專利名稱：穩(wěn)定等離子體處理的方法和設備的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明的實施例通常涉及襯底的等離子體處理的方法和設備，尤其涉及到用穩(wěn)定等離子體蝕刻襯底的方法和設備。
背景技術(shù)：
集成電路已經(jīng)發(fā)展成復雜的裝置，其可在單個芯片上包括數(shù)以百萬計的晶體管、 電容器和電阻器。芯片設計的發(fā)展不斷要求更快的電路和更大的電路密度。由于電路能夠執(zhí)行的功能的速度與數(shù)量隨著電路結(jié)構(gòu)密度的增長而增長，因此，電路密度具有顯著的重要性。一些影響集成電路的速度和電路密度的設計屬性包括用于形成層的材料的電阻與厚度，該層包括形成在襯底上的電路結(jié)構(gòu)。金屬材料被用來形成電路結(jié)構(gòu)，如有線線路互連、通路、電極等。金屬結(jié)構(gòu)對集成電路的功能性是關鍵。鎢是一種常用于制作電路結(jié)構(gòu)的金屬。鎢可用傳統(tǒng)的化學氣相沉積 (CVD)法精確沉積，并且鎢通常具有低電阻系數(shù)。電路設計人員已經(jīng)發(fā)現(xiàn)鎢是可與多晶硅相鄰使用的優(yōu)良材料，因為鎢表現(xiàn)出良好的抗多晶硅滲透性，這就使得鎢在襯底處理和裝置使用過程中保持其物理屬性。為了使電路密度最大化，就必須最小化包括電路結(jié)構(gòu)的層，包括那些包括鎢的層。 但是，在處理這樣薄的層時，必須小心以避免在處理過程中損壞這些層。受損的層會導致電路結(jié)構(gòu)有缺陷，襯底次品增加。蝕刻是容易損壞這些薄層的一種工藝。通常用氟化物來去除曝露的鎢和其他物質(zhì)。等離子體可用于增強蝕刻工藝。但是，保持等離子體穩(wěn)定很困難。增加等離子體穩(wěn)定性的一個方法是增加供應到腔室的功率。另一個方法是減小被蝕刻的襯底與腔室頂端之間的間隙。遺憾的是，增加功率和減小間隙都會導致增強對襯底的離子轟擊，這可能嚴重損壞正在襯底上形成的電路。因此，本領域需要一種在襯底上蝕刻材料的改進方法和設備。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要提供一種利用空間分布經(jīng)修改的等離子體來蝕刻襯底的方法和設備。 在一個實施例中，所述方法包括提供帶有等離子體穩(wěn)定器的處理腔室，該穩(wěn)定器置于襯底支承底座上方。襯底被放在所述底座上面。處理氣體被引進處理腔室，且等離子體就由該處理氣體形成。所述襯底用等離子體蝕刻，等離子體具有由等離子體穩(wěn)定器限定的離子密度與原子團密度比。在本發(fā)明的另一個實施例中，提供一種用空間分布經(jīng)修改的等離子體蝕刻襯底的設備。該設備包括其中置有襯底支承底座的處理腔室。RF電源被提供以在該腔室內(nèi)形成等離子體。等離子體穩(wěn)定器被配置在腔室內(nèi)的所述底座上方。該等離子體穩(wěn)定器控制帶電的和電中性等離子體物質(zhì)的空間分布。該等離子體穩(wěn)定器可包括一個基本扁平的構(gòu)件，其與腔室電絕緣。該構(gòu)件具有多個穿透其中形成的孔眼。


為了使本發(fā)明的上述特征能被詳細地理解，可通過參考實施例對本發(fā)明(在上文已有簡要概述)給出更具體的說明，一些實施例由附圖示出。但是，應當注意，附圖僅僅示出本發(fā)明的典型實施例，因此不能認為是限定本發(fā)明的范圍，因為本發(fā)明允許其他同樣有效的實施例。圖1是帶有等離子體穩(wěn)定器的蝕刻反應器的示意圖；圖2是圖1所示等離子體穩(wěn)定器的一個實施例的局部透視圖；和圖3是鎢蝕刻方法的流程圖。
具體實施例方式本發(fā)明提供一種改進蝕刻工藝的方法和設備。該設備包括放置在等離子體處理腔室內(nèi)的等離子體穩(wěn)定器。該等離子體穩(wěn)定器在處理過程中控制腔室內(nèi)帶電及電中性物質(zhì)的空間分布，這樣，在腔室上部處理區(qū)(等離子體穩(wěn)定器上方)形成密集穩(wěn)定的等離子體，并在下部處理區(qū)(在等離子體穩(wěn)定器與置于襯底支承底座上的襯底之間)形成具有受控特性的等離子體。圖1描述的是帶有等離子體穩(wěn)定器170的蝕刻反應器100的示意圖?？蛇m合用于此處所公開的示教原理的合適反應器包括，如去耦等離子體源(Decoupled Plasma Source) (DPS ) I 及 DPS II 反應器，均由加利福尼亞州 Santa Clara 的 Applied Materials 公司提供。DPS 及DPS II反應器還可用作Centura 集成半導體晶片處理系統(tǒng)的處理模塊，該處理系統(tǒng)也由Applied Materials公司提供。此處所示反應器100的具體實施例是用于說明目的，而不能用于限定本發(fā)明的范圍。反應器100通常包括處理腔室102和控制器146。處理腔室102在導電體(壁)104 內(nèi)有襯底底座124。腔室102有基本扁平的絕緣頂板108。腔室102的其他實施例可具有其他類型的頂板，如穹形頂板。天線110安裝在頂板108上方。天線110包括一個或多個可有選擇地控制的感應線圈元件(圖1說明性地示出兩個共軸元件IlOa和110b)。天線 110通過第一匹配網(wǎng)絡114耦合至等離子體電源112。等離子體電源112通?？僧a(chǎn)生高達 3000W左右的功率，在大約50KHz到大約13. 56MHz范圍內(nèi)頻率可調(diào)。襯底底座(陰極)1 通過第二匹配網(wǎng)絡142耦合至偏壓電源140。偏壓電源140 通常是個高達500W左右的電源，頻率大約為13. 56MHz，能產(chǎn)生持續(xù)功率或者脈沖功率?；蛘撸娫?40可以是DC電源或者脈沖DC電源。在一個實施例中，襯底支承底座IM包括靜電夾盤160。靜電夾盤160包括至少一個夾鉗電極132并受夾盤電源166控制。在可選實施例中，襯底底座IM可以包括襯底保持機構(gòu)，如基座夾環(huán)(susc^ptor clamp ring)、機械夾盤等。提升裝置138用來降低襯底122至襯底支承底座IM上或舉起襯底122離開襯底支承底座124。通常，提升裝置138包括多個穿過相應導孔136的起模頂桿130( —個起模頂針被示出)。工作時，襯底122的溫度通過穩(wěn)定襯底底座124的溫度加以控制。在一個實施例中，襯底支承底座1 包括電阻加熱器144和散熱器128。電阻加熱器144通常包括至少一個加熱元件134，并由加熱器電源168調(diào)節(jié)。來自氣體源156的后部氣體(backside gas) (如，氦氣)通過氣體導管158提供給在襯底122下的底座表面中形成的通道。后部氣體用來促進底座1 和襯底122間的熱傳遞。處理過程中，底座IM可由嵌入式電阻加熱器 144加熱至穩(wěn)態(tài)溫度，并與后部氣體氦一起，共同促進襯底122的均勻加熱。利用這樣的熱控制，襯底122的溫度可保持在0到350攝氏度之間的某一溫度。等離子體穩(wěn)定器170安裝在腔室102內(nèi)底座IM的上方。等離子體穩(wěn)定器170在處理過程中控制腔室102里帶電物質(zhì)與電中性物質(zhì)的空間分布，因此在腔室上部處理區(qū)(等離子體穩(wěn)定器170上方)形成密集穩(wěn)定的等離子體，并在下部處理區(qū)(在等離子體穩(wěn)定器 170與置于襯底支承底座IM上的襯底122之間)形成具有受控特性的等離子體。等離子體穩(wěn)定器170與腔壁104和底座124電絕緣，且通常包括基本扁平的平板 172和多個支柱176。平板172由支柱176支承，位于腔室102內(nèi)底座124的上方。平板 172限定一個或多個開口(孔眼)，開口在平板172表面限定所需的開孔面積。等離子體穩(wěn)定器170的開孔面積控制從處理腔室102的上部處理區(qū)178中形成的等離子體到位于等離子體穩(wěn)定器170和襯底122之間的下部處理區(qū)180的離子數(shù)量。因此，等離子體穩(wěn)定器170 的開孔面積控制處理腔室102中等離子體的帶電物質(zhì)與電中性物質(zhì)的空間分布。開孔面積越大，越多的離子可穿過等離子體穩(wěn)定器170。同樣，孔眼174的大小影響處理區(qū)180里的離子密度。等離子體穩(wěn)定器170的孔眼174，或者開孔面積，還影響由于擴散至處理腔室102 的上部處理區(qū)178 (RF功率在此沉積到等離子體中)而產(chǎn)生于襯底122表面上的蝕刻副產(chǎn)物的量。選擇孔眼174的大小，以允許在上部處理區(qū)178產(chǎn)生的足夠多的離子和原子團到達襯底122的表面，并防止蝕刻副產(chǎn)物顯著使RF功率在等離子體中的沉積不穩(wěn)定。另外，開孔面積越大，等離子體的帶電物質(zhì)與電中性物質(zhì)的空間分布變得越均勻。 較大的開孔面積也減弱等離子體的穩(wěn)定性。因此，通過控制等離子體穩(wěn)定器170的開孔面積，等離子體的穩(wěn)定性就被控制。而且，上部和下部處理區(qū)178，180中帶電與電中性物質(zhì)的空間分布得到控制，從而控制蝕刻的均勻性和選擇性。圖2描述等離子體穩(wěn)定器170的一個特定的實施例。在該實施例中，等離子體穩(wěn)定器170包括具有一個或多個孔眼174的平板172，和多個支柱176。平板172應當足夠厚以保證其堅固，并足夠薄以阻止等離子體中形成的離子重組。平板172可由陶瓷(如氧化鋁)、石英、陽極氧化鋁，或其他與工藝化學性質(zhì)和環(huán)境相容的材料制造。在另一個實施例中，平板172可包括篩網(wǎng)或篩孔，其中，該篩網(wǎng)或篩孔的開孔面積相當于一個或多個孔眼 174提供的所需開孔面積?；蛘?，也可以利用平板與篩網(wǎng)或篩孔的組合。一個或多個孔眼174可在大小、在平板172的表面上的間距與幾何排列上變化以獲得所需開孔面積。孔眼174應當足夠大，以允許等離子體充分穿透平板172，并可被排列以在平板172的表面限定從大約2%至大約90%的開孔面積。在一個實施例中，孔眼174 的直徑大于0.2英寸(0.51cm)。在一個實施例中，一個或多個孔眼174包括多個直徑大約半英寸(1.25cm)的孔，其排列成方格網(wǎng)圖案?？梢栽O想，可利用其他尺寸的孔或大小不一的孔，把這些孔排列成其他幾何圖案或任意圖案。在另一個實施例中，一個或多個孔眼174 可包括單個孔眼174。在一個實施例中，單個孔眼174可與置于底座IM上的襯底122具有大致相同的尺寸和形狀?？椎拇笮?、形狀和圖案可取決于下部處理區(qū)180中所需的離子密度而變化。例如， 為了增大處理區(qū)180里的原子團與離子的密度比，可使用更多的直徑小的孔。在其他情況下，孔可被制作得更大，或者多個較大的孔周圍點綴著小的孔，以增大處理區(qū)180里的離子密度與原子團密度比?；蛘?，較大孔可位于平板172的特定區(qū)域，以限定處理區(qū)180內(nèi)離子分布的輪廓。還可以設想，這些孔可與平板的表面非垂直，也就是，它們可與平板成一角度。等離子體穩(wěn)定器170被支承的高度可變化，以進一步控制蝕刻工藝。等離子體穩(wěn)定器170與頂板108的距離越近，上部處理區(qū)178就越小。小的上部處理區(qū)178促使等離子體更穩(wěn)定。在一個實施例中，等離子體穩(wěn)定器170位于距頂板108大約1英寸(2. 54cm) 處。通過將等離子體穩(wěn)定器170定位于更接近底座124，因此也就更接近襯底122處，可以得到更快的蝕刻速率。或者，通過定位等離子體穩(wěn)定器170于距底座IM較遠處，可以得到較低的但是控制得更好的蝕刻速率。在一個實施例中，等離子體穩(wěn)定器170位于距底座IM 大約2英寸處?；蛘?，等離子體穩(wěn)定器170可具有輪廓形狀，以在某些區(qū)域離頂板108較近， 而在其他區(qū)域離頂板108則較遠。因而以所需的方式調(diào)整處理腔室102的上部處理區(qū)178 以控制等離子體的形狀或輪廓。為了保持平板172相對于襯底122的空間分離關系，平板172由多個置于底座IM 上的支柱176支承。支柱176通常沿底座124的外部周界或環(huán)形邊1 分布，可由與平板 172相同的材料制成。在一個實施例中，可利用三個支柱176為等離子體穩(wěn)定器170提供穩(wěn)定支承。支柱176通常將平板172保持在與襯底122或底座IM基本平行的方向。但是， 可以設想，可使用長度不一的支柱176使其方向具有角度。支柱176的上端可被壓配合進入在平板172上形成的對應的孔?；蛘撸е?76 的上端可穿入平板172或者穿入固定在平板172底面的卡扣。與處理環(huán)境相容的其他傳統(tǒng)固定方法也可用來把支柱176固定至平板172。支柱176可支撐在底座IM或環(huán)形邊1 上?；蛘?，支柱176可延伸進入在底座 124或環(huán)形邊1 里形成的容納孔(未示出)。也可考慮利用其他固定方法，如螺紋連接、 螺栓連接、焊接等，來把等離子體穩(wěn)定器170固定至底座IM或環(huán)形邊126。如果固定到環(huán)形邊1 上，等離子體穩(wěn)定器170可以是易于置換的工藝套件的一部分，以便于使用、維護、 置換等?？梢栽O想，等離子體穩(wěn)定器170可以經(jīng)配置以易于在現(xiàn)有處理腔室里進行改型翻新?；蛘?，只要平板172與接地通路絕緣，也可以利用其他方式，如使用固定到腔壁 104的支架(未示出)或者處理腔室102里的其他結(jié)構(gòu)，將平板172支承在底座124的上方?；氐綀D1，一種或多種處理氣體由氣體控制板(gas panel) 120提供至處理腔室 102。處理氣體通常通過位于襯底底座IM上方的一個或多個入口 116(如，開口、噴射器等)提供。在圖1所示實施例中，處理氣體是利用環(huán)形氣體通道118被提供給入口 116的。 氣體通道118可在腔壁104或者耦合至腔壁104的氣環(huán)(如所示的)里形成。在蝕刻工藝過程中，通過由等離子體電源112施加功率至天線110來把處理氣體激勵成等離子體。
腔室102里的壓力通過節(jié)流閥162和真空泵164來控制。腔壁104的溫度利用穿越腔壁104的含液體管道(未示出)加以控制。通常，腔壁104由金屬形成(如鋁、不銹鋼等)并耦合至地線106。處理腔室102還包括過程控制、內(nèi)部診斷、終點檢測等常規(guī)系統(tǒng)。 這些系統(tǒng)一起作為支持系統(tǒng)1 示出?？刂破?46包括中央處理單元(CPU) 150、存儲器148和CPU150的輔助電路152， 并且促進了對處理腔室102各部件及蝕刻工藝的控制，下文將進行更詳細的描述?？刂破?146可以是任意一種形式的可用于工業(yè)環(huán)境下控制各種腔室和子處理器的通用計算機處理器。CPU150的存儲器，或計算機可讀介質(zhì)642可以是一種或多種已有存儲器，如隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、軟盤、硬盤或其他任何形式的本地或遠程數(shù)字存儲器。輔助電路152耦合至CPU150，以傳統(tǒng)方式支持處理器。這些電路包括高速緩沖存儲器、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路和子系統(tǒng)等。本創(chuàng)造性方法通常作為一個軟件程序儲存在存儲器 148里。或者，該軟件程序還可儲存在并/或由從CPU(未示出)執(zhí)行，該從CPU遠離CPU150 所控制的硬件。利用等離子體穩(wěn)定器170蝕刻位于襯底上的鎢層的一個示例性方法300在圖3的流程圖中描述并結(jié)合圖1說明。方法300開始于步驟302，襯底122被放置到處理腔室102 中，在等離子體穩(wěn)定器170下方的支承底座IM上面。襯底122通常是一個半導體襯底，其上有至少部分曝露的鎢層。從大約0到大約200W的偏壓功率可由偏壓電源140施加到靜電夾盤160，以幫助在處理過程中保持襯底122在底座IM上的合適位置。在一個實施例中，施加大約50W的偏壓功率。盡管鎢被描述成能利用本發(fā)明的等離子體穩(wěn)定器170有利蝕刻的材料的一個范例，其他材料，特別是金屬，也能利用穩(wěn)定器170和由此生成的等離子體有利地蝕刻。在步驟304，處理氣體被引入處理腔室102。該處理氣體可以是六氟化硫(SF6)，還可包括氮氣(N2)。SF6可以以大約20至大約300標準立方厘米每分鐘(sccm)的速率提供。 在一個實施例中，SF6以大約48SCCm的速率提供。N2可以以大約0至大約30sCCm的速率提供。在一個實施例中，隊以大約12sCCm的速率提供。其他適合蝕刻的處理氣體包括氯氣 (Cl2)、三氟化氮(NF3)、四氟化碳(CF4)、氯化氫(HCl)等。這些處理氣體可以與SF6相似的速率范圍提供，也可以是氣體混合物的一部分，或者與其他處理氣體如隊，一同引入。處理腔室102內(nèi)的壓力通常被控制在大約3到50mTorr的范圍內(nèi)。在一個實施例中，處理腔室 102內(nèi)的壓力控制在大約lOmTorr。在步驟306，通過從等離子體電源112施加RF功率至天線110形成等離子體。提供的功率范圍通常在大約100至大約1200W之間。在一個實施例中，RF功率以大約600W的功率級被施加到天線110，頻率大約為13. 56MHz。等離子體在步驟306中形成時，等離子體穩(wěn)定器170在上部處理區(qū)178中提供密集穩(wěn)定的等離子體。這樣，使襯底122能在較低的壓力和功率要求下被蝕刻。特別地，在不含等離子體穩(wěn)定器170的蝕刻腔室里的覆鎢襯底上進行的等離子體穩(wěn)定性測量表明，在從大約0到大約60mTorr的壓力范圍，維持穩(wěn)定的等離子體需要大約1500W及更高的RF功率。在大約10到大約30mTorr的壓力范圍內(nèi)，穩(wěn)定等離子體需要的功率顯著更高，并且在有些情形下，即使功率級超過3000W，等離子體也不能穩(wěn)定。一套類似的等離子體穩(wěn)定性測量在同一個但裝有等離子體穩(wěn)定器170的腔室內(nèi)進行。利用等離子體穩(wěn)定器170，發(fā)現(xiàn)在從大約0到大約eOmTorr的壓力范圍里，以大約500W的RF功率，等離子體就能穩(wěn)定。這樣， 等離子體穩(wěn)定器170的使用就拓寬了該工藝窗口(process window)，使蝕刻工藝能在以前不能進行蝕刻的壓力與功率級下進行。而且，更穩(wěn)定的等離子體，結(jié)合對上部和下部處理區(qū) 178,180里帶電與電中性物質(zhì)的空間分布的控制，提高了蝕刻的均勻性與選擇性。對于等離子體處理的其他應用，處理襯底產(chǎn)生的副產(chǎn)物可對處理結(jié)果造成不利影響。例如，利用氯和氧等離子體蝕刻鉻的時候，由襯底生成的鉻的氯氧化合物蝕刻副產(chǎn)物能被等離子體分離，這就抑制了蝕刻工藝。在該項應用中，等離子體穩(wěn)定器的使用阻止了蝕刻副產(chǎn)物到達RF功率沉積的區(qū)域，因此提高了鉻蝕刻工藝的均勻性與選擇性。等離子體處理的其他應用如CVD、PVD、門電路氮化和等離子體注入等的穩(wěn)定性與均勻性的類似改進可通過利用上述等離子體穩(wěn)定器來實現(xiàn)。盡管上文是針對本發(fā)明的幾個實施例，但不偏離本發(fā)明的基本范圍還可以設計出其他和更多的實施例，并且本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求確定。
權(quán)利要求
1.一種等離子體蝕刻設備，其包括 處理腔室；位于所述處理腔室中的襯底支承底座； 用來在所述腔室內(nèi)形成等離子體的RF電源；和等離子體穩(wěn)定器，其位于所述腔室內(nèi)所述襯底支承底座上方，并適合于控制等離子體的帶電物質(zhì)與電中性物質(zhì)的空間分布，其中所述等離子體穩(wěn)定器還包括 與所述處理腔室電絕緣的平板；穿過所述平板形成的多個孔眼，其中所述多個孔眼以方格網(wǎng)圖案布置；和將所述平板支撐在所述襯底支承底座上方的多個支柱。
2.如權(quán)利要求1所述設備，其中所述RF電源可操作地將電感應耦合至所述處理腔室。
3.如權(quán)利要求1所述設備，其中所述等離子體穩(wěn)定器與地電絕緣。
4.如權(quán)利要求1所述設備，其中所述等離子體穩(wěn)定器的直徑大于設置在所述襯底支承底座上的襯底的直徑。
5.如權(quán)利要求1所述設備，其中所述平板與所述襯底支承底座的襯底支撐表面不平行。
6.如權(quán)利要求1所述設備，其中所述平板由陶瓷或石英制造。
7.如權(quán)利要求1所述設備，其中所述平板由陽極氧化鋁制造。
8.如權(quán)利要求1所述設備，其中所述孔眼的直徑為約1.25厘米。
9.如權(quán)利要求1所述設備，其中所述多個孔眼還包括多個較大的孔和多個較小的孔。
10.如權(quán)利要求1所述設備，其中所述支柱相對于所述襯底支承底座以基本平行的間隔開的關系支撐所述平板。
11.如權(quán)利要求1所述設備，其中所述支柱的端耦合到面對所述襯底支承底座的所述平板的底表面并且不延伸出所述平板的面積范圍。
12.如權(quán)利要求1所述設備，還包括邊緣環(huán)，所述邊緣環(huán)圍繞襯底支承底座的上表面的周界布置并且具有從所述邊緣環(huán)向所述等離子體穩(wěn)定器延伸的所述多個支撐支柱。
13.一種等離子體蝕刻設備，其包括 處理腔室；置于所述處理腔室內(nèi)的襯底支承底座； 用來在所述處理腔室內(nèi)形成等離子體的RF電源；和等離子體穩(wěn)定器，其位于所述處理腔室內(nèi)所述襯底支承底座上方，并適合于控制等離子體的帶電物質(zhì)與電中性物質(zhì)的空間分布，并且所述等離子體穩(wěn)定器具有的直徑大于在所述襯底支承底座上的襯底的直徑，其中所述等離子體穩(wěn)定器還包括 與所述處理腔室電絕緣的平板；穿過所述平板形成的多個孔眼，其中所述多個孔眼以方格網(wǎng)圖案布置；和將所述平板支撐在所述襯底支承底座上方的多個支柱，其中所述支柱相對于所述襯底支承底座以基本平行的間隔開的關系支撐所述平板，所述支柱的端耦合到面對所述襯底支承底座的所述平板的底表面并且不延伸出所述平板的面積范圍。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設備，其中所述RF電源可操作地將電感應耦合到所述處理腔室。
15.如權(quán)利要求13所述的設備，其中所述等離子體穩(wěn)定器與地電絕緣。
16.如權(quán)利要求13所述的設備，所述平板由陶瓷或石英制造。
17.如權(quán)利要求13所述的設備，所述平板由陽極氧化鋁制造。
18.如權(quán)利要求13所述的設備，所述孔眼的直徑大約為1.25厘米。
19.如權(quán)利要求13所述的設備，所述多個孔眼還包括多個較大的孔和多個較小的孔。
20.如權(quán)利要求13所述的設備，還包括邊緣環(huán)，所述邊緣環(huán)圍繞所述襯底支承底座上表面的周界布置并且具有從所述邊緣環(huán)向所述等離子體穩(wěn)定器延伸的所述多個支撐支柱。
全文摘要
本發(fā)明提供一種利用空間分布經(jīng)修改(spatially modified)的等離子體蝕刻襯底的方法和設備。在一個實施例中，該方法包括提供在襯底支承底座上方配置有等離子體穩(wěn)定器的處理腔室。襯底被放置到底座上。處理氣體被引入處理腔室，而等離子體就由此處理氣體形成。用等離子體蝕刻襯底，而該等離子體具有由等離子體穩(wěn)定器限定的離子密度與原子團密度比。
文檔編號C23F4/00GK102280341SQ20111018915
公開日2011年12月14日 申請日期2005年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月30日
發(fā)明者J·P·霍蘭德, M·D·威爾維斯, V·N·特多柔 申請人:應用材料有限公司