專利名稱：用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，并且尤其涉及一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，其中有機物可蒸發(fā)并以薄膜的形式沉積于襯底上。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光裝置是一種自身可以發(fā)光的下一代顯示裝置，與液晶顯示器(IXD)裝置的性能相比，下一代顯示裝置具有良好的視角、對比度、響應速度、功耗等。有機發(fā)光裝置包括以矩陣型連接于掃描線與數(shù)據(jù)線之間并形成像素的有機發(fā)光二極管。有機發(fā)光二極管包括陽極、陰極和在陽極與陰極之間形成并具有空穴傳輸層、有機發(fā)光層及電子傳輸層的有機薄膜層。當在陽極與陰極之間施加預定電壓時，從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子在發(fā)光層中重新組合，同時基于能量差而發(fā)射光。在用于有機薄膜層的沉積過程中使用的有機物不需要高汽壓，并且與無機物不同，有機物在高溫下容易分解和變性。由于此材料性質(zhì)，由鎢材料制成的源容器裝滿有機物，并且加熱此源容器以蒸發(fā)有機物，從而在襯底上沉積常規(guī)的有機薄膜。然而，源容器能夠儲存的有機物的量有限，且因此出現(xiàn)了以下問題有機物必須在沉積過程中頻繁地重新裝填，而且在所有這些場合下，用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備應在裝填過程中停機。雖然最近已提出一種通過提供大容量源容器來增加有機物的裝填量的方法，但是因供應了更多熱量給源容器以便加熱增大的源容器并蒸發(fā)有機物，因此仍出現(xiàn)有機物變性的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，認為本發(fā)明可解決前述問題，并且本發(fā)明一方面提供一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，其中多個源容器用以增加待容納的源材料的量，以便可以延長用于沉積薄膜的設(shè)備的暫停周期，并且在增加源材料的蒸發(fā)速度的同時降低源材料的蒸發(fā)溫度，以便可以提高設(shè)備的使用效率。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，提供一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，設(shè)備包括多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態(tài)或液態(tài)容納于多個源容器中；蒸發(fā)室，蒸發(fā)室在源容器上方與源容器耦合并連通，且來自源容器的已蒸發(fā)源材料穿過蒸發(fā)室；噴孔，噴孔形成于蒸發(fā)室的頂部上并向上噴射穿過蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料；第一加熱器，第一加熱器在蒸發(fā)室內(nèi)部提供于源容器上方并供熱給源容器以蒸發(fā)容納于源容器中的源材料；傳感器，傳感器安裝在蒸發(fā)室中并感測穿過蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料的量；和控制器，控制器從傳感器獲得關(guān)于蒸發(fā)室中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從源容器蒸發(fā)的源材料的量。根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例，提供一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，設(shè)備包括多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態(tài)或液態(tài)容納于多個源容器中；蒸發(fā)室，蒸發(fā)室在源容器上方與源容器耦合并連通，且來自源容器的已蒸發(fā)源材料穿過蒸發(fā)室；噴孔，噴孔形成于蒸發(fā)室的頂部上并向上噴射穿過蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料；第一加熱器，第一加熱器在蒸發(fā)室內(nèi)部提供于源容器上方并供熱給源容器以蒸發(fā)容納于源容器中的源材料；多個傳感器，多個傳感器安裝在源容器中并感測從源容器流出的已蒸發(fā)源材料的量；和控制器，控制器從傳感器獲得關(guān)于源容器中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從源容器蒸發(fā)的源材料的量。根據(jù)本發(fā)明的又一個示范性實施例，提供一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，設(shè)備包括多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態(tài)或液態(tài)容納于多個源容器中；蒸發(fā)室，蒸發(fā)室在源容器上方與源容器耦合并連通，且來自源容器的已蒸發(fā)源材料穿過蒸發(fā)室；噴孔，噴孔形成于蒸發(fā)室的頂部上并向上噴射穿過蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料；多個第一加熱器，多個第一加熱器提供于源容器中并供熱給源容器以蒸發(fā)容納于源容器中的源材料；傳感器，傳感器安裝在蒸發(fā)室中并感測穿過蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料的量；和控制器，控 制器從傳感器獲得關(guān)于蒸發(fā)室中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從源容器蒸發(fā)的源材料的量。根據(jù)本發(fā)明的又一個示范性實施例，提供一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，設(shè)備包括多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態(tài)或液態(tài)容納于多個源容器中；蒸發(fā)室，蒸發(fā)室在源容器上方與源容器耦合并連通，且來自源容器的已蒸發(fā)源材料穿過蒸發(fā)室；噴孔，噴孔形成于蒸發(fā)室的頂部上并向上噴射穿過蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料；多個第一加熱器，多個第一加熱器提供于源容器中并供熱給源容器以蒸發(fā)容納于源容器中的源材料；多個傳感器，多個傳感器安裝在源容器中并感測從源容器流出的已蒸發(fā)源材料的量；和控制器，控制器從傳感器獲得關(guān)于源容器中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從源容器蒸發(fā)的源材料的量。設(shè)備可進一步包括多個傳送單元，多個傳送單元分別耦合到源容器并在變得靠近第一加熱器或變得遠離第一加熱器的方向上傳送源容器中的源材料?？刂破鲝膫鞲衅鳙@得關(guān)于已蒸發(fā)源材料的量的反饋，并且如果已蒸發(fā)源材料的量低于預設(shè)參考量，控制器就傳輸信號至傳送單元以使得源材料可以在變得靠近第一加熱器的方向上傳送，或者控制器傳輸用于升高第一加熱器的溫度的信號，并且如果已蒸發(fā)源材料的量高于預設(shè)參考量，控制器就傳輸信號至傳送單元以使得源材料可在變得遠離第一加熱器的方向上傳送，或者控制器傳輸用于降低第一加熱器的溫度的信號。設(shè)備可進一步包括阻擋板，阻擋板提供于蒸發(fā)室內(nèi)部并防止容納于源容器中的源材料或外來材料在第一加熱器供熱給源材料的同時噴濺并附著到噴孔。阻擋板可形如平板并與蒸發(fā)室的內(nèi)壁以預定距離間隔開。設(shè)備可進一步包括第二加熱器，第二加熱器提供于蒸發(fā)室的頂部或側(cè)面上并供熱給蒸發(fā)室以防止穿過蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料相變成液態(tài)或固態(tài)。源容器可分離地耦合到蒸發(fā)室。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備減少了加熱源材料以防止包含于源容器中的源材料變性所需的熱的量，并且加快了來自多個源容器的源材料的蒸發(fā)速度以便加快使薄膜沉積于襯底上的速度。另外，在根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備中，通過調(diào)整源容器與第一加熱器之間的距離或第一加熱器的溫度來控制從源容器蒸發(fā)的源材料的量，從而穩(wěn)定地維持已蒸發(fā)源材料的量。此外，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備防止從源容器向上濺射的源材料或外來材料附著到噴孔，并且在不暫停生產(chǎn)的情況下使得長時間的連續(xù)生產(chǎn)成為可能。另外，在根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備中，可以通過第一加熱器的溫度控制迅速完成源容器中的源材料的溫度反應；可在無大變化的情況下持續(xù)地維持用于源容器中的源材料的所需目標溫度；并且源材料可以穩(wěn)定地蒸發(fā)，由此 完成均勻沉積和大面積沉積。另外，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備可以防止穿過蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料相變成液態(tài)或固態(tài)，并且防止保持不沉積于襯底上的已蒸發(fā)源材料附著并堵塞噴孔。


通過示范性實施例的以下描述與附圖相結(jié)合，本發(fā)明的以上和/或其他方面將變得顯而易見且更易理解，其中圖I為根據(jù)本發(fā)明的第一示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備的示意圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的第二示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備的示意圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明的第三示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備的示意圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的第四示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備的示意圖。
具體實施例方式在下文中，將根據(jù)附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備的示范性實施例。圖I為根據(jù)本發(fā)明的第一示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備的示意圖。參考圖1，在此示范性實施例中的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備(此設(shè)備是能夠蒸發(fā)有機物并將有機物以薄膜形式沉積于襯底上的設(shè)備)包括源容器110、蒸發(fā)室120、噴孔130、第一加熱器140、冷卻器146、傳感器150、控制器160、傳送單元170、阻擋板180和第二加熱器190。本發(fā)明提供一種用于制造有機發(fā)光裝置(OLED)的設(shè)備，其中在示范性實施例中使用的源材料作為實例可為有機物。
源容器110形如一側(cè)開口的氣缸，待沉積于襯底10上的源材料I以固態(tài)或液態(tài)容納于源容器110中。在此示范性實施例中，提供了多個源容器110，并且多個源容器110各自耦合到蒸發(fā)室120的底側(cè)。通常，源容器110由鎢材料制成并且裝滿作為源材料I而沉積于襯底10上的有機物。因提供了多個源容器11并且分散了容納于源容器110中的源材料I的量，因此與單一大容量源容器相比，減少加熱源材料I所需的熱量具有可能性。因此，防止通過供應的熱量使容納于源容器110中的源材料變性具有可能性。另外，加快從多個源容器110蒸發(fā)的源材料的蒸發(fā)速度具有可能性，且因此也可以加快使薄膜沉積于襯底10上的速度。此時，源容器110可與真空管線(此圖未顯示)連接以使源容器110的內(nèi)部保持在真空壓力條件下，同時執(zhí)行沉積過程。源材料I在源容器110中的高溫和高壓下變性。為了防止源材料I變性，源容器110中必須保持低溫和低壓。另外，真空度大大影響了源材料I的蒸發(fā)點。蒸發(fā)點傾向于隨著真空度的減少而降低，因此在源容器110中保持低真空度對防止源材料變性更有效。提供來自源容器110的已蒸發(fā)源材料I穿過的空間的蒸發(fā)室120在源容器110的上側(cè)與源容器110耦合并連通。以固態(tài)或液態(tài)容納于源容器110中的源材料I通過將在后文描述的第一加熱器140加熱，并且經(jīng)加熱的源材料I向上氣化并汽化。將已蒸發(fā)源材料I引入布置于源容器110上方的蒸發(fā)室120中，且接著已蒸發(fā)源材料I穿過蒸發(fā)室120，以使蒸發(fā)材料I可通過噴孔130 (將在后文描述)噴射到襯底10。蒸發(fā)室120具有足夠大的體積來容納相當大量的已蒸發(fā)源材料I。因為從源容器110蒸發(fā)的源材料I充分地容納于蒸發(fā)室120中，所以可以穩(wěn)定地維持通過噴孔130向襯底10噴射的源材料的量。形成蒸發(fā)室120以得到足夠的內(nèi)部空間，且因此蒸發(fā)室120充當一種累積器。蒸發(fā)室120可分離地耦合到源容器110。當源材料I (即，待沉積于襯底10上的有機物)裝填在源容器Iio中時，暫停沉積過程并且將源容器110與蒸發(fā)室120分離。其后，如果源材料I完全裝填于源容器110中，那么源容器110再次耦合到蒸發(fā)室120，并且重新開始沉積過程。噴孔130形成于蒸發(fā)室的頂部上，噴孔130是用于向上(即向襯底10)噴射穿過蒸發(fā)室120的已蒸發(fā)源材料I的開口。噴孔130在襯底10的寬度方向上對準并且面向襯底10。噴孔130可以按噴嘴的形式制造成為單獨的部分，并且噴孔130可耦合到蒸發(fā)室120并且可作為通孔一體地形成于蒸發(fā)室120的上部壁上。供熱給源容器110以便蒸發(fā)容納于源容器110中的源材料的第一加熱器140在蒸發(fā)室120內(nèi)部安裝于源容器110上方。只要可以為蒸發(fā)源材料I提供熱能，第一加熱器140便可具有各種形狀。例如，可以使用核心加熱器、燈加熱器等等。在此示范性實施例中，將核心加熱器用作第一加熱器140。通過將電阻熱絲繞在蒸發(fā)室120內(nèi)部的板周圍來完成第一加熱器140。此時，電阻熱絲可包含Ta、W、Mo或以上物質(zhì)的合金。在此示范性實施例中，第一加熱器140安裝于與源容器110連通的蒸發(fā)室120中，使得來自第一加熱器140的熱量可以在無介質(zhì)的情況下直接傳遞到源容器110。因此，可通、過第一加熱器140的溫度控制迅速完成源容器110中的源材料I的溫度反應，并且可在無大變化的情況下持續(xù)地維持用于源容器110中的源材料I的所需目標溫度。冷卻器146冷卻容納于源容器110中的源材料1，以便防止通過來自第一加熱器140的熱量使容納于源容器110中的源材料I變性。冷卻器146安裝于源容器110外面并且可經(jīng)配置以圍繞源容器110的外圓周?？赏ㄟ^以能夠冷卻裝滿源材料I的源容器110內(nèi)部的各種形式來完成冷卻器146。在此示范性實施例中，冷卻夾套用作實例。通過用冷卻通道圍繞源容器110的外圓周來配置冷卻器146，冷卻液在冷卻通道中流動。傳感器150安裝在蒸發(fā)室120中并感測穿過蒸發(fā)室120的已蒸發(fā)源材料I 的量。根據(jù)由傳感器150感測的已蒸發(fā)源材料的量，控制第一加熱器140的溫度和傳送單元170的操作方向或傳送速度，由此調(diào)整已蒸發(fā)源材料I的量?？刂破?60從傳感器150獲得關(guān)于蒸發(fā)室120中的源材料I的量的反饋并控制第一加熱器140或傳送單元170，從而控制從源容器110蒸發(fā)的源材料I的量。舉例而言，如果蒸發(fā)室120中的源材料的量低于參考量，控制器160就傳輸信號到傳送單元170，以便源材料I可在變得靠近第一加熱器140的方向上傳送，或控制器160傳輸用于升高第一加熱器140的溫度的信號，從而增加源容器110中蒸發(fā)的源材料的量。另一方面，如果蒸發(fā)室120中的源材料的量高于參考量，控制器160就傳輸信號到傳送單元170，以便源材料I可在變得遠離第一加熱器140的方向上傳送，或控制器160傳輸用于降低第一加熱器140的溫度的信號，從而減少源容器110中蒸發(fā)的源材料的量。此時，一個傳感器150安裝在蒸發(fā)室120中，且因此控制器160同時控制將在后文描述的多個傳送單元170。提供多個傳送單元170，并且多個傳送單元170分別耦合到多個源容器110并使源容器110中的源材料I在變得靠近第一加熱器140或變得遠離第一加熱器130的方向上往復運動。因此，傳送單元170用以調(diào)整源材料I與第一加熱器140之間的距離，從而控制源容器110中蒸發(fā)的源材料的量。只要可以具有線性往復運動，便可以按各種形式配置傳送單元170。舉例而言，可以使用所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的氣缸、線性電動機、旋轉(zhuǎn)電動機和滾珠螺桿的組合以及類似結(jié)構(gòu)，因此將省略以上元件的詳細描述。阻擋板180防止容納于源容器110中的源材料或外來材料在第一加熱器140供熱給源容器I的同時濺射并附著到噴孔140。當源容器110中的源材料由第一加熱器140加熱時，氣化的源材料I通常從固態(tài)或液態(tài)源材料I的表面汽化。然而，液態(tài)源材料I可能會突然濺起，或者混合在源材料I中的外來材料可能會突然灑落。因為濺射的源材料I或外來材料附著到噴孔130，所以出現(xiàn)了堵塞噴孔130的問題。如果噴孔130被堵塞，那么必須暫停過程以用新的過程取代或清潔噴孔130，并且接著重新開始此過程。在此情況下，設(shè)備的產(chǎn)量減少。因此，阻擋板180阻擋未蒸發(fā)但卻濺射并附著到噴孔130的源材料I或外來材料并且使得長時間的連續(xù)生產(chǎn)成為可能，從而增加設(shè)備的產(chǎn)量。同時，來自阻擋板的頂部的熱量可以通過連通路徑傳遞到源材料I。在此情況下，蒸發(fā)源材料I的量可能取決于預料不到的外在因素而變化，蒸發(fā)源材料I的量的控制是基于第一加熱器140與源材料I之間的距離或第一加熱器140的溫度。蒸發(fā)源材料I的量的改變直接影響有機發(fā)光二極管的厚度，并且產(chǎn)生缺陷產(chǎn)品。因此，阻擋板180用以完全攔截從外部傳遞到源材料I的熱量，從而消除可能影響蒸發(fā)源材料I的量的外在因素。阻擋板180形如平板并安裝在蒸發(fā)室120內(nèi)部，并且阻擋板180布置在第一加熱器140上方。另外，阻擋板180與蒸發(fā)室120的內(nèi)壁以預定距離間隔，以便已蒸發(fā)源材料可以穿過阻擋板180與蒸發(fā)室120的內(nèi)壁之間的空間并且朝噴孔130移動。供熱給蒸發(fā)室120以便防止穿過蒸發(fā)室120的已蒸發(fā)源材料相變成液態(tài)或固態(tài)的第二加熱器170安裝在蒸發(fā)室120的頂部和側(cè)面。同樣地，第二加熱器170可以使用核心加熱器、加熱燈等，并且第二加熱器170按 以下方式形成電阻熱絲安置成與蒸發(fā)室120的頂部平行。此時，現(xiàn)在所使用的電阻熱絲可能含有Ta、W、Mo或以上物質(zhì)的合金。第二加熱器170防止已蒸發(fā)源材料不沉積于襯底10上卻附著并堵塞噴孔130的現(xiàn)象。保持在蒸發(fā)室中的已蒸發(fā)源材料I累積于噴孔130的一側(cè)并且因此導致相變成固態(tài)而堵塞噴孔130。因此，第二加熱器170升高噴孔130周圍的溫度，以便總能使噴孔130周圍的源材料保持在氣化狀態(tài)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備包括多個源容器以分散包含于源容器中的源材料的量，以便可以減少加熱源材料所需的熱的量以防止包含于源容器中的源材料變性，并且可以加快來自多個源容器的源材料的蒸發(fā)速度以加快將薄膜沉積于襯底上的速度。另外，在根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備中，通過調(diào)整源容器與第一加熱器之間的距離或第一加熱器的溫度來控制從源容器蒸發(fā)的源材料的量，從而穩(wěn)定地維持已蒸發(fā)源材料的量。此外，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備防止從源容器向上濺射的源材料或外來材料附著到噴孔，并且在不暫停生產(chǎn)的情況下使得長時間的連續(xù)生產(chǎn)成為可能。另外，在根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備中，在無介質(zhì)的情況下將熱量直接從第一加熱器傳遞到源容器，以便可以通過第一加熱器的溫度控制迅速完成源容器中的源材料的溫度反應；可以在無大變化的情況下持續(xù)地維持用于源容器中的源材料的所需目標溫度；并且源材料可以穩(wěn)定地蒸發(fā)，由此完成均勻沉積和大面積沉積。另外，在根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備中，用于供熱給蒸發(fā)室的第二加熱器安裝在蒸發(fā)室的頂部上，以便可以防止穿過蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料相變成液態(tài)或固態(tài)，并且可以防止保持不沉積于襯底上的已蒸發(fā)源材料附著并堵塞噴孔。圖2為根據(jù)本發(fā)明的第二示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備的示意圖。參考圖2，根據(jù)本示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備200特征在于，多個傳感器250分別安裝在源容器110中。在圖2中，元件具有與圖I中所示由相同數(shù)字提及的元件的配置和功能相同的配置和功能，因此將省略所述元件的詳細描述。提供多個傳感器250以分別安裝到源容器110中。在此，傳感器250感測從源容器110流出的已蒸發(fā)源材料的量?？刂破?60從傳感器250獲得關(guān)于源容器中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從源容器110蒸發(fā)的源材料的量。根據(jù)由傳感器250感測的已蒸發(fā)源材料的量，控制第一加熱器140的溫度和傳送單元170的操作方向或傳送速度，由此調(diào)整已蒸發(fā)源材料的量。此時，在每一個源容器110中安裝一個傳感器250，以便控制器260可以單獨地控制多個傳送單元170。因為在每一個源容器110中安裝一個傳感器250，所以存在控制器260可以調(diào)整蒸發(fā)源材料的量的多種選擇。即，如果多個源容器110完全缺乏蒸發(fā)量，那么控制器260可升高第一加熱器140的溫度或同時控制多個傳送單元170以縮短源材料與第一加熱器140之間的距離。另一方面，如果某一源容器110缺乏蒸發(fā)量，那么控制器260可以在不改變第一加熱器140的溫度的情況下只控制耦合到對應源容器110的傳送單元170，從而縮短源材料·與第一加熱器140之間的距離。在具有前述配置的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備中，傳感器安裝在每一個源容器中，并且存在控制器可以控制蒸發(fā)源材料的量的多種選擇，從而對維持源容器中的均勻蒸發(fā)量產(chǎn)生影響。圖3為根據(jù)本發(fā)明的第三示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備的示意圖。參考圖3，根據(jù)本示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備300的特征在于，多個加熱器340分別安裝在源容器110中。在圖3中，元件具有與圖I中所示由相同數(shù)字提及的元件的配置和功能相同的配置和功能，因此將省略所述元件的詳細描述。提供多個加熱器340以分別安裝在源容器110中。在此，加熱器340布置在冷卻器146上方，同時圍繞源容器110的外圓周。控制器260從安裝在蒸發(fā)室120中的傳感器150獲得關(guān)于源容器110中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從源容器110蒸發(fā)的源材料的量。此時，用于感測源材料的蒸發(fā)量的傳感器150安裝在蒸發(fā)室120中，以便控制器360可以同時控制多個傳送單元170并單獨地控制多個第一加熱器340。如果蒸發(fā)室120缺乏蒸發(fā)室120中的源材料的蒸發(fā)量，那么控制器360可升高每一第一加熱器340的溫度或同時控制多個傳送單兀170以縮短源材料與第一加熱器340之間的距離。圖4為根據(jù)本發(fā)明的第四示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備的示意圖。參考圖4，根據(jù)本示范性實施例的用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備400特征在于，多個加熱器440和多個傳感器450分別安裝在源容器110中。在圖4中，元件具有與圖I中所示由相同數(shù)字提及的元件的配置和功能相同的配置和功能，因此將省略所述元件的詳細描述。提供多個加熱器440以分別安裝在源容器110中并且布置在冷卻器146上方，同時圍繞源容器110的外圓周?？刂破?60從傳感器450獲得關(guān)于源容器110中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從源容器110蒸發(fā)的源材料的量。此時，用于感測源材料的蒸發(fā)量的傳感器150安裝在每一個蒸發(fā)室120中，以便控制器460可以單獨控制多個傳送單元170并單獨地控制多個第一加熱器340。因為傳感器250分別安裝在源容器110中，所以存在控制器460可以調(diào)整蒸發(fā)源材料的量的多種選擇。即，如果多個源容器110完全缺乏蒸發(fā)量，那么控制器460可升高所有第一加熱器140的溫度或同時控制多個傳送單兀170以縮短源材料與第一加熱器440之間的距離。另一方面，如果某一源容器110缺乏蒸發(fā)量，那么控制器460可升高耦合到對應源容器110的第一加熱器440的溫度或只控制耦合到對應源容器110的傳送單元170，從而縮短源材料與第一加熱器440之間的距離。雖然已展示并描述了本發(fā)明的少數(shù)示范性實施例，但是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應該 理解，可以在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下對這些實施例作出改變，本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物來確定。
權(quán)利要求
1.一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，所述設(shè)備包含 多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態(tài)或液態(tài)容納于所述多個源容器中； 蒸發(fā)室，所述蒸發(fā)室在所述源容器上方與所述源容器耦合并連通，并且來自所述源容器的已蒸發(fā)源材料穿過所述蒸發(fā)室； 噴孔，所述噴孔形成于所述蒸發(fā)室的頂部上并向上噴射穿過所述蒸發(fā)室的所述已蒸發(fā)源材料； 第一加熱器，所述第一加熱器在所述蒸發(fā)室內(nèi)部提供于所述源容器上方并供熱給所述源容器以蒸發(fā)容納于所述源容器中的所述源材料； 傳感器，所述傳感器安裝在所述蒸發(fā)室中并感測穿過所述蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料的量；和 控制器，所述控制器從所述傳感器獲得關(guān)于所述蒸發(fā)室中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從所述源容器蒸發(fā)的源材料的量。
2.一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，所述設(shè)備包含 多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態(tài)或液態(tài)容納于所述多個源容器中； 蒸發(fā)室，所述蒸發(fā)室在所述源容器上方與所述源容器耦合并連通，并且來自所述源容器的已蒸發(fā)源材料穿過所述蒸發(fā)室； 噴孔，所述噴孔形成于所述蒸發(fā)室的頂部上并向上噴射穿過所述蒸發(fā)室的所述已蒸發(fā)源材料； 第一加熱器，所述第一加熱器在所述蒸發(fā)室內(nèi)部提供于所述源容器上方并供熱給所述源容器以蒸發(fā)容納于所述源容器中的所述源材料； 多個傳感器，所述多個傳感器安裝在所述源容器中并感測從所述源容器流出的已蒸發(fā)源材料的量；和 控制器，所述控制器從所述傳感器獲得關(guān)于所述源容器中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從所述源容器蒸發(fā)的源材料的量。
3.一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，所述設(shè)備包含 多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態(tài)或液態(tài)容納于所述多個源容器中； 蒸發(fā)室，所述蒸發(fā)室在所述源容器上方與所述源容器耦合并連通，并且來自所述源容器的已蒸發(fā)源材料穿過所述蒸發(fā)室； 噴孔，所述噴孔形成于所述蒸發(fā)室的頂部上并向上噴射穿過所述蒸發(fā)室的所述已蒸發(fā)源材料； 多個第一加熱器，所述多個第一加熱器提供于所述源容器中并供熱給所述源容器以蒸發(fā)容納于所述源容器中的所述源材料； 傳感器，所述傳感器安裝在所述蒸發(fā)室中并感測穿過所述蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料的量;和 控制器，所述控制器從所述傳感器獲得關(guān)于所述蒸發(fā)室中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從所述源容器蒸發(fā)的源材料的量。
4.一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，所述設(shè)備包含 多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態(tài)或液態(tài)容納于所述多個源容器中； 蒸發(fā)室，所述蒸發(fā)室在所述源容器上方與所述源容器耦合并連通，并且來自所述源容器的已蒸發(fā)源材料穿過所述蒸發(fā)室； 噴孔，所述噴孔形成于所述蒸發(fā)室的頂部上并向上噴射穿過所述蒸發(fā)室的所述已蒸發(fā)源材料； 多個第一加熱器，所述多個第一加熱器提供于所述源容器中并供熱給所述源容器以蒸發(fā)容納于所述源容器中的所述源材料； 多個傳感器，所述多個傳感器安裝在所述源容器中并感測從所述源容器流出的已蒸發(fā)源材料的量；和 控制器，所述控制器從所述傳感器獲得關(guān)于所述源容器中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從所述源容器蒸發(fā)的源材料的量。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備進一步包含多個傳送單元，所述多個傳送單元分別耦合到所述源容器并在變得靠近所述第一加熱器或 變得遠離所述第一加熱器的方向上傳送所述源容器中的所述源材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制器從所述傳感器獲得關(guān)于已蒸發(fā)源材料的所述量的反饋，并且如果已蒸發(fā)源材料的所述量低于預設(shè)參考量，所述控制器就傳輸信號到所述傳送單元以使得所述源材料可以在變得靠近所述第一加熱器的方向上傳送，或者所述控制器傳輸用于升高所述第一加熱器的溫度的信號，并且如果已蒸發(fā)源材料的所述量高于預設(shè)參考量，所述控制器就傳輸信號到所述傳送單元以使得所述源材料可在變得遠離所述第一加熱器的方向上傳送，或者所述控制器傳輸用于降低所述第一加熱器的溫度的信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備進一步包含阻擋板，所述阻擋板提供于所述蒸發(fā)室內(nèi)部并防止容納于所述源容器中的所述源材料或外來材料在所述第一加熱器供熱給所述源材料的同時噴濺并附著到所述噴孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于，所述阻擋板形如平板并與所述蒸發(fā)室的內(nèi)壁以預定距離間隔開。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備進一步包含第二加熱器，所述第二加熱器提供于所述蒸發(fā)室的頂部或側(cè)面上并供熱給所述蒸發(fā)室以防止穿過所述蒸發(fā)室的所述已蒸發(fā)源材料相變成液態(tài)或固態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I到4中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其特征在于，所述源容器可分離地耦合到所述蒸發(fā)室。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種用于形成薄膜的大容量沉積設(shè)備，所述設(shè)備包括多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態(tài)或液態(tài)容納于所述多個源容器中；蒸發(fā)室，所述蒸發(fā)室在所述源容器上方與所述源容器耦合并連通，且來自所述源容器的已蒸發(fā)源材料穿過所述蒸發(fā)室；噴孔，所述噴孔形成于所述蒸發(fā)室的頂部上并向上噴射穿過所述蒸發(fā)室的所述已蒸發(fā)源材料；第一加熱器，所述第一加熱器在所述蒸發(fā)室內(nèi)部提供于所述源容器上方并供熱給所述源容器以蒸發(fā)容納于所述源容器中的所述源材料；傳感器，所述傳感器安裝在所述蒸發(fā)室中并感測穿過所述蒸發(fā)室的已蒸發(fā)源材料的量；和控制器，所述控制器從所述傳感器獲得關(guān)于所述蒸發(fā)室中的已蒸發(fā)源材料的量的反饋并控制從源容器蒸發(fā)的源材料的量。
文檔編號C23C14/24GK102732843SQ20121012036
公開日2012年10月17日 申請日期2012年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月13日
發(fā)明者安佑正, 宋基哲, 趙晃新, 鄭勝哲 申請人:韓商Snu精密股份有限公司