專利名稱：薄膜沉積裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜沉積裝置，其中當(dāng)長條形基材在其縱向方向上行進(jìn)時，通過等離子體化學(xué)氣相沉積(plasma CVD)形成薄膜。
背景技術(shù)：
包括氣體阻隔膜(gas barrier film)、保護(hù)膜和諸如光學(xué)過濾器和消反射膜(antireflecting film)之類的光學(xué)薄膜的各種功能性薄膜(功能性板)用在各種裝置中，包括光學(xué)裝置、諸如液晶顯示裝置和有機(jī)EL顯示裝置之類的顯示裝置、半導(dǎo)體器件和薄膜太陽能電池。等離子體化學(xué)氣相沉積用于制造這些功能性薄膜。薄膜在縱向方向上行進(jìn)的長條形基材(基材軟板(web of substrate))上的連續(xù)沉積對于以高生產(chǎn)率高效地形成等離子體化學(xué)氣相沉積薄膜是優(yōu)選的。在現(xiàn)有技術(shù)中用于執(zhí)行這種薄膜沉積方法的典型的已知裝置是所謂的卷對卷(roll to roll)薄膜沉積裝置，其中長條形的基材從基材纏繞其中的基材卷進(jìn)給，并且具有薄膜形成在其上的基材纏繞成卷。當(dāng)基材在縱向方向上在包括用于在基材上沉積薄膜的薄膜沉積位置的預(yù)定的路徑上從送料輥到卷取輥行進(jìn)時，這種卷對卷薄膜沉積裝置在薄膜沉積位置中在長條形基材上連續(xù)地形成薄膜，與具有薄膜形成在其上的基材在卷取輥上的纏繞同步地從進(jìn)給輥進(jìn)給基材。眾所周知，根據(jù)等離子體化學(xué)氣相沉積(容性耦合的等離子體CVD)，形成包括薄膜沉積電極和對電極的電極對，從而將其上將形成薄膜的基材夾在電極對之間，并且在電極對之間供給薄膜沉積氣體，同時將射頻功率供給到薄膜沉積電極以產(chǎn)生等離子體，從而形成薄膜。這種等離子體化學(xué)氣相沉積工藝使用接地屏蔽用于高效薄膜沉積。接地屏蔽是接地導(dǎo)電棱柱形部件，其被設(shè)置為圍繞薄膜沉積電極。接地屏蔽防止在除基材和薄膜沉積電極之間的區(qū)域以外的其他區(qū)域中產(chǎn)生等離子體。產(chǎn)生的等離子體被限制或約束在基材和薄膜沉積電極之間，并且可以被有效地使用高效率的薄膜沉積如在JP 2010-111900A和JP 2010-121159中所描述的那樣，接地屏蔽也用在卷對
卷等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中。

發(fā)明內(nèi)容
已知，在等離子體化學(xué)氣相沉積中，薄膜沉積電極的中心部分和外圍端部(等離子體的中心和外圍端)通常具有不同的等離子體性能。根據(jù)使用接地屏蔽的等離子體CVD，在薄膜沉積電極的中心部分產(chǎn)生的等離子體的密度大致均勻，但是與中心部分相比，在薄膜沉積電極的外圍上的等離子體密度增加。當(dāng)接觸比所需密度高的高密度等離子體時，基材經(jīng)受損壞，如由加熱引起變形或由等離子體引起的表面粗糙。在所謂分批類型的常見薄膜沉積工藝中，基材的薄膜沉積位置在薄膜沉積過程中不會改變。因此，通過將基材設(shè)置在薄膜沉積電極的中心部分中，可以在基材僅在中心部分中與合適的等離子體接觸的情況下進(jìn)行薄膜沉積。相比之下，在卷對卷的等離子體化學(xué)氣相沉積中，長條形基材在其縱向方向上行進(jìn)。因此，在薄膜沉積電極沿基材的行進(jìn)方向的上游和下游端部中，不能防止高密度等離子體與基材接觸，并且任選地，不能防止高密度等離子體與形成的薄膜接觸。因此，在卷對卷等離子體化學(xué)氣相沉積中，高密度等離子體引起對基材的損壞，如在薄膜沉積電極的上游和下游端部中的基材的熱變形、性能改變或表面變粗糙，從而難以穩(wěn)定地生產(chǎn)合適的產(chǎn)品。本發(fā)明的目的是通過提供一種薄膜沉積裝置以克服現(xiàn)有技術(shù)問題，在該薄膜沉積裝置中，當(dāng)基材在其縱向方向上行進(jìn)時，通過等離子體化學(xué)氣相沉積執(zhí)行薄膜沉積，該裝置能夠有利地實(shí)現(xiàn)在存在接地屏蔽的情況下有效地利用等離子的效果，防止基材在薄膜沉積電極的端部附近接觸高密度等離子體，并且特別是防止基材在薄膜沉積電極沿基材行進(jìn)方向的上游端部附近接觸高密度等離子體，并且還防止基材經(jīng)受由高密度等離子體引起的變形、特性改變或表面變粗糙，從而使得能夠連續(xù)地制造合適的產(chǎn)品。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種薄膜沉積裝置，包括輸送裝置，用于在輸送方向上輸送基材的帶；薄膜沉積電極，被設(shè)置為面對所述基材；對電極，相對于所述基材設(shè)置在所述薄膜沉積電極的相對側(cè)，并且與所述薄膜沉積電極形成電極對；氣體供應(yīng)裝置，用于在所述薄膜沉積電極和所述基材之間供應(yīng)薄膜沉積氣體；和接地屏蔽，沿所述基材的平面方向設(shè)置為圍繞所述薄膜沉積電極，其中，所述薄膜沉積電極的沿所述基材的輸送方向的上游基材側(cè)端部比所述接地屏蔽的沿所述基材的輸送方向的上游基材側(cè)端部更靠近所述基材，所述接地屏蔽的上游基材側(cè)端部對應(yīng)于所述薄膜沉積電極的沿所述基材的輸送方向的上游基材側(cè)端部。所述薄膜沉積電極的沿所述基材的輸送方向的下游基材側(cè)端部優(yōu)選比所述接地屏蔽的沿所述基材的輸送方向的下游基材側(cè)端部更靠近所述基材。所述薄膜沉積電極的沿所述基材的寬度方向延伸的上游基材側(cè)端部和下游基材側(cè)端部優(yōu)選比所述接地屏蔽的沿所述基材的寬度方向的上游基材側(cè)端部和下游基材側(cè)端部更靠近所述基材。所述薄膜沉積電極的在其中所述薄膜沉積電極優(yōu)選比所述接地屏蔽更靠近所述基材的部分中的基材側(cè)端部比其對應(yīng)的所述接地屏蔽的基材側(cè)端部靠近所述基材1 20毫米。除了其中所述薄膜沉積電極的基材側(cè)端部比其對應(yīng)的所述接地屏蔽的基材側(cè)端部更靠近所述基材的部分之外，從所述接地屏蔽的基材側(cè)端部到所述基材的第一距離優(yōu)選等于或小于從所述薄膜沉積電極的基材側(cè)端部到所述基材的第二距離。薄膜沉積電極的面對基材的角優(yōu)選以至少2毫米的曲率半徑彎曲。薄膜沉積裝置優(yōu)選還包括第二接地屏蔽，第二接地屏蔽沿所述基材的平面方向設(shè)置以圍繞所述接地屏蔽。所述第二接地屏蔽的整個上表面位于高度等于或高于所述薄膜沉積電極的上表面的位置處。在所述第二接地屏蔽的整個區(qū)域中，從所述第二接地屏蔽的基材側(cè)端部到所述基材的距離優(yōu)選等于或小于從所述薄膜沉積電極的基材側(cè)端部到所述基材的距離。
所述輸送裝置優(yōu)選通過纏繞在作為所述對電極的圓筒形滾筒的外圍表面的預(yù)定區(qū)域的周圍來輸送所述基材。所述薄膜沉積電極的面對所述基材的表面彎曲以與所述滾筒的外圍表面平行。在本發(fā)明的具有上述配置的薄膜沉積裝置中，當(dāng)認(rèn)為基材側(cè)是在上方時，至少在薄膜沉積電極的沿基材行進(jìn)方向的上游側(cè)，接地屏蔽的上游上端部形成為位于比薄膜沉積電極的相應(yīng)上游上端部低的位置處。因此，在薄膜沉積電極的端部附近的等離子體可通過其中接地屏蔽的上端部位于比薄膜沉積電極的相應(yīng)上游端部低的位置處的部分排出到接地屏蔽之外，從而防止基材接觸薄膜沉積電極的端部中的高密度等離子體。因此，本發(fā)明防止基材經(jīng)歷由來自高密度等離子體的熱量引起的變形或性能改變，或由于與高密度等離子體接觸而引起的表面變粗糙，從而使得能夠連續(xù)地生產(chǎn)具有沉積在適當(dāng)基材上的薄膜的高品質(zhì)產(chǎn)品。


圖1是顯示本發(fā)明的薄膜沉積裝置的實(shí)施例的概念性視圖。圖2A是顯示在圖1中的薄膜沉積裝置的薄膜沉積區(qū)域的平面視圖。圖2B是圖1的局部放大視圖。圖2C是顯示適用于本發(fā)明的薄膜沉積電極的另一示例的概念性視圖。圖3A至3C為在概念上顯示本發(fā)明的薄膜沉積裝置的另一個實(shí)施例的視圖；圖3A是薄膜沉積區(qū)域的平面圖；圖3B是當(dāng)從基材行進(jìn)方向上看時薄膜沉積區(qū)域的視圖；以及圖3C為前視圖。圖4是在本發(fā)明的薄膜沉積裝置的另一個實(shí)施例中的薄膜沉積區(qū)域的概念性平面圖。
具體實(shí)施例方式下面，通過參照附圖所示的優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明的薄膜沉積裝置。圖1是顯示本發(fā)明的薄膜沉積裝置的實(shí)施例的概念性視圖。在圖示實(shí)施例中，當(dāng)長條形基材Z在縱向方向上行進(jìn)時，薄膜沉積裝置10在由CCP (電容耦合型等離子體，capacitively coupled plasma)-CVD (化學(xué)氣相沉積)長條形基材Z (軟板形式的薄膜材料)的表面上執(zhí)行薄膜形成，從而制造諸如氣體阻隔膜之類的功能性薄膜。沉積裝置10是一個所謂的“卷對卷”薄膜沉積裝置，其中長條形基材Z從具有纏繞成卷的基材ζ的基材卷12進(jìn)給，并且通過CCP-CVD在基材Z上形成薄膜的同時基材Z在其縱向方向上行進(jìn)，并且具有形成在其上的薄膜的基材Z重新纏繞在卷取軸14上。在本發(fā)明的薄膜沉積裝置10中，用于薄膜沉積中的基材(基板)Z不特別地受限，并且能夠通過離子體化學(xué)氣相沉積進(jìn)行薄膜沉積的各中類型長薄片全都可以使用?？赡苡欣厥褂玫幕腪的具體例子包括由有機(jī)材料(如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯腈、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯)制成的塑料薄膜(樹脂薄膜)。
在本發(fā)明中使用的基材Z可以是片材，該片材具有形成在作為支撐的任何塑料薄膜上的、用于給予多種功能的層(薄膜)(例如，保護(hù)層、粘接層、光反射層、光屏蔽層，平坦化層(planarizing layer)、緩沖層和應(yīng)力消除層)。所使用的基材Z可以是具有形成在支撐上的單層的片材或者具有形成在支撐上的多層的片材。在后一種情況下，所形成的多層可以是同一類型的。如上所述，如1圖所示的薄膜沉積裝置10是所謂的卷到卷的薄膜沉積裝置，其中長條形基材ζ從具有纏繞成卷的基材Z的基材卷輥12進(jìn)給，并且在其縱向方向上行進(jìn)，同時薄膜形成在基材Z上，并且具有形成在其上的薄膜的基材Z再次纏繞在卷取軸14上。薄膜沉積裝置10包括進(jìn)料室18、薄膜沉積室20和卷取室24。除了圖示部件，薄膜沉積裝置10可以還具有采用離子體化學(xué)氣相沉積的卷對卷薄膜沉積裝置的多個部件，包括各種傳感器以及用于使基材Z沿著預(yù)定的路徑行進(jìn)的各種部件(輸送裝置)，示例為一對輸送輥和用于調(diào)節(jié)沿基材Z的寬度方向的位置的引導(dǎo)部件。進(jìn)料室18包括旋轉(zhuǎn)軸沈、引導(dǎo)輥28和抽真空裝置30。其中纏繞長條形基材Z的基材卷12安裝在進(jìn)料室18的旋轉(zhuǎn)軸沈上。在基材卷12安裝在旋轉(zhuǎn)軸沈上時，使基材Z沿著從進(jìn)料室18開始并且經(jīng)過薄膜沉積室20以達(dá)到卷取室M的卷取軸14的預(yù)定路徑行進(jìn)。在薄膜沉積裝置10中，基材Z從基材卷12的進(jìn)給和基材Z在卷取室M中的卷取軸14上的纏繞同步進(jìn)行，以在薄膜沉積室20中通過CCP-CVD沿著預(yù)定路徑在其縱向方向上行進(jìn)的長條形基材Z上執(zhí)行連續(xù)薄膜沉積。在進(jìn)料室18中，由驅(qū)動源(未顯示)在圖1中的順時針方向上轉(zhuǎn)動旋轉(zhuǎn)軸沈以使基材Z從基材卷12進(jìn)給，由引導(dǎo)輥觀沿著預(yù)定的路徑引導(dǎo)，并且穿過設(shè)置在間隔壁38中的狹縫38a以到達(dá)薄膜沉積室20。在圖示薄膜沉積裝置10的優(yōu)選實(shí)施例中，進(jìn)料室18和卷取室M分別地設(shè)置有抽真空裝置30和70。這些抽真空裝置設(shè)置在這些室中，使得這些室中的壓力(真空度)可以與以下將描述的薄膜沉積室20中的壓力相同或稍高于薄膜沉積室20中的壓力，從而防止相鄰室中的壓力不利地影響薄膜沉積室20中的壓力(即在薄膜沉積室20中的薄膜沉積)。抽真空裝置30不受特別限制，并且可以使用的示例裝置包括真空泵，如渦輪泵、機(jī)械增壓泵、干式泵(dry pump)和旋轉(zhuǎn)泵；輔助裝置，如低溫線圈；和各種其他已知(真空)抽空裝置，所述抽空裝置使用用于調(diào)節(jié)最終真空度或排出的空氣量的裝置，并采用在真空沉積裝置中。在這方面，同樣適應(yīng)于稍后介紹的其他抽真空裝置60和70。如上所述，基材Z由引導(dǎo)輥28引導(dǎo)以通過間隔壁38的狹縫38a達(dá)到薄膜沉積室20。設(shè)置薄膜沉積室20以通過CCP-CVD在基材Z的表面上執(zhí)行薄膜沉積。在圖示實(shí)施例中，薄膜沉積室20包括滾筒42、薄膜沉積電極46、接地屏蔽48、引導(dǎo)輥50和52、RF電源討、氣體供應(yīng)裝置56和抽真空裝置60。薄膜沉積室20中的滾筒42是圍繞圖1的中心軸逆時針旋轉(zhuǎn)的圓筒形部件，由引導(dǎo)輥50沿著預(yù)定的路徑引導(dǎo)的基材Z(以預(yù)先確定的角度)通過外周表面的預(yù)定區(qū)域，以當(dāng)其被保持在面對稍后將介紹的薄膜沉積電極46的預(yù)定位置時在縱向方向上行進(jìn)。滾筒42也可作為CCP-CVD中的對電極，并且與薄膜沉積電極46形成一對電極。
因此，42滾筒可以連接到偏置電源或接地。可替換地，滾筒42可以能夠在連接到偏置電源和接地之間切換。在薄膜沉積裝置10中，滾筒42可以具有溫度調(diào)節(jié)裝置，用于在薄膜沉積過程中調(diào)節(jié)基材Z的溫度。滾筒42的溫度調(diào)節(jié)裝置不特別地受限，并且可以使用各類溫度調(diào)節(jié)裝置，包括包含在滾筒中循環(huán)的制冷劑或者加熱劑的溫度調(diào)節(jié)裝置。薄膜沉積電極46是一個已知的淋浴噴頭式電極(淋浴噴頭板)，其從其面對基材Z的表面排出薄膜沉積氣體并且用于通過CCP-CVD的薄膜沉積。圖2A是薄膜沉積電極46 (薄膜沉積區(qū)域)(從基材Z側(cè)看到的概念視圖)的概念性平面視圖；圖2B以放大視圖在概念上顯示從如圖1中所示的相同方向看到的薄膜沉積電極46的附近。在圖2A中，基材Z由左到右行進(jìn)。在圖示實(shí)施例中，薄膜沉積電極46例如是中空的、大致長方形固體，并且被設(shè)置為使一個表面面對滾筒42 (即基材Z)。在圖示實(shí)施例中，薄膜沉積電極46的面對滾筒42的表面，即圖1中的上表面，具有向下彎曲或凹陷的弧狀表面，從而平行滾筒42的外圍表面(即，使得薄膜沉積電極46的表面和滾筒42的外圍表面之間的距離完全相同)。換句話說，薄膜沉積電極46具有凹陷弧狀表面、矩形底面、在沿基材Z的輸送方向的上游和下游側(cè)的兩個矩形側(cè)向壁面、以及在沿垂直于基材Z的輸送方向的寬度方向的兩側(cè)的兩個板狀側(cè)向壁面，這些側(cè)向壁面在滾筒側(cè)(艮P，在圖1中的上側(cè))向下彎曲。如圖2A所示，大量氣體供應(yīng)孔46a形成在薄膜沉積電極46的面對的滾筒42的表面中。氣體供應(yīng)孔46A與薄膜沉積電極46內(nèi)的空間(氣體供應(yīng)空間)連通。稍后介紹的氣體供應(yīng)裝置56將薄膜沉積氣體供應(yīng)到薄膜沉積電極46內(nèi)的空間。因此，從氣體供應(yīng)裝置56提供的薄膜沉積氣體隨后通過薄膜沉積電極46的氣體供應(yīng)孔46a供應(yīng)到滾筒42 (基材Z)和薄膜沉積電極46之間的空間。根據(jù)本發(fā)明的薄膜沉積電極46并不限于具有弧形平面的圖示類型，并且可以是中空矩形固體形式(空心板)，或可以有不平行于滾筒的外圍表面的彎曲形狀。因此，本發(fā)明允許用在CCP-CVD中的任何已知的淋浴噴頭式電極。薄膜沉積電極的面對基材Z (滾筒4 的表面優(yōu)選具有彎曲角(端)，如在如圖2C所示的薄膜沉積電極47中概念性地示出的那樣，且更優(yōu)選所述角具有至少2毫米曲率半徑。這有利于等離子體從薄膜沉積電極47的角向外排出，以防止等離子體密度在薄膜沉積電極47的端部處增加，由此，可以更有利地防止基材Z被高密度等離子體變形，結(jié)合通過設(shè)置稍后介紹的接地屏蔽48取得的效果，以使其上表面在比薄膜沉積電極的其相應(yīng)的上表面低的位置處。在圖示的實(shí)施例中，一個薄膜沉積電極(使用CXD-CVD的薄膜沉積裝置)設(shè)置在薄膜沉積室20中。然而，本發(fā)明不限于這種配置，并且可以在基材Z行進(jìn)的方向上設(shè)置多個薄膜沉積電極。此外，本發(fā)明不限于使用淋浴噴頭式電極的配置，并且可以使用包括沒有薄膜沉積氣體排放孔(薄膜沉積氣體供應(yīng)裝置)的薄膜沉積電極的CCD-CVD裝置、與薄膜沉積電極形成電極對的對電極和用于在薄膜沉積電極和對電極之間供應(yīng)薄膜沉積氣體的噴嘴。氣體供應(yīng)裝置56是用在真空薄膜沉積裝置(如等離子化學(xué)氣相沉積裝置)中的已知的氣體供應(yīng)裝置。如上所述，氣體供應(yīng)裝置56供應(yīng)薄膜沉積氣體到薄膜沉積電極46內(nèi)的空間中。薄膜沉積電極46的面對滾筒42的(彎曲)表面中形成大量的氣體供應(yīng)孔46a。因此，供應(yīng)進(jìn)入薄膜沉積電極46的薄膜沉積氣體通過氣體供應(yīng)孔46a被弓I導(dǎo)進(jìn)入薄膜沉積電極46和滾筒42之間的空間。從氣體供應(yīng)裝置56供應(yīng)的每種薄膜沉積氣體(工藝氣體/材料氣體)可以是適于將形成在基材Z的表面上的薄膜的已知類型。例如在基材Z表面上形成氮化硅薄膜的情況下，氣體供應(yīng)裝置56可供應(yīng)如硅烷氣體、氨氣、氫氣的組合或硅烷氣體、氨氣和氮?dú)獾慕M合之類的薄膜沉積氣體。射頻電源M供應(yīng)等離子體激發(fā)功率到薄膜沉積電極46。用在各種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中的已知的射頻電源都可用于射頻電源54，示例為供應(yīng)13. 56MHz射頻功率的電源。抽真空裝置60對薄膜沉積室20抽真空，以將其保持在用于離子體CVD薄膜沉積的預(yù)定薄膜沉積壓力下，并且是如上所述的用在真空沉積裝置中的已知類型。根據(jù)本發(fā)明，對諸如將被供應(yīng)的薄膜沉積氣體量和激發(fā)功率的大小之類的薄膜沉積條件沒有任何具體限制。如在常見等離子體化學(xué)氣相沉積工藝中一樣，可以根據(jù)要形成的薄膜的類型和厚度、所需的薄膜沉積速率、基材Z類型等，視情況確定薄膜沉積條件。在圖示薄膜沉積裝置10中，薄膜沉積室20設(shè)置有接地屏蔽48。接地屏蔽48是一個棱柱形部件(在圖示實(shí)施例中是大致四角棱柱形式)，其沿基材Z的平面方向設(shè)置，從而圍繞薄膜沉積電極46。換句話說，接地屏蔽48包括大于薄膜沉積電極46的底表面的矩形底表面、沿基材Z的輸送方向的上游和下游側(cè)的兩個矩形側(cè)向壁面、以及在沿垂直于基材Z的輸送方向的寬度方向的兩側(cè)的兩個板狀側(cè)向壁面，這些側(cè)向壁面在滾筒側(cè)(即，在圖1中的上側(cè))向下彎曲。由基材Z側(cè)的這些四個側(cè)向壁面的端部(艮P，圖1中的上端部)形成的表面與薄膜沉積電極46以下向下彎曲。如用在CCP-CVD中的已知接地屏蔽一樣，接地屏蔽48由導(dǎo)電材料制成，并且通常接地。如在已知接地屏蔽中那樣，接地屏蔽48形成和設(shè)置為使得薄膜沉積電極46和接地屏蔽48之間的距離(沿基材的平面方向的距離)減小，以防止薄膜沉積電極46和接地屏蔽48之間發(fā)生放電(等離子體的產(chǎn)生)。在圖示實(shí)施例中，優(yōu)選地，接地屏蔽48也具有這樣的形狀，即四個側(cè)向壁面的上端部(基材Z或滾筒42側(cè)的端部)平行于滾筒42的外圍表面。換句話說，接地屏蔽48中的側(cè)向壁面的在沿基材輸送方向的上游和下游側(cè)(以下簡稱為“上游側(cè)/下游側(cè)”)的上端部是沿基材Z或滾筒42的寬度方向(垂直于基材輸送方向的方向；以下簡稱為“寬度方向”)延伸的線性部分，并且所述側(cè)向壁面在垂直于基材Z的寬度方向的側(cè)向側(cè)的上端部為弧形形狀或彎曲，從而平行于滾筒42的外圍表面。在本發(fā)明的薄膜沉積裝置10中，至少薄膜沉積電極46的在寬度方向延伸的側(cè)向壁面的位于沿基材輸送方向的上游側(cè)的上端部比接地屏蔽48的沿寬度方向延伸的側(cè)向壁面的對應(yīng)于薄膜沉積電極46中的所述上端部的上端部更靠近或更鄰近基材Z或滾筒42。也就是說，在圖示實(shí)施例中，當(dāng)基材Z側(cè)視為上方時，至少接地屏蔽48的沿基材輸送方向的上游側(cè)向壁面的上端部位于比薄膜沉積電極46的上游側(cè)向壁面的相應(yīng)的上端部低的位置處。換句話說，假設(shè)從薄膜沉積電極46的面對基材Z的表面到基材Z或滾筒42的方向是高度方向，則至少接地屏蔽48的上游側(cè)向壁面的上端部相對于位于上方的基材Z位于比薄膜沉積電極46的上游側(cè)向壁面的相應(yīng)的上端部低的位置處。在圖示實(shí)施例中，在圍繞薄膜沉積電極46的整個外圍中，薄膜沉積電極46的構(gòu)成其上表面的圓周的側(cè)向壁面的上端部比接地屏蔽48的構(gòu)成其上表面的圓周的側(cè)向壁面的對應(yīng)的上端部更靠近或更接近基材Z或滾筒42距離h。也就是說，在圖示的實(shí)施例中，在圍繞薄膜沉積電極46的整個外圍上，接地屏蔽48的側(cè)向壁面的上端部位于比薄膜沉積電極46的側(cè)向壁面的上端部低高度h的位置。薄膜沉積電極46的端部附近的高密度等離子體可以加熱基材Z，引起基材Z的表面變形或變色或變粗糙，并且通過具有本發(fā)明中的這種配置而消除這些缺陷。如上所述，設(shè)置為圍繞等離子體化學(xué)氣相沉積中的薄膜沉積電極的接地屏蔽防止在除基材和薄膜沉積電極之間的區(qū)域(薄膜沉積區(qū)域)之外的其他區(qū)域中產(chǎn)生等離子體，并且所產(chǎn)生的等離子體被限制或約束在基材和薄膜沉積電極之間，并可以有效地用于高效率薄膜沉積。然而，在使用這種接地屏蔽的等離子體CVD中，等離子體的密度在薄膜沉積電極的端部附近(等離子體端)增加。基材與高密度等離子體的接觸導(dǎo)致由受熱引起的基材的變形或變色，或由等離子體引起的基材表面的粗糙化，由此不能生產(chǎn)合適的產(chǎn)品。在其中基材被固定的分批式(batch type)薄膜沉積中，可以通過將基材放置在薄膜沉積電極的中心區(qū)域來防止基材被暴露到高密度等離子體。然而，在其中長條形基材在縱向方向行進(jìn)的卷對卷系統(tǒng)中，不能防止基材在薄膜沉積電極的上游和下游側(cè)的端部處與高密度的等離子體接觸。同樣如在JP 2010-111900A和JP 2010-121159A中描述的那樣，在使用接地屏蔽
的等離子體化學(xué)氣相沉積中，接地屏蔽的上端表面通常是在高度等于或更高于薄膜沉積電極的上端表面的位置處，換句話說，接地屏蔽的上端表面與薄膜沉積電極的上端表面齊平或比薄膜沉積電極的上端表面更接近基材，或者接地屏蔽的上端面和基材之間的距離形成為等于或小于薄膜沉積電極的上端面和基材之間的距離，以積極地防止等離子體產(chǎn)生在不必要的區(qū)域中，同時提高所產(chǎn)生的等離子體的使用效率(即將等離子體限制或約束在電極和基材之間的薄膜沉積區(qū)域中)。相反地，在本發(fā)明的薄膜沉積裝置10中，至少薄膜沉積電極46的沿寬度方向延伸的上游側(cè)向壁面的上端部形成為比接地屏蔽48的沿寬度方向延伸的上游側(cè)向壁面的上端部更靠近基材Z ( S卩，滾筒42)。換句話說，在圖示的實(shí)施例中，至少接地屏蔽48的上游側(cè)向壁面的上端部形成在比薄膜沉積電極46的上游側(cè)向壁面的相應(yīng)的上端部低的位置處。這樣的配置使等離子體能夠從其中接地屏蔽48的比薄膜沉積電極46更遠(yuǎn)離基材Z的部分(即，從其中接地屏蔽48的側(cè)向壁面的上端部位于比薄膜沉積電極46的側(cè)向壁面的相應(yīng)的上端部低的位置處的部分)排放到外。結(jié)果，在薄膜沉積電極46的端部附近的等離子體密度可以降低，并且可以防止基材Z由于接觸高密度等離子體而發(fā)生性能變化和變形以及表面粗糙(以下統(tǒng)稱簡稱為“基材Z的損壞”)。在本發(fā)明的薄膜沉積裝置10中，從接地屏蔽48的上端部到其相應(yīng)的薄膜沉積電極46的上端部的高度h不特別受限，并且如果從薄膜沉積電極46到基材Z的距離甚至稍微小于從接地屏蔽48到基材Z的距離，即，如果接地屏蔽48的上端部位于比薄膜沉積電極46的相應(yīng)上端部稍低的位置處，則可以實(shí)現(xiàn)有益效果。在接下來的描述中，根據(jù)圖示實(shí)施例，薄膜沉積電極46或接地屏蔽48的側(cè)向壁面的基材側(cè)端部在其更靠近基材Z或滾筒42時視為更高，且在其更遠(yuǎn)離基材Z或滾筒42時視為更低。從薄膜沉積電極46到基材Z的距離和從接地屏蔽48到基材Z的距離之間的差在下文稱為高度或差。然而，從接地屏蔽48的上端部到薄膜沉積電極46的相應(yīng)的上端部的高度h (即從接地屏蔽48的上端部到滾筒42之間的距離和從薄膜沉積電極46的上端部到滾筒42的距離之間的差h)優(yōu)選至少1毫米，以充分地抑制由高密度等離子體引起的基材Z變形或表面粗糙。排放到接地屏蔽48以外的等離子的量隨高度h的增加而增加。換句話說，接地屏蔽48的固有作用減少，導(dǎo)致等離子體在薄膜沉積中的使用效率下降。考慮到這一點(diǎn)，高度h優(yōu)選地可達(dá)20毫米。從接地屏蔽48的上端部到薄膜沉積電極46相應(yīng)的上端部的高度h最優(yōu)選是5 10毫米，因?yàn)榭梢杂欣孬@得上述效果。在如圖1和圖2A至2C所示的實(shí)施例中，在薄膜沉積電極46的整個外圍上，即，在上游和下游側(cè)二者上，以及在垂直于寬度方向的兩個側(cè)面上，接地屏蔽48的上表面都位于比薄膜沉積電極46的上表面低的位置處。然而，這不是本發(fā)明的唯一情況，但至少接地屏蔽48的上游上端部應(yīng)處于比薄膜沉積電極46的相應(yīng)上游上端部低的位置處。換句話說，在薄膜沉積電極46的上游端部處，基材Z的表面總是與等離子體接觸。因此，存在于包含所述上游端部的區(qū)域中的高密度等離子體造成對基材Z的損壞，并且因而接地屏蔽48的上游上端部應(yīng)僅形成在比薄膜沉積電極46的相應(yīng)的上端部低的位置處。相比之下，存在于下游側(cè)上的和存在于垂直于寬度方向的兩個側(cè)面上的高密度的等離子體的并不總是造成對基材Z的損壞。因此，在這種情況下，如在常見裝置中一樣，接地屏蔽48可被設(shè)置為使得垂直于寬度方向的側(cè)向上端部和下游上端部位于高度等于或高于薄膜沉積電極46的相應(yīng)的上端部的位置處。換句話說，接地屏蔽48可以比薄膜沉積電極46更接近基材Z。另一種實(shí)施例在圖3A至3C中概念性地顯示。圖3A是薄膜沉積電極46的平面圖；圖:3B顯示從基材Z的行進(jìn)方向(即，從上游側(cè)向下游側(cè))看到的薄膜沉積電極46 ；以及圖3C是從與圖1所示方向相同的方向看到的前視圖。在圖3A中，基材Z也如圖2A中所示的一樣從左至右行進(jìn)。舉例而言，在圖3A中概念地顯示的情況下，其中基材Z具有狹窄的寬度，并且基材Z的垂直于寬度方向的兩個側(cè)端部位于薄膜沉積電極46的垂直于寬度方向的兩個側(cè)端部的內(nèi)側(cè)，即使在薄膜沉積電極46的垂直于寬度方向的兩個側(cè)端部上的等離子具有高密度，基材Z也不與在薄膜沉積電極46的垂直于其寬度方向的兩個側(cè)端部上的高密度等離子體接觸。因此，在這種情況下，如在圖:3B及3C中概念性地所示的接地屏蔽48A中一樣，接地屏蔽48可以被設(shè)置為使僅其上游側(cè)死昂壁面的上端部和可選地其下游側(cè)向壁面的上端部位于比薄膜沉積電極46的上游側(cè)向壁面的上端部和可選的下游側(cè)向壁面的上端部低的位置處，并且接地屏蔽48的沿寬度方向的兩側(cè)的側(cè)向壁面的上端部位于高度等于或高于薄膜沉積電極46的沿寬度方向的兩側(cè)的對應(yīng)的側(cè)向壁面的上端部的位置處。為了通過使用薄膜沉積電極46和基材Z(滾筒42)之間的薄膜沉積區(qū)域(即，等離子體)提高薄膜沉積效率，接地屏蔽48被設(shè)置為使得垂直于寬度方向的兩個側(cè)向壁面的上端部和可選地下游側(cè)向壁面的上端部位于比薄膜沉積電極46的相應(yīng)的側(cè)面壁面的上端部高的位置處，從而防止薄膜沉積區(qū)域中的等離子體從接地屏蔽48的垂直于寬度方向的側(cè)向端部排出。例如，接地屏蔽48的垂直于其寬度方向的側(cè)向壁面可以向上延伸，以具有剛達(dá)到滾筒42的外圍表面之前或略低于滾筒42的外圍表面的高度。相比之下，在圖2A-2C所示的情況中，其中，基材Z在寬度方向上具有比薄膜沉積電極46大的尺寸，并且其側(cè)端部位于薄膜沉積電極46的垂直于寬度方向的兩個側(cè)端部上，如果高密度等離子體存在于薄膜沉積電極46的垂直寬度方向的兩個側(cè)端部上，則高密度等離子體可能會損壞基材Z。因此，在這種情況中，如在圖和1圖2A-2C中所示的接地屏蔽48，優(yōu)選的是，接地屏蔽48的垂直于寬度方向的兩個側(cè)向壁面也位于比薄膜沉積電極46的垂直于寬度方向的相應(yīng)側(cè)向壁面低的位置處。在許多情況下，已經(jīng)在薄膜沉積電極46的下游側(cè)執(zhí)行薄膜沉積，并且因此基材Z不直接地暴露于等離子體。在形成無機(jī)膜(由無機(jī)化合物制成的膜)的情況下，該膜相對于高密度的等離子體往往很可能具有足夠的強(qiáng)度。因此，在具有足夠大厚度的無機(jī)膜形成在薄膜沉積電極46的下游端部處，并且不存在等離子體造成基材Z和可選地所形成的薄膜損壞的可能性的情況下，接地屏蔽48的下游上端部也可以位于在高度上等于薄膜沉積電極46的下游上端部的位置處。可替換地，考慮到通過等離子體約束提高的薄膜沉積效率，接地屏蔽48的下游側(cè)向壁面的上端部可以位于比薄膜沉積電極46的下游側(cè)向壁面的上端部高的位置處。例如，接地屏蔽48可以具有剛達(dá)到滾筒42的外表面之前的高度。換句話說，在本發(fā)明的薄膜沉積裝置中，可以使用以下四種類型的接地屏蔽其中相對于位于上方的基材Z(假設(shè)從薄膜沉積電極46向基材Z(滾筒42)的方向是高度方向)，僅上游上端部位于比薄膜沉積電極46的相應(yīng)上游上端部低的位置處的類型；其中相對于基材Z，上游上端部和下游上端部位于比薄膜沉積電極46的相應(yīng)上游上端部和下游上端部低的位置處的類型；其中相對于基材Z，上游上端部和垂直于寬度方向的側(cè)向上端部位于比垂直于薄膜沉積電極46的寬度方向的相應(yīng)上游上端部和下游上端部低的位置處的類型；以及其中相對于基材Z，包括上游上端部和下游上端部以及垂直于寬度方向的側(cè)向上端部的整個外圍的上端部位于比薄膜沉積電極46的相應(yīng)的上端部低的位置處的類型。在本發(fā)明的薄膜沉積裝置10中，接地屏蔽48可以如圖4中示意地顯示那樣由第二接地屏蔽62圍繞。第二接地屏蔽62能夠有利地抑制薄膜沉積電極46和基材Z(滾筒)42之間的等離子體放電，以提高所產(chǎn)生的等離子體的使用效率，從而導(dǎo)致進(jìn)一步的高效薄膜沉積。為了改善等離子體約束效果，與常見接地屏蔽中一樣，第二接地屏蔽62的上表面優(yōu)選地位于高度等于或在高于薄膜沉積電極46的上表面的位置處。如上所述，由引導(dǎo)輥50沿著預(yù)定路徑弓I導(dǎo)的基材Z經(jīng)過滾筒42的外圍表面，并且當(dāng)其在縱向方向上行進(jìn)時被保持在預(yù)定的位置。當(dāng)用等離子體激發(fā)功率給薄膜沉積電極46供電時，在形成電極對的滾筒42和薄膜沉積電極46之間激發(fā)等離子體，于是薄膜沉積氣體形成自由基以在基材Z的表面上執(zhí)行CCP-CVD薄膜沉積，基材Z在它被支撐上滾筒42上時在滾筒42上行進(jìn)。具有沉積在其表面上的預(yù)定薄膜的基材Z然后由引導(dǎo)輥52引導(dǎo)并且行進(jìn)通過間隔壁64的狹縫64A進(jìn)入卷取室24。在圖示實(shí)施例中，卷取室M包括引導(dǎo)輥68、卷取軸14和抽真空裝置70。已達(dá)到卷取室M的基材Z在其由引導(dǎo)輥68引導(dǎo)時行進(jìn)到卷取軸14，并且纏繞在卷取軸14上以形成卷，所述卷然后作為氣體阻隔膜的卷提供至后續(xù)的步驟。卷取室M還設(shè)置有抽真空裝置70，如在上述進(jìn)料室18中一樣，并且在薄膜沉積過程中，其壓力降低到合適于薄膜沉積室20中的薄膜沉積壓力的真空度。薄膜沉積裝置10的操作說明如下。當(dāng)將基材卷12安裝在旋轉(zhuǎn)軸沈上時，基材Z從基材卷12釋放，并且沿著預(yù)定路徑行進(jìn)，基材ζ沿預(yù)定路徑由進(jìn)料室18中的引導(dǎo)輥觀引導(dǎo)至薄膜沉積室20，薄膜Z在薄膜沉積室20中由引導(dǎo)輥50引導(dǎo)，經(jīng)過滾筒42的外圍表面的預(yù)定區(qū)域，并且由引導(dǎo)輥52引導(dǎo)至卷取室對，基材Z在卷取室由引導(dǎo)輥68引導(dǎo)至卷取軸14。隨后，抽真空裝置30、60、70被致動以將所述室抽空到預(yù)定壓力。當(dāng)所述室中的真空度穩(wěn)定時，薄膜沉積室20中的氣體供應(yīng)裝置56向薄膜沉積電極46供應(yīng)薄膜沉積氣體。當(dāng)薄膜沉積室20穩(wěn)定在適于薄膜沉積的預(yù)定壓力處時，基材Z從進(jìn)料室18到卷取室M的行進(jìn)開始，并且從射頻電源M到薄膜沉積電極46的等離子體激發(fā)功率的供應(yīng)也開始。已從進(jìn)料室18到達(dá)薄膜沉積室20的基材Z由引導(dǎo)輥50引導(dǎo)，并且當(dāng)其在滾筒42上經(jīng)過時進(jìn)一步行進(jìn)，并且通過CCP-CVD在滾筒42和薄膜沉積電極46彼此面對的區(qū)域中形成想要的層。在薄膜沉積室20中設(shè)置接地屏蔽48以圍繞薄膜沉積電極46，并且因此等離子體可以有利地被限制或約束在滾筒42和薄膜沉積電極46彼此面對的區(qū)域中，以高等離子體使用效率執(zhí)行高效的薄膜沉積。在薄膜沉積裝置10中，至少接地屏蔽48的上游上端部位于比薄膜沉積電極46的相應(yīng)上游上端部低的位置處。因此，可以防止等離子體密度在薄膜沉積電極46的上游端部中的增加，以抑制由高密度的等離子體引起的對基材Z的損壞，由此可以連續(xù)地生產(chǎn)高品
質(zhì)廣品。具有沉積其上的預(yù)定薄膜的基材Z隨后由引導(dǎo)輥52弓丨導(dǎo)并且行進(jìn)進(jìn)入卷取室M。已經(jīng)到達(dá)采取卷取室M的基材Z由引導(dǎo)輥68沿著預(yù)定路徑引導(dǎo)，并且通過卷取軸14被再纏繞成卷，所述卷隨后供給至后續(xù)步驟。雖然以上已經(jīng)詳細(xì)介紹了本發(fā)明的薄膜沉積裝置，但本發(fā)明不限于上述的實(shí)施例，應(yīng)該理解，在沒有違背本發(fā)明的范圍和精神的情況下各種改進(jìn)和修改都是可行的。例如，如圖1所示的實(shí)施例顯示了一種裝置，其中在基材Z上執(zhí)行薄膜沉積，基材Z在縱向方向上行進(jìn)時經(jīng)過圓筒形滾筒的外圍表面。然而，這不是本發(fā)明的唯一情況。例如，本發(fā)明的薄膜沉積裝置也可以有利地應(yīng)用到如在JP 2010-111900A中描述的當(dāng)基材Z(在平面上)線性行進(jìn)時執(zhí)行薄膜沉積的裝置。換句話說，本發(fā)明可以適用于各種配置的所有薄膜沉積裝置，只要是在長條形的基材在縱向方向上行進(jìn)時由等離子體化學(xué)氣相沉積執(zhí)行薄膜沉積。示例示例 1如圖1所示的薄膜沉積裝置10用于在基材Z上沉積氮化硅薄膜。所使用的基材Z是PET膜，具有ΙΟΟμπι的厚度。如由原子力顯微鏡(AFM)測量的基材Z的表面粗糙度Ra為0. 7納米。所使用的接地屏蔽48由鋁制成。屏蔽48在距離薄膜沉積電極46為1毫米處接地。如圖1、2Α至2C所示，接地屏蔽48被設(shè)置為使得上游端部和下游上端部以及垂直于寬度方向的兩個側(cè)向上端部(即接地屏蔽48的圍繞薄膜沉積電極46的整個上表面)位于比薄膜沉積電極46的相應(yīng)上端部低5毫米的位置處。也就是說，從接地屏蔽48的上端部到薄膜沉積電極46的上端部的高度h(AtO在整個區(qū)域內(nèi)被設(shè)置為5毫米。所使用的薄膜沉積氣體為硅烷氣體(SiH4)、氨氣(NH3)、氮?dú)鈿?和氫氣(H2)。硅烷氣體、氨氣、氮?dú)夂蜌錃獾墓?yīng)量分別為100sccm、200sccm、500sccm和500sccm。以13. 5MHz的頻率向薄膜沉積電極46供給2000W(瓦)的等離子體激發(fā)功率。薄膜沉積壓力設(shè)置到301^。具有50納米厚的氮化硅薄膜在薄膜沉積條件下形成在基材Z上。薄膜的沉積速率為460納米/分鐘。氮化硅薄膜的厚度由觸針式輪廓曲線儀(stylus profilometer)測量，并且通過控制基材Z的行進(jìn)速度進(jìn)行調(diào)整。薄膜沉積以后，形成的氮化硅薄膜被剝落，并且以與基材Z的表面同樣的方式由原子力顯微鏡測量基材Z在薄膜沉積后的表面粗糙度Ra。結(jié)果，基材Z在薄膜沉積以后具有1. 7納米的表面粗糙度Ra。示例 2除了從接地屏蔽48的上表面到薄膜沉積電極46的上表面的高度h被改變到10毫米，并且基材Z的行進(jìn)速度被改變以達(dá)到所需的薄膜厚度之外，重復(fù)示例1，從而在基材Z的表面上形成50納米厚度的氮化硅薄膜之外。薄膜沉積速率為400納米/分鐘。如以與示例1相同的方式測量基材Z在薄膜沉積之后的表面粗糙度Ra為1. 4納米。示例 3除了從接地屏蔽48的上表面到薄膜沉積電極46的上表面的高度h被改變到15毫米，并且基材Z的行進(jìn)速度被改變以達(dá)到所需的薄膜厚度之外，重復(fù)示例1，從而在基材Z的表面上形成具有50納米厚度的氮化硅薄膜。薄膜沉積速率為290納米/分鐘。如以與示例1相同的方式測量基材Z在薄膜沉積之后的表面粗糙度Ra為1. 3納米。比較示例1除了從接地屏蔽48的上表面到薄膜沉積電極46的上表面的高度h被改變到0毫米(即，接地屏蔽48的上表面形成為與薄膜沉積電極46的上表面平齊)，并且基材Z的行進(jìn)速度被改變以達(dá)到所需的薄膜厚度之外，重復(fù)示例1，從而在基材Z的表面上形成具有50納米厚度的氮化硅薄膜。薄膜沉積速率為500納米/分鐘。如以與示例1相同的方式測量基材Z在薄膜沉積之后的表面粗糙度Ra為3. 1納米。示例 4除了薄膜沉積電極46的面對滾筒42的區(qū)域的角以5毫米的曲率半徑彎曲，并且基材Z的行進(jìn)速度被改變以達(dá)到所需的薄膜厚度之外，重復(fù)示例1，從而在基材Z的表面上形成具有50納米厚度的氮化硅薄膜。薄膜沉積速率為440納米/分鐘。如以與示例1相同的方式測量基材Z在薄膜沉積之后的表面粗糙度Ra為1. 5納米。示例 5除了僅接地屏蔽48的上游上端部形成在比薄膜沉積電極46的上游上端部低5毫米的位置處，并且接地屏蔽48的其它上端部形成為與薄膜沉積電極46的相應(yīng)上游上端部平齊，并且基材Z的行進(jìn)速度被改變以達(dá)到所需的薄膜厚度之外，重復(fù)示例1，從而在基材Z的表面上形成具有50納米厚度的氮化硅薄膜。薄膜沉積速率為480納米/分鐘。如以與示例1相同的方式測量基材Z在薄膜沉積之后的表面粗糙度Ra為1. 9納米。示例 6除了在距離接地屏蔽481毫米處在接地屏蔽48的外側(cè)設(shè)置第二接地屏蔽62，并且基材Z的行進(jìn)速度被改變以達(dá)到所需的薄膜厚度之外，重復(fù)示例1，從而在基材Z的表面上形成具有50納米厚度的氮化硅薄膜。薄膜沉積速率為440納米/分鐘。如以與示例1相同的方式測量基材Z在薄膜沉積之后的表面粗糙度Ra為1. 5納米。示例 7除了從接地屏蔽48的上表面到薄膜沉積電極46的上表面的高度h改變到1毫米，并且基材Z的行進(jìn)速度被改變以達(dá)到所需的薄膜厚度之外，重復(fù)示例1，從而在基材Z的表面上形成具有50納米厚度的氮化硅薄膜。薄膜沉積速率為490納米/分鐘。如以與示例1相同的方式測量基材Z在薄膜沉積之后的表面粗糙度Ra為2. 2納米。示例 8除了氮化硅薄膜沉積到10納米厚度，并且基材Z的行進(jìn)速度被改變以達(dá)到所需的薄膜厚度，重復(fù)示例5，從而在基材Z的表面上形成氮化硅薄膜。薄膜沉積速率為480納米/分鐘。如以與示例1相同的方式測量基材Z在薄膜沉積之后的表面粗糙度Ra為2. 1納米。示例 9
除了接地屏蔽48的高度僅在下游側(cè)增加，使得接地屏蔽48和滾筒42之間的距離為5毫米，并且基材Z的行進(jìn)速度被改變以達(dá)到所需的薄膜厚度之外，重復(fù)示例1，從而在基材Z的表面上形成具有50納米厚度的氮化硅薄膜。薄膜沉積速率為490納米/分鐘。如以與示例1相同的方式測量基材Z在薄膜沉積之后的表面粗糙度Ra為1. 6納米。在上述示例和比較示例中，在整個區(qū)域內(nèi)，薄膜沉積電極46和滾筒42之間的距離為20毫米。結(jié)果顯示在下面的表1中。表權(quán)利要求
1.一種薄膜沉積裝置，包括輸送裝置，用于在輸送方向上輸送基材的帶；薄膜沉積電極，被設(shè)置為面對所述基材；對電極，相對于所述基材設(shè)置在所述薄膜沉積電極的相對側(cè)，并且與所述薄膜沉積電極形成電極對；氣體供應(yīng)裝置，用于在所述薄膜沉積電極和所述基材之間供應(yīng)薄膜沉積氣體；和接地屏蔽，沿所述基材的平面方向設(shè)置為圍繞所述薄膜沉積電極，其中，所述薄膜沉積電極的沿所述基材的輸送方向的上游基材側(cè)端部比所述接地屏蔽的沿所述基材的輸送方向的上游基材側(cè)端部更靠近所述基材，所述接地屏蔽的上游基材側(cè)端部對應(yīng)于所述薄膜沉積電極的沿所述基材的輸送方向的上游基材側(cè)端部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中，所述薄膜沉積電極的沿所述基材的輸送方向的下游基材側(cè)端部比所述接地屏蔽的沿所述基材的輸送方向的下游基材側(cè)端部更靠近所述基材。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜沉積裝置，其中，所述薄膜沉積電極的沿所述基材的寬度方向延伸的上游基材側(cè)端部和下游基材側(cè)端部比所述接地屏蔽的沿所述基材的寬度方向的上游基材側(cè)端部和下游基材側(cè)端部更靠近所述基材。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任何一項(xiàng)所述的薄膜沉積裝置，其中，所述薄膜沉積電極的在其中所述薄膜沉積電極比所述接地屏蔽更靠近所述基材的部分中的基材側(cè)端部比其對應(yīng)的所述接地屏蔽的基材側(cè)端部更靠近所述基材1 20毫米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任何一項(xiàng)所述的薄膜沉積裝置，其中，除了其中所述薄膜沉積電極的基材側(cè)端部比其對應(yīng)的所述接地屏蔽的基材側(cè)端部更靠近所述基材的部分之外，從所述接地屏蔽的基材側(cè)端部到所述基材的第一距離等于或小于從所述薄膜沉積電極的基材側(cè)端部到所述基材的第二距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述的薄膜沉積裝置，其中，所述薄膜沉積電極的面對所述基材的角以至少2毫米的曲率半徑彎曲。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任何一項(xiàng)所述的薄膜沉積裝置，還包括第二接地屏蔽，第二接地屏蔽沿所述基材的平面方向設(shè)置以圍繞所述接地屏蔽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜沉積裝置，其中，在所述第二接地屏蔽的整個區(qū)域中，從所述第二接地屏蔽的基材側(cè)端部到所述基材的距離等于或小于從所述薄膜沉積電極的基材側(cè)端部到所述基材的距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任何一項(xiàng)所述的薄膜沉積裝置，其中，所述薄膜沉積電極具有氣體供應(yīng)孔和形成在內(nèi)部的氣體供應(yīng)空間，所述氣體供應(yīng)孔形成在所述薄膜沉積電極面對所述基材的表面中并且與所述氣體供應(yīng)空間連通，并且其中，所述氣體供應(yīng)裝置將所述薄膜沉積氣體供應(yīng)到所述氣體供應(yīng)空間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任何一項(xiàng)所述的薄膜沉積裝置，其中所述輸送裝置通過纏繞在作為所述對電極的圓筒形滾筒的外圍表面的預(yù)定區(qū)域的周圍來輸送所述基材。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜沉積裝置，其中，所述薄膜沉積電極的面對所述基材的表面彎曲以與所述滾筒的外圍表面平行。
全文摘要
本發(fā)明公開一種薄膜沉積裝置，包括在輸送方向上輸送基材的帶的輸送機(jī)、設(shè)置為面對基材的薄膜沉積電極、設(shè)置在薄膜沉積電極的相對側(cè)處的對電極、薄膜沉積氣體的氣體供應(yīng)裝置和沿所述基材的平面方向設(shè)置為圍繞薄膜沉積電極的接地屏蔽。薄膜沉積電極沿輸送方向的上游端部比接地屏蔽沿所述基材的輸送方向?qū)?yīng)于薄膜沉積電極的上游端部的上游端部更靠近基材。
文檔編號C23C16/44GK102383107SQ20111025471
公開日2012年3月21日 申請日期2011年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月31日
發(fā)明者望月佳彥, 殿原浩二 申請人:富士膠片株式會社