一種新型制備azo薄膜沉積工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種新型制備AZO薄膜的工藝，可用于薄膜太陽(yáng)能窗口層制備、可用于平板顯示行業(yè)的透明導(dǎo)電層制備。采用磁控濺射AZO陶瓷靶材。所述AZO陶瓷靶材，其特征在于：Al2O3的含量是1at%-3at%之間，余量是ZnO，其中Fe的含量低于10ppm?？刂浦绷髅}沖電源的脈沖占空比與脈沖頻率制備AZO薄膜的工藝，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖發(fā)生器中，輸出的脈沖正向和反向的峰高和正向反向方波的持續(xù)時(shí)間，以及調(diào)節(jié)輸出的脈沖方波的脈沖頻率，并借住檢測(cè)靶材表面的電壓變化和濺射工藝氣壓變化，模擬計(jì)算調(diào)節(jié)，使其整個(gè)濺射AZO工藝穩(wěn)定、避免打弧現(xiàn)象和濺射陽(yáng)極消失而導(dǎo)致濺射薄膜性能下降，從而得到高濺射速率，高透過(guò)率、高導(dǎo)電率、高致密性、高霧度的透明導(dǎo)電薄膜AZO。
【專利說(shuō)明】一種新型制備AZO薄膜沉積工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于鍍膜行業(yè)關(guān)于透明導(dǎo)電薄膜TCO領(lǐng)域，特別涉及到一種新型制備AZO薄膜沉積工藝，屬于制備透明導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]透明導(dǎo)電膜ITO是所有透明導(dǎo)電材料中應(yīng)用最為廣泛的一類。由于這種材料制備的薄膜不僅在可見光區(qū)有著很高的透過(guò)率，在紅外和近紅外區(qū)透過(guò)率也很高，而且薄膜的電阻率較低，因此既可以用作平面顯示(FPD)和太陽(yáng)能用的平面電極材料，也可用于節(jié)能方面，如建筑玻璃表面等，還可用于汽車玻璃和微波爐。在這一類材料中，目前應(yīng)用最為廣泛的是銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜ΙΤ0。但是ITO中主要成分之一金屬銦是稀有金屬，并且其冶煉過(guò)程中會(huì)造成環(huán)境的污染，因此從節(jié)約資源保護(hù)環(huán)境的角度，應(yīng)該廣泛應(yīng)用高性能的AZO薄膜來(lái)代替ITO薄膜。
[0003]AZO鍍膜玻璃，即在ZnO體系中摻雜Al所得到ZnO:A1透明導(dǎo)電薄膜玻璃。摻雜后的AZO薄膜導(dǎo)電性能大幅度提高，電阻率可降低到10-4 Ω.cm,而且AZO薄膜在氫等離子體中穩(wěn)定性要優(yōu)于ΙΤ0，同時(shí)AZO具有可同ITO相媲美的光電特性，而且AZO薄膜的制備方便，元素資源比較豐富，且無(wú)毒，是ITO薄膜的最佳替代者，目前AZO薄膜在平板顯示器和薄膜太陽(yáng)能電池中已經(jīng)得到了部分應(yīng)用。
[0004]真空濺射技術(shù)可以通過(guò)控制工藝溫度和真空氣氛，制備出方塊電阻范圍在3-12歐姆的AZO薄膜。但是，為了實(shí)現(xiàn)較好的微觀納米結(jié)構(gòu)分布和較高的霧度，需要控制AZO鍍膜玻璃的鍍膜工藝，尤其是需要嚴(yán)格控制工藝溫度和真空氣氛，這導(dǎo)致生產(chǎn)出的AZO鍍膜玻璃成本較高，表面納米結(jié)構(gòu)分布均勻性差，這不利于后續(xù)電池的應(yīng)用，因此我們需要的是廣泛、實(shí)用、生產(chǎn)線上穩(wěn)定的鍍膜工藝。
[0005]因此，本發(fā)明開發(fā)了一種控制AZO濺射的直流脈沖電源占空比的工藝，降低了需要精確嚴(yán)格控制工藝氣體氣氛和溫度的缺陷，得到一種電阻率低、高透過(guò)率，致密性高的薄膜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于如上所述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明是在現(xiàn)有的AZO鍍膜工藝之上開發(fā)的一種新型的制備工藝，可應(yīng)用于大量大面積的生產(chǎn)制備AZO薄膜，以下對(duì)于本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明:
本發(fā)明提供的一種新型制備AZO薄膜的工藝，其特征在于，采用磁控濺射AZO陶瓷靶材，控制直流脈沖電源的脈沖占空比與脈沖頻率制備AZO薄膜的工藝，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖發(fā)生器中，輸出的脈沖正向和反向的峰高和正向反向方波的持續(xù)時(shí)間，以及調(diào)節(jié)輸出的脈沖方波的脈沖頻率，并借住檢測(cè) 靶材表面的電壓變化和濺射工藝氣壓變化，模擬計(jì)算調(diào)節(jié)，使其整個(gè)濺射AZO工藝穩(wěn)定、避免打弧現(xiàn)象、得到高透過(guò)率、高導(dǎo)電率的透明導(dǎo)電薄膜ΑΖ0。
[0007]本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述制備AZO薄膜，采用磁控濺射裝置，該裝置包含:傳輸系統(tǒng)、陰極、電源、工藝氣體、泵組、加熱系統(tǒng)、測(cè)量系統(tǒng)；用于透明導(dǎo)電薄膜AZO沉積所用裝置。
[0008]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述濺射工藝流程是首先使用真空泵腔體抽至一定的真空度，本底真空抽至5xlO_4Pa以下，控制水分分壓低于本底真空的4%，這需要使用測(cè)量系統(tǒng)中的高低壓真空計(jì)等測(cè)量設(shè)備；再次使用傳輸系統(tǒng)將基板傳送至濺射腔體，在設(shè)備的下方配有傳動(dòng)電機(jī)，電機(jī)帶動(dòng)齒輪，齒輪帶動(dòng)皮帶，皮帶帶動(dòng)滾輪，滾輪依靠摩擦力帶動(dòng)基板向前傳輸，在傳輸?shù)倪^(guò)程中，加熱系統(tǒng)開始工作，可以選用電阻絲或紅外燈管的方式對(duì)基板進(jìn)行加熱，加熱至100-300°C，但要求整個(gè)基板的溫度均勻性在±5°C以內(nèi)；其次基板傳輸至派射腔體，通入Ar/02混合和Ar工藝氣體,混合比例是O2:Ar在1%_20%之間，調(diào)節(jié)工藝壓強(qiáng)控制在0.1-1Pa之間；最后通過(guò)直流脈沖電源供電，將工藝氣體電離，然后轟擊AZO靶材實(shí)現(xiàn)靶材上AZO材料沉積到基板的過(guò)程。
本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述AZO陶瓷靶材中，靶材中Al2O3的含量在1%_3%之間，其他成分是ZnO，其中Fe的含量低于lOppm。
[0009]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述靶材是平面小靶材、可以是平面矩形、旋轉(zhuǎn)圓柱祀材。
[0010]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述陰極為靜態(tài)磁場(chǎng)陰極或可移動(dòng)磁場(chǎng)陰極。
[0011]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方 式中，所述的磁控濺射裝置為各種小型試驗(yàn)型磁控機(jī)臺(tái)臺(tái)、生產(chǎn)臥式機(jī)臺(tái)或者是生產(chǎn)立式機(jī)臺(tái)等。
[0012]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述濺射陶瓷靶材ΑΖ0，陰極采用強(qiáng)磁場(chǎng)的陰極，磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)600GS-1300GS之間。
[0013]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述磁控濺射陶瓷靶材ΑΖ0，所用電源采用直流脈沖電源，電源的脈沖的占空比、脈沖頻率可調(diào),可調(diào)范圍在10%-60%之間。輸出波形是方波。
[0014]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述控制直流脈沖電源的脈沖占空比與脈沖頻率制備AZO薄膜的工藝，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖發(fā)生器中，輸出的脈沖正向和反向的峰高和正向反向方波的持續(xù)時(shí)間，以及調(diào)節(jié)輸出的脈沖方波的脈沖頻率，并借住檢測(cè)靶材表面的電壓變化和濺射工藝氣壓變化，模擬計(jì)算調(diào)節(jié)。
[0015]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述磁控濺射陶瓷靶材AZO時(shí)，濺射功率密度50ff/m-15KW/mo
[0016]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述磁控濺射陶瓷靶材AZO時(shí)，基板加熱的溫度是 100°C -300°c。
[0017]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述基板加熱，采用紅外燈管加熱方式或者電阻絲加熱方式，并要求大面積加熱基板的溫度不均勻性小于±5°C。
[0018]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述磁控濺射陶瓷靶材AZO時(shí)，濺射靶基距(靶材表面到基板的距離)在70-100mm之間。
[0019]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述磁控濺射陶瓷靶材AZO時(shí)，濺射的本底真空需要抽至5xlO_4Pa以下，控制水分的分壓低于本底真空的4%。
[0020]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述濺射工藝氣體，采用Ar和O2，純度都高于99.999%。一般02采用混合氣體，Ar/02混合氣體，混合比例是O2 =Ar是1%_20%之間。采用混合氣體便于工藝的氣壓比例精準(zhǔn)調(diào)節(jié)。
[0021]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述磁控濺射陶瓷靶材AZO時(shí)，濺射工藝壓強(qiáng)控制在0.1-1Pa之間，其中O2的含量占該真空度的0.1%-5%之間。
[0022]所述的一種新型制備AZO薄膜的工藝，其特征在于，所述濺射AZO透明導(dǎo)電薄膜的厚度在500nm-l.5 μ m之間。
[0023]本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述磁控濺射陶瓷靶材ΑΖ0，檢測(cè)靶材表面的電壓變化和濺射工藝氣壓變化，是分別通過(guò)電源自身監(jiān)測(cè)電源輸出電壓變化和真空壓力測(cè)量裝置監(jiān)測(cè)工藝氣壓變化。 [0024]所述真空壓力測(cè)量裝置，其特征在于:所述真空壓力測(cè)量裝置為電離真空計(jì)、電阻真空計(jì)、電容真空計(jì)。
[0025]所述模擬計(jì)算，其特征在于:根據(jù)真空壓力測(cè)量裝置時(shí)時(shí)監(jiān)控工藝壓強(qiáng)的波動(dòng)，在聯(lián)合時(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電源輸出電壓在靶材表面的波動(dòng)，通過(guò)模擬計(jì)算模塊計(jì)算，反過(guò)來(lái)調(diào)節(jié)電源的脈沖發(fā)生器輸出的脈沖波的占空比和頻率，達(dá)到濺射工藝穩(wěn)定。
[0026]所述基板，其特征在于:基板采用不銹鋼、玻璃、聚酰亞胺(PI)等，其尺寸不限制。
[0027]本發(fā)明的AZO鍍膜制備工藝具有好的穩(wěn)定性、能夠制備出低方塊電阻、高透過(guò)率，高致密、較高霧度、分布均勻的AZO透明導(dǎo)電薄膜。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]附圖1是本發(fā)明的實(shí)施例的基體和AZO薄膜結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖2是本發(fā)明實(shí)施例的AZO表面狀態(tài)SEM圖；
附圖3是本發(fā)明實(shí)施例的AZO薄膜透過(guò)率的測(cè)試圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做具體闡釋。
[0030]本發(fā)明提供的一種新型制備AZO薄膜的工藝制備方法，包括:
采用磁控濺射AZO陶瓷靶材，控制直流脈沖電源的脈沖占空比與脈沖頻率制備AZO薄膜的工藝，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖發(fā)生器中，輸出的脈沖正向和反向的峰高和正向反向方波的持續(xù)時(shí)間，以及調(diào)節(jié)輸出的脈沖方波的脈沖頻率，并借住檢測(cè)靶材表面的電壓變化和濺射工藝氣壓變化，模擬計(jì)算調(diào)節(jié)，使其整個(gè)濺射AZO工藝穩(wěn)定、避免打弧現(xiàn)象、得到高透過(guò)率、高導(dǎo)電率的透明導(dǎo)電薄膜ΑΖ0。其結(jié)構(gòu)如圖1中所示，其中I為玻璃，2為AZO薄膜；
所述制備AZO薄膜，采用磁控濺射裝置，該裝置包含:傳輸系統(tǒng)、陰極、電源、工藝氣體、泵組、加熱系統(tǒng)、測(cè)量系統(tǒng)；用于透明導(dǎo)電薄膜AZO沉積所用裝置。
[0031]所述濺射工藝流程是首先使用真空泵腔體抽至一定的真空度，本底真空抽至5xlO_4Pa以下，控制水分分壓低于本底真空的4%，這需要使用測(cè)量系統(tǒng)中的高低壓真空計(jì)等測(cè)量設(shè)備；再次使用傳輸系統(tǒng)將基板傳送至濺射腔體，在設(shè)備的下方配有傳動(dòng)電機(jī)，電機(jī)帶動(dòng)齒輪，齒輪帶動(dòng)皮帶，皮帶帶動(dòng)滾輪，滾輪依靠摩擦力帶動(dòng)基板向前傳輸，在傳輸?shù)倪^(guò)程中，加熱系統(tǒng)開始工作，可以選用電阻絲或紅外燈管的方式對(duì)基板進(jìn)行加熱，加熱至100-300°C，但要求整個(gè)基板的溫度均勻性在±5°C以內(nèi)；其次基板傳輸至濺射腔體，通入Ar/02混合和Ar工藝氣體，混合比例是O2:Ar在1%_20%之間，調(diào)節(jié)工藝壓強(qiáng)控制在0.1-1Pa之間；最后通過(guò)直流脈沖電源供電,將工藝氣體電離,然后轟擊AZO靶材實(shí)現(xiàn)靶材上AZO材料沉積到基板的過(guò)程。
所述AZO陶瓷靶材中，靶材中Al2O3的含量在1%_3%之間，其他成分是ZnO，其中Fe的含量低于lOppm。
[0032]所述靶材是平面小靶材、可以是平面矩形、旋轉(zhuǎn)圓柱靶材。
[0033]所述陰極為靜態(tài)磁場(chǎng)陰極或可移動(dòng)磁場(chǎng)陰極。
[0034]所述的磁控濺射裝置為各種小型試驗(yàn)型磁控機(jī)臺(tái)臺(tái)、生產(chǎn)臥式機(jī)臺(tái)或者是生產(chǎn)立式機(jī)臺(tái)等。
[0035]所述濺射陶瓷靶材AZ0，陰極采用強(qiáng)磁場(chǎng)的陰極，磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)600GS-1300GS之間。
[0036]所述磁控濺射陶瓷靶材AZ0，所用電源采用直流脈沖電源，電源的脈沖的占空比、脈沖頻率可調(diào)，可調(diào)范圍在10%-60%之間。輸出波形是方波。
[0037]所述控制直流脈沖電源的脈沖占空比與脈沖頻率制備AZO薄膜的工藝，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖發(fā)生器中，輸出的脈沖正向和反向的峰高和正向反向方波的持續(xù)時(shí)間，以及調(diào)節(jié)輸出的脈沖方波的脈沖頻率，并借住檢測(cè)靶材表面的電壓變化和濺射工藝氣壓變化，模擬計(jì)算調(diào)節(jié)。
[0038]所述磁控濺射陶瓷靶材AZO時(shí)， 濺射功率密度50W/m_15KW/m。
[0039]所述磁控濺射陶瓷靶材AZO時(shí)，基板加熱的溫度是100°C -300°C。
[0040]所述基板加熱，采用紅外燈管加熱方式或者電阻絲加熱方式，并要求大面積加熱基板的溫度不均勻性小于±5°C。
[0041]所述磁控濺射陶瓷靶材AZO時(shí)，濺射靶基距(靶材表面到基板的距離)在70-100mm之間。
[0042]所述磁控濺射陶瓷靶材AZO時(shí)，濺射的本底真空需要抽至5xlO_4Pa以下，控制水分的分壓低于本底真空的4%。
[0043]所述濺射工藝氣體，采用Ar和02，純度都高于99.999%。一般02采用混合氣體，Ar/02混合氣體，混合比例是O2 =Ar是1%_20%之間。采用混合氣體便于工藝的氣壓比例精準(zhǔn)調(diào)節(jié)。
[0044]所述磁控濺射陶瓷靶材AZO時(shí)，濺射工藝壓強(qiáng)控制在0.1-1Pa之間，其中O2的含量占該真空度的0.1%-5%之間。
[0045]所述派射AZO透明導(dǎo)電薄膜的厚度在500nm_l.5 μ m之間。
[0046]所述磁控濺射陶瓷靶材ΑΖ0，檢測(cè)靶材表面的電壓變化和濺射工藝氣壓變化，是分別通過(guò)電源自身監(jiān)測(cè)電源輸出電壓變化和真空壓力測(cè)量裝置監(jiān)測(cè)工藝氣壓變化。
[0047]所述真空壓力測(cè)量裝置為電離真空計(jì)、電阻真空計(jì)、電容真空計(jì)。
[0048]所述模擬計(jì)算，其特征在于:根據(jù)真空壓力測(cè)量裝置時(shí)時(shí)監(jiān)控工藝壓強(qiáng)的波動(dòng)，在聯(lián)合時(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電源輸出電壓在靶材表面的波動(dòng)，通過(guò)模擬計(jì)算模塊計(jì)算，反過(guò)來(lái)調(diào)節(jié)電源的脈沖發(fā)生器輸出的脈沖波的占空比和頻率，達(dá)到濺射工藝穩(wěn)定。
[0049]基板的派射流片速度在0.2m/s~0.6m/s之間。
[0050]所述基板，其特征在于:基板采用不銹鋼、玻璃、聚酰亞胺(PI)等，其尺寸不限制。
[0051]案例I實(shí)施:磁控濺射真空腔體本底真空抽至5xlO_4Pa，基板采用玻璃基板，濺射傳輸速度為0.2m/s，通入Ar:200sccm,02:3sccm，調(diào)節(jié)工藝壓強(qiáng)是0.31Pa，濺射電源功率是9KW,脈沖的占空比控制在20:3，頻率為200KHz，基板的加熱溫度是205攝氏度，濺射AZO薄膜的厚度為860-880nm之間。
[0052]案例2實(shí)施:磁控濺射真空腔體本底真空抽至4xlO_4Pa，基板采用玻璃基板，濺射傳輸速度為0.25m/s，通入Ar:300sccm, 02:4sccm，調(diào)節(jié)工藝壓強(qiáng)是0.36Pa，濺射電源功率是7KW，脈沖的占空比控制在23:2，頻率為200KHz，基板的加熱溫度是205攝氏度，濺射AZO薄膜的厚度為850-870nm之間。
[0053]案例3實(shí)施:磁控濺射真空腔體本底真空抽至5xlO_4Pa，基板采用玻璃基板，濺射傳輸速度為0.28m/s，通入Ar:300sccm, 02:2sccm，調(diào)節(jié)工藝壓強(qiáng)是0.40Pa，濺射電源功率是7KW，脈沖的占空比控制在23:2，頻率為200KHz，基板的加熱溫度是205攝氏度，濺射AZO薄膜的厚度為800-820nm之間。
[0054]采用分光光度計(jì)測(cè)試,測(cè)試波長(zhǎng)范圍是350nm-1300nm之間,測(cè)試薄膜與基板的透過(guò)率。
[0055]采用四探針測(cè)試薄膜方塊電阻。
【權(quán)利要求】
1.一種新型制備AZO薄膜的工藝，其特征在于，采用磁控濺射AZO陶瓷靶材，控制直流脈沖電源的脈沖占空比與脈沖頻率制備AZO薄膜的工藝，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖發(fā)生器中，輸出的脈沖正向和反向的峰高和正向反向方波的持續(xù)時(shí)間，以及調(diào)節(jié)輸出的脈沖方波的脈沖頻率，并借助檢測(cè)靶材表面的電壓變化和濺射工藝氣壓變化，模擬計(jì)算調(diào)節(jié)，使其整個(gè)濺射AZO工藝穩(wěn)定、避免打弧現(xiàn)象、得到高透過(guò)率、高導(dǎo)電率的透明導(dǎo)電薄膜AZO ； 所述AZO陶瓷靶材，其特征在于=Al2O3的含量是lat%-3at%之間，余量是ZnO，其中Fe的含量低于I Oppm。
2.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝，其特征在于:所述AZO陶瓷靶材是平面小圓形、平面矩形或旋轉(zhuǎn)圓柱靶材。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于:所述磁控濺射時(shí)陰極采用強(qiáng)磁場(chǎng)的陰極，磁場(chǎng)強(qiáng)度在600GS-1300GS之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于:所述磁控濺射時(shí)的電源采用直流脈沖電源，電源的脈沖的占空比、脈沖頻率可調(diào)，可調(diào)范圍在10%-60%之間，輸出波形是方波，濺射功率根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于:所述磁控濺射時(shí)，靶材表面到基板的距離在70-1OOmm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于:濺射的本底真空需要抽至5X10_4Pa以下，控制水分的分壓低于本底真空的4%，采用Ar、02為工藝氣體，工藝壓強(qiáng)控制在0.1-1Pa之間，其濺射腔體中02的含量占該真空度的0.1%-5%之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝，其特征在于:所述工藝氣體采用Ar和O2或者是Ar/02和Ar濺射，其純度都高于99.999%，所述混合氣體Ar/02，是指購(gòu)買的氣瓶氣體或者在工藝使用氣體之前就將這兩種氣體按照一定比例已經(jīng)混合好，作為一種氣體進(jìn)行通入工藝濺射，混合比例是O2 =Ar在1%-20%之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于:所述磁控濺射時(shí)，基板加熱的溫度是IOO0C -300。。。
9.根據(jù)權(quán)利要求9所述的工藝，其特征在于:基板加熱方式為電阻絲加熱或者紅外燈光輻射加熱，要求加熱的溫度均勻性是±5°C。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于:所述透明導(dǎo)電薄膜AZO的厚度在500nm_l.5 μ m 之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于:所述檢測(cè)靶材表面的電壓變化和濺射工藝氣壓變化，是分別通過(guò)電源自身監(jiān)測(cè)電源輸出電壓變化和真空壓力測(cè)量裝置監(jiān)測(cè)工藝氣壓變化。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK103643211SQ201310590537
【公開日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2013年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月21日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:山東希格斯新能源有限責(zé)任公司