專利名稱：多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光纖微加工技術(shù)、薄膜材料制備技術(shù)及光電檢測(cè)技術(shù)的交叉領(lǐng)域，涉及光纖氫氣傳感器，具體涉及到多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭及其制備方法。
背景技術(shù)：
氫氣是一種清潔能源。氫氣作為燃料具有資源豐富、燃燒發(fā)熱量高和污染少的特點(diǎn)。氫氣也是一種重要的化工原料，在航空航天、燃料電池汽車(chē)、金屬冶煉和化工合成領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由于氫氣分子最小，很容易泄漏。當(dāng)氫氣在空氣中達(dá)到一定的含量的時(shí)候，就很容易被點(diǎn)燃，進(jìn)而導(dǎo)致爆炸事故。因此，對(duì)氫氣的檢測(cè)非常重要。傳統(tǒng)的檢測(cè)氫氣傳感器是基于電化學(xué)反應(yīng)原理，由于化學(xué)反應(yīng)的重復(fù)性和穩(wěn)定性較差，信號(hào)的檢測(cè)采用電信號(hào)，采用電信號(hào)容易產(chǎn)生電火花，電信號(hào)容易受電磁干擾，因而導(dǎo)致傳統(tǒng)的氫氣傳感器的精確度、安全性都不能滿足氫氣檢測(cè)的需要。因此，開(kāi)發(fā)一種安全可靠的氫氣傳感器已成為迫切的需要。光纖光柵傳感器由于有極高的靈敏度和精度、固有的安全性、抗電磁干擾、高絕緣強(qiáng)度、耐高溫、耐腐蝕、質(zhì)輕柔韌、集傳感與傳輸一體、能與數(shù)字通信系統(tǒng)兼容等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)在石油化工、航空航天、橋梁監(jiān)測(cè)等行業(yè)有廣泛的應(yīng)用。因此利用光纖光柵對(duì)氫氣濃度進(jìn)行檢測(cè)具有重要意義。金屬Pd是理想的氫氣敏感材料，對(duì)氫氣具有很好的選擇性和靈敏度。由于金屬Pd 的特殊原子結(jié)構(gòu)，氫氣分子能夠在鈀表面形成氫原子，并進(jìn)入到Pd的原子間隙中，當(dāng)氫氣的濃度達(dá)到一定時(shí)能夠形成穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，當(dāng)氫氣濃度降低的時(shí)候，氫原子能夠從Pd中擴(kuò)散出來(lái)，這時(shí)Pd能夠恢復(fù)到原來(lái)的狀態(tài)。Pd能夠吸收的氫氣是自身體積900倍，并且能夠發(fā)生體積膨脹，因此金屬Pd是理想的氫氣敏感材料。通常采用物理氣相沉積的方法將Pd膜沉積在光纖上制備敏感探頭，然而Pd膜是一種金屬材料，其物理化學(xué)特性和基于SiO2的光纖介質(zhì)材料存在較大的差異，制備在光纖上的Pd膜的機(jī)械穩(wěn)定性較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是為了更進(jìn)一步提高傳感探頭的靈敏度和穩(wěn)定性，提供一種多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭及其制作方法。將光纖光柵進(jìn)行側(cè)邊拋磨形成D型光纖光柵，在濺射Pd膜前在D型光纖光柵上濺射一定厚度的S^2薄膜，然后將Pd與S^2共濺射形成一定厚度的Pd與S^2的過(guò)渡層，最后通過(guò)直流濺射將金屬Pd濺射到D型光纖光柵上形成敏感探頭。Pd薄膜吸氫后體積發(fā)生膨脹，從而對(duì)D型光纖光柵施加軸向的應(yīng)力，改變D型光纖光柵的周期，導(dǎo)致D型光纖光柵的中心波長(zhǎng)發(fā)生改變，通過(guò)檢測(cè)D型光纖光柵中心波長(zhǎng)的變化就可以得到氫氣的濃度。將光纖光柵與氫氣敏感材料Pd膜結(jié)合，通過(guò)測(cè)量D型光纖光柵反射中心波長(zhǎng)得到氫氣的濃度不僅可以避免光纖雙折射效應(yīng)和光纖中光強(qiáng)變化對(duì)測(cè)量精度的影響，而且由于采用波長(zhǎng)解調(diào)，能夠形成分布式測(cè)量，使檢測(cè)的范圍大大提高。通過(guò)磁控濺射將氫氣敏感薄膜濺射到D型光纖光柵上，不僅可以大大減小傳感器的體積，而且還可以提高傳感器的靈敏度和測(cè)量范圍。本發(fā)明目的是通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)一種多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭，其特征在于，該探頭由鍍有氫氣敏感薄膜的D型光纖光柵與具有同樣中心波長(zhǎng)、但沒(méi)有鍍膜的參考光柵對(duì)接熔接構(gòu)成；所述的鍍有氫氣敏感薄膜的D型光纖光柵，由經(jīng)過(guò)側(cè)邊拋磨處理的光纖光柵上采用磁控濺射鍍SW2 薄膜、再鍍Si02*Pd的混合膜、然后再鍍Pd薄膜構(gòu)成；所述的SiO2薄膜的厚度為1-lOOnm， 所述的SW2和Pd的混合膜的厚度為Ι-lOOnm，所述的Pd薄膜的厚度為10歷-20 μ m。本發(fā)明的一種多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭的制作方法，包括如下步驟1)、將經(jīng)過(guò)側(cè)邊拋磨處理的D型光纖光柵在無(wú)水乙醇中超聲清洗30-60分鐘，然后在去離子水中超聲清洗20-40分鐘，用紫外燈烘烤干后備用；2)、將經(jīng)步驟1)處理過(guò)的D型光纖光柵放入鍍膜機(jī)腔體中，采用高真空磁控濺射法依次磁控濺射SiA薄膜、SiA和Pd的混合膜、及Pd薄膜，其SiA薄膜的厚度為1-lOOnm， SiO2和Pd的混合薄膜厚度為1-lOOnm，Pd薄膜的厚度為10歷-20 μ m ；3)、將磁控濺射制備了 SiA薄膜、SiA和Pd的混合膜及Pd薄膜共三層薄膜的D型光纖光柵，放置于氣壓為lX10_3Pa高真空中進(jìn)行熱處理，熱處理溫度設(shè)定為100°C、15(TC、 200 V、250 V、300 V、350 V、400 V，升溫速率設(shè)定為每分鐘2-6 V，保溫時(shí)間為1-6小時(shí)；降溫速率設(shè)定為每分鐘2-6°C ；4)、將經(jīng)步驟幻熱處理后的鍍膜后的D型光纖光柵在與具有相近中心波長(zhǎng)，但沒(méi)有鍍膜的參考光柵對(duì)接熔接起來(lái)，即制得多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭。本發(fā)明中所述的SiO2 材料或者用 WO3、TiO2, SnO2, V205、A1203、Ti、Cr、Ni、Cu 或 Au替代。本發(fā)明的多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭的制作方法中，濺射靶材使用高純度的SiO2和Pd靶，在1 X IO-3Pa高真空下，氬氣作為工藝氣體，氣壓0. 5Pa。SiO2薄膜的制備采用射頻濺射工藝，起始功率70W，濺射功率150W，石英晶體振蕩法監(jiān)測(cè)厚度，制備薄膜厚度為I-IOOnm ；然后采用射頻濺射制備S^2膜和直流濺射制備Pd膜，在此過(guò)程中同時(shí)濺射 SiO2和Pd膜。直流濺射起始功率50W，濺射功率IOOW ；射頻濺射工藝，起始功率70W，濺射功率150W，在光纖光柵上沉積I-IOOnm的SW2和Pd的混合膜；再繼續(xù)濺射Pd膜，Pd薄膜的厚度為10nm-20ym。本發(fā)明將金屬Pd濺射到經(jīng)過(guò)拋磨處理的截面為D型光纖光柵上制成光纖氫氣傳感器探頭。金屬Pd對(duì)氫氣具有較好的敏感性和選擇性，光纖光柵具有絕緣、耐腐蝕、耐高溫、抗電磁干擾、質(zhì)輕等優(yōu)點(diǎn)。將兩者結(jié)合可以制備微型高靈敏度的光纖氫氣傳感器探頭。 將光纖光柵經(jīng)過(guò)拋磨處理，然后在光纖光柵上濺射Pd膜可以大大提高光纖氫氣傳感器的靈敏度。本發(fā)明的多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭工作原理(圖1)是光纖光柵解調(diào)儀中光源發(fā)出穩(wěn)定的寬帶光，通過(guò)耦合器到達(dá)鍍了 Pd的D型光纖光柵，一定的波長(zhǎng)的光被該光纖光柵反射到光纖光柵解調(diào)儀。當(dāng)傳感探頭放在不同濃度的氫氣氛圍時(shí)，Pd膜吸收H2, 體積膨脹，使D型光纖光柵的周期發(fā)生改變，從而改變D型光纖光柵反射光的中心波長(zhǎng)，通過(guò)檢測(cè)光纖光柵反射光的中心波長(zhǎng)的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)氫氣濃度的高靈敏度精確測(cè)量。
本發(fā)明中的傳感光纖采用單模光纖，纖芯的直徑為9 μ m,包層的厚度為62. 5 μ m。 用相位掩模板法，通過(guò)準(zhǔn)分子激光器發(fā)出產(chǎn)生的紫外光，在透過(guò)掩模板衍射時(shí)，零級(jí)衍射光被衰減到低于透射功率的3 %，而一級(jí)衍射相加或相減被最大化，分別占整個(gè)透射功率的 35%左右。一級(jí)衍射條紋發(fā)生干涉，干涉條紋照射在光纖纖芯上，使照射部分纖芯折射率發(fā)生永久性改變，形成布拉格光纖光柵。通過(guò)相同的工藝制作一批中心波長(zhǎng)為1300或1550nm 附近的光纖光柵。通過(guò)用相位掩模板法制備的光纖光柵具有可靠性高，反射率在90%以上， 可以提高檢測(cè)信號(hào)。為了提高傳感探頭的靈敏度，將光纖光柵固定在拋磨機(jī)上進(jìn)行拋磨，去掉一部分包層。通過(guò)設(shè)定拋磨速度和拋磨時(shí)間可以控制光纖光柵的拋磨程度。將光纖光柵拋磨，一方面可以去掉一部分包層，另一方面可以在光纖光柵上形成具有一定粗糙度的平面。包層的減少可以使傳感探頭在同樣濃度的氫氣下能產(chǎn)生更大的形變；在具有一定粗糙度的表面濺射SiO2薄膜、SiO2和Pd混合膜，然后濺射Pd薄膜，可以提高Pd薄膜與光纖光柵的結(jié)合力，也可以形成具有一定擇優(yōu)生長(zhǎng)的Pd薄膜材料。通過(guò)拋磨后再濺射薄膜可以大大提高光纖光柵形變的靈敏度，從而提高傳感探頭的精度。將經(jīng)過(guò)拋磨的光纖光柵在無(wú)水乙醇中超聲清洗30-60分鐘，然后在去離子水中超聲清洗20-40分鐘，用紫外燈烘烤干后，放入鍍膜機(jī)腔體中濺射SiO2薄膜、SW2和Pd的混合膜、及Pd薄膜，在高真空條件下向光纖光柵的拋磨面濺射這三層薄膜。薄膜的制備采用德國(guó)進(jìn)口 BESTEC真空鍍膜機(jī)，在lX10’a高真空下，氬氣作為工藝氣體，氣壓0.5Pa。鍍 SiO2薄膜采用射頻濺射工藝，起始功率70W，濺射功率150W，石英晶體振蕩法監(jiān)測(cè)厚度，通過(guò)控制濺射時(shí)間來(lái)控制薄膜厚度，制備的S^2薄膜厚度為Ι-lOOnm。制備S^2和Pd的混合膜時(shí)，SiO2的濺射仍然采用制備S^2薄膜采用的工藝參數(shù)，在射頻濺射S^2同時(shí)，開(kāi)始用直流濺射Pd膜，起始功率50W，工作功率100W，氬氣作為工藝氣體，氣壓0. 5Pa, SiO2和Pd的混合膜的厚度為Ι-lOOnm。在鍍完S^2和Pd的混合膜后，停止射頻濺射，直流濺射繼續(xù)工作，當(dāng)Pd薄膜達(dá)到所需的厚度后，停止直流濺射，這樣就鍍好了 Pd膜。采用磁控濺射方法制備薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn)薄膜具有非晶態(tài)結(jié)構(gòu)，膜與光纖光柵之間的粘著力強(qiáng)；易形成高熔點(diǎn)物質(zhì)的膜；可得到大面積均勻致密的薄膜。將濺射有上述三層薄膜的D型光纖光柵，在氣壓為1 X IO-3Pa高真空中，設(shè)定溫度為i00°c、i5(rc、20(rc、25(rc、30(rc、35(rc、40(rc下熱處理ι-6小時(shí)，提高傳感探頭的性能。在真空中熱處理，可以防止薄膜被氧化；在真空高溫下熱處理不僅可以提高薄膜與光纖光柵的粘附力，還可以提高薄膜的致密度，減少薄膜中的缺陷，進(jìn)而提高傳感探頭的靈敏度。為了減少溫度對(duì)測(cè)量精度的影響，將鍍膜后的光纖光柵與具有相近中心波長(zhǎng)的光纖光柵對(duì)接焊接起來(lái)，沒(méi)鍍膜的光纖光柵作為參考光柵。在同樣的環(huán)境下，用濺射了上述三層膜的D型光纖光柵中心波長(zhǎng)的變化量減去參考光柵中心波長(zhǎng)的變化量，可以抵消由于溫度變化導(dǎo)致D型光纖光柵中心波長(zhǎng)的漂移，從而得到由氫氣濃度變化所導(dǎo)致D型光纖光柵中心波長(zhǎng)的變化。通過(guò)這種方法，可以大大提高光纖氫氣傳感器的靈敏度。


圖1、多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭測(cè)試原理圖
5
圖2、多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭結(jié)構(gòu)示意3、多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭側(cè)面示意4、多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭截面示意中1-計(jì)算機(jī)，2-光纖光柵解調(diào)儀，3-耦合器，4-傳感光纖，5-參考光柵，6_鍍有氫氣敏感膜的D型光纖光柵，7-氣室，S-N2通氣口，Q-H2通氣口，10-氫氣敏感薄膜，11-光纖纖芯，12-光纖包層，13-Si02薄膜，H-SiO2和Pd的混合膜，15-Pd薄膜。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭的實(shí)施方案作進(jìn)一步說(shuō)明。本發(fā)明的多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭結(jié)構(gòu)如圖2所示，探頭由鍍(濺射) 有氫氣敏感薄膜10的D型光纖光柵6與具有相近中心波長(zhǎng)的沒(méi)有鍍膜的參考光柵5對(duì)接焊接起來(lái)構(gòu)成；其氫氣敏感薄膜10由SW2膜13、SiO2和Pd的混合膜14及Pd薄15膜組成。采用相位掩模板法用單模光纖制備兩根具有相近中心波長(zhǎng)的光纖光柵。一根作為參考光柵5起溫度補(bǔ)償作用；另一根制作成D型光纖光柵6 (傳感光柵)，起敏感探頭作用。 為了提高傳感探頭的靈敏度，將作為敏感探頭的光纖光柵固定在拋磨機(jī)上進(jìn)行拋磨，去掉一部分光纖包層12，使光纖光柵拋磨接近光纖纖芯11，使形成具有一定粗糙度的平面。在光纖光柵拋磨的表面濺射有SiA薄膜、SiA和Pd的混合膜及Pd薄膜共三層薄膜(見(jiàn)圖3和圖4)，第一層S^2薄膜起到作為基底薄膜的作用，基底薄膜與D型光纖光柵的側(cè)拋面有較好的結(jié)合力。第二層SW2和Pd的混合薄膜作為過(guò)渡層，可以提高第一層SiA 薄膜與第三層Pd薄膜的結(jié)合力。第三層Pd薄膜的主要作用是對(duì)氫氣敏感，在不同的氫氣濃度下，體積發(fā)生膨脹，改變D型光纖光柵的中心波長(zhǎng)。采用三層薄膜結(jié)構(gòu)可以提高Pd薄膜與D型光纖光柵的結(jié)合力。將經(jīng)過(guò)拋磨的D型光纖光柵在無(wú)水乙醇中超聲清洗30分鐘， 然后在去離子水中超聲清洗20分鐘，用紫外燈烘烤干后，放入鍍膜機(jī)腔體中濺射SiO2薄膜、SiO2和Pd的混合膜、及Pd薄膜。在高真空條件下向光纖光柵的拋磨面濺射薄膜，薄膜的制備采用德國(guó)進(jìn)口 BESTEC真空鍍膜機(jī)，在1X10_3I^高真空下，以氬氣作為工藝氣體，氣壓0. 5Pa。第一層SW2薄膜采用射頻濺射工藝，起始功率70W，濺射功率150W，石英晶體振蕩法監(jiān)測(cè)厚度。通過(guò)控制濺射時(shí)間來(lái)控制薄膜厚度，制備薄膜厚度為1-100nm ；第二層S^2 和Pd的混合膜，其SW2濺射采用濺射第一層SiA薄膜的工藝參數(shù)，在射頻濺射SiA同時(shí)， 開(kāi)始用直流濺射Pd薄膜，開(kāi)始功率50W，工作功率100W，氬氣作為工藝氣體，氣壓0. 5Pa。在鍍完S^2和Pd的混合膜后，停止射頻濺射，直流濺射繼續(xù)工作。此時(shí)只有Pd繼續(xù)向D型光纖光柵沉積，當(dāng)Pd薄膜達(dá)到所需的厚度后，停止直流濺射，這樣就鍍好了三層膜。采用磁控濺射方法制備薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn)薄膜具有非晶態(tài)結(jié)構(gòu)，膜與光纖光柵之間的粘著力強(qiáng)； 易形成高熔點(diǎn)物質(zhì)的膜；可得到大面積均勻致密的薄膜。將濺射有三層薄膜的D型光纖光柵，在氣壓為1 X IO-3Pa高真空中，設(shè)定溫度為 IOO0C > 150 0C > 200 V、250 V、300 V、350 V、400 V下熱處理，升溫速率設(shè)定為每分鐘2-6 V， 保溫時(shí)間為1-6小時(shí)；降溫速率設(shè)定為每分鐘2-6°C，以提高傳感探頭的性能。在真空中熱處理，可以防止薄膜被氧化；在高溫下熱處理不僅可以提高薄膜與光纖光柵的粘附力，還可以提高薄膜的致密度，減少薄膜中的缺陷，進(jìn)而提高傳感探頭的靈敏度。
為了減少溫度對(duì)測(cè)量精度的影響，將鍍膜后的D型光纖光柵與具有同樣中心波長(zhǎng)的光纖光柵對(duì)接焊接起來(lái)，沒(méi)鍍膜的光纖光柵作為參考光柵。在同樣的環(huán)境下，用濺射了上述三層膜的D型光纖光柵中心波長(zhǎng)的變化量減去參考光柵中心波長(zhǎng)的變化量，可以抵消由于溫度變化導(dǎo)致D型光纖光柵中心波長(zhǎng)的漂移，從而得到由氫氣濃度變化所導(dǎo)致D型光纖光柵中心波長(zhǎng)的變化。通過(guò)這種方法，可以大大提高光纖氫氣傳感器的靈敏度。
權(quán)利要求
1.一種多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭，其特征在于，該探頭由鍍有氫氣敏感薄膜 (10)的D型光纖光柵(6)與具有同樣中心波長(zhǎng)、但沒(méi)有鍍膜的參考光柵( 對(duì)接熔接構(gòu)成；所述的鍍有氫氣敏感薄膜(10)的D型光纖光柵(6)，由經(jīng)過(guò)側(cè)邊拋磨處理的光纖光柵上采用磁控濺射鍍SiO2薄膜(13)、再鍍S^2和Pd的混合膜(14)、然后再鍍Pd薄膜(15) 構(gòu)成；所述的SiA薄膜(13)的厚度為Ι-lOOnm，所述的S^2和Pd的混合膜(14)的厚度為 Ι-lOOnm，所述的Pd薄膜(15)的厚度為10nm_20ym。
2.如權(quán)利要求1所述的一種多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭，其特征在于，所述的 SiO2 材料或者用 WO3、TiO2、SnO2、V2O5、A1203、Ti、Cr、Ni、Cu 或 Au 替代。
3.一種多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭的制作方法；其特征包括如下步驟1)、將經(jīng)過(guò)側(cè)邊拋磨處理的D型光纖光柵在無(wú)水乙醇中超聲清洗30-60分鐘，然后在去離子水中超聲清洗20-40分鐘，用紫外燈烘烤干后備用；2)、將經(jīng)步驟1)處理過(guò)的D型光纖光柵放入鍍膜機(jī)腔體中；采用高真空磁控濺射法依次磁控濺射SW2薄膜、SW2和Pd的混合膜、及Pd薄膜，其SW2薄膜的厚度為1-lOOnm，SiO2 和Pd的混合薄膜厚度為1-lOOnm，Pd薄膜的厚度為10歷-20 μ m ；3)、將磁控濺射制備了S^2薄膜、SiO2和Pd的混合膜及Pd薄膜共三層薄膜的D型光纖光柵，放置于氣壓為1 X10_3I^高真空中進(jìn)行熱處理，熱處理溫度設(shè)定為100°C、15(TC、 200 V、250 V、300 V、350 V、400 V，升溫速率設(shè)定為每分鐘2-6 V，保溫時(shí)間為1-6小時(shí)；降溫速率設(shè)定為每分鐘2-6°C ；4)、將經(jīng)步驟幻熱處理后的鍍膜后的D型光纖光柵在與具有相近中心波長(zhǎng)，但沒(méi)有鍍膜的參考光柵熔接起來(lái)，即制得多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭；其中所述的 SiO2 材料或者用 WO3、TiO2、SnO2、V2O5、A1203、Ti、Cr、Ni、Cu 或 Au 替代。
全文摘要
一種多層復(fù)合敏感膜光纖氫氣傳感探頭及其制作方法。該探頭由鍍有氫氣敏感薄膜(10)的D型光纖光柵(6)與具有同樣中心波長(zhǎng)、但沒(méi)有鍍膜的參考光柵(5)對(duì)接熔接構(gòu)成；所述的鍍有氫氣敏感薄膜(10)的D型光纖光柵(6)，由經(jīng)過(guò)側(cè)邊拋磨處理的光纖光柵上采用磁控濺射鍍SiO2薄膜(13)、再鍍SiO2和Pd的混合膜(14)、然后再鍍Pd薄膜(15)構(gòu)成；所述的SiO2薄膜厚度為1-100nm，SiO2和Pd的混合膜厚度為1-100nm，Pd薄膜厚度為10nm-20μm。其制法是將對(duì)氫氣敏感的薄膜與抗電磁干擾D型光纖光柵結(jié)合起來(lái)形成光纖氫氣傳感器探頭。采用磁控濺射、熱處理和溫度補(bǔ)償技術(shù)，使傳感器的準(zhǔn)確性和靈敏度得到極大地提高，并且傳感探頭體積大大減小，有利于實(shí)現(xiàn)光纖氫氣傳感器的微型化。
文檔編號(hào)C23C14/35GK102175619SQ20111003889
公開(kāi)日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2011年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月16日
發(fā)明者代吉祥, 楊明紅, 程蕓 申請(qǐng)人:武漢理工大學(xué)