專利名稱：拋光布的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及晶片加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于對晶片進行拋光處理的拋光布。
背景技術(shù)：
眾所周知，在晶片的加工過程中需要對其進行拋光，這通常使用拋光布來完成。如圖1和圖2所示，在現(xiàn)有技術(shù)中所使用的拋光布表面的流液槽的樣式多為圓弧形狀或網(wǎng)格形狀，具有這種樣式流液槽的拋光布在實際應(yīng)用過程中容易產(chǎn)生吸片、晶片表面去除量不均勻等現(xiàn)象。另外，在現(xiàn)有技術(shù)中加工拋光布的流液槽所使用的工藝主要有三種其一是利用銑削的方法加工，這種方法加工的拋光布表面會產(chǎn)生碎屑及毛絲殘留物，從而影響到晶片表面的光潔度；其二是利用激光刻蝕工藝，這種方法加工的流液槽因為刻蝕而使拋光布表面硬化，從而影響晶片表面的光潔度；其三為熱壓法加工工藝，這種方法加工出的拋光布使用效果最好，避免了前兩種情況的不足，但加工工藝復(fù)雜、成本較高。

實用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題本實用新型的目的是，提供一種具有新型樣式的流液槽的拋光布，以便拋光布流液槽的樣式簡單，易于加工，從而制造的拋光布在加工晶片時不容易產(chǎn)生表面缺陷，提高晶片的成品率。( 二 )技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供了一種拋光布，其表面分布有流液槽，其中，所述流液槽呈太陽放射線形狀。優(yōu)選地，所述拋光布為圓形，所述流液槽以所述拋光布的圓心為中心，沿所述拋光布的半徑方向呈直線型太陽放射線形狀，并且每個所述流液槽的一端位于所述拋光布的圓周邊緣，其另一端位于圓心；或者，其另一端與所述拋光布的圓心具有一定距離。優(yōu)選地，所述拋光布包括2 78個流液槽單元組，所述流液槽單元組沿圓周方向均勻分布，所述流液槽單元組包括至少1個流液槽。優(yōu)選地，所述拋光布為吸附被拋光件的拋光布，其包括2 16個流液槽單元組，優(yōu)選包括6個流液槽單元組，或者，所述拋光布為不吸附被拋光件的拋光布，其包括48 72 個流液槽單元組，優(yōu)選包括64個流液槽單元組。優(yōu)選地，所述流液槽單元組包括1 8個流液槽，優(yōu)選包括6個流液槽。優(yōu)選地，所述流液槽的長度為1/5R 11/12R，其中R為所述拋光布的半徑。優(yōu)選地，所述流液槽單元組包括長流液槽單元組和短流液槽單元組，其沿所述拋光布的圓周方向交替分布，其中，所述長流液槽單元組中流液槽的長度為2/3R 5/6R，優(yōu)選為3/4R，所述短流液槽單元組中流液槽的長度為1/5R 2/3R，優(yōu)選為7/12R，其中R為所述拋光布的半徑。優(yōu)選地，所述流液槽的寬度為1. 0 2. 5mm，優(yōu)選為1. 5 1. 8mm。優(yōu)選地，所述流液槽的深度為0. 2 0. 9mm,優(yōu)選為0. 3 0. 8mm,最好為0. 4 0. 5mm。優(yōu)選地，所述拋光布為吸附被拋光件的拋光布，所述流液槽的面積比為0. 5% 8%，或者，所述拋光布為不吸附被拋光件的拋光布，所述流液槽的面積比為8% 20%，其中R為所述拋光布的半徑。(三)有益效果本實用新型提出的拋光布，其表面流液槽的樣式簡單、易于加工，可以減少碎屑及毛絲殘留物，使用時可以大大提高藥液置換頻率，使藥液流動通暢、均勻分布，并可以減少晶片表面加工過程中可能產(chǎn)生的缺陷，提高成品率。

下面參照附圖并結(jié)合實例來進一步描述本實用新型。其中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的第一種拋光布表面的流液槽樣式；圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)的第二種拋光布表面的流液槽樣式；圖3示出了本實用新型的實施例一的拋光布表面的流液槽樣式；圖4示出了本實用新型的實施例二的拋光布表面的流液槽樣式；圖5示出了本實用新型的實施例三的拋光布表面的流液槽樣式；圖6示出了本實用新型的實施例四的拋光布表面的流液槽樣式。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。實施例一圖3示出了本實用新型的實施例一的拋光布表面的流液槽樣式。如圖3所示，根據(jù)該實施例，本實用新型的拋光布為圓形，其直徑Φ為1220mm，其半徑R= Φ/2 = 610mm。 拋光布表面均勻分布有68個流液槽單元組，每個單元組包括2個流液槽，所有的流液槽以拋光布的圓心為中心，沿拋光布的半徑方向呈直線型太陽放射線形狀，并且每個流液槽的對稱線在拋光布的半徑方向上，其一端位于拋光布的圓周邊緣，另一端位于圓心，或者另一端與拋光布的圓心具有一定距離，每個流液槽的長度為470mm，每個單元組中流液槽的間距 hi 為 Ilmm0實施例二圖4示出了本實用新型的實施例二的拋光布表面的流液槽樣式。如圖4所示，根據(jù)該實施例，本實用新型的拋光布為圓形，其直徑Φ為1220mm，其半徑R= Φ/2 = 610mm。 拋光布表面均勻分布有34個長流液槽單元組和34個短流液槽單元組，其沿拋光布的圓周方向交替分布。每個單元組包括2個流液槽，所有的流液槽以拋光布的圓心為中心，沿拋光布的半徑方向呈直線型太陽放射線形狀，并且每個流液槽的對稱線在拋光布的半徑方向上，其一端位于拋光布的圓周邊緣，另一端與拋光布的圓心具有一定距離。每個長流液槽單元組中流液槽的長度為470mm，每個短流液槽單元組中流液槽的長度為300mm，每個單元組中流液槽的間距h2為11mm。本實施例采用了不同長度的流液槽單元組交替分布于拋光布表面，使得流液槽在拋光布的中心區(qū)域不產(chǎn)生交叉，從而避免了在拋光工藝中產(chǎn)生晶片表面去除量不均勻的現(xiàn)象。實施例三圖5示出了本實用新型的實施例三的拋光布表面的流液槽樣式。如圖5所示，根據(jù)該實施例，本實用新型的拋光布為圓形，其直徑Φ為1220mm，其半徑R= Φ/2 = 610mm。 拋光布表面均勻分布有68個流液槽單元組，每個單元組包括3個流液槽，所有的流液槽以拋光布的圓心為中心，沿拋光布的半徑方向呈直線型太陽放射線形狀，并且每個流液槽的對稱線在拋光布的半徑方向上，其一端位于拋光布的圓周邊緣，另一端與拋光布的圓心具有一定距離，每個流液槽的長度為470mm，每個單元組中流液槽的間距為22mm。實施例四圖6示出了本實用新型的實施例四的拋光布表面的流液槽樣式。如圖6所示，根據(jù)該實施例，本實用新型的拋光布為圓形，其直徑Φ為1220mm，其半徑R= Φ/2 = 610mm。 拋光布表面均勻分布有34個長流液槽單元組和34個短流液槽單元組，其沿拋光布的圓周方向交替分布。每個單元組包括3個流液槽，所有的流液槽以拋光布的圓心為中心，沿拋光布的半徑方向呈直線型太陽放射線形狀，并且每個流液槽的對稱線在拋光布的半徑方向上，其一端位于拋光布的圓周邊緣，另一端與拋光布的圓心具有一定距離。每個長流液槽單元組中流液槽的長度為470mm，每個短流液槽單元組中流液槽的長度為360mm，每個單元組中流液槽的間距h4為18mm。本實施例采用了不同長度的流液槽單元組交替分布于拋光布表面，使得流液槽在拋光布的中心區(qū)域的交叉不是很密集，從而減少了在拋光工藝中產(chǎn)生晶片表面去除量不均勻的現(xiàn)象。以上僅為根據(jù)本實用新型的拋光布的幾種示例性流液槽樣式，但本實用新型不限于此。例如，在以上實施例中，本實用新型的拋光布表面的流液槽的樣式為直線形，其優(yōu)點是圖案簡單、易于加工，可以減少碎屑及毛絲殘留物，但除此之外，也可以使用其它線形的放射線樣式。再例如，在以上實施例中，本實用新型的拋光布為圓形，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以根據(jù)需要選用其它形狀的拋光布。還例如，在以上實施例中，本實用新型的圓形拋光布的半徑具有一定數(shù)值，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該理解，該數(shù)值的選取與具體應(yīng)用有關(guān)，特別是與晶片的尺寸有關(guān)。因此，可以根據(jù)需要選取合適半徑的拋光布。根據(jù)本實用新型的拋光布，其包括2 78個流液槽單元組，該數(shù)量的選取與拋光布的作用有關(guān)。當拋光布用于吸附晶片時，其包括2 16個流液槽單元組，優(yōu)選包括6個流液槽單元組，當拋光布不用于吸附晶片時，其包括48 72個流液槽單元組，優(yōu)選包括64 個流液槽單元組。關(guān)于每個流液槽單元組中流液槽數(shù)量的選取，為了加工方便，并使流液槽分布均勻，每個單元組包括1 8個流液槽，優(yōu)選包括6個流液槽。關(guān)于流液槽長度的選取，主要考慮為了使得晶片表面去除量均勻。因此，根據(jù)本實用新型的拋光布，其流液槽的長度為1/5R 11/12R，其中R為所述拋光布的半徑。另外，流液槽長度的選取還與其所屬的流液槽單元組有關(guān)。當流液槽單元組包括長流液槽單元組和短流液槽單元組，并沿拋光布的圓周方向交替分布時，長流液槽單元組中流液槽的長度為2/3R 5/6R，優(yōu)選為3/4R，短流液槽單元組中流液槽的長度為1/5R 2/3R，優(yōu)選為7/12R， 其中R為所述拋光布的半徑。關(guān)于流液槽寬度的選取，既要考慮堅固度，也要考慮液體的流通及晶片表面去除量的均勻性。如果流液槽太寬，則易碎、易變形，如果流液槽太窄，則液體不易流通，晶片表面去除量不均勻。因此，根據(jù)本實用新型的拋光布，其流液槽的寬度為1.0 2. 5mm，優(yōu)選為 L 5 L 8mm。流液槽深度的選取與拋光布的材料有關(guān)，要求既不破壞材料本身的硬度、強度，又要使液體充分流通，完全接觸。因此，根據(jù)本實用新型的拋光布，其流液槽的深度為0. 2 0. 9mm,優(yōu)選為0. 3 0. 8mm,最好為0. 4 0. 5_。流液槽的間距與拋光布的吸附力(毛囊深度、毛囊孔大小、PAD用途)有關(guān)。當加工的拋光布使用過程中有吸附晶片需求時，流液槽的間距不宜太小，溝槽不能密集，因此，根據(jù)本實用新型的拋光布，當其作為吸附晶片的拋光布使用，流液槽的面積比為0. 5% 8%; 其中，流液槽的面積比為流液槽的總面積與該拋光布總面積的比值。當加工的拋光布使用過程中不允許吸附晶片時，流液槽的間距不宜太大，溝槽應(yīng)該密集，因此，根據(jù)本實用新型的拋光布，當其作為不吸附晶片的拋光布使用時，流液槽的面積比8% 20%，其中，流液槽的面積比為流液槽的總面積與該拋光布總面積的比值。另外，流液槽的間距的選取還與拋光布的材料有關(guān)，例如，當拋光布用于拋光2 6inch晶片并采用帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布時，流液槽的間距為3 45mm，優(yōu)選為5mm。根據(jù)本實用新型的拋光布，其材料的選取可以包括但不限于聚氨酯、無紡布、帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布、兩層復(fù)合體。其中，優(yōu)選使用帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布，因為其具有硬度小、壓縮比大、彈性好的優(yōu)點，因此使用該種材料制造的拋光布加工晶片時，可以獲得表面粗糙度小、片內(nèi)均勻性好的晶片，尤其是在精拋工序中通常采用這種具有多孔絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布拋光布。根據(jù)本實用新型的拋光布，其流液槽的加工可以采用各種適用的工藝，包括銑削法、激光刻蝕法、熱壓法。根據(jù)本實用新型提出的拋光布，其表面流液槽的樣式簡單、易于加工，可以減少碎屑及毛絲殘留物，使用時可以大大提高藥液置換頻率，使藥液流動通暢、均勻分布，并可以減少晶片表面加工過程中可能產(chǎn)生的缺陷，提高成品率。本實用新型的描述是為了示例和描述起見而給出的，而并不是無遺漏的或者將本實用新型限于所公開的形式。很多修改和變化對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯然的。 選擇和描述實施例是為了更好說明本實用新型的原理和實際應(yīng)用，并且使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解本實用新型從而設(shè)計適于特定用途的帶有各種修改的各種實施例。
權(quán)利要求1.一種拋光布，其表面分布有流液槽，其特征在于所述流液槽呈太陽放射線形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光布，其特征在于所述拋光布為圓形，所述流液槽以所述拋光布的圓心為中心，沿所述拋光布的半徑方向呈直線型太陽放射線形狀，并且每個所述流液槽的一端位于所述拋光布的圓周邊緣，其另一端位于圓心；或者，其另一端與所述拋光布的圓心具有一定距離。
3.如權(quán)利要求2所述的拋光布，其特征在于所述拋光布包括2 78個流液槽單元組，所述流液槽單元組沿圓周方向均勻分布，所述流液槽單元組包括至少1個流液槽。
4.如權(quán)利要求3所述的拋光布，其特征在于所述拋光布為吸附被拋光件的拋光布，其包括2 16個流液槽單元組，或者，所述拋光布為不吸附被拋光件的拋光布，其包括48 72個流液槽單元組。
5.如權(quán)利要求3所述的拋光布，其特征在于所述流液槽單元組包括1 8個流液槽。
6.如權(quán)利要求2所述的拋光布，其特征在于所述流液槽的長度為1/5R 11/12R，其中R為所述拋光布的半徑。
7.如權(quán)利要求3所述的拋光布，其特征在于所述流液槽單元組包括長流液槽單元組和短流液槽單元組，其沿所述拋光布的圓周方向交替分布，其中，所述長流液槽單元組中流液槽的長度為2/3R 5/6R，所述短流液槽單元組中流液槽的長度為1/5R 2/3R，其中R為所述拋光布的半徑。
8.如權(quán)利要求1或2所述的拋光布，其特征在于所述流液槽的寬度為1. 0 2. 5mm。
9.如權(quán)利要求1或2所述的拋光布，其特征在于所述流液槽的深度為0. 2 0. 9mm。
10.如權(quán)利要求4所述的拋光布，其特征在于所述拋光布為吸附被拋光件的拋光布，所述流液槽的面積比為0. 5% 8%，或者，所述拋光布為不吸附被拋光件的拋光布，所述流液槽的面積比為8% 20%。
專利摘要本實用新型提供了一種拋光布，其表面分布有流液槽，其中，流液槽呈太陽放射線形狀。本實用新型提出的拋光布，其表面流液槽的樣式簡單、易于加工，可以減少碎屑及毛絲殘留物，使用時可以大大提高藥液置換頻率，使藥液流動通暢、均勻分布，并可以減少晶片表面加工過程中可能產(chǎn)生的缺陷，提高成品率。
文檔編號B24D11/00GK202088119SQ20112016998
公開日2011年12月28日 申請日期2011年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月25日
發(fā)明者劉麗杰, 劉文森, 古燕, 戴維斯·張, 趙波 申請人:北京通美晶體技術(shù)有限公司