沉積裝置及使用該裝置的薄膜沉積方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積裝置包括：沉積室、第一組沉積源以及第二組沉積源。所述沉積室包括：第一等候區(qū)域、沉積區(qū)域以及第二等候區(qū)域。在所述第一等候區(qū)域和所述第二等候區(qū)域之間可以設置有所述沉積區(qū)域。所述第一組沉積源用于從所述第一等候區(qū)域向所述沉積區(qū)域移動、并且向設置在所述沉積區(qū)域的基底基板提供第一組沉積物質。所述第二組沉積源用于從所述第二等候區(qū)域向所述沉積區(qū)域移動、并且向所述基底基板提供第二組沉積物質。
【專利說明】沉積裝置及使用該裝置的薄膜沉積方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及沉積裝置及使用該裝置的薄膜沉積方法。
【背景技術】
[0002]平板顯示器或者半導體器件包括沉積在基底基板上的至少一個以上的薄膜。所述薄膜包括:有機物、無機物、或者有機物和無機物的混合物。所述有機物和無機物中，可以分別混合有兩種以上的物質。在沉積裝置內形成所述薄膜。
[0003]沉積裝置包括:沉積室；以及提供沉積物質的沉積源。在所述沉積室設置有基底基板，所述沉積源向所述基底基板提供所述沉積物質。
[0004]一個沉積裝置形成一種薄膜。為了在所述基底基板上形成另一種薄膜，需要其它的沉積裝置。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的一目的在于，提供一種可形成多個薄膜的沉積裝置。
[0006]本發(fā)明的另一目的在于，提供一種通過所述沉積裝置沉積薄膜的方法。
[0007]根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積裝置包括:沉積室、第一組沉積源以及第二組沉積源。所述沉積室包括:第一等候區(qū)域、沉積區(qū)域以及第二等候區(qū)域。在所述第一等候區(qū)域和所述第二等候區(qū)域之間可以設置有所述沉積區(qū)域。
[0008]所述第一組沉積源用于從所述第一等`候區(qū)域向所述沉積區(qū)域移動、并且向設置在所述沉積區(qū)域的基底基板提供第一組沉積物質。所述第二組沉積源用于從所述第二等候區(qū)域向所述沉積區(qū)域移動、并且向所述基底基板提供第二組沉積物質。
[0009]所述第一組沉積源和所述第二組沉積源可以用于交替地或同時向所述基底基板提供所述第一組沉積物質和所述第二組沉積物質。
[0010]所述第一組沉積源包括:用于提供第一物質的第一沉積噴嘴部；以及用于提供與所述第一物質不同的第二物質的第二沉積噴嘴部。此時，所述第一組沉積物質是所述第一物質和所述第二物質的混合物。
[0011]根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積裝置還包括:用于移動所述第一組沉積源的第一傳輸部件；以及用于移動所述第二組沉積源的第二傳輸部件。
[0012]所述第一傳輸部件和所述第二傳輸部件分別包括:用于收容對應的沉積源的本體部件；以及與所述本體部件連接的驅動部件。通過第一導軌，引導所述第一傳輸部件。所述第一導軌至少從所述第一等候區(qū)域延伸至所述沉積區(qū)域。通過第二導軌，引導所述第二傳輸部件。所述第二導軌至少從所述第二等候區(qū)域延伸至所述沉積區(qū)域。
[0013]根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積裝置還包括:保持部件，在所述沉積區(qū)域中，與所述沉積室結合，并且固定所述基板。
[0014]根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜制造方法，首先，在所述沉積室的所述第一等候區(qū)域和所述第二等候區(qū)域分別設置第一組沉積源和第二組沉積源。然后，從所述第一等候區(qū)域開始，所述第一組沉積源在所述沉積區(qū)域中進行往返。此時，所述第一組沉積源通過排出第一組沉積物質，從而在所述基底基板上沉積第一薄膜。然后，從所述第二等候區(qū)域開始，所述第二組沉積源在所述沉積區(qū)域中進行往返。此時，通過排出第二組沉積物質，從而在所述
第一薄膜上沉積第二薄膜。
[0015]根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜制造方法，首先，在所述沉積室的所述第一等候區(qū)域和所述第二等候區(qū)域分別設置第一組沉積源和第二組沉積源。然后，所述第一組沉積源從所述第一等候區(qū)域向所述第二等候區(qū)域移動。然后，從所述第二等候區(qū)域開始，所述第一組沉積源和所述第二組沉積源在所述沉積區(qū)域中進行往返的期間，分別排出第一組沉積物質和第二組沉積物質，從而在所述基底基板上沉積薄膜。然后，所述第一組沉積源從所述第二等候區(qū)域向所述第一等候區(qū)域移動。
[0016]根據(jù)本發(fā)明實施例，所述沉積裝置可以在一個沉積室中形成兩種以上的薄膜。此外，所述沉積裝置可以形成由混合物形成的薄膜。
[0017]此外，通過調節(jié)所述第一組沉積源和所述第二組沉積源停留在所述沉積室的所述沉積區(qū)域中的時間，從而可以分別調節(jié)所述第一薄膜和所述第二薄膜的厚度。
[0018]此外，所述第一組沉積源和所述第二組沉積源通過在所述沉積室的所述沉積區(qū)域內移動、并且分別提供所述第一組沉積物質和所述第二組沉積物質，因此提高了所述第一薄膜和所述第二薄膜的均勻性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積裝置的截面圖。
[0020]圖2是圖1所示的沉積裝置的平面圖。
[0021]圖3a至圖3e是`表示根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積方法的示意圖。
[0022]圖4a至圖4e是表示根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積方法的示意圖。
[0023]圖5是根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積裝置的截面圖。
[0024]圖6是圖5所示的沉積裝置的平面圖。
[0025]圖7a至圖7e是表示根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積方法的示意圖。
[0026]附圖標記說明
[0027]100:沉積室；100A:第一等候區(qū)域；
[0028]100B:沉積區(qū)域；100C:第二等候區(qū)域；
[0029]200:保持部件；SUB:基底基板；
[0030]DSl:第一組沉積源；DS2:第二組沉積源。
【具體實施方式】
[0031 ] 下面，參考附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
[0032]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積裝置的截面圖，圖2是圖1所示的沉積裝置的平面圖。
[0033]如圖1和圖2所示，沉積裝置10包括:沉積室100、第一組沉積源DSl以及第二組沉積源DS2。所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2設置在所述沉積室100內。
[0034]所述沉積室100包括:第一等候區(qū)域100A、沉積區(qū)域100B以及第二等候區(qū)域IOOC0在所述第一等候區(qū)域IOOA和第二等候區(qū)域IOOC之間設置有所述沉積區(qū)域100B。換言之，沿著第一方向DX連續(xù)設置有所述第一等候區(qū)域100A、所述沉積區(qū)域100B以及所述第二等候區(qū)域100C。
[0035]通過第一阻斷墻BW1，區(qū)分出所述第一等候區(qū)域100A和所述沉積區(qū)域100B ;通過第二阻斷墻BW2，區(qū)分出所述第二等候區(qū)域100C和所述沉積區(qū)域100B。所述第一阻斷墻BWl可以包括用于所述第一組沉積源DSl通過的第一屏蔽門(未圖示)，所述第二阻斷墻BW2可以包括用于所述第二組沉積源DS2通過的第二屏蔽門(未圖示)。
[0036]在進行沉積工序前，在所述第一等候區(qū)域100A和所述第二等候區(qū)域100C分別設置第一組沉積源DSl和第二組沉積源DS2。在進行沉積工序的期間，所述沉積區(qū)域100B實際上保持真空狀態(tài)。另外，在本發(fā)明的另一實施例中，所述第一等候區(qū)域100A和所述第二等候區(qū)域100C可以設置在所述沉積室100的外部。換言之，所述沉積室100整體可以成為沉積區(qū)域100B。
[0037]基底基板SUB設置在所述沉積區(qū)域100B。所述基底基板SUB可以固定在所述沉積區(qū)域100B中與所述沉積室100結合的保持部件200上。所述基底基板SUB可以是構成顯示面板的基板。例如，所述顯示面板可以是有機發(fā)光顯示面板或者液晶顯示面板等。而且，所述基底基板SUB還可以是用于制造半導體器件的基板。所述基底基板SUB可以由玻璃、娃、金屬、塑料構成。
[0038]所述第一組沉積源DSl從所述第一等候區(qū)域100A移動至所述沉積區(qū)域100B。此外，第一組沉積源DSl從所述沉積區(qū)域100B返回至所述第一等候區(qū)域100A。根據(jù)不同情況，所述第一組沉積源DSl可以向所述第二等候區(qū)域100C移動。
[0039]所述第一組沉積源DSl向設置在所述沉積區(qū)域100B的基底基板SUB提供第一組沉積物質DM1。在圖1中以虛線圖示的第一組沉積源rosi表示，在所述沉積工序后排出所述第一組沉積物質DM1、并且在所述沉積區(qū)域100B中移動的第一組沉積源DS1。
[0040]所述第一組沉積源DSl包括至少一個第一沉積噴嘴部。所述第一沉積噴嘴部沿著垂直于所述第一方向DX的第二方向DY延伸。所述第一沉積噴嘴部包括沿著所述第二方向排列的多個噴嘴NZ。
[0041]所述多個噴嘴NZ向所述基底基板SUB噴射所述第一組沉積物質DMl。所述第一組沉積物質DMl包括有機物或者無機物。此外，所述第一組沉積物質DMl可以包括摻雜有摻雜物的有機物。
[0042]在本發(fā)明的另一實施例中，所述第一組沉積源DSl可以包括多個第一沉積噴嘴部。此外，在本發(fā)明的另一實施例中，所述第一組沉積源DSl可以包括:裝有所述第一組沉積物質DMl的容器(或者坩堝)；及對所述容器進行加熱的加熱部件(heater)。
[0043]所述第二組沉積源DS2從所述第二等候區(qū)域100C移動至所述沉積區(qū)域100B。此外，第二組沉積源DS2從所述沉積區(qū)域100B返回至所述第二等候區(qū)域100C。所述第二組沉積源DS2向設置在所述沉積區(qū)域100B的基底基板SUB提供第二組沉積物質(未圖示)。所述第二組沉積源DS2可以具有與所述第一組沉積源DSl相同的構成。
[0044]所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2分別通過第一傳輸部件TPl和第二傳輸部件TP2進行移動。所述第一傳輸部件TPl包括:用于收容第一組沉積源DSl的本體部件BP ;以及與所述本體部件BP連接的驅動部件WP。所述第二傳輸部件TP2包括:用于收容第二組沉積源DS2的本體部件BP ；以及與所述本體部件BP連接的驅動部件WP。所述驅動部件WP包括例如通過電動機驅動的輪(Wheel)。
[0045]所述沉積裝置10包括第一導軌GRl。其中，所述第一導軌GRl至少從所述第一等候區(qū)域100A向所述沉積區(qū)域100B延伸，并且用于引導所述第一傳輸部件TP1。此外，所述沉積裝置10包括第二導軌GR2。其中，所述第二導軌GR2至少從所述第二等候區(qū)域100C向所述沉積區(qū)域100B延伸，并且用于引導所述第二傳輸部件TP2。所述第一傳輸部件TPl和所述第二傳輸部件TP2的輪分別可移動地結合在所述第一導軌GRl和所述第二導軌GR2上。
[0046]如圖1和圖2所不,所述第一導軌GRl和所述第二導軌GR2可以分別從所述第一等候區(qū)域100A延伸至所述第二等候區(qū)域100C。雖然分別圖示了兩個所述第一導軌GRl和所述第二導軌GR2，但是上述數(shù)量還可以變化。
[0047]另外，所述第一傳輸部件TPl和所述第二傳輸部件TP2還可以改變成用于移動所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2的傳送帶、滾輪、機械臂等。
[0048]圖3a至圖3e是表示根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積方法的示意圖。參考圖3a至圖3e,對采用根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積裝置的薄膜沉積方法進行說明。
[0049]所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2向所述基底基板SUB (參考圖1)交替地提供所述第一組沉積物質DMl (參考圖3b)和所述第二組沉積物質DM2 (參考圖3d)。由此，在所述基底基板SUB上形成由所述第一組沉積物質DMl構成的第一薄膜(未圖示)和由所述第二組沉積物質DM2構成的第二薄膜(未圖示)。
[0050]如圖3a所示，在所述第一等候區(qū)域100A和所述第二等候區(qū)域100C分別設置有所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2。
[0051]然后，所述第一組 沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2中的某一個向所述沉積區(qū)域100B移動。如圖3a所示，所述第一組沉積源DSl可以向所述沉積區(qū)域100B移動。所述第一組沉積源DSl經(jīng)過所述第一阻斷墻BWl，并且進入所述沉積區(qū)域100B時排出所述第一組沉積物質DM1。所述第一組沉積源DSl排出所述第一組沉積物質DM1，并且移動到接近所述第二阻斷墻BW2為止。
[0052]如圖3b所示，與所述第二阻斷墻BW2接近的所述第一組沉積源DSl向所述第一等候區(qū)域100A移動。在向所述第一等候區(qū)域100A的移動的期間，所述第一組沉積源DSl依然排出所述第一組沉積物質DMl。當所述第一組的沉積源DSl返回至所述第一等候區(qū)域100A，則在所述基底基板SUB上形成有第一薄膜。如上所述，由于所述第一組沉積源DSl在移動時向所述基底基板SUB提供所述第一組沉積物質DMl，因此所述第一組沉積物質DMl被均勻地提供至所述基底基板SUB上。由此，所述第一薄膜的厚度是均勻的。
[0053]在本發(fā)明的另一實施例中，在返回至所述第一等候區(qū)域100A之前，在所述沉積區(qū)域100B內，所述第一組沉積源DSl可以在所述第一阻斷墻BWl和所述第二阻斷墻BW2之間進行多次往返。由此形成了更厚的第一薄膜。在本發(fā)明的再一實施例中，在進行往返移動的期間，所述第一組沉積源DSl可以暫時?？吭谒龀练e區(qū)域100B的中心部。
[0054]然后，如圖3c和圖3d所示，所述第二組沉積源DS2可以向所述沉積區(qū)域100B移動。所述第二組沉積源DS2以與所述第一組沉積源DSl相同的方式移動，并且向所述基底基板SUB提供所述第二組沉積物質DM2。[0055]所述第二組沉積源DS2經(jīng)過所述第二阻斷墻BW2，并且進入所述沉積區(qū)域100B時排出所述第二組沉積物質DM2。所述第二組沉積源DS2移動到與所述第一阻斷墻BWl接近為止后，返回至所述第二等候區(qū)域100C。由此，在所述第一薄膜上形成所述第二薄膜。另外，在進行往返移動的期間，所述第二組沉積源DS2可以暫時?？吭谒龀练e區(qū)域100B的中心部。
[0056]在圖3e所示的等候狀態(tài)下，所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2可以重復執(zhí)行圖3a至圖3d所示的步驟。由此，在所述基底基板SUB上交替地層疊有所述第一薄膜和所述第二薄膜。
[0057]根據(jù)上述方式工作的本發(fā)明的沉積裝置可通過一個沉積室形成多個薄膜。此外，相比多個沉積源沿著一方向排列的普通沉積裝置，更加減小沉積室的長度。
[0058]圖4a至圖4e是表示根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積方法的示意圖。參考圖4a至圖4e，對采用了根據(jù)本發(fā)明一實施例的另一沉積裝置的薄膜沉積方法進行說明。
[0059]所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2同時向所述基底基板SUB (參考圖1)提供所述第一組沉積物質DMl (參考圖4c)和所述第二組沉積物質DM2 (參考圖4c)。由此，在所述基底基板SUB上形成由所述第一組沉積物質DMl和所述第二組沉積物質DM2的混合物構成的薄膜(未圖示)。
[0060]如圖4a所示，在所述第一等候區(qū)域100A、所述第二等候區(qū)域100C分別設置有所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2。在等候階段，所述第一組沉積源DSl向所述第二等候區(qū)域100C移動。
[0061]如圖4b所示，所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2并排設置在所述第二等候區(qū)域100C。所述`第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2向所述沉積區(qū)域100B移動。
[0062]如圖4c所示，進入至所述沉積區(qū)域100B的所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2分別排出所述第一組沉積物質DMl和所述第二組沉積物質DM2。所排出的所述第一組沉積物質DMl和所述第二組沉積物質DM2將被混合。所述第一組沉積物質DMl可以是有機物，所述第二組沉積物質DM2可以是摻雜物。根據(jù)所述第一組沉積物質DMl的排出速度和所述第二組沉積物質DM2的排出速度，決定所形成的薄膜的組成比。
[0063]可以在所述沉積區(qū)域100B內，所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2可以在所述第一阻斷墻BWl和所述第二阻斷墻BW2之間進行多次往返。根據(jù)往返次數(shù)決定由所述混合物形成的薄膜的厚度。
[0064]然后，如圖4d和圖4e所示，所述第一組沉積源DSl和所述第二組沉積源DS2分別返回至所述第一等候區(qū)域100A和所述第二等候區(qū)域100C。
[0065]圖5是根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積裝置的截面圖，圖6是圖5所示的沉積裝置的平面圖。下面，參考圖5和圖6，對根據(jù)本實施例的沉積裝置進行說明。其中，對于與參考圖1和圖2進行說明的構成相同的構成，省略其詳細說明。
[0066]如圖5和圖6所示，沉積裝置20包括:沉積室100、第一組沉積源DSlO以及第二組沉積源DS20。在等候狀態(tài)下，所述第一組沉積源DSlO和所述第二組沉積源DS20分別設置在所述沉積室100的第一等候區(qū)域100A和第二等候區(qū)域100C。
[0067]所述第一組沉積源DSlO包括提供互相不同的沉積物質的第一沉積噴嘴部NPl和第二沉積噴嘴部NP2。此外，所述第二組沉積源DS20包括提供互相不同的沉積物質的第三沉積噴嘴部NP3和第四沉積噴嘴部NP4。
[0068]在圖5中以虛線圖示的第一組沉積源PDSlO表示，在所述沉積工序后在所述沉積區(qū)域100B中移動的第一組沉積源DS10。所述第一沉積噴嘴部NPl排出第一沉積物質DM10，所述第二沉積噴嘴部NP2排出第二沉積物質DM20。所排出的所述第一沉積物質DMlO和所述第二沉積物質DM20將被混合。所述第一沉積物質DMlO可以是有機物，所述第二沉積物質DM20可以是摻雜物。此外，所述第一沉積物質DMlO和所述第二沉積物質DM20可以是不同種類的有機物或不同種類的無機物。
[0069]雖未圖示，但是所述第三沉積噴嘴部NP3排出第三沉積物質(未圖示)，所述第四沉積噴嘴部NP4排出第四沉積物質(未圖示)。所排出的所述第三沉積物質和所述第四沉積物質將被混合。由此，根據(jù)圖5和圖6所示的沉積裝置20可以形成分別由混合物形成的多個薄膜。
[0070]圖7a至圖7e是表示根據(jù)本發(fā)明一實施例的沉積方法的示意圖。圖7a至圖7e所示的采用沉積裝置的薄膜沉積方法與圖3a至圖3e所示的采用沉積裝置的薄膜沉積方法相同。
[0071]如圖7a所示，在所述第一等候區(qū)域100A、所述第二等候區(qū)域100C中分別設置有所述第一組沉積源DSlO和所述第二組沉積源DS20。
[0072]然后，所述第一組沉積源DSlO向移動所述沉積區(qū)域100B。所述第一組沉積源DSl進入所述沉積區(qū)域10 0B時排出所述第一沉積物質DMlO和所述第二沉積物質DM20。所述第一沉積物質DMlO和第二沉積物質DM20的混合物沉積在所述基底基板SUB上。
[0073]如圖7b所示，與所述第二阻斷墻BW2接近的所述第一組沉積源DSlO向所述第一等候區(qū)域100A移動。在向所述第一等候區(qū)域100A移動的期間，所述第一組沉積源DSlO依然排出所述第一沉積物質DMlO和第二沉積物質DM20。
[0074]然后，圖7c和圖7d所示，所述第二組沉積源DS20向所述沉積區(qū)域100B移動。所述第二組沉積源DS20以與所述第一組沉積源DSlO相同的方式移動，并且向所述基底基板SUB提供所述第三沉積物質DM30和所述第四沉積物質DM40。
[0075]在圖7e所示的等候狀態(tài)下，所述第一組沉積源DSlO和所述第二組沉積源DS20可以重復執(zhí)行圖7a至圖7d所示的步驟。
[0076]另外，本發(fā)明并不限于上述的實施例。對于所屬【技術領域】的技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的思想和范圍的前提下對本發(fā)明進行多種修改和變形是顯而易見的。從而，應判斷為如上所述的變型例和修改例應包含在本發(fā)明所要保護的范圍中。
【權利要求】
1.一種沉積裝置，包括: 沉積室，具有第一等候區(qū)域、沉積區(qū)域以及第二等候區(qū)域； 第一組沉積源，用于從所述第一等候區(qū)域向所述沉積區(qū)域移動、并且向設置在所述沉積區(qū)域的基底基板提供第一組沉積物質；以及 第二組沉積源，用于從所述第二等候區(qū)域向所述沉積區(qū)域移動、并且向所述基底基板提供第二組沉積物質。
2.根據(jù)權利要求1所述的沉積裝置，其特征在于， 在所述第一等候區(qū)域和所述第二等候區(qū)域之間設置有所述沉積區(qū)域。
3.根據(jù)權利要求2所述的沉積裝置，其特征在于， 所述第一組沉積源和所述第二組沉積源用于交替地向所述基底基板提供所述第一組沉積物質和所述第二組沉積物質。
4.根據(jù)權利要求2所述的沉積裝置，其特征在于， 所述第一組沉積源和所述第二組沉積源用于同時向所述基底基板提供所述第一組沉積物質和所述第二組沉積物質。
5.根據(jù)權利要求1所述的沉積裝置，其特征在于，所述第一組沉積源包括: 第一沉積噴嘴部，用于提供第一物質；以及 第二沉積噴嘴部，用于提供與所述第一物質不同的第二物質， 所述第一組沉積物質是所述第一物質和所述第二物質的混合物。
6.根據(jù)權利要求4所述的沉積裝置，其特征在于，所述第二組沉積源包括: 第三沉積噴嘴部，用于提供第三物質；以及 第四沉積噴嘴部，用于提供與所述第三物質不同的第四物質， 所述第二組沉積物質是所述第三物質和所述第四物質的混合物。
7.根據(jù)權利要求1所述的沉積裝置，還包括: 第一傳輸部件，用于移動所述第一組沉積源；以及第二傳輸部件，用于移動所述第二組沉積源。
8.根據(jù)權利要求7所述的沉積裝置，所述第一傳輸部件和所述第二傳輸部件分別包括: 本體部件，用于收容對應的沉積源；以及 驅動部件，與所述本體部件連接。
9.根據(jù)權利要求7所述的沉積裝置，還包括: 第一導軌，至少從所述第一等候區(qū)域延伸至所述沉積區(qū)域，并且用于引導所述第一傳輸部件；以及 第二導軌，至少從所述第二等候區(qū)域延伸至所述沉積區(qū)域，并且用于引導所述第二傳輸部件。
10.根據(jù)權利要求1所述的沉積裝置，還包括: 保持部件，在所述沉積區(qū)域中與所述沉積室結合，并且用于固定所述基板。
11.一種薄膜沉積方法，包括: 在具有第一等候區(qū)域、設置有基底基板的沉積區(qū)域以及第二等候區(qū)域的沉積室的所述第一等候區(qū)域和所述第二等候區(qū)域分別設置第一組沉積源和第二組沉積源；從所述第一等候區(qū)域開始，所述第一組沉積源在所述沉積區(qū)域中進行往返的期間，通過排出第一組沉積物質，從而在所述基底基板上沉積第一薄膜；以及 從所述第二等候區(qū)域開始，所述第二組沉積源在所述沉積區(qū)域中進行往返的期間，通過排出第二組沉積物質，從而在所述第一薄膜上沉積第二薄膜。
12.根據(jù)權利要求11所述的薄膜沉積方法，其特征在于，所述第一組沉積源包括: 第一沉積噴嘴部，用于提供第一物質；以及 第二沉積噴嘴部，用于提供與所述第一物質不同的第二物質， 所述第一組沉積物質是所述第一物質和所述第二物質的混合物。
13.根據(jù)權利要求12所述的薄膜沉積方法，其特征在于，所述第二組沉積源包括: 第三沉積噴嘴部，用于提供第三物質；以及 第四沉積噴嘴部，用于提供與所述第三物質不同的第四物質， 所述第二組沉積物質是所述第三物質和所述第四物質的混合物。
14.根據(jù)權利要求11所述的薄膜沉積方法，其特征在于， 在沉積所述第一薄膜的步驟中，從所述第一等候區(qū)域開始，所述第一組沉積源在所述沉積區(qū)域中進行多次往返。
15.根據(jù)權利要求14所述的薄膜沉積方法，其特征在于， 在沉積所述第二薄膜的步驟中，從所述第二等候區(qū)域開始，所述第二組沉積源在所述沉積區(qū)域中進行多次往返。
16.—種薄膜沉積方法,包括: 在具有第一等候區(qū)域、設置有基底基板的沉積區(qū)域以及第二等候區(qū)域的沉積室的所述第一等候區(qū)域和所述第二等候區(qū)域分別設置第一組沉積源和第二組沉積源； 所述第一組沉積源從所述第一等候區(qū)域向所述第二等候區(qū)域移動； 從所述第二等候區(qū)域開始，所述第一組沉積源和所述第二組沉積源在所述沉積區(qū)域中進行往返的期間，分別排出第一組沉積物質和第二組沉積物質，從而在所述基底基板上沉積薄膜；以及 所述第一組沉積源從所述第二等候區(qū)域向所述第一等候區(qū)域移動。
17.根據(jù)權利要求16所述的薄膜沉積方法，其特征在于， 在沉積所述薄膜的步驟中，從所述第二等候區(qū)域開始，所述第一組沉積源和所述第二組沉積源在所述沉積區(qū)域中進行多次往返。
【文檔編號】C23C14/22GK103805944SQ201310183635
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年5月17日 優(yōu)先權日:2012年11月12日
【發(fā)明者】任子賢, 田炳勛, 李寬熙 申請人:三星顯示有限公司