:第一腔體301和設(shè)置于第一腔體301內(nèi)側(cè)的第一加熱層302。
[0029]其中，儲(chǔ)料腔室2用于對(duì)蒸發(fā)材料5進(jìn)行預(yù)先存儲(chǔ)，若蒸發(fā)腔室I需要進(jìn)行加料，則儲(chǔ)料腔室2將部分的蒸發(fā)材料5傳輸至加熱腔室3，第一加熱層302對(duì)第一腔體301內(nèi)接收到的蒸發(fā)材料5進(jìn)行預(yù)先加熱。為了第一加熱層302的加熱時(shí)間，可先通過第二加熱層202可對(duì)第二腔體201內(nèi)預(yù)先存儲(chǔ)的蒸發(fā)材料5進(jìn)行提前加熱，使得第二腔體201內(nèi)的蒸發(fā)材料5維持在一定的溫度，需要說明的是，第二腔體201內(nèi)的蒸發(fā)材料5的溫度小于第一腔體301內(nèi)蒸發(fā)材料5的溫度。
[0030]可選地，進(jìn)料腔室還包括:第一隔離裝置8，第一隔離裝置8設(shè)置于儲(chǔ)料腔室2與加熱腔室3之間。通過在儲(chǔ)料腔室2與加熱腔室3之間設(shè)置第一隔離裝置8可控制進(jìn)入加熱腔室3內(nèi)的蒸發(fā)材料5的量，從而控制進(jìn)入蒸發(fā)腔室I的蒸發(fā)材料5的量。具體地，第一隔離裝置8包括:隔離板，隔離板上設(shè)置有可打開或閉合的通孔，當(dāng)通孔打開時(shí)，蒸發(fā)材料5通過通孔進(jìn)入至加熱腔室3中。較優(yōu)地，第一隔離裝置8由隔熱材料構(gòu)成，第一隔離裝置8不但能控制進(jìn)入加熱腔室3的蒸發(fā)材料5的量，而且可有效避免儲(chǔ)料腔室2內(nèi)溫度過高造成蒸發(fā)材料5變性的現(xiàn)象。
[0031]可選地，加熱腔室3內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)第二隔離裝置，全部第二隔離裝置將加熱腔室3分割為多個(gè)加熱子腔室。通過設(shè)置第二隔離裝置，可利用多個(gè)加熱子腔室對(duì)蒸發(fā)材料5進(jìn)行逐步加熱。進(jìn)一步地，第二隔離裝置與第一隔離裝置8的結(jié)構(gòu)和形狀完全相同。需要說明的是，第二隔離裝置在附圖中未示出。
[0032]可選地，儲(chǔ)料腔室2的截面形狀為倒梯形。當(dāng)儲(chǔ)料腔室2的截面形狀為倒梯形時(shí)，儲(chǔ)料腔室2可存儲(chǔ)更多的蒸發(fā)材料5，同時(shí)，該結(jié)構(gòu)還有利于儲(chǔ)料腔室2內(nèi)的蒸發(fā)材料5在重力的作用下進(jìn)入加熱腔室3。
[0033]可選地，蒸發(fā)腔室I與進(jìn)料腔室之間還設(shè)置有進(jìn)料管道4，進(jìn)料腔室內(nèi)的蒸發(fā)材料5經(jīng)過進(jìn)料管道4進(jìn)入蒸發(fā)腔室I。具體地，進(jìn)料管道4包括:第三腔體401和設(shè)置于第三腔體401內(nèi)側(cè)的第三加熱層。當(dāng)蒸發(fā)材料5進(jìn)入到第三腔體401時(shí)，第三加熱層402對(duì)蒸發(fā)材料5進(jìn)一步的加熱，可使得第三腔體401內(nèi)的蒸發(fā)材料5維持在較高的溫度?？蛇x地，進(jìn)料管道4與進(jìn)料腔室之間還設(shè)置有第三隔離裝置9。只有當(dāng)加熱腔室3內(nèi)的蒸發(fā)材料5的溫度加熱到預(yù)定的溫度時(shí)第三隔離裝置9才開啟，加熱腔室3內(nèi)的蒸發(fā)材料5才能進(jìn)入到進(jìn)料管道4，有效的保證了蒸發(fā)腔室I內(nèi)的蒸發(fā)速率的穩(wěn)定性。
[0034]需要說明的是，在本實(shí)施例中，第一腔體301、第二腔體201和第三腔體401可以一體成型。
[0035]進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)于第一加熱層302、第二加熱層202和第三加熱層402還可分別設(shè)置相應(yīng)的第一冷卻層、第二冷卻層和第三冷卻層，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)相應(yīng)溫度的調(diào)控。本實(shí)施例中，第二加熱層202和第三加熱層402的設(shè)置是本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案,本實(shí)施例的技術(shù)方案在沒有第二加熱層202和/或第三加熱層402的情況下依然能實(shí)現(xiàn)連續(xù)地、長時(shí)間地蒸鍍。
[0036]可選地，進(jìn)料腔室的數(shù)量為多個(gè)。本實(shí)施例中，進(jìn)料腔室的數(shù)量可以為多個(gè)，通過多個(gè)進(jìn)料腔室共同完成對(duì)蒸發(fā)腔室I的加料，可進(jìn)一步的提高加料的速率，使得生產(chǎn)效率得到進(jìn)一步的提高。多個(gè)進(jìn)料腔室對(duì)應(yīng)一個(gè)蒸發(fā)腔室I的情況在附圖中未給出。
[0037]需要說明的是，本實(shí)施例中的蒸發(fā)速率指的是蒸發(fā)材料由固態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)與蒸發(fā)材料由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)的速率之和，整個(gè)蒸發(fā)過程包含了蒸發(fā)現(xiàn)象、揮發(fā)現(xiàn)象和升華現(xiàn)象。
[0038]本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的蒸發(fā)源裝置，該蒸發(fā)源裝置包括:蒸發(fā)腔室和對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱并將加熱后的蒸發(fā)材料傳輸至所述蒸發(fā)腔室內(nèi)的進(jìn)料腔室，在進(jìn)行蒸鍍過程中，可根據(jù)蒸發(fā)腔室內(nèi)的蒸發(fā)材料的余量和蒸發(fā)速率，通過進(jìn)料腔室對(duì)蒸發(fā)腔室進(jìn)行加料，在加料過程中無須進(jìn)行開腔處理，使得真空蒸鍍?cè)O(shè)備能夠連續(xù)地、長時(shí)間地進(jìn)行蒸鍍，提高了真空蒸鍍?cè)O(shè)備的生產(chǎn)效率。
[0039]實(shí)施例二
[0040]本實(shí)用新型提供一種真空蒸鍍?cè)O(shè)備，該真空蒸鍍?cè)O(shè)備包括:蒸發(fā)源裝置，蒸發(fā)源裝置采用實(shí)施例一中的蒸發(fā)源裝置，具體可參見上述實(shí)施例一中的描述，此處不再贅述。
[0041]本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的真空蒸鍍?cè)O(shè)備，該真空蒸鍍?cè)O(shè)備包括蒸發(fā)源裝置，該蒸發(fā)源裝置包括:蒸發(fā)腔室和對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱并將加熱后的蒸發(fā)材料傳輸至所述蒸發(fā)腔室內(nèi)的進(jìn)料腔室，在進(jìn)行蒸鍍過程中，可根據(jù)蒸發(fā)腔室內(nèi)的蒸發(fā)材料的余量和蒸發(fā)速率，通過進(jìn)料腔室對(duì)蒸發(fā)腔室進(jìn)行加料，在加料過程中無須進(jìn)行開腔處理，使得真空蒸鍍?cè)O(shè)備能夠連續(xù)地、長時(shí)間地進(jìn)行蒸鍍，提高了真空蒸鍍?cè)O(shè)備的生產(chǎn)效率。
[0042]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種蒸發(fā)源裝置，其特征在于，包括:蒸發(fā)腔室和對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱并將加熱后的蒸發(fā)材料傳輸至所述蒸發(fā)腔室內(nèi)的進(jìn)料腔室，所述蒸發(fā)腔室與所述進(jìn)料腔室連接； 所述蒸發(fā)腔室的側(cè)壁上設(shè)置有通孔，所述進(jìn)料腔室通過所述通孔與所述蒸發(fā)腔室連接; 所述進(jìn)料腔室包括:對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行預(yù)先存儲(chǔ)的儲(chǔ)料腔室和對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行預(yù)先加熱的加熱腔室，所述加熱腔室的一端與所述儲(chǔ)料腔室連接，所述加熱腔室的另一端與所述蒸發(fā)腔室連接； 所述加熱腔室包括:第一腔體和設(shè)置于第一腔體內(nèi)側(cè)的第一加熱層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述進(jìn)料腔室還包括:第一隔離裝置，所述第一隔離裝置設(shè)置于所述儲(chǔ)料腔室與所述加熱腔室之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述加熱腔室內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)第二隔離裝置，全部所述第二隔離裝置將所述加熱腔室分割為多個(gè)加熱子腔室。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述儲(chǔ)料腔室的截面形狀為倒梯形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述蒸發(fā)腔室與所述進(jìn)料腔室之間還設(shè)置有進(jìn)料管道，所述進(jìn)料腔室內(nèi)的蒸發(fā)材料經(jīng)過所述進(jìn)料管道進(jìn)入所述蒸發(fā)腔室。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述進(jìn)料腔室的數(shù)量為多個(gè)。
7.一種真空蒸鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，包括:蒸發(fā)源裝置，所述蒸發(fā)源裝置采用上述權(quán)利要求I至6中任一所述的蒸發(fā)源裝置。
【文檔編號(hào)】C23C14/26GK203976897SQ201320627187
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月11日
【發(fā)明者】沐俊應(yīng), 馬大偉, 喬永康 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司