真空蒸鍍裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種真空蒸鍍裝置。本發(fā)明的真空蒸鍍裝置具備:蒸發(fā)源,其朝向配置有靶的位置配置;蒸發(fā)源罩,其包圍蒸發(fā)源,具有放出蒸鍍材料的放出口;防粘板,其配置于蒸發(fā)源罩的周圍;膜厚傳感器,其檢測從蒸發(fā)源放出的蒸鍍材料形成的膜厚;熱反射抑制單元,其設(shè)置于再反射且能夠照射到膜厚傳感器的位置,抑制能夠照射到膜厚傳感器的熱。
【專利說明】真空蒸鍍裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及使蒸鍍材料向靶上蒸鍍的真空蒸鍍裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在基板等上通過蒸鍍而形成薄膜的真空蒸鍍裝置,具備收納蒸鍍材料的蒸發(fā)源。蒸發(fā)源通過加熱器等被加熱,使蒸鍍材料放出。被放出的蒸鍍材料蒸鍍在配置于上方的基板上。在這種真空蒸鍍裝置中,為了以所希望的成膜速度進(jìn)行成膜而具備膜厚傳感器,一邊用該膜厚傳感器監(jiān)視成膜速度一邊進(jìn)行成膜。作為膜厚傳感器的一個例子,已知使用水晶振子的膜厚傳感器。若蒸鍍材料附著在該水晶振子上,共振頻率就會變化,基于該變化,推定蒸鍍在基板上的蒸鍍材料的成膜速度(參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]專利文獻(xiàn)1:(日本)特開2009-120924號說明書
[0004]專利文獻(xiàn)2:(日本)特開昭60-93303號說明書
[0005]但是,在專利文獻(xiàn)I的蒸鍍裝置中,基板等的靶通過蒸發(fā)源的上方時,自蒸發(fā)源放射的熱被靶反射。若該反射熱照射到膜厚傳感器的水晶振子上,水晶振子的溫度就會發(fā)生變化,因而頻率特性就會變化。因此,給成膜速度的監(jiān)視帶來影響,不能測定正確的成膜速度,因此存在不能正確地控制成膜速度的課題。
[0006]專利文獻(xiàn)I中公開了一種通過冷卻劑對水晶振子進(jìn)行冷卻,提高作為基底的共振頻率,由此,以更高的精度測定成膜速度的技術(shù)。但是,由于受到來自托盤或基板的反射熱不僅會發(fā)生溫度變化,而且會引起共振頻率的變化,因此,會對成膜速度監(jiān)視值帶來影響。
[0007]專利文獻(xiàn)2中公開了一種通過溫度傳感器探測溫度變化,根據(jù)溫度變化而修正成膜速度監(jiān)視值的技術(shù)。但是,不僅難以將溫度傳感器和膜厚傳感器放置在完全相同的溫度環(huán)境中,而且溫度變化在膜厚傳感器露出的表面最大,隨著向內(nèi)部變化而變小,因此溫度變化產(chǎn)生的對膜厚傳感器的影響復(fù)雜。因此,即使基于用溫度傳感器檢測的溫度變化,修正由膜厚傳感器算出的成膜速度,也難以消除來自托盤或基板等的反射熱對成膜速度監(jiān)視值的影響。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]本發(fā)明是為了改善上述的課題而開發(fā)的,目的在于,提供一種可以抑制來自靶的反射熱造成的膜厚傳感器的溫度變化,更正確地控制成膜速度的真空蒸鍍裝置。
[0009]為了解決上述課題,本發(fā)明已提出以下的技術(shù)方案。
[0010]本發(fā)明的真空蒸鍍單元,其特征在于,具備:蒸發(fā)源,其朝向配置有靶的位置而配置;蒸發(fā)源罩,其包圍蒸發(fā)源,具有放出蒸鍍材料的放出口 ;防粘板,其配置于蒸發(fā)源罩的周圍,防止蒸鍍材料的飛散,并且具有使靶向蒸發(fā)源露出的開口 ;膜厚傳感器,在被防粘板包圍的空間,朝向所述蒸發(fā)源配置;熱反射抑制單元,其設(shè)置于從所述發(fā)源放射并由靶反射的熱進(jìn)行再反射且能夠照射到膜厚傳感器的區(qū)域的至少一部分,抑制能夠照射到膜厚傳感器的熱。
[0011]根據(jù)該構(gòu)成,可以通過設(shè)置于由蒸發(fā)源罩或防粘板再反射且能夠照射到膜厚傳感器的位置的熱反射抑制單元,抑制從蒸發(fā)源放射并被靶反射的熱進(jìn)行再反射而照射到膜厚傳感器的情況。因此,可以抑制通過再反射而照射到膜厚傳感器的熱量,抑制膜厚傳感器的溫度變化。由此,可以抑制膜厚傳感器的溫度變化造成的膜厚的檢測誤差,更正確地控制成膜速度。
[0012]另外,在上述真空蒸鍍單元中,其特征在于,熱反射抑制單元含有吸收由靶反射的熱的吸熱單元。
[0013]根據(jù)該構(gòu)成,通過吸收由靶反射的熱,可以抑制再反射的熱向膜厚傳感器照射的情況。
[0014]另外,在上述真空蒸鍍單元中,其特征在于,熱反射抑制單元含有隔斷由革El反射并由蒸發(fā)源罩或防粘板再反射的熱的隔熱單元。
[0015]根據(jù)該構(gòu)成,通過隔斷由靶反射并有蒸發(fā)源罩或防粘板再反射的熱,可以抑制再反射的熱向膜厚傳感器照射的情況。
[0016]另外,在上述真空蒸鍍單元中,其特征在于,熱反射抑制單元含有使由靶反射的熱通過的熱通過單元。
[0017]根據(jù)該構(gòu)成,使由靶反射的熱從貫通孔通過由防粘板包圍的空間之外,可以抑制再反射的熱向膜厚傳感器照射的情況。
[0018]另外,在上述真空蒸鍍單元中,其特征在于,熱反射抑制單元含有使由靶反射的熱向避開膜厚傳感器的方向反射的熱反射單元。
[0019]根據(jù)該構(gòu)成,通過將由靶反射的熱朝向膜厚傳感器以外反射,可以抑制再反射的熱向膜厚傳感器照射的情況。
[0020]另外,在上述真空蒸鍍單元中,其特征在于,熱反射抑制單元含有使由靶反射的熱沿來的方向返回的熱再返回反射單元。
[0021]根據(jù)該構(gòu)成,通過使由靶反射的熱沿來的方向返回,可以抑制再反射的熱向膜厚傳感器照射的情況。
[0022]另外,本發(fā)明的真空蒸鍍裝置,其特征在于,還具備包圍膜厚傳感器的至少一部的膜厚傳感器罩。
[0023]根據(jù)該構(gòu)成,通過膜厚傳感器罩限定膜厚傳感器相對于由靶反射的熱的露出范圍,由此,可以抑制反射熱向膜厚傳感器照射的情況。
[0024]另外,在上述真空蒸鍍單元中,吸熱單元也可以是通過黑體化處理而形成的單元。
[0025]根據(jù)該構(gòu)成,可以利用黑體化處理的面吸收由靶反射的熱。
[0026]另外,在上述真空蒸鍍單元中,散熱單元也可以是通過噴砂加工而形成的單元。
[0027]根據(jù)該構(gòu)成,可以使由靶反射的熱在噴砂加工過的面進(jìn)行擴散。
[0028]另外,在上述真空蒸鍍單元中,隔熱單元也可以由焊接的至少一個散熱片構(gòu)成。
[0029]根據(jù)該構(gòu)成,可以利用散熱片隔斷由靶反射且再次反射而向膜厚傳感器照射的熱。
[0030]另外,在上述真空蒸鍍單元中,熱通過單元也可以由折彎形成切口的貫通孔構(gòu)成。
[0031]根據(jù)該構(gòu)成,使由靶反射的熱不會再次反射,而是通過貫通孔通向防粘板之外。
[0032]另外,在上述真空蒸鍍單元中,熱反射單元也可以由具有規(guī)定角度的傾斜面的所述蒸發(fā)源罩構(gòu)成。
[0033]根據(jù)該構(gòu)成,使由靶反射且照射到蒸發(fā)源罩的熱,通過傾斜面朝向膜厚傳感器以外反射。
[0034]另外,在上述真空蒸鍍單元中,熱再返回反射單元也可以由角錐棱鏡陣列或含珠粒涂料構(gòu)成。
[0035]根據(jù)該構(gòu)成,可以通過角錐棱鏡陣列或含珠粒涂料使由靶反射的熱沿來的方向返回。
[0036]另外,所述膜厚傳感器罩也可以具備其內(nèi)面被黑體化的筒狀的罩。
[0037]根據(jù)該構(gòu)成,通過限定膜厚傳感器再反射的熱可向膜厚傳感器入射的角度,可以抑制反射熱向膜厚傳感器照射的情況。
[0038]發(fā)明效果
[0039]根據(jù)本發(fā)明的真空蒸鍍裝置,抑制從蒸發(fā)源放射且由基板反射的熱照射到膜厚傳感器的情況,減少了膜厚傳感器的環(huán)境溫度的變化,由此,可以更正確地控制成膜速度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0040]圖1是表示本發(fā)明的具備具有熱反射抑制單元的防粘板及蒸發(fā)源罩的真空蒸鍍裝置的概略圖;
[0041]圖2是表示本發(fā)明的具備具有焊接在一起的多個散熱片的防粘板的真空蒸鍍裝置的概略圖;
[0042]圖3A是表示本發(fā)明的具備具有折彎形成有切口的多個散熱片的防粘板的真空蒸鍍裝置的概略圖;
[0043]圖3B是折彎形成有圖3A中的切口的散熱片的放大圖;
[0044]圖4是表示本發(fā)明的具備具有傾斜的面的蒸發(fā)源罩的真空蒸鍍裝置的概略圖;
[0045]圖5A是表示本發(fā)明的施加有角錐棱鏡陣列的真空蒸鍍裝置的概略圖;
[0046]圖5B是表示角錐棱鏡的原理的圖;
[0047]圖5C是表示將角錐棱鏡陣列進(jìn)行了表面放大的圖;
[0048]圖6A是表示本發(fā)明的具備由膜厚傳感器罩覆蓋的膜厚傳感器的真空蒸鍍裝置的概略圖;
[0049]圖6B是表示具備設(shè)置了筒狀的罩的膜厚傳感器罩的真空蒸鍍裝置的概略圖;
[0050]圖7是對本發(fā)明的具備熱反射抑制單元的真空蒸鍍裝置檢測的成膜速度、本發(fā)明的不具備熱反射抑制單元的真空蒸鍍裝置檢測的成膜速度、及基板上的實際成膜速度進(jìn)行比較的坐標(biāo)圖。
【具體實施方式】
[0051]下面,對本發(fā)明的多個實施方式的蒸鍍裝置,參照附圖進(jìn)行說明。另外,所謂本說明書中的靶,在下述實施方式中,包括基板20、托盤24及掩模(未圖示)等。
[0052](第I實施方式)
[0053]本實施方式的膜厚傳感器50具備水晶振子。膜厚傳感器50測定水晶振子的共振頻率。在水晶振子上附著從蒸發(fā)源30放出的蒸鍍材料38,在表面形成膜,共振頻率根據(jù)其膜厚而變化。在本實施方式的膜厚傳感器50中,基于所檢測的共振頻率,求得由蒸鍍材料形成的膜厚,另外,基于膜厚的時間變化,求得成膜速度,根據(jù)該求得的成膜速度而控制成膜速度。
[0054]另外,真空蒸鍍裝置1A具備熱反射抑制單元60,其抑制從蒸發(fā)源30放出且由靶反射的熱進(jìn)行再反射而能夠照射到膜厚傳感器50的熱。在本實施方式中,熱反射抑制單元60在防粘板40的內(nèi)表面及蒸發(fā)源罩的外表面,通過對從蒸發(fā)源30放出且被靶反射的熱可朝向膜厚傳感器50進(jìn)行再反射的區(qū)域?qū)嵤┖隗w化處理而形成有吸熱單元。具體地說,例如通過鍍涂等表面處理來實施黑體化處理。
[0055]基板20從蒸發(fā)源30上通過時,從由加熱器加熱的蒸發(fā)源30放射的向上方的熱(Hl、H’ I),被基板20或托盤24反射(H2、H’ 2),之后,被蒸發(fā)源罩32或防粘板40再反射,其一部分熱(H3、H’ 3)照射到膜厚傳感器50。這樣,由于被蒸發(fā)源罩32或防粘板40再反射的熱(H3、H’3)照射到膜厚傳感器上,從而產(chǎn)生水晶振子的溫度變化,且共振頻率變化。由于共振頻率的變化,即使實際的成膜速度不變,膜厚傳感器探測的成膜速度也是雜亂的。真空蒸鍍裝置由于是以膜厚傳感器檢測的位移的成膜速度為基礎(chǔ)對成膜速度進(jìn)行控制,因此,也會給實際的成膜速度帶來不利影響。
[0056]在實施了黑體化處理的區(qū)域,通過吸收被作為靶的基板20或托盤24反射的熱(H2、H’ 2),而抑制朝向膜厚傳感器50的熱的再反射(H3、H’ 3)。由此,可以抑制基板20從蒸發(fā)源30上的蒸鍍位置通過時,入射到膜厚傳感器50的水晶振子的放射熱的量的位移,抑制膜厚傳感器50探測的膜厚的測定誤差,可以更正確地控制成膜速度。
[0057]圖7表示上述的熱反射抑制單元60在防粘板40的內(nèi)表面及蒸發(fā)源罩的外表面設(shè)置時,對通過膜厚傳感器50檢測的成膜速度(采取應(yīng)對措施后)、沒有采取應(yīng)對措施時所檢測的成膜速度(未采取應(yīng)對措施)和實際的成膜速度進(jìn)行比較的坐標(biāo)圖。基板20從上方通過時,根據(jù)由基板20、托盤24及掩模26構(gòu)成的靶的形狀或材質(zhì)的不同,從靶反射的熱相對于時間而變化,成膜傳感器受到的該熱的再反射也同樣相對于時間而變化。該情況會給成膜傳感器50檢測的成膜速度帶來影響,但采取應(yīng)對措施后的成膜速度的變化與未采取應(yīng)對措施的成膜速度的變化相比,抑制了位移,更接近實際的成膜速度,即,實現(xiàn)了監(jiān)視更正確的成膜速度的目的。
[0058](第2實施方式)
[0059]另外,作為圖1的熱反射抑制單元60,也可以代替黑體化處理而設(shè)置噴砂處理等。噴砂處理作為使被基板20、托盤24反射的熱(H2、H’2)擴散的散熱單元發(fā)揮作用,另外,還作為吸收被基板20、托盤24反射的熱(H2、H’2)的吸熱單元發(fā)揮作用。
[0060]根據(jù)第2實施方式,通過在噴射處理的防粘板40的內(nèi)表面及蒸發(fā)源罩32的外表面進(jìn)行擴散、吸收被基板20、托盤24反射的熱(H2、H’ 2),可以抑制朝向膜厚傳感器50的熱的再反射(H3、H,3) ?
[0061]另外,同樣地,作為散熱單元或作為吸熱單元發(fā)揮作用的方式不限于此。例如,安裝對金屬的網(wǎng)眼狀的片材、或者、粒子狀或纖維狀的金屬材料進(jìn)行粗燒結(jié)而成的多孔質(zhì)薄板等,利用設(shè)置于表面的凹凸使熱擴散、吸收,由此也可以抑制朝向膜厚傳感器50的熱的再反射(H3、H,3) ?
[0062]另外,第I及第2實施方式的熱反射抑制單元60,既可以如圖1所示在防粘板40或蒸發(fā)源罩32的整個面施加,也可以僅在可朝向膜厚傳感器50對熱進(jìn)行再反射的區(qū)域施加。
[0063](第3實施方式)
[0064]如圖2所示,在本實施方式的真空蒸鍍裝置1B中,作為熱反射抑制單元,具有由固定于防粘板40的多個散熱片62構(gòu)成的隔熱單元。多個散熱片62相對于防粘板40以規(guī)定角度被固定。
[0065]具體地說,多個散熱片62隔斷從蒸發(fā)源30放出且被靶反射的熱進(jìn)行再反射而朝向膜厚傳感器的熱,并且以由散熱片62反射的熱不會按照向膜厚傳感器50入射的方式進(jìn)行再反射的角度來安裝。在本實施方式中,多個散熱片62通過焊接固定在防粘板40上,但也可以通過別的固定單元進(jìn)行固定。
[0066]散熱片62隔斷從蒸發(fā)源30放出其被靶反射的熱中、由防粘板40再反射的熱的一部分,抑制其入射到膜厚傳感器50。另外,使被靶反射的熱以不會入射到膜厚傳感器50的方式再反射。由此,通過利用散熱片62隔斷被基板20、托盤24反射的熱(H2),可以抑制朝向膜厚傳感器50的熱的再反射(H3)。
[0067](第4實施方式)
[0068]另外,圖3A表示第3實施方式的變形例。如圖3A所示,在本變形例中作為熱反射抑制單元具有:作為隔熱單元的散熱片64和作為熱通過單元的防粘板40上的貫通孔66。防粘板40上,將進(jìn)入從蒸發(fā)源30放出且被靶反射的熱可朝向膜厚傳感器50再反射的區(qū)域的切口進(jìn)行折彎,而形成多個散熱片64,并且通過形成散熱片64,在根部分形成貫通孔66 (參照圖3B)。本變形例中,如上所述,散熱片64隔斷朝向膜厚傳感器50被再反射的熱,并且折彎成由散熱片64反射的熱以不會入射到膜厚傳感器50的方式進(jìn)行再反射的角度。
[0069]在本實施方式中也同樣,散熱片64隔斷從蒸發(fā)源30放出且被靶反射的熱中的、由防粘板40再反射的熱的一部分,抑制其入射到膜厚傳感器50。另外,使被靶反射的熱以不會入射到膜厚傳感器50的方式再反射。另外,可折彎的貫通孔66使被基板20、托盤24、靶反射的熱(H2)通過防粘板40包圍的空間之外,由此,抑制其進(jìn)行再反射而入射到膜厚傳感器50的情況。
[0070]另外,作為熱反射抑制單元,也可以不設(shè)置散熱片,僅設(shè)置貫通孔。另外,在防粘板40上設(shè)置貫通孔的情況下,理想的是,以避開蒸鍍材料38可從防粘板40向真空腔室12內(nèi)放出的部位的方式設(shè)置貫通孔。
[0071]另外,第3及第4實施方式的多個散熱片62、64也可以全部以相同的角度固定,也可以考慮其與膜厚傳感器50的位置關(guān)系,對每個區(qū)域都以更適當(dāng)?shù)牟煌慕嵌裙潭?。即,多個散熱片62、64各自的角度,也可以在如下范圍內(nèi)任意決定,S卩,隔斷來自靶的反射熱H2在防粘板40的內(nèi)表面及蒸發(fā)源罩32的外表面向膜厚傳感器50再反射的熱,且被這些散熱片62、64本身再反射的熱朝向膜厚傳感器50以外進(jìn)行反射的范圍。
[0072](第5實施方式)
[0073]圖4所示的本發(fā)明的真空蒸鍍裝置1D具備具有傾斜面36的蒸發(fā)源罩33。蒸發(fā)源罩的傾斜面36形成為使被基板20、托盤24等的靶反射的熱(H2)向避開膜厚傳感器50的方向再反射的角度,構(gòu)成本實施方式的熱反射抑制單元。本實施方式中的蒸發(fā)源罩采用錐體狀的蒸發(fā)源罩33,將其側(cè)面作為構(gòu)成熱反射單元的傾斜面36。
[0074]就傾斜面36的角度而言,根據(jù)膜厚傳感器50的位置,以不使熱朝向膜厚傳感器50再反射的方式適當(dāng)決定,如圖3所示,可以是左右對稱的形狀,也可以是左右非對稱的形狀。另外,根據(jù)膜厚傳感器50的位置,也可以是保留水平面或垂直面的形狀。
[0075]在圖4中,表示在蒸發(fā)源罩33上設(shè)置傾斜面36而形成熱反射單元的方式,也可以同樣地在防粘板上設(shè)置傾斜面。通過這些熱反射單元,將利用防粘板對來自靶的反射熱H2進(jìn)行了再反射的熱,朝向膜厚傳感器50以外進(jìn)行反射,由此抑制熱入射到膜厚傳感器50。
[0076](第6實施方式)
[0077]另外,作為另一熱反射單元,圖5A所示的本發(fā)明的真空蒸鍍裝置10E,代替在防粘板上設(shè)置傾斜面,而在防粘板40的內(nèi)表面及蒸發(fā)源罩的外表面,在從蒸發(fā)源30放出且被靶反射的熱可朝向膜厚傳感器50進(jìn)行再反射的區(qū)域,作為熱反射單元施加形成如圖5C所示的形狀的熱再返回反射單元,即角錐棱鏡陣列68。
[0078]就角錐棱鏡而言,圖5B表示其原理,如圖5B所示,將以任意的入射角入射進(jìn)來的熱向與其入射角相同的方向反射。因此,當(dāng)來自靶的反射熱(H2、H’ 2)照射到施加了角錐棱鏡陣列的面時,則向熱入射的相同的方向反射熱。由此,可以防止再反射的熱(H3、H’3)朝向膜厚傳感器50照射的情況。
[0079]另外,不限于角錐棱鏡陣列,也可以使用含珠粒涂料方式等一般的再返回反射加工法。另外,也可以代替對防粘板40或蒸發(fā)源罩32本身實施再返回反射加工,而在防粘板40或蒸發(fā)源罩32上安裝經(jīng)過了再返回反射加工的片狀的薄板。
[0080](第7實施方式)
[0081]圖6A表示本發(fā)明的真空蒸鍍裝置10F。如圖6A所示,真空蒸鍍裝置1F具備覆蓋膜厚傳感器50的傳感器部以外的膜厚傳感器罩52。由此,膜厚傳感器50抑制再反射熱從周圍照射到膜厚傳感器50,并且可以檢測膜厚,能夠抑制來自周圍的熱的照射產(chǎn)生的影響,對成膜進(jìn)行控制。
[0082]另外,安裝了膜厚傳感器罩52的情況下,蒸發(fā)源罩32或防粘板40的、由靶反射的熱(H2)進(jìn)行再反射而能夠照射到膜厚傳感器的區(qū)域被限定得更窄,因此,可以縮小設(shè)置熱反射抑制單元60的面積。
[0083](第8實施方式)
[0084]另外,如圖6B所示,為了進(jìn)一步限定蒸發(fā)源罩32或防粘板40的、由靶反射的熱進(jìn)行再反射而能夠照射到膜厚傳感器(50)的區(qū)域,也可以在膜厚傳感器罩52上設(shè)置筒狀的罩54。罩54限定再反射的熱可入射到膜厚傳感器的角度。由此,進(jìn)一步限定了蒸發(fā)源罩32或防粘板40的、由靶反射的熱進(jìn)行再反射而能夠照射到膜厚傳感器的區(qū)域。
[0085]另外,也可以對罩54的內(nèi)表面實施所述黑體化處理或噴砂加工、或者再返回反射加工。通過這樣操作,抑制入射到罩54的熱中、反射在罩54的內(nèi)表面的熱入射到膜厚傳感器50,進(jìn)而,抑制入射到膜厚傳感器50的熱,能夠更正確地檢測成膜速度。
[0086]如以上所述,以本發(fā)明的各種實施方式為例進(jìn)行了說明,但這些方式也可以在技術(shù)上可能的范圍內(nèi)組合實施,以便得到更高的效果。例如,也可以對第2實施方式的多個散熱片62、64進(jìn)行黑體化處理?;蛘?,例如,也可以在防粘板40上設(shè)置多個散熱片62、64,在蒸發(fā)源罩32上設(shè)置角錐棱鏡陣列。
[0087]另外,本發(fā)明的靶不限定于基板20、托盤24及掩模26,指的是覆蓋防粘板的開口42,可反射從蒸發(fā)源30放出的熱(Hl)的任意的構(gòu)造體。
[0088]另外,本發(fā)明的熱反射抑制單元60不限定在蒸發(fā)源罩32及防粘板40上設(shè)置的方式,也可以設(shè)置于配置在被防粘板40包圍的空間內(nèi)的任意的構(gòu)造體的表面。
[0089]至此,對本發(fā)明的真空蒸鍍裝置的各實施方式進(jìn)行了說明,但本發(fā)明的真空蒸發(fā)裝置不限定于前述的各實施方式,可進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖冃位蚋牧嫉?。例如,通過配置測定膜厚傳感器50的溫度的溫度傳感器,一并運用通過對溫度變化進(jìn)行監(jiān)視而相應(yīng)進(jìn)行的成膜速度的修正,也可更正確地控制成膜速度等。
[0090]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0091]涉及抑制來自靶的反射熱造成的膜厚傳感器的溫度變化,可以更正確地控制成膜速度的真空蒸鍍裝置。
[0092]標(biāo)記說明
[0093]10A、10B、10C、10D、10E、10F、1G:真空蒸鍍裝置
[0094]12:真空腔室
[0095]20:基板
[0096]24:托盤
[0097]26:掩模
[0098]28:搬送輥
[0099]30:蒸發(fā)源
[0100]32、33:蒸發(fā)源罩
[0101]34:放出口
[0102]36:傾斜面
[0103]38:蒸鍍材料
[0104]40:防粘板
[0105]42:開口
[0106]50:膜厚傳感器
[0107]52:膜厚傳感器罩
[0108]54:罩
[0109]60:熱反射抑制單元
[0110]62、64:散熱片
[0111]66:貫通孔
[0112]68:角錐棱鏡陣列
[0113]H1、H’ 1:來自蒸發(fā)源的熱
[0114]H2、H’ 2:由靶反射的熱
[0115]H3、H’3、H4:再反射的熱
【權(quán)利要求】
1.一種真空蒸鍍裝置,其特征在于,具備: 蒸發(fā)源,其被配置為朝向配置有靶的位置放出蒸鍍材料; 蒸發(fā)源罩,其包圍所述蒸發(fā)源,具有放出蒸鍍材料的放出口 ; 防粘板,其配置于所述蒸發(fā)源罩的周圍,防止所述蒸鍍材料的飛散,并且具有使所述靶向所述蒸發(fā)源露出的開口; 膜厚傳感器,其配置于被所述防粘板包圍的空間,檢測從蒸發(fā)源放出的蒸鍍材料形成的月吳厚; 熱反射抑制單元,其設(shè)置于從所述蒸發(fā)源放射且在所述靶反射的熱再反射且能夠照射到所述膜厚傳感器的位置,抑制能夠照射到所述膜厚傳感器的熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述熱反射抑制單元含有吸收在所述革E反射的熱的吸熱單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述熱反射抑制單元含有使在所述靶反射的熱擴散的散熱單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述熱反射抑制單元含有隔斷在所述靶反射的熱的隔熱單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述熱反射抑制單元含有使在所述靶反射的熱通過的熱通過單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述熱反射抑制單元含有使在所述靶反射的熱向避開所述膜厚傳感器的方向反射的熱反射單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述熱反射抑制單元含有使從所述靶反射的熱沿來的方向返回的熱再返回反射單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求1?7中任一項所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 還具備包圍所述膜厚傳感器的至少一部分的膜厚傳感器罩。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述吸熱單元是通過黑體化處理而形成的單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述散熱單元是通過噴砂加工而形成的單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述吸熱單元是通過噴砂加工而形成的單元。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述隔熱單元具有安裝于所述防粘板上的至少一個散熱片。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述熱通過單元具有形成于所述防粘板的貫通孔。
14.根據(jù)權(quán)利要求要求6所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述熱反射單元具有傾斜面,該傾斜面設(shè)置于蒸發(fā)源罩上并且形成為使在所述靶反射的熱向避開所述膜厚傳感器的方向反射的角度。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于, 所述熱再返回反射單元具有角錐棱鏡陣列或含珠粒涂料。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于,所述膜厚傳感器罩具備其內(nèi)面被黑體化的筒狀的罩。
【文檔編號】C23C14/24GK104508172SQ201280075029
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月13日
【發(fā)明者】重岡伸之 申請人:三菱重工業(yè)株式會社