亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

遮罩條的制作方法

文檔序號:3258639閱讀:187來源:國知局
專利名稱:遮罩條的制作方法
遮罩條
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種遮罩條與一種遮罩的制造方法。
背景技術(shù)
在現(xiàn)行圖案化制程中,常通過多條遮罩條所組成的遮罩搭配鍍膜制程來形成圖案化膜層。遮罩是金屬薄板通過蝕刻的方式制作出多條細(xì)長的金屬線,其中多條金屬線之間的空隙可作為鍍膜制程時的開口區(qū)。由于金屬線相當(dāng)細(xì)長,易扭曲變形,因此在遮罩條的兩側(cè)設(shè)置有拉伸區(qū)。在將遮罩條固定至框架上以構(gòu)成遮罩時,于拉伸區(qū)處施以預(yù)張力,使金屬線橫向繃緊。藉此,讓金屬 線維持直線而使開口區(qū)維持正確的形狀與位置,并得以對抗鍍膜時溫度所造成的膨脹量,還有抵抗遮罩與欲鍍膜的基板的重量所造成的彎曲變形。然而,在施予預(yù)張力時,現(xiàn)行設(shè)計的拉伸區(qū)靠近施力點的位置在力量轉(zhuǎn)換以及受力形變方面的自由度不夠高。因此靠近拉伸區(qū)的開口區(qū)易呈現(xiàn)波浪狀的皺褶形變,使遮罩條無法服貼于欲鍍膜的基板上,造成開口區(qū)的位置偏移、鍍膜厚度不均以及欲鍍膜位置走位等問題發(fā)生。另一方面,為避免增加預(yù)張力會造成皺褶形變的狀況加劇,或是造成皺褶形變的影響范圍向內(nèi)擴(kuò)張,需限制預(yù)張力的大小。然,此舉常造成預(yù)張力不足的情況發(fā)生。在預(yù)張力不足的情況下,由于遮罩條不夠穩(wěn)固,無法抵擋欲鍍膜的基板的重量以及鍍膜時所累積的膜層的重量所造成的彎曲變形,且在清洗時易松脫變形,因此常造成遮罩的使用率以及壽命大幅地降低。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種遮罩條,其可提供良好的鍍膜品質(zhì)且具有良好的使用率以及壽命。本發(fā)明提供一種遮罩條,用以被固定于一框架上而構(gòu)成一遮罩,具有兩個拉伸區(qū)與一圖案區(qū),其中遮罩條被固定于框架后,圖案區(qū)位于框架內(nèi),拉伸區(qū)位于框架外,且各拉伸區(qū)遠(yuǎn)離圖案區(qū)的一側(cè)具有一 V型切口。在本發(fā)明的一實施例中,前述的各拉伸區(qū)在V型切口的端點與圖案區(qū)之間具有多個挖空區(qū)。在本發(fā)明的一實施例中,前述的各挖空區(qū)呈長條狀,且挖空區(qū)彼此平行排列。在本發(fā)明的一實施例中,前述的各挖空區(qū)呈三角形。在本發(fā)明的一實施例中,前述的挖空區(qū)沿著平行于圖案區(qū)與拉伸區(qū)的邊界的方向排成多列。在本發(fā)明的一實施例中,前述的挖空區(qū)中位于同一列者的大小相同。在本發(fā)明的一實施例中,前述的挖空區(qū)的大小隨著與圖案區(qū)的距離縮短而遞減。在本發(fā)明的一實施例中,前述的各挖空區(qū)的一角指向圖案區(qū)。本發(fā)明另提供一種遮罩條,用以被固定于一框架上而構(gòu)成一遮罩,具有兩個拉伸區(qū)與一圖案區(qū),其中遮罩條被固定于框架后,圖案區(qū)位于框架內(nèi),拉伸區(qū)位于框架外,各拉伸區(qū)具有多個挖空區(qū)。在本發(fā)明的一實施例中,前述的各拉伸區(qū)遠(yuǎn)離圖案區(qū)的一側(cè)具有一切口。在本發(fā)明的一實施例中,前述的各挖空區(qū)呈長條狀,且挖空區(qū)彼此平行排列。在本發(fā)明的一實施例中,前述的各挖空區(qū)呈三角形。在本發(fā)明的一實施例中,前述的挖空區(qū)沿著平行于圖案區(qū)與拉伸區(qū)的邊界的方向排成多列。 在本發(fā)明的一實施例中,前述的挖空區(qū)中位于同一列者的大小相同。在本發(fā)明的一實施例中,前述的挖空區(qū)的大小隨著與圖案區(qū)的距離縮短而遞減。在本發(fā)明的一實施例中,前述的挖空區(qū)的一角指向圖案區(qū)?;谏鲜觯咎岚傅恼谡謼l可通過在拉伸區(qū)提供一 V型切口及/或多個挖空區(qū),均勻地分散預(yù)張力,使拉伸區(qū)靠近施力點的位置在力量轉(zhuǎn)換以及受力形變的自由度得以提升。因此,靠近拉伸區(qū)的開口區(qū)可保持良好的平整度而得以服貼于欲鍍膜的基板上,進(jìn)而提升制程良率。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。

圖I為本發(fā)明一實施例的遮罩條的上視示意圖。圖2為圖I中的拉伸區(qū)的上視示意圖。圖3為本發(fā)明另一實施例的遮罩條的上視示意圖。主要元件符號說明100 :遮罩110、210:遮罩條112:金屬線114:開口區(qū)120 :框架Al :拉伸區(qū)A2:圖案區(qū)A3、A4:挖空區(qū)F :預(yù)張力V V 型切口X :端點U:切口
具體實施方式
圖I為本發(fā)明一實施例的遮罩條的上視示意圖。圖2為圖I中的拉伸區(qū)的上視示意圖。請同時參照圖I與圖2,本實施例的遮罩條110,用以被固定于一框架120上而構(gòu)成一遮罩100。在本實施例中,遮罩條110例如是通過焊接、鎖固或其他方式被固定于框架120上。另外,遮罩100所包括的遮罩條110數(shù)量可大于I。換言之,通常一個遮罩100是由被固定在一個框架120上的多個遮罩條110所構(gòu)成,以便于進(jìn)行大面積的蒸鍍或其他制程。遮罩條110具有兩個拉伸區(qū)Al與一圖案區(qū)A2。在遮罩條110被固定于框架120后,圖案區(qū)A2位于框架120內(nèi),拉伸區(qū)Al位于框架120外。而在遮罩條110被固定于框架120后,即可將拉伸區(qū)Al移除,以利蒸鍍或其他制程的進(jìn)行。在本實施例中,遮罩條110的制作方法例如是將金屬薄板通過蝕刻的方式在圖案區(qū)A2制作出多個重復(fù)的圖案,其中各圖案包括多條細(xì)長的金屬線112,而各金屬線112之間的空隙114在圖案化制程中,可作為鍍膜制程時的開口區(qū)。舉例而言,各金屬線112之間的空隙114可作為有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)蒸鍍制程時欲形成圖案化膜層的開口區(qū),例如用于形成OLED中各個畫素區(qū)的有機(jī)發(fā)光材料層。于蒸鍍制程中,將遮罩100放置在蒸鍍材料源與目標(biāo)基板之間,并使各空隙114對應(yīng)各畫素區(qū)。在蒸鍍完成后,蒸鍍材料源的材料只會 沉積在各畫素區(qū)中而不會超出范圍。因此,通過調(diào)變空隙114的尺寸、形狀以及位置可控制蒸鍍制程時欲沉積材料的區(qū)域的尺寸、形狀以及位置。當(dāng)然,遮罩條110以及遮罩100的用途不限于此,而空隙114也不限定于對應(yīng)畫素區(qū)。在實務(wù)上,由于各金屬線112相當(dāng)細(xì)長,易扭曲變形,因此通過在拉伸區(qū)Al處施以預(yù)張力F,使金屬線橫向繃緊,并固定于框架120上,可避免于鍍膜制程時欲鍍膜位置走位,并提供足以承載鍍膜時溫度所造成的膨脹量以及遮罩與欲鍍膜的基板的重量所造成的彎曲變形。本實施例的遮罩條110在各拉伸區(qū)Al遠(yuǎn)離圖案區(qū)A2的一側(cè)具有一 V型切V,縮小預(yù)張力F的施力點的面積,進(jìn)而使施力較為集中。此外,通過增加V型切口 V的深度,提高V型切口 V周遭受力形變的自由度,本實施例的遮罩條110可更均勻地分散預(yù)張力。具體而言,將集中于施力點的應(yīng)力分散至一整面拉伸區(qū)Al。因此,本實施例的遮罩條110可降低因應(yīng)力集中所造成的波浪狀的皺褶形變。另外,本實施例的遮罩條110更可選擇性地在V型切口 V的端點X與圖案區(qū)A2之間提供多個挖空區(qū)A3。在本實施例中,各挖空區(qū)A3呈彼此平行排列的長條狀,且挖空區(qū)A3例如是沿著平行于圖案區(qū)A2與拉伸區(qū)Al的邊界的方向排成一列。值得一提的是,本實施例的遮罩條110通過提供多個挖空區(qū)A3,可讓預(yù)張力更平均地傳進(jìn)圖案區(qū)A2。因此,均勻傳遞的預(yù)張力可使圖案區(qū)A2保持平整。另外,由于本實施例的遮罩條110具有良好的力量轉(zhuǎn)換以及受力形變的自由度,因此可進(jìn)一步承受更大的預(yù)張力F。本實施例的遮罩條110可提供較大的承載力,足以支撐欲鍍膜的基板的重量以及鍍膜時所累積的膜層的重量。另外,在清洗時也較不易松脫變形。因此,本實施例的遮罩條110所制成的遮罩具有良好的使用率以及壽命。當(dāng)然,本提案的遮罩條除了可為上述型態(tài)外,亦可有其他型態(tài),以下將搭配圖3另舉一實施例作說明。圖3為本發(fā)明另一實施例的遮罩條的上視示意圖。請參照圖3,本實施例的遮罩條210與遮罩條110具有相似的型態(tài),但是二者差異處在于拉伸區(qū)Al的型態(tài)。本實施例的遮罩條210在拉伸區(qū)A2處具有多個挖空區(qū)A4。在本實施例中,各挖空區(qū)A4例如是呈三角形,而各挖空區(qū)的一角指向圖案區(qū)A2。此外,挖空區(qū)A4沿著平行于圖案區(qū)A2與拉伸區(qū)Al的邊界的方向排成多列,且位于同一列者的大小相同,其中挖空區(qū)A4的大小隨著與圖案區(qū)的距離縮短而遞減。與前一實施例相似,本實施例的遮罩條210所制成的遮罩具有良好的使用率以及壽命。當(dāng)然,本實施例的遮罩條210在各拉伸區(qū)Al遠(yuǎn)離圖案區(qū)A2的一側(cè)亦可選擇性的配置有一切口 U。通過增加切口 U的深度,可提高切口 U周遭受力形變的自由度。因此,本實施例的遮罩條210可更均勻地分散預(yù)張力,并進(jìn)一步地降低因應(yīng)力集中所造成的波浪狀的皺褶形變。綜上所述,本提案的遮罩條是在拉伸區(qū)提供V型切口及/或多個挖空區(qū),均勻地 分散預(yù)張力,使拉伸區(qū)靠近施力點的位置在力量轉(zhuǎn)換以及受力形變的自由度等方面得以提升。藉此,改善習(xí)知技術(shù)于開口區(qū)因受力不均所產(chǎn)生的波浪狀的皺褶形變,進(jìn)而確保本實施例的遮罩條平整地服貼于欲鍍膜的基板上,減緩開口區(qū)的位置偏移、鍍膜厚度不均以及鍍膜位置走位等問題的發(fā)生。另外,本提案的遮罩條在力量轉(zhuǎn)換以及受力形變的自由度得以提升的情況下,可進(jìn)一步提升預(yù)張力,改善習(xí)知技術(shù)欲避免皺褶形變所造成預(yù)張力不足的情況。因此,本提案的遮罩條可較為穩(wěn)固地固定于框架上,并具有足夠的承載力去承載欲鍍膜的基板的重量以及鍍膜時所累積的膜層的重量。是以,本提案的遮罩條所組成的遮罩具有良好的使用率以及壽命。雖然本發(fā)明已以實施方式揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許的更動與潤飾,故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種遮罩條,用以被固定于一框架上而構(gòu)成一遮罩,具有兩個拉伸區(qū)與一圖案區(qū),其中該遮罩條被固定于該框架后,該圖案區(qū)位于該框架內(nèi),所述拉伸區(qū)位于該框架外,各該拉伸區(qū)遠(yuǎn)離該圖案區(qū)的一側(cè)具有一V型切口。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的遮罩條,其特征在于,各該拉伸區(qū)在該V型切口的端點與該圖案區(qū)之間具有多個挖空區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的遮罩條,其特征在于,各該挖空區(qū)呈長條狀,且所述挖空區(qū)彼此平行排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的遮罩條,其特征在于,各該挖空區(qū)呈三角形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的遮罩條,其特征在于,所述挖空區(qū)沿著平行于該圖案區(qū)與所述拉伸區(qū)的邊界的方向排成多列。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的遮罩條,其特征在于,所述挖空區(qū)中位于同一列者的大小相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的遮罩條,其特征在于,所述挖空區(qū)的大小隨著與該圖案區(qū)的距離縮短而遞減。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的遮罩條,其特征在于,各該挖空區(qū)的一角指向該圖案區(qū)。
9.一種遮罩條,用以被固定于一框架上而構(gòu)成一遮罩,具有兩個拉伸區(qū)與一圖案區(qū),其中該遮罩條被固定于該框架后,該圖案區(qū)位于該框架內(nèi),所述拉伸區(qū)位于該框架外,各該拉伸區(qū)具有多個挖空區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的遮罩條,其特征在于,各該拉伸區(qū)遠(yuǎn)離該圖案區(qū)的一側(cè)具有一切口。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的遮罩條,其特征在于,各該挖空區(qū)呈長條狀,且所述挖空區(qū)彼此平行排列。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的遮罩條,其特征在于,各該挖空區(qū)呈三角形。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的遮罩條,其特征在于,所述挖空區(qū)沿著平行于該圖案區(qū)與所述拉伸區(qū)的邊界的方向排成多列。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的遮罩條,其特征在于,所述挖空區(qū)中位于同一列者的大小相同。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的遮罩條,其特征在于,所述挖空區(qū)的大小隨著與該圖案區(qū)的距離縮短而遞減。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的遮罩條,其特征在于,各該挖空區(qū)的一角指向該圖案區(qū)。
全文摘要
一種遮罩條,用以固定于一框架上而構(gòu)成一遮罩,具有兩個拉伸區(qū)與一圖案區(qū),其中遮罩條被固定于框架后,圖案區(qū)位于框架內(nèi),拉伸區(qū)位于框架外,且各拉伸區(qū)遠(yuǎn)離圖案區(qū)的一側(cè)具有一V型切口。
文檔編號C23C16/04GK102703857SQ20121020447
公開日2012年10月3日 申請日期2012年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月30日
發(fā)明者王偉立, 陳志彥, 黃世雄, 黃俊杰 申請人:友達(dá)光電股份有限公司
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1