專利名稱：一種利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種磁控濺射鍍膜工藝，特別是涉及一種鍍外緣全封閉帶的工藝，主要適用于PVD鍍膜技術領域。
背景技術：
目前磁控濺射鍍膜是屬于PVD鍍膜方式的一個分支，該鍍膜法是指，在真空環(huán)境下，通過電壓和磁場的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜，由于磁控濺射鍍膜機技術具有，成膜工藝處理溫度低，瞬間溫度不超過20(TC，不會熱灼傷被鍍件，結(jié)合強度高，不污染環(huán)境，被廣泛運用于汽車反光鏡、手機面板、汽車內(nèi)外飾件的鍍膜。由于鍍膜產(chǎn)品的多樣性決定，需要對產(chǎn)品進行部分區(qū)域鍍膜，而通常使用的遮蔽式鍍膜工裝，往往只實現(xiàn)中間部分鍍膜邊緣部分遮蔽的形式，要實現(xiàn)邊緣部分鍍膜中間部分遮蔽，通常會選用貼PET薄膜遮蔽，鍍膜后再移除，或者使用絲網(wǎng)印刷涂覆遮蔽非鍍膜區(qū)域，鍍膜后再除去涂膠，而以上兩種方式成本高，輪廓度偏離大，邊緣難以平滑，工藝流程長，增加了不良品產(chǎn)生的幾率。如，中國專利公開了公開號為CN 102615875A的一種不連續(xù)金屬質(zhì)感銀白色薄膜及其鍍膜方法，該不連續(xù)金屬質(zhì)感銀白色薄膜設置于玻璃基板外側(cè)，所述的薄膜通過物理氣相沉淀在玻璃基板上，薄膜從玻璃基板向外依次包括若干相互膜層的二氧化鈦膜層、二氧化硅膜層并交替設置；該薄膜的鍍膜方法包括光學真空鍍膜制備銀白色薄膜，對鍍膜后的產(chǎn)品進行絲網(wǎng)印刷，最后進行膜層褪膜。這種工藝成本高，工藝復雜，輪廓度偏離大，鍍膜精確度不高。另外，中國專利公開了公開號為CN202430282U的一種新型的磁控濺射鍍膜基片夾具，該新型的磁控濺射鍍膜基片夾具為鏤空框架結(jié)構，所述鏤空框架底部為鏤空擋板，覆蓋基片背面四邊，所述鏤空擋 板內(nèi)表面四個角上用螺絲固定安裝四個同樣大小的墊子，所述鏤空框架正上端設置有一擋板。該新型的磁控濺射鍍膜基片夾具遮擋邊緣部分，無法進行外緣全封閉帶的鍍膜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術中存在的上述不足，而提供一種可實現(xiàn)鍍外緣全封閉帶，鍍膜精確度高，成膜位置準確，邊緣清晰無陰影，成本較低的利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的工藝。本發(fā)明解決上述問題所采用的技術方案是:該利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的工藝，包括如下步驟:
a)對被鍍膜片進行CNC加工，輪廓度控制在0.1，通過SPC控制手段，Cpk > 1.33，過止規(guī)檢查符合+0.1/-0.15。；
b)將被鍍膜片進行鍍膜清洗；
c)將被鍍膜片放入鍍膜工裝，遮住被鍍膜片上的非鍍膜部分，使被鍍膜片上的鍍膜部分裸露在外；
d)將鍍膜エ裝放進磁控濺射鍍膜機的鍍膜腔體內(nèi)，鍍膜面設置在靶材所在的ー側(cè)；
e)按照標準設定鍍膜エ藝參數(shù)； f )進行鍍膜；
g)得到具有外緣全封閉帶的鍍膜片。通過高精度加工被鍍膜片和鍍膜エ裝來確保批量生產(chǎn)時被鍍材料符合鍍膜精度要求，實現(xiàn)鍍外緣全封閉帶，鍍膜精確度高，成膜位置準確，邊緣清晰無陰影。本發(fā)明所述鍍膜エ裝包括主干框架，主干框架上設置至少ー個架設基片的架設單元，所述架設単元包括遮擋片、遮擋片固定梁和被鍍膜片支撐固定架，所述遮擋片固定梁的兩端固定在主干框架上，該遮擋片固定梁位于主干框架的鍍膜面，所述遮擋片上設置有固定孔，遮擋片通過所述固定孔與遮擋片固定梁固定，遮擋片與主干框架平行，所述被鍍膜片支撐固定架位于主干框架的非鍍膜面，該被鍍膜片支撐固定架的一端通過轉(zhuǎn)軸與主干框架活動連接，所述主干框架上設有卡座，被鍍膜片支撐固定架的另一端與卡座相配合，所述被鍍膜片支撐固定架位于架設単元的上方，所述遮擋片的邊緣與所述架設単元的邊緣之間有ー圈間隙，所述步驟c)中，將被鍍膜片支撐固定架打開，用無痕吸盤吸住被鍍膜片的非鍍膜面，將被鍍膜片緊貼·遮擋片放置，遮擋片遮住被鍍膜片上的非鍍膜部分，將被鍍膜片支撐固定架合上。遮擋片用于遮蔽被鍍膜片的被鍍面的非鍍膜部分，遮擋片固定梁用于固定遮擋片，被鍍膜片支撐固定架用于固定被鍍膜片的位置，豎鍍時可防止被鍍膜片移動，遮擋片的邊緣與所述架設単元的邊緣之間的ー圈間隙使被鍍膜片的鍍膜部分裸露。本發(fā)明每個架設單元還包括至少三個被鍍膜片基準定位支撐點，所述被鍍膜片基準定位支撐點位于架設単元的邊緣。被鍍膜片基準定位支撐點主要起到定位被鍍膜片的作用。本發(fā)明所述遮擋片的邊緣用CNC或慢走絲加工，表面粗糙度Ra=0.8um以下，遮擋片的固定孔與輪廓一次裝夾，確保位置度小于0.05mm;遮擋片的雙面經(jīng)過平面磨床加工，遮擋片與被鍍膜片的貼合面的平面度小于0.05。使外緣全封閉帶成膜位置準確，遮擋片與被鍍膜片貼合面無倒角去毛刺，防止被鍍膜片的邊沿由于繞射效應也會被鍍上膜層，影響產(chǎn)品檔次和外觀。本發(fā)明所述遮擋片固定梁與被鍍膜片的被鍍面的距離> 28mm，該遮擋片固定梁的寬度< 6.5mm,所述遮擋片固定梁的兩端的棱角處設有兩個1.6X45°的倒角?？蓪崿F(xiàn)磁控濺射鍍膜機靶材通過氬離子轟擊后，鍍膜材料被均勻濺落在鍍膜區(qū)域，防止鍍膜面出現(xiàn)反射率不一致，影響物理性能中的方電阻(Q/ 口)。。本發(fā)明所述架設単元的邊緣與被鍍膜片的間隙< 1.27mm。防止被鍍膜片的邊沿由于繞射效應也被鍍上膜層，影響產(chǎn)品檔次和外觀。本發(fā)明所述遮擋片與主干框架的鍍膜ー側(cè)的平面之間的距離為12mm?？上@射的膜層沉降。主干框架的鍍膜ー側(cè)即遮擋片所在的ー側(cè)。本發(fā)明所述靶材為鉻或鋁材質(zhì)。本發(fā)明所述鍍膜腔體為橫鍍腔體或豎鍍腔體。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，具有以下優(yōu)點和效果:遮擋片用于遮蔽被鍍膜片的被鍍面的非鍍膜部分，遮擋片固定梁用于固定遮擋片，被鍍膜片支撐固定架用于固定被鍍膜片的位置，豎鍍時可防止被鍍膜片移動，遮擋片的邊緣與架設單元的邊緣之間的一圈間隙使被鍍膜片的鍍膜部分裸露，可實現(xiàn)鍍外緣全封閉帶，鍍膜精確度高，成膜位置準確，邊緣清晰無陰影，被鍍膜片基準定位支撐點主要起到定位被鍍膜片的作用，另外可防止擦傷磁控濺射鍍膜機內(nèi)的玻璃，遮擋片與主干框架的鍍膜一側(cè)的平面之間的距離為12_，可消除繞射的膜層沉降，成本較低，適合橫鍍或豎鍍。


圖1是本發(fā)明實施例的鍍膜面的結(jié)構示意圖。圖2是本發(fā)明實施例的非鍍膜面的結(jié)構示意圖。圖3是本發(fā)明實施例被鍍膜片被鍍面的結(jié)構示意圖。標號說明:遮擋片1、遮擋片固定梁2、被鍍膜片基準定位支撐點3、主干框架4、被鍍膜片支撐固定架5、被鍍膜片6、鍍膜部分61和非鍍膜部分62。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖并通過實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明，以下實施例是對本發(fā)明的解釋而本發(fā)明并不局限于以下實施例。參見圖1至圖3，本實施例包括如下步驟:對被鍍膜片進行CNC加工，輪廓度控制在0.1，通過SPC控制手段，Cpk > 1.33，過止規(guī)檢查符合+0.1/-0.15，來確保批量生產(chǎn)時被鍍材料符合鍍膜精度要求；將被鍍膜片進行鍍膜清洗；鍍膜前，檢查工裝的狀態(tài)，長期使用必須定期噴砂處理；將被鍍膜片放入鍍膜工裝，即將被鍍膜片支撐固定架打開，用無痕吸盤吸住被鍍膜片的非鍍膜面，將被鍍膜片緊貼遮擋片放置，遮擋片遮住被鍍膜片上的非鍍膜部分，將被鍍膜片支撐固定架合上；將鍍膜工裝放進磁控濺射鍍膜機的鍍膜腔體內(nèi)，鍍膜面設置在靶材所在的一側(cè)；按照標準設定鍍膜工藝參數(shù)；進行鍍膜。SPC是“統(tǒng)計過程控制”的英文縮寫。本實施例鍍膜工裝包括主干框架4和三條被鍍膜片支撐固定架5，主干框架4上設置有六個架設單元，六個架設單元以2X3的形式排列。每個架設單元包括一個遮擋片1、兩個遮擋片固定梁2、九個被鍍膜片基準定位支撐點3。本實施例兩個遮擋片固定梁2平行設置，遮擋片固定梁2的兩端固定在主干框架4上，遮擋片固定梁2位于主干框架4的鍍膜面，遮擋片I上設置有四個固定孔，遮擋片I通過固定孔與遮擋片固定梁2固定，遮擋片I與主干框架4平行。遮擋片I的邊緣與所述架設單元的邊緣之間有一圈間隙，使被鍍膜片6的鍍膜部分61裸露，遮擋片I用于遮蔽被鍍膜片6的被鍍面的非鍍膜部分62。本實施例被鍍膜片支撐固定架5位于主干框架4的非鍍膜面，被鍍膜片支撐固定架5的一端通過轉(zhuǎn)軸與主干框架4活動連接，主干框架4上設有卡座，被鍍膜片支撐固定架5的另一端與卡座相配合，被鍍膜片支撐固定架5位于兩個架設單元的上方，此處所述的“上方”為橫鍍時，本實施例所呈現(xiàn)的狀態(tài)限定的方向，三個被鍍膜片支撐固定架5平行設置。本實施例被鍍膜片基準定位支撐點3位于架設單元的邊緣。

本實施例遮擋片I的邊緣用CNC或慢走絲加工，表面粗糙度Ra=0.8 μ m以下，遮擋片I的固定孔與輪廓一次裝夾，確保位置度小于0.05_，遮擋片I的雙面經(jīng)過平面磨床加工，遮擋片I與被鍍膜片6的貼合面的平面度小于0.05。CNC為“計算機數(shù)字控制機床”的
英文縮寫。本實施例遮擋片固定梁2與被鍍面距離> 28mm,該遮擋片固定梁2的寬度<6.5_，遮擋片固定梁2的兩端的棱角處設有兩個1.6X45°的倒角。架設單元的邊緣與被鍍膜片6的間隙彡1.27mm。遮擋片I與主干框架4的鍍膜面之間的距離為12mm。鍍膜前，須檢查工裝的狀態(tài)，長期使用必須定期噴砂處理，以利于消除膜層的針孔(Pin hole)缺陷，無油潰、污潰避免污染真空腔體。使用時，將被鍍膜片支撐固定架5打開，用無痕吸盤吸住被鍍膜片6的非鍍膜面，將被鍍膜片6緊貼遮擋片I放置，遮擋片I遮住被鍍膜片6上的非鍍膜部分62，利用被鍍膜片基準定位支撐點3固定被鍍膜片6。然后將被鍍膜片支撐固定架5合上，固定住被鍍膜片6。再將本鍍外緣全封閉帶的鍍膜工裝豎放入磁控濺射鍍膜機，靶材通過氬離子轟擊后，鍍膜材料被均勻濺落在鍍膜部分61，從而完成鍍膜。此外，需要說明的是，本發(fā)明所屬技術領域的技術人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充 或采用類似的方式替代，只要不偏離本發(fā)明的結(jié)構或者超越本權利要求書所定義的范圍，均應屬于本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.ー種利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的エ藝，其特征在于:包括如下步驟: a)對被鍍膜片進行CNC加工，輪廓度控制在0.1，通過SPC控制手段，Cpk > 1.33，過止規(guī)檢查符合+0.1/-0.15 ； b)將被鍍膜片進行鍍膜清洗； c)將被鍍膜片放入鍍膜エ裝，遮住被鍍膜片上的非鍍膜部分，使被鍍膜片上的鍍膜部分裸露在外； d)將鍍膜エ裝放進磁控濺射鍍膜機的鍍膜腔體內(nèi)，鍍膜面設置在靶材所在的ー側(cè)； e)按照標準設定鍍膜エ藝參數(shù)； f)進行鍍膜； g)得到具有外緣全封閉帶的鍍膜片。
2.根據(jù)權利要求1所述的利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的エ藝，其特征在于:所述鍍膜エ裝包括主干框架，主干框架上設置至少ー個架設基片的架設單元，所述架設單元包括遮擋片、遮擋片固定梁和被鍍膜片支撐固定架，所述遮擋片固定梁的兩端固定在主干框架上，該遮擋片固定梁位于主干框架的鍍膜面，所述遮擋片上設置有固定孔，遮擋片通過所述固定孔與遮擋片固定梁固定，遮擋片與主干框架平行，所述被鍍膜片支撐固定架位于主干框架的非鍍膜面，該被鍍膜片支撐固定架的一端通過轉(zhuǎn)軸與主干框架活動連接，所述主干框架上設有卡座，被鍍膜片支撐固定架的另一端與卡座相配合，所述被鍍膜片支撐固定架位于架設単元的上方，所述遮擋片的邊緣與所述架設単元的邊緣之間有ー圈間隙， 所述步驟c)中，將被鍍膜片支撐固定架打開，用無痕吸盤吸住被鍍膜片的非鍍膜面，將被鍍膜片緊貼遮擋片放置， 遮擋片遮住被鍍膜片上的非鍍膜部分，將被鍍膜片支撐固定架合上。
3.根據(jù)權利要求2所述的利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的エ藝，其特征在于:每個架設單元還包括至少三個被鍍膜片基準定位支撐點，所述被鍍膜片基準定位支撐點位于架設單元的邊緣。
4.根據(jù)權利要求2所述的利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的エ藝，其特征在于:所述遮擋片的邊緣用CNC或慢走絲加工，表面粗糙度Ra=0.8 u m以下，遮擋片的固定孔與輪廓一次裝夾，確保位置度小于0.05mm ;遮擋片的雙面經(jīng)過平面磨床加工，遮擋片與被鍍膜片的貼合面的平面度小于0.05。
5.根據(jù)權利要求2所述的利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的エ藝，其特征在于:所述遮擋片固定梁與被鍍膜片的被鍍面的距離> 28mm,該遮擋片固定梁的寬度< 6.5mm,所述遮擋片固定梁的兩端的棱角處設有兩個1.6X45°的倒角。
6.根據(jù)權利要求2所述的利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的エ藝，其特征在于:所述架設単元的邊緣與被鍍膜片的間隙< 1.27mm。
7.根據(jù)權利要求2所述的利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的エ藝，其特征在于:所述遮擋片與主干框架的鍍膜ー側(cè)的平面之間的距離為12_。
8.根據(jù)權利要求1所述的利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的エ藝，其特征在于:所述祀材為鉻或招材質(zhì)。
9.根據(jù)權利要求1所述的利用磁控濺射鍍膜機鍍外緣全封閉帶的エ藝，其特征在于:所述鍍膜腔體為橫鍍腔體或豎鍍腔體。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種鍍外緣全封閉帶的工藝，主要適用于PVD鍍膜技術領域。本發(fā)明包括如下步驟對被鍍膜片進行CNC加工，輪廓度控制在0.1，通過SPC控制手段，Cpk＞1.33，過止規(guī)檢查符合+0.1/-0.15；將被鍍膜片進行鍍膜清洗；將被鍍膜片放入鍍膜工裝，遮住被鍍膜片上的非鍍膜部分，使被鍍膜片上的鍍膜部分裸露在外；將鍍膜工裝放進磁控濺射鍍膜機的鍍膜腔體內(nèi)，鍍膜面設置在靶材所在的一側(cè)；按照標準設定鍍膜工藝參數(shù)；進行鍍膜；得到具有外緣全封閉帶的鍍膜片。本發(fā)明可實現(xiàn)鍍外緣全封閉帶，鍍膜精確度高，成膜位置準確，邊緣清晰無陰影，成本較低。
文檔編號C23C14/35GK103114273SQ20131007402
公開日2013年5月22日 申請日期2013年3月8日 優(yōu)先權日2013年3月8日
發(fā)明者趙禮, 李志忠 申請人:浙江藍特光學股份有限公司