濺射鍍膜裝置和真空鍍膜設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種濺射鍍膜裝置和真空鍍膜設(shè)備，該濺射鍍膜裝置包括帶有固定法蘭和至少一個(gè)承載型材的支承裝置，承載型材具有自由端部和與固定法蘭連接的聯(lián)接端部，還包括至少一個(gè)在支承裝置上平行于承載型材安裝的濺射磁控管，濺射磁控管帶有自由端部和聯(lián)接端部，其中，該聯(lián)接端部與供應(yīng)裝置連接，該供應(yīng)裝置布置在固定法蘭的與濺射磁控管對(duì)置的一側(cè)上，其中，承載型材通入固定法蘭的第一抽吸口并且在第一抽吸口上在固定法蘭的與承載型材對(duì)置的一側(cè)上布置有真空泵。
【專利說明】濺射鍍膜裝置和真空鍍膜設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種按權(quán)利要求1的前序部分所述的濺射鍍膜裝置和一種按權(quán)利要求9的前序部分所述的真空鍍膜設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]公知的濺射鍍膜裝置包括一個(gè)或多個(gè)濺射磁控管，它們通常具有由鍍膜材料形成的靶和一個(gè)用于在靶上產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁性裝置。這種磁性系統(tǒng)在靶的有待剝落的表面上集結(jié)等離子體，從而提高離子碰撞在靶的有待剝落的表面上的概率以及因此增大濺射率。磁性裝置在此通常被布置在靶的與有待剝落的表面對(duì)置的一側(cè)上，也就是說，由磁性裝置產(chǎn)生的磁場(chǎng)穿透該靶。
[0003]已知若干種平面靶，也就是說平坦的靶，它們或完全由靶材組成，或在此將靶材安裝在一塊載體板上。在靶的背面靜態(tài)地或能運(yùn)動(dòng)地布置著一個(gè)磁性裝置，其中，磁性裝置的運(yùn)動(dòng)用于實(shí)現(xiàn)靶材通過靶的整個(gè)有待剝落的表面均勻地剝落。
[0004]此外已知若干種管式磁控管，在這些管式磁控管中，靶是管狀的，其中，靶管可以完全由靶材形成或靶材被安裝在靶載體管的外表面上。在這些磁控管中，磁性裝置被安裝在靶管的內(nèi)部。磁性裝置在此可以靜態(tài)地或能運(yùn)動(dòng)地布置。靶管同樣可以被靜態(tài)地或能運(yùn)動(dòng)地，大多為能轉(zhuǎn)動(dòng)地布置，其中，靶管和磁性裝置之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)以和在平面磁控管情況下相似的方式用于實(shí)現(xiàn)靶材通過靶的整個(gè)有待剝落的表面均勻地剝落。
[0005]濺射磁控管被布置在真空鍍膜設(shè)備的過程腔中。有待鍍膜的基材布置在濺射磁控管附近或運(yùn)動(dòng)經(jīng)過濺射磁控管，從而從靶剝落的靶材可以在基材的表面上沉積，由此，取決于一種或若干種所使用的靶材，可以產(chǎn)生極為不同的層或?qū)酉到y(tǒng)。
[0006]為了將濺射磁控管安裝在過程腔中，使用不同類型的支承裝置。這可以是極為簡(jiǎn)單的固定器件。在尤其是針對(duì)管式磁控管的其它情形下，使用所謂的端頭，其中，管靶或僅用其兩個(gè)端部中的一個(gè)保持在這樣的端頭中(所謂的懸臂布置)，或用其兩個(gè)端部的每一個(gè)保持在各一個(gè)端頭中。這種支承裝置，例如管式磁控管的端頭，大多具有用于向?yàn)R射磁控管供應(yīng)電壓或/和冷卻劑的器件和/或用于驅(qū)動(dòng)靶或/和磁性裝置的器件。支承裝置可以或和濺射磁控管一起布置在過程腔的內(nèi)部，或布置在過程腔之外，其中，支承裝置在后一種情形下例如可以固定，例如法蘭連接在過程腔的腔壁上。
[0007]在這樣的真空鍍膜裝置中，特別重要的是，濺射磁控管的周圍環(huán)境被抽真空到一個(gè)極小的殘余壓力并且在鍍膜工藝過程期間保持這個(gè)很小的殘余壓力，以便確保鍍膜結(jié)果的聞品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā) 明所要解決的技術(shù)問題是，說明一種濺射鍍膜裝置，其有效地以及以較小的設(shè)備技術(shù)費(fèi)用實(shí)現(xiàn)了對(duì)濺射磁控管的周圍環(huán)境的持續(xù)抽真空。
[0009]為了解決該技術(shù)問題，接下來建議和說明濺射鍍膜裝置和真空鍍膜設(shè)備的一些設(shè)計(jì)方案，在這些設(shè)計(jì)方案中，支承裝置除了用于懸臂布置的濺射磁控管的支撐功能外還同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)濺射磁控管的周圍環(huán)境的有效持續(xù)的抽真空。所建議的濺射鍍膜裝置一樣地對(duì)平面磁控管和管式磁控管起作用，以及對(duì)多個(gè)彼此平行地布置在同一個(gè)支承裝置上的濺射磁控管同樣起作用。
[0010]首先建議一種濺射鍍膜裝置，其包括帶有固定法蘭和至少一個(gè)承載型材的支承裝置，承載型材具有自由端部和與固定法蘭相連的聯(lián)接端部，濺射鍍膜裝置還包括至少一個(gè)平行于承載型材地安裝在支承裝置上的濺射磁控管，該濺射磁控管帶有自由端部和聯(lián)接端部，其中，聯(lián)接端部與供應(yīng)裝置相連，供應(yīng)裝置布置在固定法蘭的與濺射磁控管對(duì)置的一側(cè)上，其中，承載型材通入固定法蘭的第一抽吸口，并且，在第一抽吸口上在固定法蘭的與承載型材對(duì)置的一側(cè)上布置有真空泵。
[0011]因此，本發(fā)明的基本思想在于，在一種具有一個(gè)或多個(gè)懸臂布置的濺射磁控管的濺射鍍膜裝置中，在固定法蘭中的其內(nèi)固定有承載型材的區(qū)域中設(shè)第一抽吸口。這個(gè)第一抽吸口使得能夠?qū)崿F(xiàn)將真空泵直接安裝在固定法蘭上，從而使一個(gè)或若干濺射磁控管的區(qū)域在鍍膜工藝期間可以被持續(xù)有效地抽真空。在此，承載型材構(gòu)成用于真空泵有效工作方式的導(dǎo)流元件。
[0012]固定法蘭同時(shí)用于供應(yīng)裝置的安裝，可以通過該供應(yīng)裝置向?yàn)R射磁控管供應(yīng)電能和/或冷卻劑。供應(yīng)裝置此外還可以用于使靶和/或磁性裝置運(yùn)動(dòng)。為此，供應(yīng)裝置可以例如包括電動(dòng)機(jī)和用于管靶的旋轉(zhuǎn)式驅(qū)動(dòng)的傳動(dòng)裝置。在所建議的濺射鍍膜裝置中，既能使用平面磁控管又能使用管式磁控管，以及可以設(shè)一個(gè)單獨(dú)的濺射磁控管或在支承裝置上布置有兩個(gè)或更多的濺射磁控管。承載型材在此可以以不同的方式設(shè)計(jì)。承載型材例如可以是U形型材，但也可以實(shí)施成閉合的管。
[0013]在一種設(shè)計(jì)方案中設(shè)置:承載型材具有至少一個(gè)壁缺口。
[0014]這種設(shè)計(jì)方案特別適合于閉合的空心型材。閉合的空心型材，例如矩形空心型材或有圓環(huán)形橫截面的管，具有特別良好的重量和強(qiáng)度關(guān)系。若使用這些閉合的空心型材，那么這些閉合的空心型材首先能被用于將濺射磁控管的自由端部的區(qū)域抽真空。
[0015]此外，用此處建議的承載型材具有至少一個(gè)壁缺口的設(shè)計(jì)方案還能在此壁缺口的區(qū)域中將承載型材的周圍環(huán)境抽真空。在此，壁缺口應(yīng)當(dāng)理解為是閉合的空心型材的壁的任意造型的缺口。這種壁缺口可以例如是鉆孔。作為備選，例如可以通過銑削制造更大的壁缺口。
[0016]在此可以進(jìn)一步設(shè)置:承載型材具有均勻間隔開的壁缺口的至少一個(gè)直線形布置。
[0017]通過這種設(shè)計(jì)方案可以實(shí)現(xiàn)將濺射磁控管的周圍環(huán)境在從自由端部到聯(lián)接端部的整個(gè)長(zhǎng)度上有效地抽真空。同時(shí)實(shí)現(xiàn)了在一個(gè)或若干濺射磁控管的周圍環(huán)境中，更確切地說在其整個(gè)縱向延伸上的十分均勻的過程氣體分布和極為均一的壓力關(guān)系。在此，承載型材又用作導(dǎo)流元件。相比敞口的承載型材，帶有壁缺口的直線形布置的閉合的承載型材具有更為有利的重量與強(qiáng)度關(guān)系，例如與抗彎強(qiáng)度的關(guān)系。
[0018]在另一種設(shè)計(jì)方案中設(shè)置:承載型材在其自由端部上具有和濺射磁控管的自由端部連接的支撐裝置。
[0019]若濺射鍍膜裝 置具有一個(gè)或多個(gè)平面磁控管，那么這些平面磁控管可以直接或間接地通過托架或類似物與支承裝置的承載型材固定地連接。若反之，濺射鍍膜裝置應(yīng)當(dāng)具有一個(gè)或多個(gè)管式磁控管，那么為了維持管靶的可轉(zhuǎn)動(dòng)性而必然要避免在管靶和支承裝置的承載型材之間的固定的連接。
[0020]但在長(zhǎng)的管靶中特別有意義的是，這些管靶為了承接自重以及為了防止由自重引起的變形而支撐在支承裝置上。這一點(diǎn)由此實(shí)現(xiàn)，即，在承載型材的自由端部上布置有支撐裝置，濺射磁控管的自由端部可以與該支撐裝置相連。這種支撐裝置可以例如實(shí)施成滑動(dòng)軸承或?qū)嵤┏蓾L動(dòng)軸承，其中，尤其在高溫下運(yùn)行的過程中，優(yōu)選滑動(dòng)軸承。
[0021]在另一種設(shè)計(jì)方案中設(shè)置:至少一個(gè)陽極平行于濺射磁控管地布置在支承裝置上。
[0022]為此，棒狀的陽極很適合，它們延伸經(jīng)過濺射磁控管從自由端部至聯(lián)接端部的整個(gè)長(zhǎng)度。這些陽極可以從固定法蘭供電。若多個(gè)平行的濺射磁控管布置在濺射鍍膜裝置上，那么這些陽極可以例如分別布置在兩個(gè)相鄰的靶之間。
[0023]在另一種設(shè)計(jì)方案中 設(shè)置:至少兩個(gè)濺射磁控管彼此平行地以及與承載型材平行地布置在支承裝置上。
[0024]由此可以以相比單個(gè)布置明顯變小的設(shè)備技術(shù)費(fèi)用將多個(gè)鍍膜源同時(shí)布置在同一個(gè)支承裝置上，因此在使用同一種靶材時(shí)可以實(shí)現(xiàn)明顯提高的濺射率或在使用不同的靶材時(shí)可以產(chǎn)生若干混合層或?qū)酉到y(tǒng)。
[0025]此外，由此可以使兩個(gè)平行布置的磁控管在兩個(gè)磁控管相反地用交流電壓運(yùn)行的雙磁控管濺射模式中運(yùn)行，因而每一個(gè)磁控管都交替地是陰極和陽極，并且在兩個(gè)磁控管中當(dāng)另一個(gè)磁控管為陰極時(shí)，始終有一個(gè)是陽極。由此尤其在不導(dǎo)電的層的反應(yīng)性沉積時(shí)實(shí)現(xiàn)了磁控管的自清潔效應(yīng)。
[0026]在另一種設(shè)計(jì)方案中設(shè)置:在兩個(gè)布置在一個(gè)平面內(nèi)的相鄰的濺射磁控管之間布置一個(gè)垂直于這個(gè)平面取向的擋板。
[0027]尤其針對(duì)設(shè)有兩個(gè)或兩個(gè)以上具有不同靶材的磁控管的情形，則通過在兩個(gè)相鄰的濺射磁控管之間布置擋板阻止了各種靶材的混合。
[0028]在另一種設(shè)計(jì)方案中設(shè)置:擋板與至少一個(gè)陽極導(dǎo)電連接。
[0029]由此實(shí)現(xiàn)了使擋板本身作為陽極起效。
[0030]此外，為了解決所提出的技術(shù)問題，建議一種真空鍍膜設(shè)備，其包括至少一個(gè)由腔壁限定邊界的、可抽真空的、帶有基材處理裝置的過程腔，其中，基材處理裝置包括至少一個(gè)上述類型的濺射鍍膜裝置，該濺射鍍膜裝置的固定法蘭固定在腔壁的一個(gè)固定口上。
[0031]多個(gè)所述濺射鍍膜裝置例如可以用它們各自的固定法蘭固定在腔壁上并且在此可以這樣布置，使得濺射鍍膜裝置的濺射磁控管布置成與設(shè)置在過程腔內(nèi)的、以能轉(zhuǎn)動(dòng)的方式支承的冷卻輥的表面相隔很小的間距，也就是說，濺射鍍膜裝置在冷卻輥的側(cè)表面上方分布。
[0032]這種配置尤其提供給帶鍍膜設(shè)備，在帶鍍膜設(shè)備中，在放帶器上提供帶狀基材，例如塑料膜或金屬帶，在冷卻輥與濺射鍍膜裝置的濺射磁控管之間的間隙內(nèi)圍繞冷卻輥地被導(dǎo)引以及在此被鍍膜以及緊接著被卷在卷帶器上。卷帶器和放帶器在此可以布置在過程腔中或布置在一個(gè)共同的卷取腔內(nèi)或兩個(gè)單獨(dú)的卷取腔內(nèi)，這些卷取腔與過程腔這樣連通地連接，使得基材可以從這個(gè)或任一個(gè)卷取腔被運(yùn)輸?shù)竭^程腔中以及從該過程腔運(yùn)輸?shù)竭@個(gè)或一個(gè)卷取腔中。為此可以在過程腔中以及，倘若存在，在一個(gè)或若干卷取腔中布置轉(zhuǎn)向輥，以便將帶狀的基材從放帶器導(dǎo)向冷卻輥以及從冷卻輥導(dǎo)向卷帶器。
[0033]在此，可以例如將腔壁例如實(shí)施成所謂的腔門，濺射鍍膜裝置用支承裝置的固定法蘭固定在該腔壁上，所述腔門可以從過程腔脫開以及平行地移動(dòng)，從而可以將濺射鍍膜裝置出于維護(hù)目的而從過程腔取出。
[0034]在上述類型的帶鍍膜設(shè)備中，通過腔門的平行移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)了出于維護(hù)目的而可以將濺射鍍膜裝置從過程腔取出，而不會(huì)使濺射磁控管接觸冷卻輥。冷卻輥在過程腔中固定在與可移動(dòng)的腔門對(duì)置的腔壁上且這樣布置，使得它們的旋轉(zhuǎn)軸線相對(duì)濺射鍍膜裝置固定于其上的可移動(dòng)的腔壁成直角以及因此平行于腔壁的移動(dòng)方向地取向。若移動(dòng)腔壁，以便將濺射鍍膜裝置從過程腔取出，那么冷卻輥被保留在過程腔中，也就是說，僅濺射鍍膜裝置被取出，因此它們可以為了維護(hù)而被良好地夠到。
[0035]在一種設(shè)計(jì)方案中設(shè)置:在一個(gè)與固定口對(duì)置的腔壁上布置有第二抽吸口，在第二抽吸口上在過程腔外布置真空泵且承載型材的自由端部對(duì)準(zhǔn)第二抽吸口。
[0036]以此方式可以通過與第一真空泵對(duì)置的第二真空泵提高抽吸作用。若濺射鍍膜裝置例如如上所述被固定在可移動(dòng)的腔門上，那么承載型材的自由端部在封閉過程腔時(shí)運(yùn)動(dòng)到第二抽吸口的附近。由此使這個(gè)第二真空泵也參與對(duì)一個(gè)或若干濺射磁控管的周圍環(huán)境抽真空。因?yàn)樗ㄗh的、一個(gè)或多個(gè)濺射磁控管的濺射鍍膜裝置具有懸臂布置，所以足以將承載型材的自由端部無接觸地僅對(duì)準(zhǔn)第二抽吸口，而不會(huì)與第二抽吸口或在那里的腔壁發(fā)生物理接觸。
[0037]在另一種設(shè)計(jì)方案中設(shè)置:承載型材的自由端部在過程腔內(nèi)部可以與第二抽吸口連接。
[0038]由此一方面實(shí)現(xiàn)了也在對(duì)置的腔壁上部分支撐一個(gè)或多個(gè)磁控管的重量，另一方面則改善了第二真空泵的抽吸作用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0039]接下來借助實(shí)施例和相關(guān)的附圖詳細(xì)闡釋本發(fā)明。附圖中:
[0040]圖1示出了所建議類型的濺射鍍膜裝置的支承裝置；
[0041]圖2是完整的濺射鍍膜裝置的俯視圖；
[0042]圖3在另一個(gè)立體圖中示出了圖2的濺射鍍膜裝置；
[0043]圖4示出了濺射鍍膜裝置的一個(gè)橫截面，帶有兩個(gè)濺射磁控管，在它們之間布置有一個(gè)擋板；以及
[0044]圖5示出了濺射鍍膜裝置的縱剖面，其具有可調(diào)整的活節(jié)。
【具體實(shí)施方式】
[0045]在圖1中首先僅示出了所建議的濺射鍍膜裝置的一個(gè)實(shí)施例的支承裝置I。支承裝置I包括一個(gè)固定法蘭11，承載型材12布置在該固定法蘭上。承載型材12在實(shí)施例中被實(shí)施成管，管在其整個(gè)長(zhǎng)度上具有壁缺口的一個(gè)直線形布置。在承載型材12的與這個(gè)直線形布置對(duì)置的一側(cè)上布置有壁缺口 16的一個(gè)同樣的直線形布置。通過壁缺口 16的兩個(gè)直線形布置實(shí)現(xiàn)了在濺射磁控管2的整個(gè)縱向延伸上的極為均勻的過程氣體分布和極為均一的壓力關(guān)系。
[0046]在承載型材12的上側(cè)上設(shè)三個(gè)托架13，這些托架在實(shí)施例中用于固定(在此未示出的)陽極17。與固定法蘭11平行地在這個(gè)固定法蘭上布置一個(gè)擋板18，該擋板用于限定過程室的邊界，在過程室中發(fā)生靶材的剝落以及在基材表面上發(fā)生所生成的靶材蒸氣的沉積。
[0047]承載型材12在固定法蘭11上通入第一抽吸口 15，在第一抽吸口上可以安裝一個(gè)(在此未示出的)真空泵4。在第一抽吸口 15上方既在固定法蘭11中又在擋板18內(nèi)各布置另外兩個(gè)開口，它們用于讓兩個(gè)(在此未示出的)濺射磁控管2的管靶導(dǎo)引通過。
[0048]在圖2和3中以不同的視圖示出了完整的濺射鍍膜裝置。如圖可知，在布置于承載型材12的自由端部上的托架13上布置兩個(gè)形式為滑動(dòng)軸承的支撐裝置14。在這些支撐裝置14中布置著在此實(shí)施成管式磁控管的兩個(gè)濺射磁控管2的自由端部21。
[0049]兩個(gè)濺射磁控管2的對(duì)置的聯(lián)接端部22被導(dǎo)引通過擋板18的以及固定法蘭11的開口。在固定法蘭11的對(duì)置的一側(cè)上布置有兩個(gè)供應(yīng)裝置23，一方面通過這兩個(gè)供應(yīng)裝置向?yàn)R射磁控管2供應(yīng)電能和冷卻劑，且這兩個(gè)供應(yīng)裝置同時(shí)還用于濺射磁控管2的旋轉(zhuǎn)式驅(qū)動(dòng)。
[0050]在兩個(gè)濺射磁控管2的下方以及在側(cè)向與這兩個(gè)濺射磁控管錯(cuò)開地將多個(gè)陽極17固定在托架13上。需要時(shí)可以在這些陽極17上垂直地這樣布置一個(gè)(在此未示出的)擋板19，即，使其在兩個(gè)濺射磁控管2之間延伸，從而使由兩個(gè)濺射磁控管2產(chǎn)生的蒸氣云被彼此分離。
[0051]在圖4中示出了濺射鍍膜裝置的一個(gè)橫截面，其中，這樣的擋板19被布置在兩個(gè)濺射磁控管2之間。濺射磁控管2與圖1至3的實(shí)施例類似地被布置在支承裝置的承載型材12的上方。在兩個(gè)濺射磁控管2的每一個(gè)的左邊和右邊布置各一個(gè)棒狀的陽極17。由此在兩個(gè)濺射磁控管2之間布置兩個(gè)陽極17。擋板19具有倒T形的橫截面并且由兩塊直角地相連的金屬薄板構(gòu)成。作為備選，也可以取代金屬薄板而使用不導(dǎo)電的板材。擋板19的倒T形的型材在所示實(shí)施例中與兩個(gè)布置在濺射磁控管2之間的陽極17導(dǎo)電連接。
[0052]如尤其由圖2可知，可以在第一抽吸口 15上法蘭連接一個(gè)第一真空泵4。無論在圖2中還是在圖3中，在支承裝置I的自由端部以及兩個(gè)濺射磁控管2對(duì)面都布置泵法蘭3，泵法蘭3被固定在真空鍍膜設(shè)備的過程腔的一個(gè)(在此未示出的)腔壁上。這種泵法蘭3具有第二抽吸口 31，第二真空泵4在過程腔外部被固定在這個(gè)第二抽吸口上。
[0053]在承載型材12的自由端部和泵法蘭3之間不存在任何物理的連接。不過承載型材12的自由端部恰好指向泵法蘭3的第二抽吸口，因而第二真空泵4加強(qiáng)了第一真空泵4的抽吸作用。
[0054]在按圖5的實(shí)施例中，支承裝置I的承載型材12在被固定在真空鍍膜設(shè)備的腔壁5上的固定法蘭11的附近具有一個(gè)可調(diào)整的活節(jié)20，該活節(jié)用于將承載型材12對(duì)準(zhǔn)對(duì)置的腔壁5的泵法蘭3內(nèi)的第二抽吸口。在實(shí)施例中，可調(diào)整的活節(jié)20具有兩個(gè)帶有各一個(gè)球形接觸面的法蘭，這些接觸面相互接觸。由此能夠?qū)崿F(xiàn)承載型材12沿每個(gè)方向的定向，從而可以達(dá)到一種最佳的 調(diào)整，此時(shí)承載型材12的自由端部正好對(duì)準(zhǔn)第二抽吸口 31。這個(gè)位置可以通過在此未示出的合適的固定器件，例如螺釘、卡夾或類似物固定。
[0055]對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言理所當(dāng)然的是，活節(jié)20的具體的設(shè)計(jì)方案也可以與此處所示不同地進(jìn)行，卻不會(huì)偏離所述的基本思想，即，能夠?qū)崿F(xiàn)承載型材在其相對(duì)固定法蘭11的角度方面的可調(diào)整性。
[0056]附圖標(biāo)記列表
[0057]I支承裝置
[0058]11固定法蘭
[0059]12承載型材
[0060]13托架
[0061]14支撐裝置
[0062]15第一抽吸口
[0063]16壁缺口
[0064]17陽極
[0065]18擋板
[0066]19擋板
[0067]20可調(diào)整的活節(jié)
[0068]2濺射磁控管
[0069]21自由端部
[0070]22聯(lián)接端部
[0071]23供應(yīng)裝置
[0072]3泵法蘭
[0073]31第二抽吸口
[0074]4 真空泵
[0075]5腔壁
【權(quán)利要求】
1.一種濺射鍍膜裝置，其包括帶有固定法蘭(11)和至少一個(gè)承載型材(12)的支承裝置(I )，所述承載型材具有自由端部和與所述固定法蘭(11)連接的聯(lián)接端部，所述濺射鍍膜裝置還包括至少一個(gè)在所述支承裝置(I)上平行于承載型材(12)安裝的濺射磁控管(2)，所述濺射磁控管帶有自由端部(21)和聯(lián)接端部(22)，其中，該聯(lián)接端部(22)與供應(yīng)裝置(23 )連接，所述供應(yīng)裝置布置在所述固定法蘭(11)的與所述濺射磁控管(2 )對(duì)置的一側(cè)上，其特征在于，所述承載型材(12)通入所述固定法蘭(11)的第一抽吸口(15)并且在所述第一抽吸口(15)上在所述固定法蘭(11)的與所述承載型材(12)對(duì)置的一側(cè)上布置有真空泵⑷。
2.按權(quán)利要求1所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述承載型材(12)具有至少一個(gè)壁缺口(16)。
3.按權(quán)利要求2所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述承載型材(12)具有均勻間隔開的壁缺口(16)的至少一個(gè)直線形布置。
4.按權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述承載型材(12)在其自由端部上具有與所述濺射磁控管(2)的自由端部(21)連接的支撐裝置(14)。
5.按權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，至少一個(gè)陽極(17)平行于所述濺射磁控管(2)地布置在所述支承裝置(I)上。
6.按權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，至少兩個(gè)濺射磁控管(2)彼此平行地并平行于承載型材(12)地布置在所述支承裝置(I)上。
7.按權(quán)利要求6所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，在兩個(gè)相鄰的、布置在一個(gè)平面內(nèi)的濺射磁控管(2)之間布置有垂直于這個(gè)平面取向的擋板(19)。
8.按權(quán)利要求7所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述擋板(19)與至少一個(gè)陽極(17)導(dǎo)電連接。
9.一種真空鍍膜設(shè)備，其包括至少一個(gè)由腔壁(5)限定邊界的、能夠抽真空的、帶有基材處理裝置的過程腔，其特征在于，所述基材處理裝置包括至少一個(gè)按權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的濺射鍍膜裝置，所述濺射鍍膜裝置的固定法蘭(11)固定在腔壁(5)的固定口上。
10.按權(quán)利要求9所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，在與所述固定口對(duì)置的腔壁(5)上布置有第二抽吸口(31 )，真空泵(4)在所述過程腔外布置在所述第二抽吸口(31)上且承載型材(12)的自由端部對(duì)準(zhǔn)所述第二抽吸口(31)。
11.按權(quán)利要求10所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述承載型材(12)的自由端部能夠在所述過程腔內(nèi)與所述第二抽吸口(31)連接。
【文檔編號(hào)】C23C14/56GK103789737SQ201310512809
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2013年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月26日
【發(fā)明者】托斯滕·桑德爾, 米夏埃爾·亨切爾 申請(qǐng)人:馮·阿德納設(shè)備有限公司